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「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索
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ion layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2615



例文

A groove is formed in the surface of a sapphire substrate 10 by ion etching, a GaInNP buffer layer 12 and an AlGaN layer 14 are grown thereon, followed by growth of a light emitting device structure.例文帳に追加

サファイア基板10の表面にイオンエッチングで溝を形成し、その上にGaInNPバッファ層12及びAlGaN層14を成長させ、さらに発光デバイス構造を成長させる。 - 特許庁

A wire is connected to the electrode layer through the dielectric layer and it is provided for controlling the ion sensing electrode out of a combustion region (for example, to a control module for signal processing).例文帳に追加

ワイヤは、誘電体層を貫通して電極層と接続し、燃焼領域外(例えば、信号処理のための制御モジュールへ)でイオン検出電極を制御するために備える。 - 特許庁

The defect-free layer 16 is formed by diffusing oxygen and the oxygen precipitated nucleus to the outside from the surface layer of the wafer 10 through the reduction process of the ion-implanted hydrogen.例文帳に追加

無欠陥層16は、イオン注入された水素の還元作用によりウエハ10の表面層から酸素及び酸素析出核が外方拡散されることによって形成される。 - 特許庁

Also, excellent mold release properties can be obtained by not adding the metal ion containing compound to the receiving layer on an intermediate transfer sheet and the intermediate transfer sheet without the peeling of the receiving layer can be easily obtained.例文帳に追加

また、中間転写シート上の受容層に金属イオン含有化合物を添加しないことで離型性に優れ、受容層トラレのない中間転写シートを得ることが容易となる。 - 特許庁

例文

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン105をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板101の表面層にPN接合間距離Lを規定するLDD拡散層107を形成する。 - 特許庁


例文

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment.例文帳に追加

酸化膜10のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域40の表面層に高濃度不純物拡散層42を形成する。 - 特許庁

By an epitaxial method, a first wafer 20 having a silicon single-crystal layer 24 formed on a principal surface is formed, and a silicon oxide layer 22 is formed on the silicon single-crystal layer 24; a defective layer 23 is formed in the silicon single-crystal layer 24 by an ion implantation method; and the silicon oxide layer 22 is stuck to a second wafer 17.例文帳に追加

エピタキシャル法により、主面上に形成したシリコン単結晶層24を有する第1のウェハ20を形成し、シリコン単結晶層24の上に酸化シリコン層22を形成し、イオン注入法により、シリコン単結晶層24の内部に欠陥層23を形成し、酸化シリコン層22と第2のウェハ17とを貼り合わせる。 - 特許庁

To form an anion exchange resin layer on the lower section in a condensate desalination column, collect eluted matters flowed out of an upper layer and retain securely both of an ion exchange resin layer of the upper layer and the anion exchange resin layer of a lower layer into desired shapes from the viewpoints of the improvement of treatment water quality of the condensate and the secure collection of the eluted matters.例文帳に追加

復水脱塩塔内下部にアニオン交換樹脂層を形成して上層から流出してきた溶出物を捕捉できるようにするとともに、復水の処理水質の向上および溶出物の確実な捕捉の両面から、上層のイオン交換樹脂層および下層のアニオン交換樹脂層をともに望ましい形態に確保する。 - 特許庁

A platinum layer is coated on surface of a paper or a printed matter and a carbon layer is coated on the platinum layer to form a protective and charge-preventive layer comprising the platinum layer and the carbon protective layer to smooth uneven microstructure present on the surface of the sample, and then, the ion beam is focused on the surface of the paper of the printed matter to obtain the section sample.例文帳に追加

紙や印刷物の表面に白金層をコーティングし、この白金層の上にカーボン層をコーティングし、サンプル表面に存在するミクロな凹凸面を平滑にする白金層及びカーボン保護層から成る帯電防止兼用の保護層を形成してから、紙や印刷物の表面にイオンビームを集束して切断し断面試料を得る。 - 特許庁

例文

The ion beam apparatus includes a sample holder 4 for fixing a sample 6 formed with a section by irradiating with a predetermined focusing ion beam from a surface side, and a gas ion beam irradiation unit 2 for emitting a gas ion beam to a region including the section of the sample 6 fixed by the holder 4 to remove a damage layer on the section.例文帳に追加

