「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, local deposition of lithium is generated in the negative electrodes; and when it pierces a second lithium ion conducting thin film, lithium deposited at that position comes into contact with the sulfide-based lithium ion conducting solid electrolyte, so that a layer lacking lithium ion conductivity is chemically formed.例文帳に追加

これによって、負極において金属リチウムの局部的な析出がおこり、第２のリチウムイオン伝導性薄膜を突き抜けた場合、その部位の析出した金属リチウムは硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質との接触により、リチウムイオン伝導性に欠ける層が化学的に形成される。 - 特許庁

The ion generating toothbrush 10 includes: a handle 11 made of a synthetic resin and bristles 13 planted in the handle, wherein the handle 11 is provided with an ion generating layer 15 containing an ion generating substance on the surface of a head part 12 in which the bristles are planted or of a neck part 18 in the vicinity.例文帳に追加

合成樹脂製の柄１１と、その柄に植毛されるブラシ毛１３とを有し、前記柄１１が、ブラシ毛が設けられているヘッド部１２またはその近辺のネック部１８の表面に、イオン発生物質を含有するイオン発生層１５を備えているイオン発生歯ブラシ１０。 - 特許庁

Then, the sample layer 4 including the mask 5 and the upper surface side of the glass substrate 1 are removed as much as about 2 μm by argon ion etching, and a protrusion 2 for sample part formation comprising a glass layer 3, the sample layer 4 and the mask 5 is formed.例文帳に追加

次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon-carbide semiconductor device wherein, even though in the case of forming a conductive layer made of silicon carbide at the sidewall of its trench by an ion implanting method, the conductive layer can maintain properly a function required as a conductive layer.例文帳に追加

イオン注入法によりトレンチ側壁部に炭化珪素からなる導電層を形成する場合であれ、その導電層としての機能を適正に維持可能とする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic light-emitting element includes: an anode; a cathode; a light-emitting layer including a light-emitting organic compound between the anode and the cathode; and a functional layer including ion solution and an organic compound between the anode and the light-emitting layer.例文帳に追加

陽極と陰極とを有し、該陽極と該陰極との間に発光性有機化合物を含む発光層を有し、該陽極と該発光層との間にイオン液体と有機化合物とを含む機能層を有する有機発光素子。 - 特許庁

Consequently, constituent substances, such as atoms and molecules, of a metal film and a piezoelectric substance layer of the functional layer FL on the substrate 1 are scattered and removed, due to collision of the ion beam to etch the functional layer FL in the desired pattern shape.例文帳に追加

これにより、基板１上の機能層ＦＬの金属膜と圧電体層の原子や分子等の構成物質がイオンビームの衝突により飛散して除去され、機能層ＦＬが所望のパターン形状にエッチングされる。 - 特許庁

The negative electrode member for a lithium ion battery is made by laminating a solid electrolyte layer 20 to a collector, the solid electrolyte layer 20 contains solid electrolyte particles 21, and the solid electrolyte layer 20 has a porosity in the range of 0.05 to 0.8.例文帳に追加

集電体上に固体電解質層２０が積層してなり、固体電解質層２０が固体電解質粒子２１を含み、この固体電解質層２０の空孔率が０．０５以上０．８以下であるリチウムイオン電池負極部材。 - 特許庁

In the lithium ion secondary battery containing a positive electrode sheet, a separator, non-aqueous electrolyte and a negative electrode sheet, the separator is consisted of a heat-resistant porous layer and a shut down layer, and the heat-resistant porous layer is arranged on the negative electrode sheet side.例文帳に追加

正極シート、セパレータ、非水電解液および負極シートを含むリチウムイオン二次電池において、該セパレータが耐熱多孔質層とシャットダウン層からなり、該耐熱多孔質層が該負極シート側に配置されてなるリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

To provide a means for removing the surface part of an ion implantation layer in a semiconductor layer without causing new damage in a method for manufacturing a semiconductor device possessed of the semiconductor layer containing Si and C and serving as an active region.例文帳に追加

ＳｉとＣとを含む半導体層を活性領域とする半導体素子を製造する方法において、半導体層内へのイオン注入層の表面部を新たなダメージを与えずに除去する手段を提供する。 - 特許庁

