「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode is manufactured by coating the created composition for the electrode on each of both faces of the ion-exchange resin film, and the actuator layer is formed.例文帳に追加

作製された電極用組成物を、イオン交換樹脂膜の両面に塗布することにより、電極を作製し、アクチュエータ層を作製する。 - 特許庁

After a base region 6 is formed on the surface of the n-type layer 5, an emitter region 6 is formed by ion implantation and heat treatment.例文帳に追加

そして、Ｎ型層５の表層にベース領域６を形成した後、イオン注入および熱処理により、エミッタ領域６を形成する。 - 特許庁

The electrochemical cell can be applied for electronic paper, an electric double-layer capacitor, a dye-sensitized solar cell, a lithium-ion cell, or light-controlling glass.例文帳に追加

該電気化学セルは、電子ペーパー、電気二重層キャパシタ、色素増感太陽電池、リチウムイオン電池、または調光ガラスなどに適用できる。 - 特許庁

Since the impurity concentration in an undoped layer is low, impurity ion scattering is small, thus low resistance and high break down voltage value are realized.例文帳に追加

そして、アンドープ層における不純物濃度が低いことから、不純物イオン散乱は少なくなって、低抵抗と高い耐圧値とが得られる。 - 特許庁

A metal or metallic ion is dissolved in a liquid-side electrolyte comprising an electric double-layer forming a boundary between a solid and a liquid.例文帳に追加

固体と液体の界面に形成する電気二重層を構成する液体側の電解液の中に金属または金属イオンを溶解させる。 - 特許庁

The projection range of impurities in ion implantation of the mask material 1 is small when compared to that of the gate electrode 4 and the layer insulation film 7.例文帳に追加

注入マスク材１は、ゲート電極４および層間絶縁膜７と比較してイオン注入における不純物の投影飛程が小さい。 - 特許庁

Thus, negative ion components to be diffused from the hole injection layer 70 can be captured with positive ions of the metal elements.例文帳に追加

これにより、正孔注入層７０から拡散しようとするマイナスイオン成分を、金属元素のプラスイオンによって捕捉することが可能になる。 - 特許庁

On the other hand, fluorine ion is poured before or after pouring the impurity for forming the diffusion layer employing at least the gate electrode as the mask.例文帳に追加

また、この拡散層形成のための不純物注入の前又は後に、少なくともゲート電極をマスクとして、フッ素イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery whose electrode core material and a mixture layer formed thereon have a sufficient peel strength and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

電極芯材とそれに形成された合材層との剥離強度が十分なリチウムイオン二次電池とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The negative electrode for a lithium ion secondary battery of which a negative electrode active material layer contains the negative electrode protective agent is also provided.例文帳に追加

また、本発明によれば、負極活物質層が上述した負極保護剤を含むリチウムイオン二次電池用負極もまた、提供される。 - 特許庁

The step (C) includes at least a step of introducing the impurity into the semiconductor layer under the projection portions by skew ion implantation.例文帳に追加

上記（Ｃ）工程は、斜めイオン注入により、上記突出部の下の半導体層に不純物を導入する工程を少なくとも含む。 - 特許庁

An elementary ion is implanted from the surface of a wafer 21 for an activated layer, which has oxide films 12a, 12b on the surface thereof, and the surface of a wafer for support.例文帳に追加

表面に酸化膜１２ａ、１２ｂを有する活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面から元素イオンを注入する。 - 特許庁

At least one side of a steel sheet or a plated steel sheet is provided with a substrate layer, the surface is provided with a lower rust preventive coating film layer contg. rust preventive pigment, and, the surface is provided with an upper rust preventive coating film layer contg. rust preventive pigment simultaneously contg. an ion source emitting vanadic acid ions and an ion source emitting phosphoric acid ions.例文帳に追加

