「ion energy」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A preferred embodiment includes within an ion beam column a filter that removes the low energy ions from the beam.例文帳に追加

一実施形態は、イオン・ビーム・カラム内に、低エネルギー・イオンをビームから除去するフィルタを含む。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery, safe and with high energy density and output density.例文帳に追加

安全であり、かつエネルギー密度および出力密度の高いリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

Initial discharge energy density of a lithium-ion secondary battery using such an active material has been improved.例文帳に追加

かかる活物質を用いたリチウムイオン二次電池の初回放電エネルギー密度の向上が図れた。 - 特許庁

This energy device uses the ion conductor containing the polar substance, the cation component, and the anion component.例文帳に追加

極性物質とカチオン成分とアニオン成分を含有するイオン伝導体を用いたエネルギーデバイス。 - 特許庁

To provide an energy storage device with a larger capacitance density than those of the normal lithium-ion capacitors.例文帳に追加

通常のリチウムイオンキャパシタより容量密度の大きなエネルギー貯蔵デバイスを提供する。 - 特許庁

Thus, the energy-controlled electron can be made to reach the parent ion trapped.例文帳に追加

このためエネルギー制御された電子をトラップしている親イオン１に到達させることができる。 - 特許庁

METHOD FOR GENERATING CHARACTERISTIC X-RAY FROM CONDUCTOR MATERIAL BY LOW ENERGY ION IRRADIATION AND ITS APPARATUS例文帳に追加

低エネルギーイオン照射による導電体物質からの特性Ｘ線発生方法とその装置 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING ION DENSITY AND ENERGY USING MODULATED POWER SIGNAL例文帳に追加

変調電力信号を用いてイオン密度およびエネルギーを制御するためのシステムおよび方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING/EVALUATING ELEMENT IN CONDUCTIVE MATERIAL SAMPLE BY LOW ENERGY ION IRRADIATION例文帳に追加

低エネルギーイオン照射による導電体試料中の元素分析・評価方法とその装置 - 特許庁

The implantation energy at that time is so set that no implanted ion penetrate the polysilicon gate 12.例文帳に追加

このときの注入エネルギーは、注入イオンがポリシリコンゲート１２を突き抜けないように設定する。 - 特許庁

To provide a device capable of extracting in a large volume and in good parallelism even ion beam of low energy and capable of reconciling clean irradiation of ion and severe monitoring of ion beam.例文帳に追加

低エネルギーのイオンビームでも多量にかつ平行性良く取り出すと共に、クリーンなイオン照射とイオンビームの厳重なモニタとを両立させることができる装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implanting system capable of conducting uniform ion implantation, even with respect to a substrate of three-dimensional shape and is capable of conducting ion implantation at high energy, using a simple structure.例文帳に追加

三次元形状の基体に対してもほぼ均一なイオン注入が可能であり、構成が単純でしかも高エネルギーのイオン注入が行えるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an energy beam machining device and an energy beam machining method capable of maintaining the condensing state of energy beams such as ion beams, the irradiation direction of energy beams on a work, and simplifying the work of converting the energy of the energy beam with which the work is irradiated according to a machining condition or the like such as the machining depth of the work.例文帳に追加

イオンビーム等のエネルギービームの収束状態や被加工物への照射方向等を維持すると共に，被加工物の加工深さなどの加工条件等に応じて被加工物へ照射するエネルギービームのエネルギーを変更する際の作業を簡略化すること。 - 特許庁

The kinetic energy of ion particles is controlled by controlling a full-range ion accelerator is controlled in a manner that the Bragg peak is conformed with an aimed heating position of the sample.例文帳に追加

ブラッグピークが試料の目的の加熱位置に合致するように、全種イオン加速器を操作してイオン粒子の運動エネルギーを制御する。 - 特許庁

To provide an ion supply device reducing a thermal motion energy of a water molecule in an ion, while having a simple structure and being non-bulky.例文帳に追加

イオンに含まれる水分子の熱運動エネルギーを小さくできながら、構造が簡単であって嵩張らないイオン供給装置を提供する。 - 特許庁

To realize an ion accelerating method, and a device capable of utilizing energy which laser light irradiated on a target has for ion acceleration with superior efficiency.例文帳に追加

ターゲットに照射したレーザー光がもつエネルギーを効率良くイオン加速に利用することができるイオン加速方法及び装置を実現する。 - 特許庁

To provide techniques for increasing the maximum amount of kinetic energy attainable by ions in a linear ion-processing device such as a linear ion trap.例文帳に追加