表面側から所定の集束イオンビームが照射されて断面が形成された試料6を固定するための試料ホルダー4と、試料ホルダー4により固定された試料6の、上記断面を含む領域に気体イオンビームを照射して上記断面上のダメージ層を除去する気体イオンビーム照射装置2とを有する。 - 特許庁

例文

To provide a slurry in order to form an insulating layer suitable for composing a separator for lithium ion secondary battery, the slurry containing particulates and having a superior dispersibility of the particulates, to provide a separator for lithium ion secondary battery manufactured by using the slurry, to provide a manufacturing method of the separator, and to provide the lithium ion battery having the separator for lithium ion secondary battery.例文帳に追加

微粒子を含有するリチウムイオン二次電池用セパレータを構成するのに好適な絶縁層を形成するためのスラリーであって、微粒子の分散の安定性が良好なスラリー、該スラリーを用いて製造されるリチウムイオン二次電池用セパレータおよびその製造方法、並びに該リチウムイオン二次電池用セパレータを有するリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a slurry in order to form an insulating layer suitable for composing a separator for lithium ion secondary battery, the slurry containing particulates and having a superior long-term storage property, to provide a separator for lithium ion secondary battery manufactured by using the slurry, to provide a manufacturing method of the separator, and to provide the lithium ion battery having the separator for lithium ion secondary battery.例文帳に追加

微粒子を含有するリチウムイオン二次電池用セパレータを構成するのに好適な絶縁層を形成するためのスラリーであって、優れた長期貯蔵性を有するスラリー、該スラリーを用いて製造されるリチウムイオン二次電池用セパレータおよびその製造方法、並びに該リチウムイオン二次電池用セパレータを有するリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

A resist film is patterned by the backside exposure, and an impurity ion is implanted in the active silicon layer 40 to form a source- drain region using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

次に、このレジストパターンをマスクとしてアクティブシリコン層40に不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The adhesive tape includes at least one layer of an acrylic adhesive layer, wherein the tape has a volume resistance of10^1 Ω, and that the total amount of acrylic acid ion and methacrylic acid ion which are extracted from the adhesive tape with pure water under conditions of 100°C for 45 minutes is not more than 20 ng/cm^2 per a unit area of the acrylic adhesive layer, measured by an ion chromatographic method.例文帳に追加

アクリル系粘着剤層を少なくとも一層有する粘着テープであって、体積抵抗値が1×10^1Ωであり、イオンクロマトグラフ法で測定される該粘着テープより純水で100℃、45分の条件で抽出されたアクリル酸イオンおよびメタクリル酸イオンの合計量が、前記アクリル系粘着剤層の単位面積あたり20ng/cm^2以下である導電性粘着テープ。 - 特許庁

To make an alignment layer adsorb mobile ions existing in a liquid crystalline substance without using a collecting electrode such as an ion trap electrode.例文帳に追加

イオントラップ電極などの集電電極によることなく、配向膜に液晶物質中に存在する可動イオンを吸着する。 - 特許庁

An n type dopant N ion 12 is injected selectively into an FS layer schedule region 2a and the JTE schedule region 23b.例文帳に追加

次に、FS層予定領域2aおよびJTE予定領域23bにn型ドーパントNイオン12を選択的に注入する。 - 特許庁

In a storage method of lithium ion, lithium ions are made to be stored in a negative electrode active material layer by electrolysis in a non-aqueous electrolytic liquid 25.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン吸蔵方法では、非水電解液25中で電解により負極活物質層にリチウムイオンを吸蔵させる。 - 特許庁

For the intermediate layer 4 provided at the nonaqueous electrolyte battery 100, Li-ion conductive oxide with oxygen deficiency produced is used.例文帳に追加

そして、非水電解質電池100に備わる中間層4に、酸素欠損を生じさせたLiイオン伝導性酸化物を用いる。 - 特許庁

Further, the surface of the ion implantation layer 32 is further stacked with a thin film 33 comprising metal selected from Al, Ba, Ca, Mg and Y.例文帳に追加

また、このイオン注入層32の上に、さらにAl、Ba、Ca、Mg、Yから選ばれる金属を含む薄膜33を積層させる。 - 特許庁

In a thin-film structure 10, a semiconductor layer 22 has a channel region 30 in which only p-type impurity ion is doped.例文帳に追加

