「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The present invention relates to the ion generating device including a coating layer formed so that the surface of a discharge electrode plate is partially exposed.例文帳に追加

放電電極板の表面の一部が露出するように形成されたコーティング層を含むイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

Then, a temporary laminate with a constitution such that a temporary substrate is laminated at least via an etched layer is formed on the ion implantation surface.例文帳に追加

次に、イオン注入面に少なくとも被エッチング層を介して仮基板を積層した構成の仮積層体を形成する。 - 特許庁

After being stripped bordering on the ion implantation layer, the SOI wafer is oxidized to form an oxide film having a predetermined thickness.例文帳に追加

このイオン注入層を境界として剥離した後、ＳＯＩウェーハを酸化処理し、所定厚さの酸化膜を形成する。 - 特許庁

Finally, a damage layer 52 is removed using ion beam (step SP16) to complete the preparation of a sample 1 to be inspected.例文帳に追加

最後に、イオンビームを用いてダメージ層５２を除去する（ステップＳＰ１６）ことにより、被検試料１の作製が終了する。 - 特許庁

The radical plasma-etches the damage layer generated on the cut surface of the thin piece sample 30 by the convereged ion beam working.例文帳に追加

フッ素ラジカルは集束イオンビーム加工によって薄片試料（３０）の切削端面に生じたダメージ層をプラズマエッチング処理する。 - 特許庁

The ratio D/H between the inside diameter D of the vessel and the layer height H of the ion exchange resin 5 is controlled to 0.15 to 0.6, preferably to 0.25 to 0.4.例文帳に追加

容器内径Ｄとイオン交換樹脂５の層高Ｈとの比Ｄ／Ｈは０．１５〜０．６好ましくは０．２５〜０．４である。 - 特許庁

To provide a focused ion beam processing method and the device by which a sectional structure can be easily observed even when each layer constituting a layered structure is extremely thin.例文帳に追加

積層構造を構成する各層が極めて薄いとき、その断面構造を観察することが困難になっている。 - 特許庁

In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加

しかし、ｎ−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁

In the oxidation step, the treatment of oxidizing the cured layer formed on the surface of the resist film pattern by the ion injection is performed.例文帳に追加

酸化工程では、イオン注入によりレジスト膜パターンの表面部に形成された硬化層を酸化する処理が実施される。 - 特許庁

Preferably, a second secondary electron emitting layer ion-exchanged with ions of the second electron emitting materials is formed under the substrate surface.例文帳に追加

好ましくは、基板表面下に二次電子放出物質のイオンでイオン交換された第２二次電子放出層が形成される。 - 特許庁

Subsequently colored layers 7 are formed on the reflection layer 6 with an electrodeposition method by applying an electric field in a solution containing a metal ion.例文帳に追加

その後、金属イオンを含む溶液中で電界をかけ、電着法により反射層６上に着色層７を形成する。 - 特許庁

A diffusion layer 5 is formed by an ion implantation on the substrate 1 positioning on both sides of the electrode 3.例文帳に追加

ゲート電極３の両側に位置する半導体基板１には、イオン注入により形成された拡散層５が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, by utilizing the same mask, boron ions are ion-implanted to bottoms of the grooves 21 to form a channel-stop diffusion layer 7.例文帳に追加

更に、これらをマスクとしてボロンイオンを溝２１の底部にイオン注入することにより、チャネルストップ拡散層７を形成する。 - 特許庁

(a): The process in which a coating liquid layer is formed by application of a coating liquid containing catalyst and ion-exchange resin on a base material.例文帳に追加

（ａ）基材の上に、触媒およびイオン交換樹脂を含む塗工液を塗工して塗工液層を形成する工程。 - 特許庁

The first catalyst layer 26 is composed of a first ionic conductor (ion exchange resin) and carbon particles carried with platinum palladium.例文帳に追加

第１の触媒層２６は、第１のイオン伝導体（イオン交換樹脂）と、白金パラジウムを担持した炭素粒子とから構成される。 - 特許庁

Preferably, the intermediate layer 8 includes a high melt viscosity resin (A), a low melt viscosity ionomer resin (B), and a metal ion source (C).例文帳に追加