線形イオントラップなどの線形イオン処理装置において、イオンが獲得可能な最大運動エネルギー量を増加させる技術を提供する。 - 特許庁

To prevent an impurity ion different in at least one of the mass number and energy from an objective ion from being implanted in a target.例文帳に追加

目的のイオンとは質量数およびエネルギーの内の少なくとも一方が異なる不純物イオンがターゲットに注入されることを防止する。 - 特許庁

To provide a method of generating an ion implantation distribution and a simulation thereof which can accurately reproduce actual ion implantation distribution, over a range extending from an energy level of as low as 1 keV, to an energy level of as high as several MeVs.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。 - 特許庁

The illuminator 1 is constructed by integrating an ion generating unit and the ion generator 3 having a ventilation fan and a control part with a solar cell converting light energy into electric energy.例文帳に追加

イオン発生ユニットと、送風用ファンと制御部を備えたイオン発生装置３を、照明光源５からの光エネルギーを電気エネルギーに変換し得る太陽電池と一体化して、照明器１を構成する。 - 特許庁

To provide a lithium ion energy storage device not only excellent in energy storage performance but also capable of performing pre-doping at low temperature and in a short time.例文帳に追加

蓄電性能が良好であるのみならず、プレドープを低温かつ短時間で行うことが可能な、リチウムイオン蓄電デバイスを提供する。 - 特許庁

To make a lithium ion battery safely failed in operation even if abnormal deforming pressure, electric energy, or heat energy is applied to the battery from the outside.例文帳に追加

リチウムイオン電池に対して外部から異常な変形圧力や電気エネルギー、熱エネルギーが与えられても電池をより安全に故障させる。 - 特許庁

Therefore, at cooling operation, the ion orbit is converged by collision with gas molecules and steadily held in the ion trapping space 44, and on the other hand, at ion introduction, the density of the gas molecules decreases and ion can get in easily, and at ion discharge, the initial energy of ion running out is not lessened and the direction is aligned.例文帳に追加

それによって、クーリング動作時にはガス分子との衝突によりイオンの軌道が収束して確実にイオン捕捉空間４４に保持される一方、イオン導入時にはガス分子の密度が下がってイオンが入り込み易くなり、イオン排出時にはイオンの飛び出しの初期エネルギーが奪われずその方向も揃う。 - 特許庁

In order to add oxygen, it is preferable to use a method in which oxygen having high-energy is added by an ion implantation method, an ion doping method or the like.例文帳に追加

特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 - 特許庁

To reduce the necessary amount of ion irradiation and provide a large margin to the necessary energy of the irradiated ions when a cantilever is bent by IIB (Ion Induced Bending) technique.例文帳に追加

IIB技術で片持ち梁を曲げ加工するに際し、必要なイオン照射量を低減し、かつ、必要な照射イオンのエネルギに大きなマージンを与える。 - 特許庁

To facilitate increase of ion beam current, especially in low-energy region, in an ion implanter for implanting ions to substrates such as silicon wafers.例文帳に追加

シリコンウェハー等の基板にイオンを注入するためのイオン注入装置において、特に低エネルギー領域のイオンビーム電流の増加を容易にする。 - 特許庁

It is preferable that the irradiation ion energy is 20 to 200 eV, and the irradiation ion amount is 1×10^13 to 1×10^16 ions/cm^2.例文帳に追加

照射イオンエネルギーが２０〜２００ｅＶであり、照射イオン量が１×１０^１３〜１×１０^１６ｉｏｎｓ／ｃｍ^２であることが好ましい。 - 特許庁

To obtain ion implantation blocking performance sufficient in subjecting the microregions of a silicon substrate to selective high energy ion implantation and high pattern resolution performance.例文帳に追加

シリコン基板の微細領域に選択的な高エネルギーイオン注入を行う場合に十分なイオン注入阻止性能と高いパターン解像性能を得る。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer capable of performing ECD (Electron Capture Dissociation) and ETD (Electron Transfer Dissociation) in a state of high ion energy to improve ion dissociation efficiency.例文帳に追加

イオンのエネルギーが高い状態でＥＣＤやＥＴＤを行うことができ、イオンの解離効率を向上させた質量分析装置を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the sensor comprises an ion energy analyzer 400, a VUV (vacuum ultraviolet) photon detector 500, and a radical-ion species type optical emission spectrometer 600.例文帳に追加

