Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索
[go: Go Back, main page]

1153万例文収録!

「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > formation layerに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

formation layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4330



例文

An n-type source layer 10 shallowly formed by diffusion formation is arranged at the p-type base layer 4 so that the thyristor may not be latched-up, and a cathode electrode 11 is formed in such a manner that it contacts to the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10, simultaneously.例文帳に追加

p型ベース層4には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたn型ソース層10が設けられ、カソード電極11はp型ドレイン層9とn型ソース層10に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁

In the medium 1 for determining authenticity, an alignment layer 3 and a light selection reflecting pattern layer 4 are sequentially layered on one surface of a base material 2, and a reflection type hologram comprising a hologram formation layer 5 and a reflective layer 6 is layered on the other surface.例文帳に追加

基材2の片面に配向膜3、光選択反射パターン層4が順に積層され、他の面にホログラム形成層5および反射性層6からなる反射型ホログラムを積層して真偽判定用媒体1とする。 - 特許庁

To provide a non-contact type data receiving and transmitting body in which an antenna and an IC chip are not heat-deteriorated by the formation of a printing layer in the non-contact type data receiving and transmitting body including a thermosensitive recording layer and the printing layer formed in the recording layer.例文帳に追加

感熱記録層およびそこに形成された印字層を備えた非接触型データ受送信体において、印字層の形成によってアンテナやICチップが熱劣化しない非接触型データ受送信体を提供する。 - 特許庁

On the outer peripheral surface of the dielectric layer 13, an insulating layer 16 having an electric insulation property is formed in a region nearby an anode terminal 3, and the first cathode layer 14 is formed in a region different from the formation region of the insulating layer 16.例文帳に追加

誘電体層13の外周面には、陽極端子3の近傍領域に、電気絶縁性を有する絶縁層16が形成され、第1陰極層14は、絶縁層16の形成領域とは異なる領域に形成されている。 - 特許庁

例文

The orientation substrate 5A for film formation is equipped with a first metal layer 1 which has no orientation and non-magnetic property, and a second metal layer 2 bonded to that first metal layer 1 having a texture of which at least the surface layer is oriented.例文帳に追加

膜形成用配向基板5Aは、無配向で非磁性の第1の金属層1と、その第1の金属層1に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第2の金属層2とを備えている。 - 特許庁


例文

The oxide superconducting thin film wire material comprises: the orientated metal base; the intermediate layer for oxide superconducting thin film layer formation formed on the orientated metal base; and the oxide superconducting thin film layer formed on the intermediate layer.例文帳に追加

配向金属基材上に、前記酸化物超電導薄膜層形成用の中間層が形成され、さらに、前記中間層の上に、酸化物超電導薄膜層が形成されている酸化物超電導薄膜線材。 - 特許庁

The buffer layer is provided between the source electrode layer and the drain electrode layer, and the semiconductor layer forming the channel formation region, and is provided particularly for relaxing the electric field in the vicinity of a drain edge and improving the withstanding voltage of the transistor.例文帳に追加

バッファ層は、チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にあって、特にドレイン端近傍の電界を緩和して、トランジスタの耐圧を向上させるように設けられる。 - 特許庁

A metal gas filling layer 3 made of a silicon oxide is formed on the texture formation layer 2, and a first electrode 4, a photoelectric conversion layer 6 and a second translucent electrode 7 are sequentially formed on the metal gas filling layer 3.例文帳に追加

テクスチャ形成層2上に酸化シリコンからなる金属ガス封入層3が形成され、金属ガス封入層3上に第1の電極4、光電変換層6および透光性の第2の電極7が順に形成されている。 - 特許庁

To raise the usage efficiency of material gas for improved film- formation rate by forming one layer of p-type semiconductor layer, i-type amorphous silicon photoelectric conversion layer, and n-type semiconductor layer under a specified condition in a plasma CVD reactive chamber.例文帳に追加

原料ガスの利用効率を高めて成膜速度を高めることにより生産のコストおよび効率を改善するとともに、良好な性能を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

An orientation substrate 5A for film formation comprises: a first metal layer 1 which has no orientation and non-magnetic property; and a second metal layer 2 bonded to the first metal layer 1 and having aggregate structure in which at least a surface layer is oriented.例文帳に追加

膜形成用配向基板5Aは、無配向で非磁性の第1の金属層1と、その第1の金属層1に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第2の金属層2とを備えている。 - 特許庁

