「inversion channel」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of signal processing using channel eigenmode decomposition and channel inversion for MIMO systems.例文帳に追加

チャネル固有モード分解及びチャネル反転を用いた、ＭＩＭＯシステムのための信号処理方法を提供する。 - 特許庁

Total transmit power is allocated to the subbands on the basis of a particular power allocation scheme (e.g., full channel inversion, selective channel inversion, water-filling or uniform).例文帳に追加

全送信出力は、固有の出力割当てスキーム（例えば、全チャネル反転、選択的チャネル反転、ウォータ・フィリング、若しくは均一）に基づいてサブバンドに割り当てられる。 - 特許庁

Thus, the zero interrelation energy properly attains channel estimation without causing matrix inversion to simplify channel communication.例文帳に追加

したがって、ゼロ相互関連が、マトリクス反転のないチャネル推定を適切に可能にするため、チャネル通信は簡略化される。 - 特許庁

Therefore, an inversion type lateral MOSFET with high channel mobility can be obtained.例文帳に追加

このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 - 特許庁

Based on the maximum value of the sign inversion interval, a first channel frequency estimator 19 estimates the channel frequency and outputs estimated channel frequency f_det_T.例文帳に追加

第１のチャネル周波数推定器１９は、符号反転間隔の最大値に基づいて、チャネル周波数を推定し、推定チャネル周波数ｆ_det_Tを出力する。 - 特許庁

To prevent the inversion of a conductive type of an n type channel formation region due to B(boron) diffusion.例文帳に追加

Ｂ（ボロン）の拡散によってｎ型のチャネル形成領域の導電型が反転してしまうことを防止する。 - 特許庁

The inversion voltage of the first nMOSFET is decided by impurity concentration of the channel area 4 and the pocket area 9.例文帳に追加

第１ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、チャネル領域４及びポケット領域９の不純物濃度によって定まる。 - 特許庁

When a bias of appropriate polarity and a sufficient size is given to the gate electrode, an inversion layer is formed in the channel.例文帳に追加

適切な極性と十分な大きさのバイアスをゲート電極に与えるとチャネル内に反転層が形成される。 - 特許庁

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor.例文帳に追加

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain.例文帳に追加

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。 - 特許庁

The germanium is implanted before the gate, source, and drain are formed, so an inversion short channel effect which is shown with normal FETs is reduced.例文帳に追加

ゲルマニウムはゲート、ソース及びドレイン形成以前に打ち込まれ、通常ＦＥＴで見られる逆短チャネル効果を低減する。 - 特許庁

The fringe field of the floating gates forms an inversion layer on surfaces of the channel regions under the floating gates adjacent in the first direction.例文帳に追加

浮遊ゲートのフリンジ電界によって、第１の方向で隣り合う浮遊ゲート間の下のチャネル領域の表面に反転層が形成される。 - 特許庁

The P channel region 37 of a gate 40b of an enhanced NMOSFET 200 may be performed with the same donor-doping as the N channel region 38 of the depressed NMOSFET 100, for doping of the acceptor with more dose amount for inversion to form.例文帳に追加

エンハンスメントNMOSFET 200 のゲート電40b のＰチャネル領域37に、デプレッションNMOSFET 100 のＮチャネル領域38と同じドナードーピングをおこない、より多いドーズ量のアクセプタのドーピングをおこなって反転させて形成してもよい。 - 特許庁

Selection transistors are characterized in that an N-channel MOS transistor 2 and a P-channel MOS transistor 3 are connected in parallel, and the word line and an inversion word line are connected to gates.例文帳に追加

選択トランジスタがＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２とＰチャンネルＭＯＳトランジスタ３とを並列接続され、ゲートにそれぞれワード線と反転ワード線とが接続された構成であることを特徴とする。 - 特許庁

An N channel region 38 under a gate 40a of a depression NMOSFET 100 is doped with the same acceptor as a P channel region 37 of an enhanced NMOSFET 200, for a donor doping with more dose amount, for inversion to form.例文帳に追加

デプレッションNMOSFET 100 のゲート電40a の下のＮチャネル領域38に、エンハンスメントNMOSFET 200 のＰチャネル領域37と同じアクセブタのドーピングをおこない、より多いドーズ量のドナードーピングをおこなって反転させて形成する。 - 特許庁