薄膜トランジスタ構造10において、半導体層22は、p型不純物イオンのみドープされたチャネル領域30を備えている。 - 特許庁

Thereafter, boron for preventing parasitic channel is introduced into the Si layer 5 at the channel region end of the transistor by oblique ion implantation, for example.例文帳に追加

次に、例えば斜めイオン注入によって、トランジスタのチャネル領域端部のSi層5に寄生チャネル防止用のボロンを導入する。 - 特許庁

To provide an electrode with reduced contact resistance between a collector and an active material layer which is, especially, effective in a bipolar lithium-ion secondary battery, as well as, to provide a manufacturing method for the electrode.例文帳に追加

集電体および活物質層間の接触抵抗を低減させた電極とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a dual deposition process wherein the first step is to deposit a very thin layer and dope very heavily by ion implantation.例文帳に追加

この方法は、2つの堆積プロセスで構成され、第1工程では、薄い層を堆積し、イオン注入により激しくドーピングする。 - 特許庁

To inexpensively remove at low energy a damage layer generated in a cut end face after working by a converged ion beam.例文帳に追加

集束イオンビーム加工後の切削端面に生じたダメージ層を低エネルギーかつ低コストで除去する表面処理方法を提供する。 - 特許庁

During the initial charging, the Li-ion forms a metal Li layer between the electrolyte and the anode filled with lithium by electric plating.例文帳に追加

初期充電の間、電気めっきにより、Liイオンは、電解質とリチウムが飽和した負極との間に金属Li層を形成する。 - 特許庁

To provide an electrolyte layer with a high safety capable of maintaining an excellent ion conductivity and controlling the occurrence of liquid leakage effectively.例文帳に追加

良好なイオン伝導性を保ちつつ、液漏れの発生を効果的に抑制することができ、安全性の高い電解質層の提供。 - 特許庁

Then, ion is implanted for source/drain formation, with the insulating layer 16 left on the emitter electrode 17 and the gate electrode 18.例文帳に追加

次に、エミッタ電極17とゲート電極18の上に絶縁膜16を残存させたままソース、ドレイン形成用のイオン注入を行う。 - 特許庁

After irradiating locally a metal film forming a spacer layer 6 with an Ar ion beam, the metal film is subjected to an oxidation processing.例文帳に追加

スペーサ層6を形成する金属膜に局所的にArイオンビームを照射し、そののちに当該金属膜を酸化処理する。 - 特許庁

The electrode for a lithium ion secondary battery includes a collector and an active material layer formed on a surface of the collector.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン二次電池用電極は、集電体と、当該集電体の表面に形成された活物質層とを有する。 - 特許庁

The second getter layer 22 is formed through an ion implantation process carried out between epitaxial growth processes which are performed in two steps.例文帳に追加

この第2のゲッタ層22は、2段階で行われるエピタキシャル成長工程の中間でイオン注入工程によって形成される。 - 特許庁

The amorphous silicon electrode layer 250 contains an ion implanting region 240, by which a pixel electrode region is separated physically.例文帳に追加

アモルファスシリコン電極層250は、画素電極領域230の間を物理的に隔離する電極イオン注入領域を240を含む。 - 特許庁

COATED ELECTRODE SHEET, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR OR LITHIUM ION BATTERY USING COATED ELECTRODE SHEET例文帳に追加

塗布型電極シート、塗布型電極シートの製造方法および塗布型電極シートを用いた電気二重層キャパシタあるいはリチウムイオン電池 - 特許庁

Resistances of the epitaxial layer 2 and the semiconductor substrate 1 are heightened, and the crystal defect is removed, by performing ion injection into the opening part.例文帳に追加

その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層2、半導体基板1を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。 - 特許庁

To provide a fuel cell that has an excellent battery property by using a catalyst layer having excellent hydrogen ion conductivity.例文帳に追加

水素イオン伝導性の優れた触媒層を用いることにより、電池特性の優れた燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.例文帳に追加

窒素がドーピングされたn型SiC基板10の表層部に、ボロン等をイオン注入してn型SiC11を形成する。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the LDD regions are doped by ion-doping an impurity at a low concentration with a high acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を高い加速電圧で低濃度にイオンドーピングして、活性層5のLDD領域14,15となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

The structure is subjected to selective ion implantation with use of the first mask layer as a mask to form the charge transfer part 5 and the photodiode part 4.例文帳に追加