例文

The formation of the nitride semiconductor crystal layer includes making at least a portion of the silicon crystal layer incorporated into the nitride semiconductor crystal layer to reduce the thickness of the silicon crystal layer from the second thickness.例文帳に追加

前記窒化物半導体結晶層の形成は、前記シリコン結晶層の少なくとも一部を前記窒化物半導体結晶層に取り込ませ、前記シリコン結晶層の厚さを前記第2の厚さから減少せることを含む。 - 特許庁

The alignment substrate for film formation 5A is composed of a non-magnetic first metal layer 1 without orientation, and a second metal layer 2 stuck on the first metal layer 1 of which, at least surface layer has an oriented aggregation structure.例文帳に追加

膜形成用配向基板5Aは、無配向で非磁性の第1の金属層1と、その第1の金属層1に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第2の金属層2とを備えている。 - 特許庁

An electrostatic breakdown trigger section 20 of an MOS structure composed of a semiconductor layer 21 for MOS formation, a first insulating film 13 and a metal layer 22 for MOS formation, is formed outside of a panel area 10P on the large substrate 10.例文帳に追加

大判の基板10上のパネル領域10Pの外側に、MOS形成用半導体層21、第1の絶縁膜13、MOS形成用金属層22からなるMOS構造である静電破壊誘発部20が形成される。 - 特許庁

An upper end of a side face of the element isolation film 102 is positioned above a channel formation layer of the transistor, and a height (h) from the surface of the channel formation layer to a topmost part of the side face of the element isolation film 102 is35 nm.例文帳に追加

素子分離膜102の側面の上端は、トランジスタのチャネル形成層よりも上に位置しており、かつチャネル形成層の表面から素子分離膜102の側面の最上部までの高さhが35nm以下である。 - 特許庁

The foams 4 are formed so that a foam formation direction in the upper layer Ph is uniformly inclined in a predetermined direction with respect to the thickness direction and that the foam formation direction in the lower layer Pr extends along the thickness direction.例文帳に追加

発泡4は、上部層Phでの発泡形成方向が厚み方向に対して一定方向に一様に傾斜するように形成されており、下部層Prでの発泡形成方向が厚み方向に沿うように形成されている。 - 特許庁

The method for producing seaweed seeds and seedlings includes fixing sargassum immatures 5 before formation of appressorium surface-layer cells or just after beginning of formation of the appressorium surface-layer cells after fibrous rhizoids 6 are elongated from a fertilized ovum to a primary epiphytic fern ground substance 7.例文帳に追加

受精卵から繊維状の仮根6が伸長して、付着器表層細胞が形成される前、もしくは付着器表層細胞が形成され始めた直後のホンダワラ類の幼体5を一次着生基質7に固定する。 - 特許庁

When volume of the front chamber is VL, pressure of the front chamber is PL, volume of the main chamber is VM, pressure of the main chamber is PM and time from finish of formation of he metallic magnetic layer till start of formation of the dielectrics layer is τ, following relations are satisfied.例文帳に追加

前室の体積VL、前室の圧力PL、メインチャンバの体積VM、メインチャンバの圧力PM、金属磁性層の形成後から誘電体層の形成開始までの時間τとしたとき、次の関係を満足する。 - 特許庁

To provide a crystalline Si layer formation substrate with a high production efficiency and a high crystallinity, provide its manufacturing method without damaging a plastic substrate, and provide a crystalline Si device using the crystalline Si layer formation substrate.例文帳に追加

プラスチック基板を損傷させることなく、生産効率が高く、かつ結晶性が高い結晶性Si層形成基板及びその製造方法、並びに結晶性Si層形成基板を用いた結晶性Siデバイスを提供する。 - 特許庁

This manufacturing method is provided with the formation of the tungsten silicide layer 110b, after forming a part smaller than the bottom electrode of the capacitor from doped polysilicon and the formation of the tungsten nitride on the surface of the tungsten nitride layer 111.例文帳に追加

DRAMコンデンサの製造方法は、ドーピングしたポリシリコンから、コンデンサの底部電極より小さい一部を形成した後の、タングステンシリサイド層の形成と、前記タングステンナイトライド層の表面上のタングステンナイトライドの形成を含む。 - 特許庁

The first reflectivity change thereby is larger than an average reflectivity change upon formation of a thicker contamination layer on the capping layer (108) and larger than an average reflectivity change upon formation of an equal contamination on the actual mirrors of the optics of the system.例文帳に追加