The platinum ion trapping layers 40 and 42 comprise a member having a mesh structure, and are provided in regions near an air inlet between the electrolyte membrane 10 and the catalyst layer 20 and between the catalyst layer 20 and the gas diffusion layer 30, respectively.例文帳に追加

白金イオン捕捉層４０，４２は、それぞれ、メッシュ構造を有する部材からなり、電解質膜１０と触媒層２０との間、および、触媒層２０とガス拡散層３０との間の、空気の入口近傍の領域に配置される。 - 特許庁

To improve visual field angle characteristics by subjecting an alignment layer to rubbing treatment and then irradiating the entire surface of the alignment layer with light or an ion beam to reduce a pre-tilt angle of the alignment layer in an in-plane switching mode liquid crystal display device.例文帳に追加

本発明は横電界方式液晶表示装置で配向膜にラビング処理をした後に配向膜全面に光照射またはイオンビーム照射をして配向膜のプリチルト角を減らして視野角特性を改善する。 - 特許庁

In order to form a high-concentration p-type collector layer, cooled ion injection 12 is performed from a rear surface, and low-temperature annealing is performed to recrystalize the front-most surface of a polycrystalline layer on the rear surface to make a recrystalizeed layer 32.例文帳に追加

高濃度のｐ型コレクタ層を形成するために、裏面より、冷却イオン注入１２を行い、つぎに、長時間の低温アニールを行って、裏面の多結晶層を最表面まで再結晶化して、再結晶層３２とする。 - 特許庁

The process of forming the lower electrode 4 includes a process of forming a first metal layer by an ion beam sputtering method or a DC sputtering method, and a process of depositing a second metal layer on the first metal layer by an electrolytic plating method.例文帳に追加

下部電極４を形成する工程は、イオンビームスパッタ法またはＤＣスパッタ法によって第１金属層を形成する工程と、第１金属層の上に電解めっき法によって第２金属層を析出させる工程と、を含む。 - 特許庁

The layer of a first superconducting material is formed on the upper surface of the first dielectric layer of a substrate by dc reactive sputtering, and a second dielectric layer is formed on the upper surface of the first superconducting material by ion beam sputtering.例文帳に追加

基板となる第一誘電体層の上面に、直流反応性スパッタリングによって第一超伝導体層を形成し、その第一超伝導体層の上面に、イオンビームスパッタリングによって第二誘電体層を形成する。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 formed of the carbon diffusion layer is formed on a surface of a silicon wafer W, formation of the gettering layer 12 in contact with the epitaxial film 11 which is difficult by a conventional carbon ion implantation method is facilitated.例文帳に追加

シリコンウェーハＷの表面には、炭素拡散層からなるゲッタリング層１２が形成されているので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜１１に接してのゲッタリング層１２の形成が容易となる。 - 特許庁

To provide an amorphous layer evaluation method having a deep tilt angle as a parameter, which accurately predicts the thickness of an amorphous layer formed on the surface layer of a crystalline substrate by performing ion-implantation with impurities at a high dose.例文帳に追加

深いtilt角度をパラメータに持ち、不純物のイオン注入を高ドーズで行うことによって結晶性基板の表層に形成される非晶質層の厚さを精確に予想する非晶質層評価方法を提供する。 - 特許庁

Next, ion implantation process is performed, using the photoresist layer as a mask for forming a source/drain in the first region of the polysilicon layer and the LDD in the second region below the edge portion of the photoresist layer.例文帳に追加

次に、前記ポリシリコン層の第１領域におけるソース／ドレインと、前記フォトレジスト層のエッジ部分の下の前記第２領域におけるＬＤＤとを形成するマスクとして前記フォトレジスト層を使用し、イオンインプランテーションプロセスを行う。 - 特許庁

The proton conductor is formed by placing a proton conductive oxide layer on one surface of a hydrogen permeable cathode substrate, and placing an interposing layer comprising an oxide having a low oxygen ion deficiency on the oxide layer.例文帳に追加

水素透過性の陽極基材の一方の面上に、プロトン伝導性酸化物層が配置され、該酸化物層の上にさらに酸素イオン欠損量の少ない酸化物からなる介在層が配置されたプロトン伝導体である。 - 特許庁

On the surface of the pin for hole as cast, a nitrided layer having 400-1100 Vickers hardness (load: 100 gf) is formed by using an ion- nitriding method or an radical-nitriding method and a sulfide layer having the lubricity is formed on the nitrided layer.例文帳に追加