この第1マスク層をマスクとして選択的にイオン注入を行って、電荷転送部5とフォトダイオード部4とを形成する。 - 特許庁

With the gate electrode 12 being the mask, a second conductivity type impurity is ion-implanted in the silicon layer 3 to form source/drain regions 14.例文帳に追加

ゲート電極12をマスクとしてシリコン層3に第2導電型の不純物をイオン注入しソース/ドレイン領域14を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating film 17 is formed, and an n-type source drain diffusion layer 18 is formed by P ion implantation.例文帳に追加

その後、サイドウォール絶縁膜17を形成し、Pのイオン注入を行うことにより、N型ソース・ドレイン拡散層18を形成する。 - 特許庁

At least one of fluorine (F) and carbon (C) is subjected to ion implantation onto an Si substrate 1 to form a diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

Si基板1に、フッ素(F)および炭素(C)のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して拡散抑止層21を形成する。 - 特許庁

At a part covered with the ion shielding mask 300a, on the other hand, a thick 2nd single-crystal semiconductor layer 230 is formed.例文帳に追加

これに対して、イオン遮蔽用マスク300aで覆われていた部分では、厚い第2の単結晶半導体層230が形成される。 - 特許庁

After the resist pattern is removed, the portion of the power feeding metal film formed with no metal plating layer is removed by the ion milling method.例文帳に追加

レジストパタ−ンを除去後、給電用金属膜の金属めっき層が形成されていない部分をイオンミリング法によって除去する。 - 特許庁

As this vapor permeation membrane 23, a porosity film, which has a permeable, resin layer of ion-exchange resin of perfluorosulfonic acid system.例文帳に追加

この水蒸気透過膜23として、パーフルオロスルホン酸系イオン交換樹脂の透湿性樹脂層を有する多孔質膜を使用する。 - 特許庁

The carbohydrate solution 10 after being brought into contact with the adsorbent is brought into contact with an ion exchange resin layer 6 containing an anion exchange resin.例文帳に追加

さらに、吸着剤に接触させた後の糖液10をアニオン交換樹脂を含むイオン交換樹脂層6に接触させる。 - 特許庁

Thus, implantation using the heavy ion is conducted to the pocket region to positively make a pocket diffusion layer 17 amorphous.例文帳に追加

このようにポケット領域に対して重イオンを用いた注入を行なうことにより、ポケット拡散層17を積極的にアモルファス化する。 - 特許庁

To provide a laminated body combining a mold release film exhibiting excellent mold releasability with respect to a layer containing an ion-exchange resin.例文帳に追加

イオン交換樹脂を含む層に対して良好な離型性を示す離型フィルムを組み合わせた積層体を提供すること。 - 特許庁

With the He-Cd laser, the shallow region of the strong field drift layer is excited, and with argon ion laser, a deeper region is excited.例文帳に追加

He−Cdレーザでは強電界ドリフト層の浅い領域が励起され、アルゴンイオンレーザではより深い領域まで励起される。 - 特許庁

And a surface part of the epitaxial layer 2 is reactively ion-etched(RIE) down to a high B concentration to have the base region 3 exposed.例文帳に追加

そして、Bの濃度が高濃度となる部分までn^- 型エピ層2の表層部をRIEして、p型ベース領域3を露出させる。 - 特許庁

Ion energy, ion incident angle to the surface of material, temperature of silicon layer, forming depth of the vertical portion, height of vertical portion and ion passing range to silicon are all determined with reference to the wavelength of the selected waving (vertical) portion in the range of 9 nm to 120 nm.例文帳に追加

イオンエネルギー、前記材料の表面へのイオン入射角、シリコン層の温度、波状起伏の形成深さ、前記波状起伏の高さ、及びシリコンへのイオン貫通範囲は全て、9nm〜120nmの範囲における波状起伏の選択された波長を基準として決定される。 - 特許庁

例文

In the method for manufacturing the magnetic head by forming a hard mask on a magnetic material layer and forming the inverted-trapezoidal main magnetic pole by ion milling which is irradiation with ion beams from an oblique direction, the width (the width of the bottom) W and the side wall inclination α of the hard mask before the ion milling are measured.例文帳に追加

磁性材料層上にハードマスクを形成し、斜め方向からイオンビームを照射するイオンミリングで逆台形状の主磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法に関し、イオンミリングの前のハードマスクの幅(底部の幅)W及び側壁傾斜角αを測定する。 - 特許庁




  
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