最初の反射率変化は、キャップ層(108)上のより厚い汚染層の形成時の平均反射率変化より大きく、システム光学系の実際のミラー上での等しい汚染の形成時での平均反射率変化より大きい。 - 特許庁

In order to sustain excitation of plasma P, pressure in a vacuum chamber 22 is controlled in the processing of changing the gas flow rate when a transition is made from formation of the amorphous Si layer to formation of the microcrystalline Si layer.例文帳に追加

プラズマPの励起を継続させるために、アモルファスSi層の形成処理から微結晶Si層の形成処理に遷移するガス流量を変更する処理において、真空チェンバー22内の圧力が制御されている。 - 特許庁

A second conductivity type surface storage layer 25, which restrains a dark current element is formed in a surface of a first conductivity type depletion layer formation region 24 which forms a photoelectric conversion part 23, and the surface storage layer 25 is formed wider than the depletion laver formation region 26.例文帳に追加

光電変換部23を形成する第1導電型の空乏層形成領域24の表面に暗電流成分を抑制する第2導電型の表面蓄積層25を有し、表面蓄積層25が空乏層形成領域26より広く形成されて成る - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a channel formation region, a charge holding layer, and a tunnel insulating film provided between the channel formation region and charge holding layer and containing silicon particles each having a first nitride-containing layer on a surface.例文帳に追加

チャネル形成領域と、電荷保持層と、前記チャネル形成領域と前記電荷保持層との間に設けられ、表面に第1の窒素含有層を有するシリコン粒を含むトンネル絶縁膜と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

At a pre-transfer exposure, the light emitting pixel portion of the light emitting element matrix layer corresponding to the non-image formation part of the photoreceptor layer is made to emit light, and at least the non-image formation part on the photoreceptor layer is exposed several times or continuously, related to the same area.例文帳に追加

転写前露光は、感光体層の少なくとも非画像形成箇所に対応する発光素子マトリックス層部分の発光画素部を発光させて感光体層の前記少なくとも非画像形成個所と同一領域に関して複数回露光する、又は連続露光することで行う。 - 特許庁

In the heat-developable photographic sensitive material where a non-sensitive layer and the image formation layer are provided in this order on at least one surface of a polyester support, the non-sensitive and image formation layers are coated with a nonaqueous coating liquid by simultaneous double-layer coating.例文帳に追加

ポリエステル支持体上の少なくとも一方の面の上に、非感光層と画像形成層をこの順に有する熱現像写真感光材料において、該非感光層と該画像形成層が非水系塗布液を同時重層塗布により塗設されたことを特徴とする熱現像写真感光材料。 - 特許庁

A multilayer printed circuit board 1 has substrate formation unit layers 11 laminated in plural numbers that are composed of an electrical insulating layer 3 and a conductive layer 2, wherein the substrate formation unit layers 11 adhere to each other and provide an adhesive layer 13 as well that is softened by heating and undergoes plastic deformation by external force.例文帳に追加

電気絶縁層3と導電層2からなる基板構成単位層11を複数積層した多層プリント配線基板1において、基板構成単位層11同士を接着するとともに、加熱により軟化し、かつ、外力により塑性変形する接着層13を有する。 - 特許庁

In the surface-treated steel sheet, at least one side of a steel sheet is provided with a film composed of a reaction layer comprising Ti and Fe and a coating layer stacked on the reaction layer, the oxygen reduction current after the formation of the film is ≤1/10 of the oxygen reduction current before the formation of the film.例文帳に追加

鋼板の少なくとも片面に、TiおよびFeを含む反応層と、該反応層上に積層した被覆層とからなる被膜を有する表面処理鋼板において、該被膜の形成後の酸素還元電流が同被膜形成前の酸素還元電流の1/10以下となる被膜を形成する。 - 特許庁

Epitaxial layers are experimentally grown upon actual wafer samples under various different layer formation conditions, thickness profiles are measured over the entire surfaces of these wafers before and after growth of the layers, and from differences thereof, layer thickness profiles over the entire areas of the epitaxial layers under the various different layer formation conditions are ascertained and stored.例文帳に追加

種々の成膜条件で実際にウェーハサンプル上にエピタキシャル膜を成長させてみて、成長前後のウェーハの全面での厚み形状を測定し、その差から、種々の成膜条件下でのエピタキシャル膜の全域での膜厚形状を把握し記憶する。 - 特許庁