イオン窒化法又はラジカル窒化法を用いて鋳抜きピンの表面に、ビッカース硬度（荷重：１００ｇｆ）４００〜１１００の硬さを有する窒化層を形成させ、その上に潤滑性を有する硫化物層を形成させる。 - 特許庁

Further, a buffer layer 20 of AlGaN having a thickness of about 300 nm is grown on the ion implanted surface of the Si substrate 10, and a GaN layer 30 being an objective semiconductor crystal and having a thickness of about 200 μm is grown on the buffer layer 20.例文帳に追加

上記のＳｉ基板１０のイオン注入面上に、ＡｌＧａＮより成るバッファ層２０を約３００ｎｍ成長し、更にその上に、目的の半導体結晶である窒化ガリウム（ＧａＮ）層３０を約２００μｍ成長する。 - 特許庁

On a surface of a fitting main body 10 made of aluminum alloy, a color alumite 11 formed by color alumite treatment, an inclined layer 12 inclinatorily formed with a specific element on the surface of the color alumite layer 11 by a plasma ion injection treatment, and a DLC (Diamond Like Carbon) layer 13 formed by a plasma ion filming treatment on the surface of the inclined layer 12, are formed.例文帳に追加

アルミニウム合金製の部品本体１０表面には、着色アルマイト処理により形成されたカラーアルマイト１１と、カラーアルマイト１１の表層側にプラズマイオン注入処理により特定の元素が傾斜状に形成された傾斜層１２と、傾斜層１２の表層側にプラズマイオン成膜処理により形成されたＤＬＣ層１３とが形成されている。 - 特許庁

The atomic content of a ferromagnetic element at an ion implantation part is increased by implanting ions of the ferromagnetic element to the precursor layer of a second magnetic recording layer 26 of a magnetic recording medium having a first magnetic recording layer 24 constituted of crystal grain boundary consisting of ferromagnetic crystal particles and oxide, and the second magnetic recording layer 26 which does not contain oxide, using ion implantation method.例文帳に追加

強磁性結晶粒子と酸化物からなる結晶粒界で構成された第一磁気記録層２４と酸化物を含まない第二磁気記録層２６を有する磁気記録媒体の第二磁気記録層２６の前駆層に、イオン注入法を用い、強磁性元素のイオンを注入することで、イオン注入部位の強磁性元素の原子含有率を増加させる。 - 特許庁

The oblique ion pouring and the ion pouring for forming the well-contact layer 4 are effected, so that the profile 34 of a first conductivity impurities forming the well contact layer 4 covers the profile 33 of impurities forming the impurities diffusion layer in the profile of impurities in the well contact layer 4, when a depth is positioned in the axis of ordinates and the density of impurities is positioned in the axis of abscissas.例文帳に追加

上記斜めイオン注入と、上記ウェルコンタクト層４を形成するためのイオン注入とは、ウェルコンタクト層４の不純物プロファイルにおいて、縦軸に深さをとり、横軸に不純物濃度をとったとき、不純物拡散層を形成する不純物のプロファイル３３を、ウェルコンタクト層４を形成する第１導電型の不純物プロファイル３４が覆い被さるように行なう。 - 特許庁

In the method of manufacturing the laminated wafer by laminating a wafer for active layer to wafer for support layer and then thinning the wafer for active layer, a terrace grinding for forming a terrace portion is carried out prior to a step of exposing the oxygen ion implanted layer while leaving an oxide film on a terrace portion of the wafer for support layer.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 酸素イオン注入層を露出させる工程に先立ち、テラスを形成するためのテラス研磨を行い、その際、支持層用ウェーハ上テラス部の酸化膜を残存させる。 - 特許庁

The laminated film is obtained by subjecting at least one side of a substrate made of polyethylene terephthalate (PET) to preparatory treatment by reactive ion etching (RIE), laminating a primer layer on the treated surface of the substrate, laminating an inorganic compound layer on the primer layer, and laminating a gas-barrier coat layer on the inorganic compound layer.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理を施し、この前処理を施した基材面上にプライマー層を積層し、このプライマー層上に無機化合物層を積層し、この無機化合物層にガスバリア被覆層を積層する。 - 特許庁

