「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A diffusion layer 5 and an anode layer 4 are formed in partial regions of the whole surface of a cathode layer 2, and thermal treatment during forming the anode layer 4 is incompletely finished so that defects caused by an ion implantation process during forming the anode layer 4 remain, while the impurity concentration of the diffusion layer 5 is set higher than that of the cathode layer 2.例文帳に追加

カソード層２の全表面部のうちの一部の領域に形成される拡散層５及びアノード層４に、それぞれ、アノード層４形成時のイオン注入処理により発生する欠陥を、アノード層４形成時の熱処理を不完全にして残留させると共に、拡散層２の不純物濃度をカソード層２よりも高くする。 - 特許庁

Ion migration between wirings 11 is blocked by the cut 10 for interrupting conduction of the semiconductive layer 5 formed on the surface of the base insulating layer 3 and the semiconductive layer 5 formed on the surface of the conductor layer 8 while eliminating the static electricity charged in the base insulating layer 3 an a cover insulating layer 6 by the semiconductive layer 5.例文帳に追加

この半導電性層５により、ベース絶縁層３やカバー絶縁層６に帯電する静電気を除去できながら、ベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層５と導体層８の表面に形成される半導電性層５との導通を遮断する切り目１０により、配線１１間におけるイオンマイグレーションを阻止できる。 - 特許庁

The method of forming the semiconductor device comprises the steps of forming the protective layer on a semiconductor layer; implanting an ion having a first conductivity type into the semiconductor layer through the protective layer for forming the implanted region of the semiconductor layer; and annealing the semiconductor layer and the protective layer for making the implanted ions activate.例文帳に追加

半導体デバイスを形成する方法が、半導体層の上に保護層を形成するステップと、半導体層の注入領域を形成するために、第１の導電性タイプを有するイオンを保護層を通して半導体層内に注入するステップと、注入されたイオンを活性化させるために、半導体層および保護層をアニーリングするステップとを含む。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびｐ型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してｎ型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

In the solid-state electrolytic capacitor having the solid-state electrolyte layer, the solid-state electrolyte layer 3 includes a conductive polymer hybrid layer 32 that is formed by conducting electrolytic polymerization reaction in which electrolytic polymerization is conducted in the electrolytic polymerization solution containing metal ion or metal oxide ion oxidized with electrolysis and by conducting chemical polymerization reaction using an oxidizing agent generated with electrolytic oxidation of the metal ion and/or the metal oxide ion.例文帳に追加

固体電解質を有する固体電解コンデンサにおいて、前記固体電解質層３は、電解酸化される金属イオンまたは金属酸化物イオンを含有する電解重合液中で電解重合を行う電解重合反応と、前記金属イオン及び／又は前記金属酸化物イオンが電解酸化されて発生する酸化剤を用いて化学重合反応を行うことにより形成される導電性高分子ハイブリッド層３２を有している。 - 特許庁

The ion implantation method to fine powder includes: an application step where a dispersion liquid obtained by dispersing fine powder into a solvent is applied to the surface of a substrate; an ion implantation step where ion implantation is performed to the fine powder comprised in an application layer applied to the surface of the substrate; and a peeling step where the fine powder subjected to the ion implantation is peeled from the surface of the substrate.例文帳に追加

微細粉末を溶媒中に分散させた分散液を、基板表面に塗布する塗布ステップと、前記基板表面に塗布された塗布層に含まれる微細粉末に、イオン注入を行うイオン注入ステップと、イオン注入された微細粉末を前記基板表面から剥離する剥離ステップと、を備える。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is provided with a hydrophilic porous layer having a conductive material and an ion conductive material and a catalyst layer adjoining the hydrophilic porous layer, and the water-transport resistance of the hydrophilic porous layer is smaller than the water-transport resistance of the catalyst layer.例文帳に追加

導電性材料とイオン伝導性材料とを有する親水性多孔質層と、前記親水性多孔質層に隣接する触媒層と、を備え、前記親水性多孔質層の水輸送抵抗が前記触媒層の水輸送抵抗よりも小さい、ガス拡散電極である。 - 特許庁

At least one of the positive electrode layer 11, the negative electrode layer, and the electrolyte layer 3 is composed of a sintered body, and the sintered body (positive electrode layer 11) and the battery element (positive electrode current collector 12) neighboring the sintered body (positive electrode layer 11) are adhered to a lithium ion conductor 4.例文帳に追加