鋼板もしくはめっき鋼板の少なくとも片面に、下地処理層を有し、その上に防錆顔料を含む下層防錆塗膜層を有し、更にその上にバナジン酸イオンを放出するイオン源とリン酸イオンを放出するイオン源を同時に含む防錆顔料を含む上層防錆塗膜層を有することを特徴とするプレコート鋼板。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon).例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a first substrate 10, a second substrate 20 opposed to the first substrate 10, a liquid crystal layer 30 provided therebetween and an impurity ion adsorbing member 40 provided so as to come in contact with the liquid crystal layer 30 and selectively adsorbing the impurity ion in the liquid crystal layer 30.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、第１基板１０と、第１基板１０に対向する第２基板２０と、これらの間に設けられた液晶層３０と、液晶層３０に接するように設けられ、液晶層３０中の不純物イオンを選択的に吸着する不純物イオン吸着部材４０とを備えている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has a high-density impurity layer formed by ion injection at an element separation region end so that the element separation region does not come into contact with a depletion layer, pixel portions being downscaled.例文帳に追加

素子分離領域に空乏層が接しないように、イオン注入により高濃度不純物層を素子分離領域端に形成した固体撮像素子において、画素部の微細化を図る。 - 特許庁

In the channel layer 21, the impurity density of the first part 21a is equal to that of the second part 21b, so ion implantation into the first part of the channel layer 21 is not carried out.例文帳に追加

チャネル層２１において第１の部分２１ａの不純物濃度が第２の部分２１ｂの不純物濃度と同じであるから、チャネル層２１における第１の部分にイオン注入が行われていない。 - 特許庁

Thickness T of the cluster protective layer satisfies a following relation, when the dosage of the gas cluster ion beam is n, and the etching efficiency of the cluster protective layer is the etching volume Y per cluster (a and b are constants).例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、を満たす。 - 特許庁

To relieve a phenomenon caused by difference in the material characteristics between the conductive substance used for interlayer continuity and an insulating layer, and to suppress the occurrence of ion migration at a boundary section in the insulating layer.例文帳に追加

層間導通に用いる導電性物質と絶縁層との材料特性の違いに起因する現象を緩和し、絶縁層の境界部分におけるイオンマイグレーションの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide an electricity storage device with a structure capable of preventing mechanical damage of at least one of an external surface layer and an internal surface layer of an outer package of the electricity storage device such as a lithium ion secondary battery.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池等の蓄電デバイスの外装体の外面層、内面層の少なくとも一方の機械的な損傷を防止することが可能な構造を有する蓄電デバイスを提供する。 - 特許庁

The resist is coated again and left on the wafer formed by the first impurity layer, and a second impurity layer 7 is formed while being masked by a resist 5b and ion-implanted by a P-type impurity.例文帳に追加

さらにレジストを塗布し、第１不純物層が形成された基板面上にレジストを残し、このレジスト５ｂをマスクにＰ型不純物をイオン注入して第２の不純物層７を形成する。 - 特許庁

After a conductive layer 30 is formed on a semiconductor region 10 through an insulating film 20, the whole surface is subjected to ion implantation for doping conductive impurity DP1^+ using the conductive layer 30 as a mask.例文帳に追加

半導体領域１０上に絶縁膜２０を介して導電層３０を形成し、導電層３０をマスクとして全面に導電性不純物ＤＰ１^＋ を導入するイオン注入を行う。 - 特許庁

The comparatively smooth surface of the intermediate layer (IL) so obtained is denaturalized by irradiation with ion, such as sputter etching in an argon ambient atmosphere, to form surface roughness in a nano-scale and to grow the recording layer (RL) on it.例文帳に追加

そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。 - 特許庁

To suppress the distribution of an extended diffusion layer in the channel direction upon the formation of the extended diffusion layer by preventing an ion-implanted impurity from penetrating an offset sidewall.例文帳に追加

エクステンション拡散層を形成する際に、イオン注入される不純物がオフセットサイドウォールを突き抜けることを防止して、エクステンション拡散層がチャネル方向へ分布することを抑制することである。 - 特許庁