To provide a transfer paper on which a pattern formation layer having excellent use efficiency of a conductive material can be efficiently formed and which can have the pattern formation layer and an overcoat layer transferred to a flexible film substrate, to provide a manufacturing method of the transfer paper, and to provide a manufacturing method of a functional thin film using the transfer paper.例文帳に追加

導電性材料の利用効率が良好なパターン形成層を効率よく形成でき、該パターン形成層とオーバーコート層をフレキシブルフィルム基板に転写可能な転写用紙及び該転写用紙の製造方法、並びに該転写用紙を用いた機能性薄膜の製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent color mixing from being generated in a method for manufacturing a color filter comprising formation of a partition wall layer composed of a resin on a transparent substrate and formation of a coloring part by imparting curable ink to opening parts of the partition wall layer with an inkjet method by excellently repelling the ink on the surface of the partition wall layer.例文帳に追加

透明基板上に樹脂製の隔壁層を形成し、該隔壁層の開口部にインクジェット方式により硬化型インクを付与して着色部を形成するカラーフィルタの製造方法において、隔壁層表面で上記インクを良好にはじいて混色の発生を防止する。 - 特許庁

The method for processing target objects includes: a heat-mode resist layer formation step in which the heat-mode resist layer is formed on top of a substrate; and a micro-hole/groove formation step in which the heat-mode resist layer is irradiated multiple times by laser light, thereby forming micro-holes or grooves.例文帳に追加

基材上にヒートモードレジスト層を形成するヒートモードレジスト層形成工程と、前記ヒートモードレジ スト層に対してレーザ光を複数回照射して微細穴乃至溝の形状を形成する微細穴乃至溝形成工程とを含む被加工物の加工方法である。 - 特許庁

An active layer 4 constituted of a wetting layer 3 and a quantum dot 1 as a self-formation quantum dot is formed on a substrate, and a low band gap layer 2 is formed so as to be brought into contact with the periphery of the quantum dot 1.例文帳に追加

基板上にウェッティング層3と自己形成量子ドットである量子ドット1からなる活性層4を設けるとともに、量子ドット1の周囲に接するように低バンドギャップ層2を設ける。 - 特許庁

A side 16b in the element formation layer is connected to an upper surface 14c of the stress relaxation layer in an electrically non-conductive state via an insulating stress transfer layer 18 formed on the upper surface.例文帳に追加

素子形成層の側面16bは、応力緩和層の上面14cと、この上面に形成された絶縁性応力伝達層18を介して電気的に非導通の状態で接続されている。 - 特許庁

Furthermore, photosensitive conductive paste is applied to the surface of the insulating layer 23 like a film, then exposed to light through a photomask and is developed for the formation of an upper conductor pattern layer 1b on the lower conductor pattern layer 1a.例文帳に追加

さらに、感光性導電ペーストを膜状に付与した後、再びフォトマスクを使用して露光及び現像して下部導体パターン層1aの上に上部導体パターン層1bを形成する。 - 特許庁

On the face facing the reflection layer formation face in the reflection plate, a high thermal expansion coefficient layer having a thermal expansion coefficient equal to or more than that of the reflection layer is arranged.例文帳に追加

反射板の前記反射層が設けられた面とは相対する面に、前記反射層と同等以上の熱膨張率を有する高熱膨張率層を設けることにより、上記課題の解決を図る。 - 特許庁

At the cathode part of a solid electrolytic capacitor element 400 after formation of a silver paste layer, a silver paste layer 6 which is the outermost layer is formed thick near the side surface as compared with the central part on the front and rear surfaces.例文帳に追加

銀ペースト層形成後の固体電解コンデンサ素子400の陰極部にて、最外層である銀ペースト層6が表裏面の中央部に比較して側面付近で厚く形成される。 - 特許庁

The area rate of a conductor layer in the main surface of the resin insulating layer is set between a maximum value and a minimum value of the area rate of the product portion-side conductor layer in the product formation area 28.例文帳に追加

樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率は、製品形成領域28に占める製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定される。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

p型InP基板1の上に形成された、p型InPバッファ層2、活性層3およびn型InPクラッド層4を第1のドライエッチングにより加工して、リッジ部6を形成する。 - 特許庁

To provide a groove pattern formation method in a base layer which enables two groove patterns to be formed in the base layer in fitting state without generating retreat of a fitting part in the base layer or the like.例文帳に追加

下地層等において突合せ部の後退が生じること無く、下地層に突合せ状態で二つの溝パターンを形成することができる、下地層における溝パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means for preventing occurrence of excessive silicide formation on a diffused layer of a MOSFET in a semiconductor device provided with a ferroelectric capacitor, and the MOSFET having the diffused layer provided with a silicide layer.例文帳に追加