正極層１１、負極層および電解質層３の少なくとも１つが焼結体からなり、この焼結体（正極層１１）と、焼結体（正極層１１）に隣接する電池要素（正極集電体１２）とが、リチウムイオン伝導体４で接着されている。 - 特許庁

An oxygen ion implantation layer is collected into a single layer by incorporating a step of applying rapid-rising/falling-temperature heat treatment to a wafer for an active layer between a step of implanting oxygen ions to the wafer for an active layer and a step of executing heat treatment to the wafer for an active layer in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

活性層用ウェーハへの酸素イオンの注入工程と、活性層用ウェーハへの非酸化性雰囲気中での熱処理工程との間に、活性層用ウェーハに対し急速昇降温の熱処理を施す工程を入れることで、酸素イオン注入層を単一層に纏めるものである。 - 特許庁

In the non-regenerative type ion exchange vessel, its inside has an anion-exchange resin layer or a mixed resin layer in which anion-exchange resin and cation-exchange resin exist in a mixed state, and a palladium catalyst layer is accumulated on the upper surface of the anion-exchange resin layer or the mixed resin layer.例文帳に追加

容器内に、アニオン交換樹脂層、又はアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とが混合状態で存在する混合樹脂層を有し、該アニオン交換樹脂層又は混合樹脂層の上表面にパラジウム触媒層が積層されている非再生型イオン交換容器。 - 特許庁

A method of producing a base material for superconductive thin film comprises: a first step of depositing a bed layer on a metal base plate; a second step of forming an orientation layer on the bed layer by an ion beam assisted deposition; and a third step of forming a cap layer comprising CeO_2 on the orientation layer by a sputtering.例文帳に追加

超電導薄膜用基材の製造方法において、金属基板上にベッド層を成膜し（第１工程）、ベッド層上にイオンビームアシスト蒸着法により配向層を形成し（第２工程）、配向層上にスパッタ法によりＣｅＯ_２からなるキャップ層を形成する（第３工程）。 - 特許庁

Since a guard layer 4 is formed between the auxiliary recording layer 5 and the magnetic recording layer 3, when the non-magnetic section 9 of the auxiliary recording layer 5 is formed by ion implantation, the diffusion of implanted ions in the magnetic recording layer 3 is prevented and the magnetic recording medium having high recording density can be manufactured.例文帳に追加

さらに、記録補助層５と磁気記録層３の間にガード層４を設けたので、記録補助層５の非磁性部９をイオン注入により形成する際に、注入されたイオンが磁気記録層３に拡散するのを防ぎ、高記録密度の磁気記録媒体を製造することができる。 - 特許庁

In the glass substrate, an outer peripheral end surface and an inner peripheral end surface have an ion exchange layer formed by chemical strengthening treatment and the part of a principal surface except a boundary region between the principal surface and the outer and inner peripheral end surfaces does not have the ion exchange layer.例文帳に追加

外周端面及び内周端面は化学強化処理によって形成されたイオン交換層を有し、主表面のうち、外周端面及び内周端面との境界領域を除いた部分はイオン交換層を有していない。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element for obtaining desired ion density, to provide a liquid crystal alignment layer for obtaining the desired ion density in the liquid crystal display element, and to provide a liquid crystal aligning agent for forming the liquid crystal alignment layer.例文帳に追加

所望のイオン密度の発現が達成される液晶表示素子、この液晶表示素子において所望のイオン密度の発現を達成させる液晶配向膜、及びそれを形成することができる液晶配向剤を提供する。 - 特許庁

The spacers 8 are disposed in an ion conductive layer 9 formed between a transparent conductive substrate 4 and a reflective conductive substrate 7, and the difference between the refractive index of the spacer 8 and that of the ion conductive layer 9 is controlled to be within ±0.03.例文帳に追加

透明導電基板４と反射性導電基板７の間に設けられたイオン伝導層９中にスペーサー８を配置し、かつ、このスペーサー８の屈折率とイオン電導層９の屈折率との差が±０．０３以下になるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of all solid lithium ion secondary battery in which thinness and large size necessary for high performance and high capacity of a lithium ion battery can be achieved and movement of an active material of an electrode material layer to the solid electrolyte layer side can be prevented.例文帳に追加