Due to this ion implantation, part of the silicon layer 3 near an interface with the BOX layer 2 below a gate oxide film 7a is doped with the P-type impurity at a concentration P2.例文帳に追加

また、このときのイオン注入に起因して、ゲート酸化膜７ａの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３内には、Ｐ型不純物が不純物濃度Ｐ２で注入されている。 - 特許庁

The rod 3, the gage heads 2a, 2b and the cam 6 are formed of carbon tool steel, and their outer circumferential faces are wholly coated with a thin layer 22 by an ion plating operation as an abrasion-resistant layer.例文帳に追加

ロッド３、測定子２ａ，２ｂ及びカム６は、炭素工具鋼２１により形成され且つ、それらの外周面全面に耐摩耗性層としてイオンプレーティングによるＴｉＮ層２２がコーティングされている。 - 特許庁

The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10.例文帳に追加

この装置１０を用いて、陽極３上に蒸着法により有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層上にイオンビームスパッタリング法により陰極とを連続して成膜することができる。 - 特許庁

In an n-layer 102, an n-side crystal defect layer 107 formed by ion implantation of a light element is locally formed in stripes extending in a vertical direction in Fig.1(b).例文帳に追加

ｎ^−層１０２中には、軽元素のイオン注入によって形成されたｎ側結晶欠陥層１０７が、図１（ｂ）における上下方向に延びたストライプ状に局所的に形成されている。 - 特許庁

In the manufacture of a substrate for fabricating such a semiconductor device, first, a trench is formed in the n-type main semiconductor layer 1, an active layer is formed in the bottom of the trench by ion implantation and heat treatment.例文帳に追加

このような半導体装置の作成用基板の製造は、まず、ｎ型主半導体層１に、トレンチを形成し、イオン注入および熱処理により、トレンチの底面に活性層を形成する。 - 特許庁

The battery is provided with an ion conductive substance having fluidity which is arranged in power generation area G where the positive electrode layer 5 and the negative electrode layer 4 are arranged in parallel without overlapping when the battery is viewed in plan view.例文帳に追加

この電池は、同電池を平面視した場合、前記正極層5と負極層4とが重なることなく並列された発電エリアGに配される流動性のイオン伝導性物質を備える。 - 特許庁

To provide a proton conductor having multilayer structure enhancing adhesion of a cathode substrate and an oxide layer by suppressing the oxygen ion conductivity of an oxide layer while maintaining high conductivity.例文帳に追加

高い伝導性を維持しつつ酸化物層の酸素イオン伝導性を抑制することによって、陽極基材と酸化物層の密着性を高めた多層構造のプロトン伝導体を提供することである。 - 特許庁

To provide a porous layer having high film strength, and a lithium ion secondary battery having a good cycle characteristic and excellent short-circuit resistance and using the porous layer as a separator.例文帳に追加

本発明の目的は、高い膜強度を有する多孔質層と、その多孔質層をセパレータとして用いた、サイクル特性が良好で耐ショート性に優れたリチウムイオン二次電池を提供することである。 - 特許庁

A p-type base region 35 to the silicon oxide film 32 formed on the silicon layer 33 is formed by oblique ion implantation from the surface of the silicon layer 33 including the groove 45.例文帳に追加

そして、シリコン層３３に形成されたシリコン酸化膜３２まで到達したＰ型ベース領域３５は、溝４５を含むシリコン層３３の表面からの斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁

The first phosphorus ion implantation is performed to a p-type silicon substrate using a resist mask as the implantation mask to form a deep n-type well layer, and the n-type well layer is also formed simultaneously with the LOCOS oxidation.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板に深いＮ型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第１のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、Ｎ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

The complex electrolyte film formed by applying an electric field to ion-conductive resin containing a hydrocarbon bond is made to have an anti-redox layer at an interface of the electrolyte film and the catalyst layer.例文帳に追加