シリサイド層を形成した拡散層を有するMOSFETと強誘電体キャパシタとを備えた半導体装置のMOSFETの拡散層の過度のシリサイド化を防止する手段を提供する。 - 特許庁

Formation of the resistance layer 12 using the composite material enables the resistance layer 12 to be provided with a resistance value large enough to prevent thermal runway while thinning the resistance layer 12.例文帳に追加

この複合材料によって抵抗層12を形成することは、抵抗層12を薄くしながら、熱暴走を防止するのに十分な抵抗値を抵抗層12に与えることを可能にする。 - 特許庁

To provide a means for stabilizing quality of a semiconductor device, by preventing gap formation at a connecting part of an element isolation layer which reaches an insulating layer, formed at a silicon semiconductor layer of an SOI substrate.例文帳に追加

SOI基板のシリコン半導体層に形成される絶縁層に達する素子分離層の接続部における隙間の形成を防止して、半導体素子の品質を安定させる手段を提供する。 - 特許庁

Then re-formation processing for a barrier metal layer is performed, and a Cu seed layer and a Cu plating layer are formed to form a second Cu wiring portion to be buried in the connection hole 8 and groove 9 for wiring finally.例文帳に追加

その後、バリアメタル層の再成膜処理、Cuシード層及びCuめっき層を形成し、最終的に接続孔8及び配線用溝9内に埋め込まれる第2のCu配線部を形成する。 - 特許庁

Additionally, a method is employed which first forms a magnetic domain control layer having a large area and then eliminates an unnecessary magnetic domain control layer which hinders the single magnetic domain formation of the magneto- sensitive layer.例文帳に追加

また、一旦大きな面積を有する磁区制御層を形成したのち、磁気感受層の単磁区化を妨げる不要な磁区制御層をエッチング処理により除去するという手法を採る。 - 特許庁

Consequently, in film formation of a semiconductor film, it is possible to prevent generation of air bubbles inside the composite oxide layer (12) by blocking gas diffused from the metallic layer (10) by the gas barrier layer (11).例文帳に追加

これにより、半導体膜の製膜時において、金属層(10)から拡散してくる気体をガスバリア層(11)により遮断して、複合酸化物層(12)内における気泡の発生を防止することができる。 - 特許庁

To realize formation method of a GaN epitaxial layer, wherein the increase of manufacturing cost is restrained without generating large thermal strain between an obtained GaN epitaxial layer and a base layer.例文帳に追加

得られるGaNエピタキシャル層と基層との間に大きな熱歪を発生させることなく、しかも製造コストの増大を抑えたGaNエピタキシャル層の形成方法の提供が望まれている。 - 特許庁

The layer of pillar metal is reduced in diameter, the barrier layer is selectively removed from the surface of the layer of passivation, and thereafter the reflow of the solder metal is performed, thus completing the formation of the solder bump.例文帳に追加

ピラー金属層の直径を減少させ、パシベーション層の表面からバリヤー層を選択的に除去し、その後にはんだ金属のリフロー処理を行って、本発明のはんだバンプを完成させる。 - 特許庁

After the formation of solder bumps 76U and 76D, the contamination on the surface of them and an oxide film layer on the surface of a solder resist layer 70 are removed by plasma for enhanced wettability of the solder resist layer.例文帳に追加

半田バンプ76U、76D形成後に、プラズマにより半田バンプ76U、76Dの表面の汚染、および、ソルダーレジスト層70表面の酸化膜層を除去し、ソルダーレジスト層の濡れ性を高める。 - 特許庁

The antireflection film has an active ray curable resin layer and a low refractive index layer on the cyclo-olefin polymer film formed by melt-casting film formation, directly or via the other layer.例文帳に追加

特に、取り扱い性が難しいシクロオレフィンポリマーフィルムを用いながら収率に優れる偏光板を提供し、これを用いた視認性に優れた表示装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

例文

A side wall surface 14E constituted of the adhesive layer 14B, reflecting layer 14A and barrier layer 14C is completely covered with an insulating film 15 to prevent the failure in forming the insulating film 15 or the formation of a vacancy.例文帳に追加

密着層14B,反射層14Aおよびバリア層14Cのなす側壁面14Eは、絶縁膜15により完全に覆われ、絶縁膜15の成膜不良あるいは空孔が防止される。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2025 GRAS Group, Inc.RSS