好ましくは、中間層８は、高溶融粘度樹脂（Ａ）と、低溶融粘度アイオノマー樹脂（Ｂ）と、金属イオン源（Ｃ）とを含む。 - 特許庁

The laminated body is constituted by laminating the layer containing the ion-exchange resin on the mold-release film made of cycloolefin-based copolymer.例文帳に追加

本発明による積層体は、シクロオレフィン系コポリマーからなる離型フィルムに、イオン交換樹脂を含む層を積層してなる。 - 特許庁

Pt 41 and an ion conductive layer 6 comprising an electrolyte are provided on the each graphene sheet 31 of the carbon nano wall 3.例文帳に追加

カーボンナノウォール３の各グラフェンシート３１の表面には、Ｐｔ４１と、電解質からなるイオン伝導層６とが設けられている。 - 特許庁

To provide a method of producing an optical waveguide element by which an optical waveguide element having a homogeneous ion exchange layer can be produced.例文帳に追加

均一なイオン交換層を備える光導波路素子を製造できる光導波路素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An ion barrier layer 6 is made an anisotropic conductive film and an integrated power source with plenty of cells arranged plane can be obtained.例文帳に追加

イオンバリア層６を異方導電膜とする事により、多数のセルを平面に配置した集積型電源とする事ができる。 - 特許庁

Especially, since the second end surface is formed by using ion-beam etching, damage to a ferromagnetic free layer is prevented.例文帳に追加

特に、イオンビームエッチングを用いて第２端面を形成するようにしたので、強磁性フリー層に損傷を与えることを防止できる。 - 特許庁

To reduce contact resistance between an organic semiconductor layer and a source drain electrode without decreasing Ion/Ioff (ON current value/OFF current value).例文帳に追加

Ｉon／Ｉoffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。 - 特許庁

The vias may be formed by, for example, etching, ion implantation, or selective growth of the layer of second conductivity type.例文帳に追加

これらのヴィアは、例えば、エッチング、イオン注入、又は、第２導電型層の選択的な成長によって形成することができる。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING OXYGEN ION AMOUNT IMPLANTED TO SIMOX SUBSTRATE, BOX LAYER THICKNESS ESTIMATING METHOD, AND SUBSTRATE FOR STANDARD TEST PIECE例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量測定方法及びＢＯＸ層厚み推定方法並びに標準試料用基板 - 特許庁

The gate oxide film, corresponding to 14a, becomes thicker than that corresponding to 14b by forming the ion implantation layer 18.例文帳に追加

イオン注入層１８を形成したことで１４ｂ対応のゲート酸化膜より１４ａ対応のゲート酸化膜が厚くなる。 - 特許庁

A temporary support substrate, which is composed of an etched layer 3 and a temporary substrate 4, is formed on an ion implantation side surface of the piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

次に、圧電基板１のイオン注入側の面に、被エッチング層３および仮基板４からなる仮支持基板を形成する。 - 特許庁

The ion implantation control opening constitutes a self-alignment structure in each diffusion layer forming process, thereby diffusion layers are formed.例文帳に追加

イオン注入制御開口部が各拡散層形成工程におけるセルフアライメント構造を構成して各拡散層が形成される。 - 特許庁

The wafer thus stuck is then heated and a part thereof is stripped bordering on the ion implantation layer thus producing an SOI wafer.例文帳に追加

この貼り合わせウェーハを加熱することにより、イオン注入層を境界にその一部を剥離し、ＳＯＩウェーハを作製する。 - 特許庁

The layer comprising the substance of the same kind as in the substrate is formed by ion implantation using the same mask window as in the extended drain area.例文帳に追加

基板と同種の物質の該層が、延在ドレイン領域と同じマスクウインドを用いイオン注入により形成される。 - 特許庁

For a lithium-ion secondary battery 20, two sheets of films 1, 1' having polypropylene (PP) films of a melting layer are used for a battery container.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池２０は、溶着層のＰＰフィルムを有する２枚のフィルム１、１’が電池容器に使用されている。 - 特許庁