In the storage element 1 laminating a lower electrode 10, a memory layer 20 and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance change layer 22 including a layer containing the most tellurium (Te), and an ion source layer 21 containing aluminum (Al) within the range of 27.7-47.4 atom%.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０はテルルを（Ｔｅ）を最も多く含む層を有する抵抗変化層２２と、アルミニウム（Ａｌ）を２７．７原子％以上４７．４原子％以下の範囲内で含有するイオン源層２１とを有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a tape base material for superconducting wire rod 2 in which an orientation layer 21 is formed on a metal substrate 10 by an ion beam assisted vapor deposition method and a buffer layer 22 is formed on the orientation layer, lattice distortion of the orientation layer is alleviated by giving a prescribed thermal history to the orientation layer.例文帳に追加

金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a substrate formed with a semiconductor layer on an insulation layer is prepared; argon ions are implanted into the surface of the semiconductor layer; a gate insulation film is formed on the semiconductor layer after the argon ion implantation; a gate electrode is formed on the gate insulation film; and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured.例文帳に追加

半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。 - 特許庁

The optical film comprises a substrate containing triacetyl cellulose and is characterized in that: one surface of the substrate is subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma; a first functional layer is formed on the one surface of the substrate; and the first functional layer is one of a hard coat layer, an antistatic layer and an IR absorbing layer.例文帳に追加

トリアセチルセルロースを有する基材からなり、基材の一方の面に、プラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施され、基材の一方の面上に第１の機能層が形成され、第１の機能層はハードコート層、帯電防止層及び赤外線吸収層のいずれかであることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

A normal conductor layer 12 and an insulator layer 13 are laminated between a first superconductor layer 11 and a second superconductor layer 14, and a region (a local conducting region 19) having no locally insulating property by an irradiation of a focused ion beam to a side of the insulator layer 13.例文帳に追加

第１超伝導体層１１と第２超伝導体層１４の間に常伝導体層１２及び絶縁体層１３を積層し、絶縁体層１３の側面に集束イオンビームを照射することにより局所的に絶縁性を持たない領域（局所伝導領域１９）を形成する。 - 特許庁

A first layer 4 consisting of mixed conductive bodies is formed on an insulating substrate 1 in the form of being pinched by a source electrode 2 and a drain electrode 3, then, a third layer 5 consisting of ion conductive bodies is formed on the first layer 4, and further, a second layer 6 consisting of the mixed conductive bodies is formed on the third layer 5.例文帳に追加

絶縁性基板１上に、ソース電極２およびドレイン電極３に挟まれる形で、混合導電体からなる第１の層４を形成し、その第１の層４上に、イオン導電体からなる第３の層５を形成、さらにその第３の層５の上に、混合導電体からなる第２の層６を形成する。 - 特許庁

The electrochromic element has at least a first electrode layer, an electrochromic layer, an ion conductive layer, and a second electrode layer, and the thickness of at least one layer of these constituent layers has a prescribed uneven distribution.例文帳に追加

表示装置用光学フィルターは、透明基板上の主要部分にエレクトロクロミック素子が形成されており、このエレクトロクロミック素子は少なくとも第一電極層、エレクトロクロミック層、イオン導電層、および第二電極層を有してなり、これらの構成層のうち少なくとも１つの層の厚みが所定の不均一分布を有している。 - 特許庁

An organic light emitting display device comprises: a substrate; an element circuit arranged above the substrate; a pixel electrode electrically connected to the element circuit; a pixel defining layer exposing the pixel electrode; an intermediate layer arranged on the pixel electrode, the intermediate layer being configured to emit light; and a first ion injected layer formed on the pixel defining layer.例文帳に追加

基板と、基板上に配される素子回路部と、素子回路部と電気的に連結される画素電極と、画素電極を露出させる画素定義膜と、画素電極上に配されて光を放出する中間層と、画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と、を備える有機発光表示装置。 - 特許庁

Then, after the bonded wafer 1, in which the two ion-implanted layers 4 and 6 are formed, is coupled with a base wafer 7, a thin bonded single-crystal silicon film 5 is peeled from the bonded wafer 1 by peeling the peelable ion-implanted layer 4.例文帳に追加

そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成されたボンドウェーハ１をベースウェーハ７に結合した後、ボンドウェーハ１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。 - 特許庁