リチウムイオン電池の高性能化／高容量化に必要な薄膜化／大型化を実現し得ると共に、極材層の活物質が固体電解質層側に移動するのを防止し得る全固体リチウムイオン二次電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxidation denaturation part 2a can provide the oxide layer 3 with an oxygen ion 4 to change from a high resistance state to a low resistance state, or can receive an oxygen ion 4 from an oxide layer 3 to change from a low resistance state to a high resistance state.例文帳に追加

酸化変性部２ａは、酸化物層３に酸素イオン４を供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、酸化物層３から酸素イオン４を受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能である。 - 特許庁

The electrode 2 changes to the high resistance state from the low resistance state by receiving the oxygen ion 5 from the oxide layer 3 and changes to the low resistance state from the high resistance state by giving the oxygen ion 5 to the oxide layer 3.例文帳に追加

電極２は、酸化物層３から酸素イオン５を受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層３に酸素イオン５を供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。 - 特許庁

Preferably, the rust preventive pigment in the lower rust preventive coating film layer simultaneously contains an ion source emitting vanadic acid ions and an ion source emitting phosphoric acid ions, and the substrate treatment layer is composed of a water soluble resin which does not contain hexavalent chromium.例文帳に追加

下層防錆塗膜層の防錆顔料もバナジン酸イオンを放出するイオン源とリン酸イオンを放出するイオン源を同時に含むものであること、また、下地処理層が６価クロムを含まない水溶性樹脂からなることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer for extremely efficiently manufacturing an epitaxial wafer where a plurality of epitaxial layers are laminated through an embedded ion injection layer, and for reducing the lateral diffusion of the formed ion injection layer.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask.例文帳に追加

エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてＳｉＯ_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてＩＢＤＰ層とＳｉＯ_2層とＳｉ／ＳｉＧｅ層を貫通させて、Ｓｉ基板中にＰのイオン注入を行う。 - 特許庁

Constitutionally, negative ion emitting sources 2 are evenly dispersed either on a surface layer part 1a of the flooring 1 made of a synthetic resin or between an uppermost layer of the flooring, having a multi-layered structure, and a layer directly under the uppermost layer.例文帳に追加

合成樹脂製の床材１の表層部１ａにマイナスイオン放出源２を均等に分散させた構成とするか、又は、多層構造の床材の最上層と次の層との層間にマイナスイオン放出源を均等に分散させた構成とする。 - 特許庁

The anode 34 of the lithium ion battery has the anode active material layer 344 having carbon particles (active material particles) 42 as a principal component, an anode collector 342 for retaining the active material layer, and an insulating layer 346 arranged on the active material layer.例文帳に追加

リチウムイオン電池の負極３４は、カーボン粒子（活物質粒子）４２を主成分とする負極活物質層３４４と、該活物質層を保持する負極集電体３４２と、該活物質層上に設けられた絶縁層３４６とを備える。 - 特許庁

A membrane electrode assembly (13) is constructed of an air electrode catalyst layer to reduce oxygen, a fuel electrode catalyst layer to oxidize fuel, and an ion conductive solid electrolyte membrane interposed between the air electrode catalyst layer and the fuel electrode catalyst layer.例文帳に追加

酸素を還元する空気極触媒層、燃料を酸化する燃料極触媒層、及び該空気極触媒層と燃料極触媒層との間に挟まれたイオン伝導性の固体電解質膜により、膜電極接合体(13)が構成されている。 - 特許庁

The lithium ion battery includes a positive electrode element containing a positive electrode layer formed on a current collector, a negative electrode element 13 containing a negative electrode layer 13b formed on a current collector, and a separator arranged between the positive electrode layer and the negative electrode layer and containing an electrolyte.例文帳に追加

集電板上に形成された正極層を含む正極素子と、集電板上に形成された負極層１３ｂを含む負極素子１３と、正極層及び負極層の間に配置され、電解液を含むセパレータと、を有する。 - 特許庁

The impurities are made by electroplating copper after copper seed is deposited on inside the holding place and ion is implanted, or by electrodepositing the copper composition including the impurities and diffusing the impurities inside the copper seed layer after the copper layer is deposited, or by implanting dopant ion after the deposition of a barrier layer and then depositing the copper seed layer.例文帳に追加