When a voltage is applied to a gate electrode film 26 on the channel region 47 and an inversion layer is formed in the transistor 1, the source region 46 and the drain layer 12 are connected via the inversion layer and the conductivity region 42.例文帳に追加

このトランジスタ１では、チャネル領域４７上のゲート電極膜２６に電圧を印加し、反転層が形成されると、ソース領域４６とドレイン層１２とが反転層及び導電領域４２を介して接続される。 - 特許庁

To provide a novel and improved method and apparatus for processing data for transmission in a wireless communication system using selective channel inversion.例文帳に追加

選択的なチャネル反転を使用するワイヤレス通信システムにおける送信用データを処理する新規で改良された方法および装置を提供する。 - 特許庁

In order to make snapback phenomenon easy to generate in the drain breakdown voltage at the time of inversion, the channel length is shortened, and a gate insulating film 6 is made thin.例文帳に追加

反転時のドレイン耐圧はスナップバック現象を発生しやすくするためにチャネル長を短くするとともに、ゲート絶縁膜６を薄くした。 - 特許庁

ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8.例文帳に追加

つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に反転層を形成しＯＮ動作を成す。 - 特許庁

To solve a problem of a 3ch output CCD imaging element, wherein an inter-register transfer channel is provided by 3 sets of arrangement of transfer electrodes two of which configure one pair, that causes inversion of potential between a sender side channel and a receiver side channel resulting in disabling inter-register transfer.例文帳に追加

２枚１組の転送電極が３組並ぶ毎に１つのレジスタ間転送チャネルを設けた３ｃｈ出力のＣＣＤ撮像素子では、送り側のチャネルと受け側のチャネルとの間でのポテンシャルの逆転が生じ、レジスタ間転送を行えない。 - 特許庁

The method receives a first symbol set related to a first channel and a second symbol set related to a second channel and then determines at least the characterization of a first channel without matrix inversion, at least based on the received first and second symbol sets for generating a first channel characterization.例文帳に追加

第１チャネルに関連した第１シンボルセットを受信し、更に第２チャネルに関連した第２シンボルセットを受信し、第１チャネル特性のセットを生成するために、少なくとも第１シンボルセットと第２シンボルセットに基づいて少なくとも第１チャネルを特性付けることを含み、特性付けはマトリクス反転なしに行う。 - 特許庁

The optical wavelength conversion element includes the channel optical waveguide, having the periodic polarization inversion structure of the nonlinear optical crystal and a slab optical waveguide which is connected to the channel optical waveguide and controls a lateral mode in one direction of the fundamental wave, corresponding to the periodic polarization inversion structure of the nonlinear optical crystal.例文帳に追加

光波長変換素子において、非線形光学結晶の周期分極反転構造を有するチャンネル光導波路と、前記チャンネル光導波路に接続され、前記非線形光学結晶の周期分極反転構造に対応する基本波の一方向の横モードを制御するスラブ光導波路と、を備えた。 - 特許庁

To provide a trench gate type semiconductor device capable of improving a switching characteristic while maintaining a suppression effect of a short channel effect and high breakdown characteristics between a gate and a drain, by improving the difficulty in inversion of a channel.例文帳に追加

チャネルが反転し難くなることを改善することにより、短チャネル効果の抑制効果と、ゲート・ドレイン間の高耐圧特性とを維持しつつ、スイッチング特性を良好にできるトレンチゲート型半導体装置提供する。 - 特許庁

A channel stopper 20 is formed between a diffusion layer 12 and a diffusion layer 13 of an ESD protective circuit 10A, thereby preventing inversion of a p-well layer 11 and preventing the leak current.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路１０Ａの拡散層１２と拡散層１３との間にチャンネルストッパー２０を形成することにより、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

A P channel MOS transistor 11 and an N channel MOS transistor 12 respectively connected to an internal normal rotation clock node ck and an internal inversion clock node ckb are shared by a try state inverter 1 included in a master latch and a try state inverter 5 included in a slave latch.例文帳に追加

マスターラッチに含まれるトライステートインバータ１とスレーブラッチに含まれるトライステートインバータ５とで、内部正転クロックノードｃｋおよび内部反転クロックノードｃｋｂにそれぞれ接続されるＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ１２を共用する。 - 特許庁

Mobility μ of electrons in the inversion layer depends on an acceptor concentration N_a more strongly than in a state in proportion to an inverse of the acceptor concentration N_a in a channel region 29 of the p-type body region 22.例文帳に追加

