「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The inorganic oxide layer is preferably manufactured by a vacuum deposition method, a spattering method, an ionization vapor deposition method, an ion beam method, or a chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

前記無機酸化物層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンビーム法、または化学気相蒸着法により作製されるのが好ましい。 - 特許庁

The surface of a discharge electrode 1 of the ion generation element 21 other than a surface coming into contact with a dielectric 4 is covered with a protective layer 6a composed of a metal.例文帳に追加

イオン発生素子２１の放電電極１は、誘電体４と接する表面以外の表面が、金属から成る保護層６ａによって被覆されている。 - 特許庁

The content of the rare earth element(s) is 1 to 10 wt.% expressed in terms of oxide, and the compressively stressed layer is formed by chemical strengthening by alkali metal ion exchange.例文帳に追加

希土類元素は、酸化物換算で１〜１０重量％、圧縮応力層はアルカリ金属イオン交換による化学強化によって形成される。 - 特許庁

A WSi film 71a is deposited on a GaAs substrate 70, and an Si ion is implanted using a mask 72, to form an active layer 74a.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板７０の上にＷＳｉ膜７１ａを堆積し、マスク７２を用いて、Ｓｉイオンを注入して活性層７４ａを形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film transistor device by which an ion concentration in a silicon layer which becomes a cause for a variable factor of element characteristics of a thin film transistor is detected with sufficient precision to stabilize the characteristics.例文帳に追加

薄膜半導体の素子特性変動要因となるシリコン層中のイオン濃度を十分な精度で検出し特性安定化を行うこと。 - 特許庁

A light-sensitive mask 510 is formed to cover a desired sensor are therewith, and reactive ion etching (RIE) is performed to transfer a pattern of the light-sensitive mask 510 onto a low order ARC layer 508.例文帳に追加

光電性マスク510を形成して所望のセンサ領域を覆い、リアクティブ・イオン・エッチング（RIE）を実行して、光電性マスク510のパターンを下位のARC層508上に移す。 - 特許庁

To provide an electrolytic solution including the new chemical composition to be used for electrochemical devices such as a lithium battery, lithium ion battery, electric double layer capacitor, etc.例文帳に追加

リチウム電池、リチウムイオン電池、電気二重層キャパシタ等の電気化学ディバイス用として利用される新規の化学構造を含む電解液を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolyte having improved safety used in an electrochemical device such as a lithium cell, a lithium ion cell, and an electric double layer capacitor, etc.例文帳に追加

リチウム電池、リチウムイオン電池、電気二重層キャパシタ等の電気化学ディバイス用として利用される安全性の改良された電解液を提供する。 - 特許庁

SOLID ACID, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ION EXCHANGE MATERIAL, SOLID POLYMER ELECTROLYTE MEMBRANE, ELECTRODE CATALYST LAYER, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY AND FUEL CELL, USING THE SAME例文帳に追加

固体酸、その製造方法およびそれを用いたイオン交換体、固体高分子電解質膜、電極触媒層、膜電極接合体および燃料電池 - 特許庁

The alloy negative electrode for fiber battery is obtained by coating carbon fiber with nickel, forming a hydrogen storage alloy layer thereon, and coating it with an ion permeable polymer material.例文帳に追加

炭素繊維にニッケル被覆し、次いで水素吸蔵合金層を形成し、次いでイオン透過性ポリマー物質で被覆して得られるファイバー電池用合金負極。 - 特許庁

With a gate electrode 4 and an element isolation insulation film 2 as a mask, boron ions 5 are implanted to form a high concentration ion implanted layer 6 for extension.例文帳に追加

ゲート電極４及び素子分離絶縁膜２をマスクとして、ボロンイオン５をイオン注入して、高濃度エクステンション用イオン注入層６を形成する。 - 特許庁

Since the polymeric membrane for fuel cell includes the porous base material and the cross-linked polymer layer, the film is excellent in mechanical strength and hydrogen ion conductivity.例文帳に追加

本発明の燃料電池用高分子膜は、多孔性基材と前記架橋結合ポリマー層を含むので機械的強度と水素イオン伝導性に優れている。 - 特許庁

Adjacent to the current collector, a porous layer containing the polymer electrolyte-catalyst complex structure particles 4 is formed to obtain the electrode having ion conductivity.例文帳に追加

集電体に接して、高分子電解質−触媒複合構造体粒子４を含有する多孔質層を形成し、イオン伝導性を有する電極とする。 - 特許庁

To provide a means of sufficiently securing conduction of lithium ion in an active material layer, for a battery electrode usable under high output conditions.例文帳に追加

