「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the negative electrode plate for the lithium ion secondary battery includes: an active material layer formation step of forming a negative active material layer containing negative active material particles and a metallic oxide as a binding material, on a current collector; and a reduction step of performing reduction treatment of the metallic oxide contained in the active material layer formed in the active material layer formation step.例文帳に追加

集電体上に、負極活物質粒子と、結着物質としての金属酸化物とを含む負極活物質層を形成する活物質層形成工程と、前記活物質層形成工程で形成された前記活物質層に含まれる金属酸化物を還元処理する還元工程とを有する。 - 特許庁

The refractive layer of the antireflection film is constituted such that the total film thickness of the first to third refractive layers is 180 to 220 nm, the film thickness of the first refractive layer is 10 to 50 nm, the film thickness of the third refractive layer is 150 to 190 nm and, further, only the first to third layer are deposited under ion beam assisted irradiation.例文帳に追加

この反射防止膜の屈折率層の構造は第１〜第３の屈折率層の膜厚の総和を１８０〜２２０ｎｍとし、第１の屈折率層の膜厚を１０〜５０ｎｍとし、第３の屈折率層の膜厚を１５０〜１９０ｎｍとし、更に第１層〜第３層のみをイオンアシスト照射下で蒸着させる。 - 特許庁

In the conductive rubber roller 10 having, as an outermost layer, a rubber layer 1 formed out of a rubber composition comprising an ion conductive rubber as its main constituent, the surface layer of the rubber layer is an oxidation film, and a dielectric dissipation factor adjustment filler is mixed into the rubber composition to obtain a dielectric dissipation factor of 0.1 to 1.5.例文帳に追加

イオン導電性ゴムを主成分とするゴム組成物を用いて形成されるゴム層１を最外層に備えた導電性ゴムローラ１０において、ゴム層の表層部分は酸化膜とされ、かつ、ゴム組成物中に誘電正接調整用充填剤を配合し誘電正接を０．１〜１．５としている。 - 特許庁

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1.例文帳に追加

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。 - 特許庁

The anode and the cathode have catalyst powder in which catalyst metal particles are carried in a carbon carrier, and an anode catalyst layer 4a and a cathode catalyst layer 4b each containing ion exchange resin respectively, and at least one of the layer 4a and the layer 4b moreover contains an ozone-treated carbon material.例文帳に追加

アノード及びカソードは、触媒金属粒子がカーボン担体に担持された触媒粉末と、イオン交換樹脂とを含むアノード触媒層４ａ及びカソード触媒層４ｂを夫々有しており、層４ａ及び層４ｂのうちの少なくとも一方には、オゾン処理が施されたカーボン材料が更に含まれている。 - 特許庁

A water holding layer comprising a hydrogen ion conducting polymer electrote and carbon is formed between a catalytic reaction layer and a diffusion layer, and the quantity of water drained from the catalytic reaction layer to the outside of the cell by non-reaction gas is restrained, so that a long-time low-humidification operation difficult to be carried out by a conventional method is realized.例文帳に追加

触媒反応層と拡散層との間に水素イオン伝導性高分子電解質と炭素からなる保水層を設け、触媒反応層から電池外部へと未反応ガスにより除去される水の量を抑制することで従来法では困難であった長時間の低加湿運転を可能とする。 - 特許庁

A porous insulation layer having a thickness of not thinner than 0.3 μm and not thicker than 3 μm is deposited on an activator layer of either a positive electrode plate having a positive electrode activator layer or a negative electrode plate having a negative electrode activator layer containing negative electrode activator particles, by a sputtering method, an ion plating method, or a CDV method (chemical vapor deposition method).例文帳に追加

正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に厚みが０．３μｍ以上３μｍ以下の多孔質絶縁層をスパッタリング法、イオンプレーティグ法、ＣＶＤ法で堆積させる。 - 特許庁

The storage element 10 has a configuration wherein a storage layer 3 is arranged between a first electrode 2 and a second electrode 6, an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn is provided in contact with the storage layer 3, and the storage layer 3 is formed of one or more kinds of oxides selected from NiO, CoO, and CeO_2.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がＮｉＯ，ＣｏＯ，ＣｅＯ_２から選ばれる１種類以上の酸化物から成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The actuator layer 12 comprises outer layers 14, 16 which are formed at both sides of the actuator layer 12, and formed of the first polyelectrolyte membranes, and an inner layer 18 which is composed of a membrane material containing a layer which is low in ion exchange capability with respect to the first polyelectrolyte membranes, and interposed between the outer layers 14, 16.例文帳に追加

アクチュエータ層１２は、アクチュエータ層１２の両側に設けられ、第１の高分子電解質膜で形成された外側層１４，１６と、第１の高分子電解質膜に対してイオン交換能の低い層を含んだ膜材からなり、外側層１４，１６により挟まれて形成された内側層１８と、を有する。 - 特許庁