基板上に、センサとして、イオン・エネルギー・アナラザ４００，ＶＵＶフォトン検出器５００，ラジカル・イオン種発光分光装置６００を備えた例である。 - 特許庁

The characteristic control means includes accelerating energy adjusting means 20 and 21, an ion beam scanning means 8 and ion beam passing range adjusting means 27 and 28.例文帳に追加

特性制御手段は、加速エネルギー調整手段２０，２１、イオンビーム走査手段８、及びイオンビームの通過範囲調整手段２７，２８を含んでいる。 - 特許庁

To provide a device and a method for controlling an ion beam which can control the size of the energy spread and that of the moving radius direction in the ion beam.例文帳に追加

イオンビームにおけるエネルギー拡がりの大きさおよび動径方向の大きさを制御し得るイオンビーム制御装置および制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion milling system that can obtain an ion beam having a desired facial distribution and energy distribution and can form a desired etched shape on a material to be worked.例文帳に追加

所望のイオンビーム面分布、エネルギー分布をもつイオンビームを得ることができ、被加工物に所望のエッチング形状を形成することが可能となる。 - 特許庁

The device Sa for controlling the ion beam includes an ion beam generation component 2 and an ion beam controlling component 1a into which a generated ion beam IB is launched and which controls it so that the ion beam IB can be emitted with the energy spread of a prescribed size and the diameter of a prescribed size in the moving radius direction.例文帳に追加

イオンビーム制御装置Ｓａは、イオンビーム生成部２、生成されたイオンビームＩＢが入射され、所定の大きさのエネルギー拡がりおよび動径方向における所定の大きさの直径でイオンビームＩＢが射出されるように、制御するイオンビーム制御部１ａを備える。 - 特許庁

This nonaqueous secondary battery of high energy density is provided by forming an electrochemical element from gel or solid containing at least an ion including an organic positive ion structure having quaternary nitrogen or its derivative, and a different positive ion as a coexisting ion by using an ion conductor.例文帳に追加

４級窒素を含む有機陽イオン構造を含むイオンまたはその誘導体と、これと異なる陽イオンを共存イオンとして少なくとも含むゲルまたは固体をイオン伝導体を用いて電気化学素子を構成することで高エネルギー密度の非水系二次電池が得られる。 - 特許庁

For example, power consumption of an ion injector is suppressed to be low, based on the suppression of injection energy.例文帳に追加

注入エネルギーの抑制に基づき例えばイオン注入機の消費電力は低く抑えられる。 - 特許庁

To provide an electronic cyclotron resonance (ECR) apparatus, capable of producing plasma or multivalent ion of high energy efficiently.例文帳に追加

効率的に高エネルギーのプラズマや多価イオンを生成させることができるＥＣＲ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an improved lithium ion capacitor in which high energy density and output density can be achieved.例文帳に追加

エネルギー密度や出力密度が高い値が実現できる改良されたリチウムイオンキャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a novel compound including a hydride ion having a binding energy greater than about 0.8 eV.例文帳に追加

結合エネルギーが約０．８ｅＶより大きい水素化物イオンを含む新規な化合物を提供する。 - 特許庁

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.例文帳に追加

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁

To provide a lithium ion capacitor of high energy density and high output density, having a high capacity and a long life.例文帳に追加

エネルギー密度、出力密度が高い高容量で長寿命のリチウムイオンキャパシタを提供する。 - 特許庁

Another process includes using low energy beams for ion beam lithography to make the nanopores.例文帳に追加

別のプロセスは、ナノ孔を作るためイオンビームリソグラフィーのための低エネルギーイオンビームを使用する工程を備える。 - 特許庁

APPARATUS FOR GENERATING NEGATIVE ION/INFRARED LIGHT/HIGH HUMIDITY, AND HEALING BY ORES WITH ENERGY-SAVING ANTIBACTERIAL FLOOR HEATING UNIT BATH例文帳に追加

マイナスイオン・遠赤外線・高湿度・発生装置及び省エネ抗菌床暖房ユニットバス付やく石の癒。 - 特許庁

The low-energy ion milling is low in milling rate and can make the margin of a milling stop position narrow.例文帳に追加

低エネルギーのイオンミリングはミリングレートが遅く、ミリング止め位置のマージンを狭くすることが可能になる。 - 特許庁

Although it is necessary to use a high energy type ion implantation device to carry out ion implantation into a deep position, little dose is used, so that ion implantation time is not sharply increased.例文帳に追加

しかも、深い位置にイオン注入するためには、高エネルギー型のイオン注入装置を用いる必要があるが、本発明ではドーズ量が少ないことから、イオン注入時間が大幅に長くなることはない。 - 特許庁