高出力条件下において用いられうる電池用電極において、活物質層におけるリチウムイオンの伝導を充分に確保しうる手段を提供する。 - 特許庁

Next, an electrode including an Al electrode and a bonding electrode is formed on the ion irradiation layer to obtain the n-side electrode (an electrode formation step, a step S60).例文帳に追加

次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 - 特許庁

After etching by gallium ion beam, when the sample is irradiated with argon ions at a low angle, the damaged layer at a time of etching is removed to enable observation of higher resolving power.例文帳に追加

ガリウムイオンビームによるエッチング後、アルゴンイオンを低角度で照射すると、エッチングの際のダメージ層が除去され、更に高分解能の観察が可能になる。 - 特許庁

Then, the cluster ion beam 20 containing boron and germanium is radiated to form a layer 12 containing the boron and germanium above a surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、ホウ素とゲルマニウムを含むクラスターイオンビームを照射２０して、ホウ素とゲルマニウムを含む層１２をシリコン基板１の表面よりも上に形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ION IMPLANTATION GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER JUNCTION SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

The single-crystal semiconductor is separated from the single-crystal semiconductor substrate by irradiation with accelerated ions, formation of a fragile layer by the ion irradiation, and heat treatment.例文帳に追加

単結晶半導体基板は、加速されたイオンの照射とそれに伴う脆化層の形成、及び熱処理により、単結晶半導体を分離する。 - 特許庁

The electroless plating layer 3 is not formed since the ion catalyst is not adsorbed on a part 12 to be formed into a non-circuit which is not irradiated with the laser beam 2.例文帳に追加

レーザービーム２を照射されない非回路となる部分１２にはイオン触媒が吸着しないため、無電解めっき層３が成形されない。 - 特許庁

The diffraction grating layer 41 is etched by the reactive ion etching using the hydrogen gas at the thus determined flow, whereby forming a pattern 12a of a diffraction grating 12.例文帳に追加

決定された流量の水素ガスを用いた反応性イオンエッチングによって回折格子層４１をエッチングし、回折格子１２のパターン１２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode wherein the elution of manganese ion from a surface of an electrode layer can be suppressed to reduce a cycle deterioration rate.例文帳に追加

電極層表面からのマンガンイオンの溶出を抑えてサイクル劣化率を低減させることが可能な電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the basis of the conversion difference D1 and the correlation data, a flow of a hydrogen gas used for the reactive ion etching of the diffraction grating layer 41 is determined.例文帳に追加

その変換差Ｄ１と相関データとに基づいて、回折格子層４１の反応性イオンエッチングのための水素ガスの流量を決定する。 - 特許庁

The nitrogen introduction layer 7 is formed by implanting ion on the entire surface of the substrate, and then by thermally processing the substrate 1 to activate nitrogen.例文帳に追加

窒素導入層７は、基板１の全面に窒素をイオン注入し、続いて基板１を熱処理して窒素を活性化することによって形成される。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell (SOFC) including a Ce layer having a thickness capable of preventing solid-state reaction while suppressing a decrease in ion conductivity.例文帳に追加

イオン伝導度の低下を抑えつつ好適に固相反応を防止し得る厚みのＣｅ層を備えた固体酸化物形燃料電池（ＳＯＦＣ）を提供する。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the source region 12 and the drain region 13 are doped by ion-doping an impurity at a high concentration with a low acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を低い加速電圧で高濃度にイオンドーピングして、活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

As a resistance adjusting layer 202 formed on an electrically conductive support 201, a thermoplastic resin is used in which high polymer ion conductive agent is dispersed.例文帳に追加

導電性支持体２０１上に形成される抵抗調整層２０２として、高分子イオン導電剤を分散した熱可塑性樹脂を用いる。 - 特許庁

To provide a target in order to obtain a solid electrolyte layer which is high in ion conductivity and has uniform composition, its manufacturing method, and a film forming method or the like.例文帳に追加

イオン伝導率が高く、均質な組成を有する固体電解質層を得るためのターゲット，その製造方法，成膜方法等を提供する。 - 特許庁

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。 - 特許庁

To remove a damaged layer generated in a cut end face by sputtering- etching with a convereged ion beam, when preparing a thin sample piece for a transmission electron microscope.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡用の薄片試料を作製する際に、集束イオンビームによるスパッタエッチングによって切削端面に生じたダメージ層を除去する。 - 特許庁

To flatten a stripped surface without deteriorating uniformity in the film thickness of a stripped semiconductor layer in a substrate stripping technology involving ion implantation.例文帳に追加