炭化水素結合を含むイオン伝導性樹脂に電界を印加して形成した複合電解質膜において、該電解質膜と触媒層との界面に抗酸化還元層を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

At least at one of a catalyst layer 11 of the fuel electrode 10 or the catalyst layer 21 of the oxygen electrode 20, functional layers 51, 52 composed of, for example, porous body or ion conductor are installed.例文帳に追加

燃料電極１０の触媒層１１上および酸素電極２０の触媒層２１上の少なくとも一方に、例えば多孔質またはイオン伝導体よりなる機能層５１，５２を設ける。 - 特許庁

To provide an organic EL device and electronic equipment which prevent the infiltration of an ion into a functional layer through an electrode from an adhesive layer to join a sealing substrate.例文帳に追加

封止基板を接合するための接着層からイオンが電極を介して機能層内部に浸入することを防止することが可能な有機ＥＬ装置および電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

After an n-type epitaxial layer 13A is formed, an impurity, for instance, boron is implanted on the given area of the epitaxial layer 13A by ion implantation having a different injection energy plural times.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層１３Ａを形成した後、そのエピタキシャル層１３Ａの所定の領域へ複数回の注入エネルギの異なるイオン注入により不純物例えばボロンを注入する。 - 特許庁

The electrolyte membrane-catalyst layer assembly having a catalyst layer comprising at least catalyst fine particles, fine particles with ion exchange function and a binder, and an electrolyte membrane, and a fuel cell using the same, are provided.例文帳に追加

少なくとも触媒微粒子、イオン交換能を有する微粒子およびバインダーから成る触媒層と、電解質膜を有する電解質膜−触媒層接合体およびそれを用いた燃料電池。 - 特許庁

An ion implantation region 9 for electrically insulating and isolating the semiconductor operation layers (channel layer 3 and electron supply layer 4) on the silicon substrate 1 into a plurality of semiconductor operation layers is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上の半導体動作層（チャネル層３と電子供給層４）を複数の半導体動作層領域に電気的に絶縁分離するイオン注入領域９が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

The electrolyte membrane is made mainly of ion-exchange resin and reinforced with a nonwoven fabric made of continuous fiber of fluororesin, wherein at least some of intersecting points of the continuous fiber are fixed, and has, as the outermost layer on one side or each side, a layer that is not reinforced, made of ion-exchange resin which may be the same as or different from this ion-exchange resin.例文帳に追加

イオン交換樹脂を主成分とする、フッ素樹脂の連続繊維からなり繊維間の交点の少なくとも一部が固定化された不織布で補強された電解質膜であって、片面又は両面の最外層として、前記イオン交換樹脂と同じでも異なっていてもよいイオン交換樹脂からなる補強されない層を有することを特徴とする電解質膜。 - 特許庁

The process for manufacturing a laminated wafer comprises a step for implanting hydrogen ions, rare gas ions, or the mixture thereof into a bond wafer to form an ion implantation layer in the bond wafer, a step for sticking the bond wafer in which the ion implantation layer is formed to a base wafer, and a step for stripping the bond wafer with the ion implantation layer as the boundary.例文帳に追加

ボンドウェーハに、水素イオン、希ガスイオンまたは水素イオンと希ガスイオンとの混合物をイオン注入し、前記ボンドウェーハ内にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、前記イオン注入層を形成したボンドウェーハを、ベースウェーハに貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせたウェーハを熱処理することにより、イオン注入層を境界としてボンドウェーハを剥離する剥離工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法。 - 特許庁

This electrophotographic photoreceptor has an organic photosensitive layer containing at least an organic photoconductive compound and a binder resin and a protection layer on an electrical conductive supporting body in this order, and the protection layer is a film formed by reactive ion plating.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも有機光導電性化合物とバインダー樹脂を含有する有機感光層、保護層をこの順に有し、該保護層が、反応性イオンプレーティングで形成された膜であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