In the bipolar battery formed by alternately laminating a plurality of bipolar electrodes in which a positive electrode layer is formed on one surface of a current collector and a negative electrode layer on the other surface and an electrolyte layer conducting ion exchange between the bipolar electrodes, the discharge circuit electrically connecting the adjacent bipolar electrodes is formed on the same plane in at least one layer out of the positive electrode layer, the negative electrode layer, and the electrolyte layer.例文帳に追加

集電体の一方の面には正極層が形成されその他方の面には負極層が形成されたバイポーラ電極と、バイポーラ電極相互間でイオン交換を行う電解質層とを交互に複数積層してなるバイポーラ電池において、正極層または負極層、または電解質層の内の少なくとも１つの層の同一平面内に、隣接するバイポーラ電極同士を電気的に導通させる放電回路を形成する。 - 特許庁

The electrolyte membrane 20 is composed of a first electrolyte layer 31 which is formed on one side and is supplied with an electrode active material that generates ions to conduct in the electrolyte membrane 20 and a second electrolyte layer 32 which is formed on the other side and is formed of a high ion conductive electrolyte having a higher ion conductivity than the electrolyte to form the first electrolyte layer 31.例文帳に追加

電解質膜２０は、この電解質膜２０内を伝導するイオンを生じる電極活物質が供給される一方の側に形成される第１の電解質層３１と、他方の側に形成されると共に、第１の電解質層３１を形成する電解質よりもイオン伝導性が高い高イオン伝導性電解質によって形成される第２の電解質層３２と、から成る。 - 特許庁

An insulating film 211 is provided on one surface side of a single crystal semiconductor substrate 200 to implant hydrogen ion into the single crystal semiconductor layer 200 from the side of the insulating film 211 to form a separating layer 212 therein, then, the hydrogen ion is implanted into the single crystal semiconductor substrate 200 from the side of the insulating film 211 to form a defective layer 213 in an interface with the insulating film 211.例文帳に追加

単結晶半導体基板２００の一方面側に絶縁膜２１１を設け、絶縁膜２１１側から単結晶半導体層２００中に水素イオンを注入し、内部に剥離層２１２を形成し、絶縁膜２１１側から単結晶半導体基板２００中に水素イオンを注入し、絶縁膜２１１との界面に欠陥層２１３を形成する。 - 特許庁

In the heat developable image recording material with an image forming layer containing at least one non-photosensitive organic silver salt, a silver ion reducing agent and a binder and a surface protecting layer on the base, the image forming layer is formed using a dispersion of a fine hydrophobic polymer particles impregnated with at least the silver ion reducing agent.例文帳に追加

支持体の上に、少なくとも１種類の非感光性有機銀塩、銀イオン還元剤及びバインダーを含有する画像形成層と表面保護層を有する熱現像画像記録材料において、該画像形成層が少なくとも該銀イオン還元剤を含浸させた疎水性ポリマー微粒子分散物を用いて形成されることを特徴とする熱現像画像記録材料。 - 特許庁

By forming the illuminant layer 11 with a synthetic resin binder 3, where a phosphor 4 and an inorganic positive ion exchanger 12 are dispersed, the inorganic positive ion exchanger 12 in the illuminant layer 11 catches ions dissolved from the phosphor 4 in high humidity, so that the EL element, capable of keeping the insulation property of the illuminant layer 11 and of hardly producing a black point, can be provided.例文帳に追加

蛍光体４及び無機陽イオン交換体１２を分散した合成樹脂バインダー３により発光体層１１を形成することによって、発光体層１１内の無機陽イオン交換体１２が、高湿度中で蛍光体４から溶出したイオンを捕捉するため、発光体層１１の絶縁性を維持し黒点の発生し難いＥＬ素子を得ることができる。 - 特許庁

This recording medium for a printer comprises a dye fixing layer 3 composed mainly of an intercalation compound which fixes and retains a water-soluble dye by an intercalation reaction based on an ion exchange action and a binder, formed as an outermost layer on a base 2.例文帳に追加

基材２上に、イオン交換作用に基づくインターカレーション反応により水溶性染料を定着保持する層間化合物と、結着剤とを主体とする染料定着層３が最外層として形成する。 - 特許庁

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel in which even if a protective layer receives ion sputtering by driving for a long time, there is less change on a protective layer surface on a scanning electrode, and change of discharge characteristics such as write-in characteristics is suppressed.例文帳に追加

保護層が長時間の駆動でイオンスパッタを受けても走査電極上の保護層表面の変化が少なく、書込み特性などの放電特性の変化を抑制したプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