On a top surface of an epitaxial layer 2, N type impurities are ion-implanted to form N^+ semiconductor layers 5 and 6 as a photodetection portion.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面上にＮ型不純物をイオン注入して、受光部となるＮ^＋半導体層５，６を形成する。 - 特許庁

To maintain a power generation performance of a cell by making a distribution of an ion conductivity resin in a reaction layer uniform.例文帳に追加

本発明は、反応層内のイオン導電性樹脂の分布を均一にしてセルの発電性能を維持することを課題とする。 - 特許庁

Then, the gate electrode 21 is used as a mask for carrying out impurity ion implantation for forming the LDD diffusion layer of the logic element.例文帳に追加

その後、ゲート電極２１をマスクとして、ロジック素子のＬＤＤ拡散層形成のための不純物イオン注入を行なう。 - 特許庁

After the aperture 32a is covered with a resist, ion implantation is performed through the aperture 32b to form a p-type deep base layer 9.例文帳に追加

そして、開口部３２ａをレジストで覆ったのち、開口部３２ｂよりイオン注入してｐ型ディープベース層９を形成する。 - 特許庁

The first protective layer 14 is made of a metal-oxide film formed by using an electron beam deposition method or an ion plating method.例文帳に追加

第１保護層１４は、電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法を用いて形成された金属酸化物膜からなる。 - 特許庁

An ion trapping body is provided in a gas diffusion layer of an electrode.例文帳に追加

本発明は、電解質膜への不純物イオンの拡散を防止し、長期間高効率で運転できる燃料電池を提供する。 - 特許庁

In order to form the outermost protective layer by ion beam support, direct ion beam support growth is adopted or oxygen or nitrogen and aluminum or titanium are mixed on the atomic level by ion beam support with the exception of the case of ruthenium.例文帳に追加

この多層系は、イオンビームサポートにより最外層保護層を作るために、保護層の直接のイオンビームサポート成長によるかまたはルテニウムの場合を除いてイオンビームサポートにより原子レベルで酸素または窒素とアルミニウムまたはチタンをミックスすることにより作り出される。 - 特許庁

This surface treatment method is characterized in that ion implantation is applied to the surface of the implant member for the organism by a plasma ion implantation method to thereby form a surface modified layer with excellent wear resistance and corrosion resistance.例文帳に追加

プラズマイオン注入法を用いて、生体用インプラント部材表面にイオン注入を施し、耐摩耗性及び耐食性に優れる表面改質層を形成する、表面処理方法である。 - 特許庁

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.例文帳に追加

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

To provide a separator for a lithium ion secondary battery having high durability even if a layer thickness for enhancing durability is made thinner and excellent in productivity, and to provide a lithium ion secondary battery having the above separator.例文帳に追加

耐熱性を高めるための層の厚みを薄くしても高い耐熱性を有しており、かつ生産性が優れたリチウムイオン二次電池用セパレータと、該セパレータを有するリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁

The catalyst-elution inhibiting layer 5 supports sulfonic groups as ion exchange groups, and the sulfonic groups form an ion migration path limiting the migration of the catalyst ions while allowing the migration of protons.例文帳に追加

触媒溶出抑制層５は、イオン交換基としてスルホン酸基を担持しており、そのスルホン酸基が、プロトンの移動を許容しつつ触媒イオンの移動を制限するイオンの移動経路を形成する。 - 特許庁

Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all.例文帳に追加

また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。 - 特許庁

The cell recovery membrane is obtained by irradiating the surface of a polymer material containing carbon as a constituting element with an ion beam and peeling the resultant ion-beam-irradiated layer from the polymer material.例文帳に追加

炭素を構成元素として含む高分子材料の表面にイオンビームを照射することにより形成される該高分子材料表面のイオンビーム照射層を剥離させることにより得られる薄膜。 - 特許庁

In this membrane-electrode assembly, a hydrogen electrode-side catalyst layer 2a and an oxidation electrode-side catalyst 2b are pressed into a polymer ion exchange membrane 3 and brought into partial contact with each other in the polymer ion exchange membrane 3.例文帳に追加

この膜-電極接合体は、水素極側触媒層２a，酸化極側触媒層２bが高分子イオン交換膜３に押し込まれ、高分子イオン交換膜３の内部で互いに部分接触している。 - 特許庁