The recording layer contains at least one kind of azo dye compound selected from a group consisting of an azo compound and an azo metal complex compound comprising an azo compound and a metal ion or a metal oxide ion.例文帳に追加

記録層は、アゾ化合物ならびにアゾ化合物および金属イオンまたは金属酸化物イオンを含むアゾ金属錯体化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種のアゾ色素化合物を含有する。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery equipped with a negative electrode plate having a negative electrode active material layer suppressing a decrease of a battery capacity involved in use, and to provide a vehicle and battery loading equipment loaded with the lithium ion secondary battery.例文帳に追加

使用に伴う電池容量の低下を抑制した負極活物質層を有する負電極板を備えるリチウムイオン二次電池、このリチウムイオン二次電池を搭載した車両及び電池搭載機器を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium ion secondary battery, capable of suitably preventing an active material layer from being peeled off a current collector caused by the expansion and contraction of an active material in the charge/discharge of the lithium ion secondary battery.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の充放電時における活物質の膨張、および収縮に伴って生じる集電体からの活物質層の剥離を好適に防止し得るリチウムイオン二次電池用電極を提供する。 - 特許庁

In a first process, a part of ion exchange resin 51 to fill a container 10 is mixed with water to prepare a slurry-like mixture, and the mixture is filled in the container 10 to form a hydrated ion exchange resin layer 50a.例文帳に追加

第１の工程として、容器１０内部に充填されるイオン交換樹脂５１の一部を水と混合してスラリー状にして容器１０に充填して加水イオン交換樹脂層５０ａを形成する。 - 特許庁

In order to decrease the number of sheets of mask, an ion implantation mask (photoresist layer 8) for regulating the threshold voltage of an N-channel MOS transistor is also used in ion implantation for forming a P-type well region.例文帳に追加

マスク枚数を削減するために、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧調節用イオン注入とＰ型ウエル領域形成用イオン注入を同一のマスク（ホトレジスト層８）を用いて行うことに着目した。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery uses as positive electrode active substance Li_2-xA_xMO_3 which is obtained by replacing lithium in Li_2MO_3 provided with a layer structure by an alkaline metal provided with an ion radius which is greater than the ion radius for the lithium.例文帳に追加

層状構造を有するＬｉ_2 ＭＯ_3 中のリチウムを、リチウムのイオン半径よりも大きいイオン半径を有するアルカリ金属で置換することにより得たＬｉ_2-x Ａ_x ＭＯ_3 を正極活物質として用いる。 - 特許庁

To provide a negative-ion building material which promotes the generation of a natural minus ion from a surface layer part of the building material, which can bring about the effects of environmental improvement and health promotion, and which is excellent in the glossiness and slip resistance of a surface.例文帳に追加

建築材の表層部からの天然マイナスイオンの発生が促進され、環境改善や健康促進効果が得られ、且つ表面の光沢性及び耐滑り性に優れたマイナスイオン建築材を提供すること。 - 特許庁

In the ion milling, in order to set an angle between a normal to the upper surface of the substrate film 51 and an ion irradiating direction equal to/higher than 45°, the substrate film 51 and the side face of the high-saturation magnetic flux density layer 53 are irradiated with ions.例文帳に追加

イオンミリングでは、下地膜５１の上面に対する法線とイオンの照射方向とのなす角度が４５°以上となるように、下地膜５１および高飽和磁束密度層５３の側面にイオンを照射する。 - 特許庁

The metal ion trap layer 10 has a circular part formed by a metal ion trap material which is constituted so that the circular part has a plurality of Lewis basic elements bonded to at least two carbon atoms.例文帳に追加

金属イオントラップ層１０は、環状部を有し、環状部が少なくとも二つの炭素原子に結合するルイス塩基性元素を複数有して構成されてなる、金属イオントラップ材料によって形成されている。 - 特許庁

Instead of a part of the acid radical proton ion exchanged by the phosphonium ion, a phosphonium compound without a fluorine content is added to at least either the electrolyte film or the inner-catalyst-layer electrolyte contained in the electrode.例文帳に追加

酸基のプロトンの一部をホスホニウムイオンでイオン交換することに代えて、電解質膜及び電極に含まれる触媒層内電解質の少なくとも一方に、フッ素を含まないホスホニウム化合物を添加しても良い。 - 特許庁