After a heat storage layer 2 is formed on a heater substrate 1, i.e., a silicon substrate, a heating element layer is formed of polysilicon followed by formation of high and low resistance regions 3a, 3b by ion implantation.例文帳に追加

ヒータ基板１となるシリコン基板上に蓄熱層２を形成後、多結晶シリコンにより発熱抵抗体層を形成し、イオン注入法等で高抵抗領域３ａと低抵抗領域３ｂを形成する。 - 特許庁

Then, both of the members 10, 20 are laminated so that the solid electrolyte layer 13 is arranged between both of the active material layers 12, 22, and a joint surface between them is provided with an inclusion layer 30 consisting of polymer containing lithium salt, or ion liquid.例文帳に追加

そして、両活物質層12、22の間に固体電解質層13が配置されるように両部材10、20が積層され、その接合面に、リチウム塩を含有した高分子、或いはイオン液体からなる介在層30を備える。 - 特許庁

First and second spacer layers 31 and 32 are used as a part of a mask at forming within a p-type base layer 24 by ion implantation, so that the p-type base layer 24 can be formed with higher precision through self- alignment.例文帳に追加

ｐ型ベース層２４をイオン注入により形成する際のマスクの一部として第１および第２スペーサ層３１，３２を用いることによって、ｐ型ベース層２４をセルフアラインにより高い精度もって形成する。 - 特許庁

Then, another active substance material layer 23 is laminated on the active substance material layer 22 with an uneven surface, and ion-transmitting holes 22c are formed along an interface of the both active substance material layers.例文帳に追加

次に、不均一な表面を有する活物質材料層２２の上に別の活物質材料層２３を積層し、これら両活物質材料層の境界面に沿ってイオン通過性の孔２２ｃを形成する。 - 特許庁

To provide an ion conductive roll member in which leaking out of components contained inside is prevented regardless of a barrier layer on a surface layer and friction coefficient on the surface is not varied due to friction by duration of use.例文帳に追加

表層のバリア層有無にかかわらず、内部含有成分の染み出しを防止し、かつ、使用耐久による磨耗によっては表面の摩擦係数が変化しないイオン導電性のローラー部材を提供する。 - 特許庁

The process for forming the groove 12a in the non-magnetic layer includes a process for executing taper etching to the non-magnetic layer by reactive ion etching which uses an etching gas including at least BCl_3 and N_2 out of BCl_3, Cl_2, and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a separator for a lithium ion secondary battery which has no pinhole, improves interlayer detachability between a layer obtained by electrospinning and a base material layer, improves heat resistance and also improves internal resistance.例文帳に追加

本発明の課題は、ピンホールがなく、静電紡糸により得られた層と基材層との層間剥離性が優れ、耐熱性に優れると共に内部抵抗に優れたリチウムイオン二次電池用セパレータを提供することにある。 - 特許庁

A resist layer 16 is used as a mask in an element hole 12a, and argon (or fluorine) ions are implanted via the oxide film 14a by means of an implantation treatment of one time or multiple times, to form an ion implantation layer 18.例文帳に追加

素子孔１２ａ内にレジスト層１６をマスクとし且つ酸化膜１４ａを介してアルゴン（又はフッ素）イオンを１又は複数回の注入処理により注入してイオン注入層１８を形成する。 - 特許庁

Thermal impact, vibration impact or mechanical impact is given to the ion implantation layer 11 weakened by the heat treatment from the outside, so as to peel off a silicon thin film and to obtain an SOI layer 12 on the quartz substrate 20.例文帳に追加

この熱処理で弱化された状態のイオン注入層１１に、熱衝撃、振動衝撃、あるいは機械的衝撃を外部から付与してシリコン薄膜を剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を得る。 - 特許庁

The stress relaxing treatment is an ion implantation 12 to the nitride film 11 to be a wet etching stop layer, before opening capacitance contacts 7 for connecting the charge storing lower electrode 14 to the diffused layer region 2.例文帳に追加

応力緩和処理は、電荷蓄積用下部電極１４と拡散層領域２を接続する容量コンタクト７の開口に先立ち、ウェットエッチングストップ層となる窒化膜１１に、イオン注入１２を行う処理である。 - 特許庁

The silicon diffusion accelerating layer 18, containing ionomers, is so formed that an ion exchange equivalent of the ionomers is to be lower from an outer periphery of the silicon diffusion accelerating layer 18 toward a center direction of the electrolyte membrane 12.例文帳に追加

シリコン拡散促進層１８は、アイオノマを含み、シリコン拡散促進層１８の外周部から電解質膜１２の中心方向に向かって、アイオノマのイオン交換当量が低くなるように形成する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that prevents not only the metal ion diffusion from a gate insulating layer to an organic semiconductor layer but also the deterioration of the characteristics, a high-reliability electronic circuit, a display device and electronic device.例文帳に追加