不純物は、銅シード層を収容箇所内に付着してイオン注入してから銅を電気メッキすること、銅シード層の付着後に、不純物を含む銅組成を電着し不純物を銅シード層内に拡散すること、又はバリア層の付着後にドーパント・イオンを注入し、次いで銅シード層を付着することにより行われる。 - 特許庁

In the organic EL device in which at least a first electrode, the functional layer including a light-emitting layer and a second electrode are laminated in order on a substrate, the sealing substrate 109 is joined with the adhesive layer 108 formed on the upper part of the second electrode 103, and the adhesive layer 108 includes an ion trapping material which traps an ion.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、第１電極と、発光層を含む機能層と、および第２電極とが順次積層されてなる有機ＥＬ装置において、第２電極１０３の上部に形成した接着層１０８で封止基板１０９を接合し、接着層１０８は、イオンをトラップするイオントラップ材料を含有している。 - 特許庁

To provide a detection apparatus for an ion exchange resin layer capable of detecting a transparent ion exchange resin by a simple apparatus at a high accuracy in a short time and easily performing detection of an interface of a cation exchange resin layer and an aqueous layer even when an anion exchange resin is partially left and deposited or flied up on the cation exchange resin layer at deeper part than a peephole.例文帳に追加

簡単な装置により短時間で透明イオン交換樹脂を高精度で検出でき、アニオン交換樹脂が一部残留してのぞき窓より奥のカチオン交換樹脂層の上に堆積しまたは舞い上がる場合でも、カチオン交換樹脂層と水相の界面の検出が容易なイオン交換樹脂層の検出装置を提案する。 - 特許庁

In succession, a second oxide layer is grown on all the surface, by which the thickest oxide layer 22 gets thicker, the oxide layer scarcely grows on the ion-implanted region 18 to become a thinnest part 24, and the other part becomes a part 26 of intermediate thickness.例文帳に追加

続いて２度目の酸化物層を全面に成長させることにより、最大厚部２２は更に厚く、イオン注入領域１８上は成長が進まず最小厚部２４となり、他は中間厚部２６となる。 - 特許庁

Moreover, a photoresist pattern having T-shaped sectional plane is formed with lower and upper layer resist and ion etching of a thickness equal to the thickness of the laminated body of the lower dielectric material layer 2-the protective dielectric material layer 6 is performed onto the substrate 1.例文帳に追加

さらに、下層レジスト及び上層レジストで断面がＴ字型のフォトレジストパターンを形成し、下部誘電体層２〜保護誘電体層６の積層厚と等しい厚さだけ基板１にイオンエッチングを施す。 - 特許庁

The method disclosed includes (i) ion implantation to create a thin amorphization layer, (ii) deposition of a high stress film on the amorphization layer, (iii) a thermal anneal to recrystallize the amorphization layer, and (iv) removal of the high stress film.例文帳に追加

（ｉ）薄いアモルファス化層を生成するためのイオン注入と、（ｉｉ）アモルファス化層上への高応力膜の堆積と、（ｉｉｉ）アモルファス化層を再結晶させるための熱アニールと、（ｉＶ）高応力膜の除去とを含む。 - 特許庁

After a wetting layer is formed on topography by the ion metal plasma deposition method, nearly the entire portion of a bulk metal layer is formed on the wetting layer, in a single deposition chamber by the sputter deposition method.例文帳に追加

トポグラフィ上にウェッティング層をイオン金属プラズマ蒸着法によって形成した後、単一のディポジション・チャンバ内で該ウェッティング層上にバルク金属層のほぼ全体をスパッタ蒸着法により形成する。 - 特許庁

A via hole 11 and a groove 12 for second layer Cu wiring are formed on a first layer Cu wiring 7 that is formed on a MOS transistor 1, a barrier metal layer 13 is formed, and ion implantation is conducted.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１上に形成された第１層Ｃｕ配線７の上層にビア孔１１及び第２層Ｃｕ配線用の溝１２を形成し、バリアメタル層１３を形成した後、イオン注入を行う。 - 特許庁

The cathode 2 is formed to be provided with a layer 2a made of metal which is provided in contact with the electron transport layer 4 and has an ion radius ≤1.5 Å and a layer 2b made of metal having a work function ≥3.7 eV.例文帳に追加