反転層における電子の移動度μは、ｐ型ボディ領域２２のチャネル領域２９におけるアクセプタ濃度Ｎ_ａの逆数に比例する状態よりも強くアクセプタ濃度Ｎ_ａに依存する。 - 特許庁

In a first scheme, a Hermitian matrix is iteratively derived based on a channel response matrix, and a matrix inversion is indirectly calculated by deriving the Hermitian matrix iteratively.例文帳に追加

第１の方式において、エルミート行列はチャネル応答行列に基づいて反復して導出され、行列反転が、該エルミート行列を反復して導出することによって間接的に計算される。 - 特許庁

With selective channel inversion, only channels having SNRs above a particular threshold are selected, "bad" channels are not used, and the total available transmit power is distributed across only "good" channels.例文帳に追加

選択的なチャネル反転により、特定のしきい値を越えるＳＮＲを持つチャネルのみが選択され、“悪い”チャネルは使用されず、利用可能な総送信電力は“良好な”チャネルのみに分散する。 - 特許庁

At a transmitter, channel eigen-decomposition is performed to determine eigenmodes of a MIMO channel and to derive a first set of steering vectors, channel inversion is performed to derive weights used to minimize ISI (inter-symbol interference) distortion, and water-pouring is performed to derive scaling values indicative of the transmit powers allocated to the eigenmodes.例文帳に追加

送信機において、チャネル固有分解は、ＭＩＭＯチャネルの固有モードを決めるために、およびステアリングベクトルの第１のセットを導出するために実行され、チャネル反転は、ＩＳＩ歪みを最少化するのに用いられる重みを導出するために実行され、注水は、固有モードに配分される送信電力を示すスケーリング値を導出するために実行する。 - 特許庁

In a SRAM, a cut-off circuit 12a comprises a P channel MOS transistor 34 connected between a source of a N-channel MOS transistor 13a constituting a bit line load and one end of a bit line BL and an inverter 33 giving an inversion signal of a signal appearing at one end of a bit line B to a gate of the P-channel MOS transistor 34.例文帳に追加

ＳＲＡＭにおいて、遮断回路１２ａは、ビット線負荷を構成するＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３ａのソースとビット線ＢＬの一方端との間に接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタ３４と、ビット線ＢＬの一方端に現われる信号の反転信号をＰチャネルＭＯＳトランジスタ３４のゲートに与えるインバータ３３とを含む。 - 特許庁

As a result, it is possible to prevent contact between a P-type channel and the drain lead-out region 49, formation of a P-type channel by inversion of an epitaxial layer 35 below the gate 40 and the like on turning the power MOS transistor 31 off and to realize high integration, ability improvement, low consumption power or the like.例文帳に追加

そのことで、パワーＭＯＳトランジスタ３１のＯＦＦ時、ゲート４０下のエピタキシャル層３５の反転によるＰ−型チャンネルの形成、Ｐ−型チャンネルとドレイン導出領域４９との接触等を防ぎ、高集積化、能力向上、低消費電力等を実現することができる。 - 特許庁

At simulation, based on a manufacturing process for an MOS transistor, a virtual ion-implantation process is added to a process simulation, so that an inversion short-channel effect and enhanced short-channel effect with an actual MOS transistor is reflected on a simulation result.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳトランジスタの製造工程に基づきシミュレーションを行うにあたり、仮想のイオン注入工程をプロセスシミュレーションで追加し、実際のＭＯＳトランジスタにおける逆短チャネル効果やエンハンスト短チャネル効果をシミュレーション結果に反映させるシミュレーション方法である。 - 特許庁

To provide a display device that comprises a scanning line drive circuit including either an N-channel transistor or P-channel transistor, in which the power consumption is reduced when an inversion signal or an approximately inverted signal of one of two types of scanning lines is output to the other.例文帳に追加

Ｎチャネル型トランジスタ及びＰチャネル型トランジスタのいずれか一方によって構成される走査線駆動回路を有する表示装置において、２種の走査線の一方に対して他方の反転信号又は略反転信号を出力する場合における消費電力を低減する。 - 特許庁

Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b.例文帳に追加

これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。 - 特許庁

Since the gate electrode and the source electrode of a pMOS (p channel type MOSFET) 46 are at the same level due to a resistor 45, the pMOS46 comes to be an off state, resulting in shielding an inversion control signal J.例文帳に追加