イオン注入による基板剥離技術において、剥離半導体層の膜厚均一性を悪化させることなく剥離面の平坦化を実施すること。 - 特許庁

Ion seeds such as carbon(C) or the like which never becomes impurities are implanted into a J-FET part 6 and a surface channel layer 5 between P-type base regions 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の間のＪ−ＦＥＴ部６及び表面チャネル層５に炭素（Ｃ）等の不純物とならないイオン種をイオン注入する。 - 特許庁

A damage layer 32 is formed only in a region ranging from a depth of nearly 73 μm to that of nearly 78 μm inside each of the glass substrates 1, 21 by the hydrogen ion implantation.例文帳に追加

水素イオン注入により、ガラス基板１、２１内の約深さ７３μmから約７８μmまでの間の領域にのみ、ダメージ層３２が形成される。 - 特許庁

A ground (GN) layer 24 is provided on the outermost shell part (on the opposite side from the ion generating electrode) on the side of the induction electrode 13.例文帳に追加

また、前記誘導電極１３側の最外郭部（前記イオン発生電極の反対側）に、グランド（ＧＮ）層２４を設けた構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a solid high polymer fuel cell, excellent in ion conductivity with a high polymer electrolyte layer excellent in flexibility.例文帳に追加

靱性に優れた高分子電解質膜を備えると共にイオン導伝率に優れた固体高分子型燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁

The CrN film as the 1st layer is formed by a cathode arc ion plating method in which the pressure of gaseous nitrogen is controlled to 20 to 50 mTorr, and bias voltage is controlled to 0 V.例文帳に追加

第１層のＣｒＮ膜は、窒素ガス圧を２０〜５０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧を０Ｖとするカソードアークイオンプレーティング法によって形成される。 - 特許庁

Oxygen is introduced into a part of a surface layer of a semiconductor wafer by internal diffusion associated with a heat treatment in an atmosphere of an oxidized gas or ion implantation.例文帳に追加

半導体ウェーハの表層の一部に、酸化性ガスの雰囲気での熱処理に伴う内方拡散またはイオン注入によって酸素を導入する。 - 特許庁

The side walls 30 are used as ion implanting masks at the time of forming a high-concentration impurity diffusing layer 16 which functions as a source-drain region.例文帳に追加

このサイドウォール３０は、ソース・ドレイン領域として機能する高濃度不純物拡散層１６を形成するためのイオン注入マスクとして用いられる。 - 特許庁

In addition, binding energy of 3d5/2 by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) of a molybdenum ion contained in the coating layer is structured to be ≤232.4 eV.例文帳に追加

なお、被覆層に含有されたモリブデンイオンのＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy；光電子分光測定）による３ｄ５／２の結合エネルギーが２３２．４ｅＶ以下となるように構成する。 - 特許庁

Making an ion implantation region and a LOCOS oxide film overlap, the crystal defects can be formed in the surface layer part of a first silicon substrate.例文帳に追加

イオン注入領域とＬＯＣＯＳ酸化膜とをオーバラップさせることにより、第１のシリコン基板の表層部に結晶欠陥を形成することができる。 - 特許庁

This optical recording medium has a recording layer containing the cyanine dye wherein a substituted benzenedithiol metal complex anion, which is expressed by formula (1), serves as a counter ion.例文帳に追加

下記式（１）で表される置換ベンゼンジチオール金属錯体アニオンを対イオンとするシアニン色素を含有する記録層を有する光記録媒体。 - 特許庁

After that, the retaining substrate 15 is stripped, and ion implantation is performed for forming a p-type impurity layer 19 on the back side of the substrate 11.例文帳に追加

その後、支持基板１５を取り除き、第１の半導体基板１１の裏面側にｐ型不純物層１９を形成するために、イオン注入をおこなう。 - 特許庁

The first getter layer 16 is formed on all the surface of the substrate 19 through an ion implantation process which is carried out before an epitaxial growth process.例文帳に追加

第１のゲッタ層１６は、基板１９の全面に形成されており、エピタキシャル成長工程の前のイオン注入工程によって形成される。 - 特許庁

For the glass constituting the dielectric layer 13, a glass is used which contains a metal oxide MO_2 capable of tri- or quadri-valent ion arrangement.例文帳に追加

誘電体層１３を構成するガラスに、ガラス中において３価あるいは４価のイオン配置を取ることができる金属酸化物ＭＯ_2を含むガラスを用いる。 - 特許庁

An Mo/Si multilayered film (a deep layer side multilayered film) 101 consisting of molybdenum and silicon is film-deposited on the surface of a substrate 103 by an ion beam sputtering method.例文帳に追加

基板１０３の表面には、モリブデンとシリコンからなるＭｏ／Ｓｉ多層膜（深層側多層膜）１０１がイオンビームスパッタ法によって成膜されている。 - 特許庁