陰極２を、電子輸送層４と接して設けられたイオン半径１．５Å以下の金属よりなる層２ａと、仕事関数が３．７ｅＶ以上の金属よりなる層２ｂとを備えて形成する。 - 特許庁

Furthermore, the surface layer part of the joint silicon single crystal thin film 5, stuck on the first substrate 7, is etched back upto an etch-stop layer 6' that is formed based on the ion implantation layer 6, through this peeling operation.例文帳に追加

そして、この剥離により第一基板７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

At this time, the receiving restraining liquid 24D acts on particles 16B in a lowest layer of an ink receiving particle layer 16A, and the particles 16B in the lowest layer form an ion cross-linking structure and become ink non-absorbing particles.例文帳に追加

このとき、インク受容性粒子層１６Ａの最下層にある粒子１６Ｂに対して受容抑制液２４Ｄが作用し、最下層の粒子１６Ｂは、イオン架橋構造を形成して、インクを吸液しない粒子となる。 - 特許庁

Typically, the electrode layer is a metallic material which can stand the high temperature of a combustion environment without delamination from the dielectric layer, is formed on the dielectric layer and forms an ion sensing electrode.例文帳に追加

電極層は典型的には、誘電体層から層間剥離することなく燃焼環境の高温に持ち堪えられる金属材質であり、誘電体層の上に設けられ、イオン検出電極を形成する。 - 特許庁

From the side, on which the diffusion preventive layer 21 is formed, at least one of boron (B) and indium (In) is subjected to ion implantation to form a p-type counter layer 6A more shallowly than the diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

この拡散抑止層２１が形成された側から、ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して、拡散抑止層２１よりも浅くｐ型カウンタ層６Ａを形成する。 - 特許庁

A heavy metal element is ion-implanted to the semiconductor silicon single crystal wafer from the front or rear surface to form a heavy metal-existing layer, and the heavy metal-existing layer is used as a gettering layer.例文帳に追加

半導体シリコン単結晶ウェーハに表面あるいは裏面から重金属元素をイオンインプランテーションして重金属存在層を形成するとともに前記重金属存在層をゲッタリング層としたことを特徴とする。 - 特許庁

By forming the titanium nitride layer on the carburized layer by ion-plating, a titanium nitride film having excellent adhesivity to the carburized layer of the base material can be formed, and the surface thereof is hard and excellent in wear resistance.例文帳に追加

浸炭層の上に窒化チタン層をイオンプレーティングにより形成すると、下地の浸炭層と密着性の良い窒化チタン被膜を形成することができ、その表面は硬質で耐摩耗性に優れたものになる。 - 特許庁

The first alignment layer 41 is formed from e.g. a polyimide alignment layer having rubbing density of ≤200 and the second alignment layer 42 is formed by an ion deposition method using an acrylic monomer as a deposition material.例文帳に追加

第１配向膜層４１は例えばラビング密度２００以下のポリイミド配向膜により形成され、第２配向膜層４２は、蒸着材料としてアクリルモノマーを用いたイオン蒸着法により形成される。 - 特許庁

Thereafter, the surface layer section of the thin bonded single-crystal silicon film 5, laminated on the base wafer 7 when the thin 5 is peeled from the wafer 1, is etched back to an etching stopper layer 6', formed based on the ion-implanted layer 6 for stopping etching.例文帳に追加

そして、この剥離によりベースウェーハ７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

To provide: a display medium in which image quality deterioration by ion contamination of a liquid crystal layer is suppressed; a writing device; and a display device.例文帳に追加

液晶層のイオン汚染による画質劣化の抑制された表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。 - 特許庁

A gap 54 making up a heat insulating layer is formed between the tip side of a valve casing 26 and the inner face 23A, on the gate 20 side, of a built-ion hole 23.例文帳に追加

バルブケーシング26の先端側と、組み込み孔23のゲート20側内面23Ａとの間に断熱層をなす隙間54を形成する。 - 特許庁

To prevent a second insulating film from being abnormally etched in the vicinities of the edges of a second metal wiring layer at the time of a processing using an ion milling in the manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

イオンミリングによる加工時に、金属配線のエッジ近傍で絶縁膜が異常にエッチングされることを防止する。 - 特許庁