このとき、ｐＭＯＳ（ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）４６のゲート電極とソース電極とが抵抗４５によって同一レベルとなるため、同ｐＭＯＳ４６がオフ状態となり、反転制御信号Ｊが遮断される。 - 特許庁

When a voltage is applied to an emitter gate layer 104 of the block 20 serving as a drain electrode, an inversion layer is spread right under the layer 104 and a channel where electrons or holes move is formed between the layer 104 and the source electrode 204.例文帳に追加

ドレイン電極となるブロック２００のエミッタゲート層１０４に電圧を印加すると、その直下に反転層が広がり、ソース電極２０４との間に電子、または正孔が移動できるチャネルが構成される。 - 特許庁

With selective channel inversion, only channels having SNRs at or above a particular threshold are selected, "bad" channels are not used, and the total available transmit power is distributed across only "good" channels.例文帳に追加

選択的なチャネル反転により、特定のしきい値のまたはこれを越えるＳＮＲを持つチャネルのみが選択され、“悪い”チャネルは使用されず、利用可能な総送信電力は“良好な”チャネルのみにわたって分散される。 - 特許庁

In a liquid crystal device, a MOSFET 30 for pixel switching and a MOSFET 80 for a peripheral circuit have the same P-conduction type of the inversion area of a semiconductor layer forming a channel area when the MOSFET is turned on, and respectively have channel semiconductor layer areas 1a and 2a whose film thicknesses are different from each other.例文帳に追加

液晶装置において、画素スイッチング用のＭＯＳＦＥＴ３０と周辺回路用のＭＯＳＦＥＴ８０とは、ＭＯＳＦＥＴがＯＮした時のチャンネル領域を形成する半導体層の反転領域の導電型が同じＰ型であるが、チャンネル半導体層領域１ａ、２ａの膜厚が異なる。 - 特許庁

A conductive layer facing a region from a channel end to a drain part of a pixel switching element 10 is formed in such a manner that the potential of the above described region and the potential of the conductive layer facing the region have the same potential during inversion driving.例文帳に追加

画素スイッチング素子１０２のチャネル端からドレイン部に渡る領域の電位と、その領域に対面する導電層の電位とが反転駆動時において同電位になるように、その対面する導電層を形成する。 - 特許庁

To prevent the reduction of the quantity of optical coupling to a channel optical waveguide, having a period polarization inversion structure of a nonlinear optical crystal in an optical wavelength conversion element, when the fundamental wave having a large astigmatic difference impinges.例文帳に追加

光波長変換素子において、非点格差の大きな基本波が入射する場合に、非線形光学結晶の周期分極反転構造を有するチャンネル光導波路への光結合量が減少しないようにすることを目的としている。 - 特許庁

In processings of a recording system 1, recording data are subjected to data conversions such as an EFM conversion including an NRZI conversion by a data converting circuit 3 and the minimum inversion interval of channel bits is made to be equal to or larger than 3 bits and the converted recording data are written on a recording medium 11.例文帳に追加

記録系１の処理は、記録データが、データ変換回路３によりＮＲＺＩ変換を含むＥＦＭ変換等のデータ変換がなされ、チャネルビットの最小反転間隔が３ビット以上とされ、記録制御部４より記録媒体１１へ書きこまれる。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

The ZnO device is characterized in that an undoped ZnO layer having a Zn polarity plane is used as a channel layer and on the ZnO layer having the Zn polarity plane, an O polarity high-concentration n-type ZnO layer connected to source/drain is formed selectively via an inversion layer.例文帳に追加

Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。 - 特許庁

A data channel 10 comprises a reproduction compensation circuit 13 which comprises: a detection circuit 130 capable of precisely deciding the conversion transmission characteristic of the read head from model parameters (A, B and mgp) from the reproductive signal; and an inversion circuit 131 for compensating nonlinear distortion included in the reproductive signal on the basis of the conversion transmission characteristic.例文帳に追加

データチャネル１０は、再生信号からリードヘッドの変換伝達特性をモデルパラメータ（Ａ，Ｂ，ｍｇｐ）から高精度に決定できる検出回路１３０と、当該変換伝達特性に基づいて前記再生信号に含まれる非線形歪を補償するための逆変換回路１３１とを含む再生補償回路１３を有する。 - 特許庁