ゲート絶縁層から有機半導体層への金属イオンの拡散が防止され、特性の低下を抑制し得る薄膜トランジスタ、信頼性の高い電子回路、表示装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁

A shadow mask 125 is placed over the carbon layer 120 and reactive ion etch (RIE) is used to transfer holes 130 in the shadow mask 125 to the carbon layer 120, to thereby form a carbon mask.例文帳に追加

シャドウマスク１２５は、炭素層１２０の上に載置されており、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられることにより、シャドウマスク１２５のホール１３０が炭素層１２０に転写され、それにより、炭素マスクを形成する。 - 特許庁

The resistance regulating layer consists of a thermoplastic resin composition dispersed with polymeric ion conductive materials and its surface is covered by a protective layer consisting of a resin containing a conductive polymeric material.例文帳に追加

抵抗調整層は、高分子型イオン導電材料を分散した熱可塑性樹脂組成物からなると共に、導電性高分子材料を含有する樹脂からなる保護層によって表面を被覆されている。 - 特許庁

The electron transport layer 4 is structured of a dense layer 41 and an aggregate of fibrous matters, constituted of a semiconductor material and is equipped with a porous part 42 containing holes of a size large enough for the redox ion to pass through.例文帳に追加

電子輸送層４は、緻密質層４１と、半導体材料で構成された繊維状物の集合体で構成され、レドックスイオンが通過可能なサイズの空孔を含む多孔質部４２とを有している。 - 特許庁

The ion implanted layer 23 is turned to a P--type impurity layer 24 by forced oxidation, and a silicon thermal oxide film 21b is formed on the surface of the cathode side of the substrate 45 (S4a).例文帳に追加

そして、前記イオン注入層２３を押込み酸化してｐ^-型不純物層２４を形成すると共に、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側表面にシリコン熱酸化膜２１ｂを形成する(Ｓ４ａ)。 - 特許庁

The step of forming the groove 12a in the nonmagnetic layer includes the step of taper-etching the nonmagnetic layer by reactive ion etching with an etching gas containing at least BCl_3 and N_2 among BCl_3, Cl_2 and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.例文帳に追加

次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を０Ｖと５００Ｖとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁

To prevent a step of an inter layer insulating film which is caused from ununiformity of a concentration of a P type impurity ion-implanted into the inter layer insulating film in a P+pickup area and failure of a bridge between bit lines related to it.例文帳に追加

Ｐ＋ピックアップ領域の層間絶縁膜内にイオン注入されるＰ型不純物の濃度の不均一によって生じる層間絶縁膜の段差及びそれに係るビットライン間ブリッジの不良を防止する。 - 特許庁

Prior to a Cu film 25 is deposited on the surface of an inter- layer insulating film 21 comprising BCB, Ti is implanted in to the surface of the inter-layer insulating film 21 comprising the BCB using a Ti ion 23 extracted from an ionized plasma of Ti.例文帳に追加

BCBで構成される層間絶縁膜２１の表面にCu膜２５を堆積する前に、Tiのイオン化プラズマから引き出されたTiイオン２３で、BCBで構成される層間絶縁膜２１表面にTiを注入する。 - 特許庁

In this case, the film thickness of the polysilicon thermal oxide film 6 is made thicker than an average range of the impurity ions for forming the N-type semiconductor layer 8 serving as the emitter layer or the like, through the ion implantation in the silicon oxide film.例文帳に追加

この場合、ポリシリコン熱酸化膜６の膜厚を、イオン注入によりエミッタ層等となるＮ型半導体層８を形成するための不純物イオンのシリコン酸化膜中の平均飛程より厚く形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate containing a single crystal semiconductor layer of large area by efficiently implanting ion into a plurality of insulating layer covering single crystal semiconductor substrates.例文帳に追加

複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

The ion exchange membrane is prepared as at least two layers consisting of a layer of a polymer containing a recurring unit expressed by formula I and a layer of a polymer containing another recurring unit expressed by formula 2.例文帳に追加

式１で表される繰り返し単位を含む含フッ素ポリマーからなる第１の層、式２で表される繰り返し単位を含む含フッ素ポリマーからなる第２の層の２層を少なくとも有するイオン交換膜。 - 特許庁

Consequently, the approach of an anionic dye to the internal layer part of the arm chains of the star-shaped polymer is restricted and hydrophilicity in a dissolved state in water before the addition of a dye ion is maintained in the internal layer part remains.例文帳に追加

この結果、星型ポリマーのアーム鎖の内層部への、アニオン性染料の接近が制限され、内層部では依然として、染料イオンを加える前の水中溶解状態の親水性を維持することができる。 - 特許庁

Oxygen diffused from an overoxygen portion in the center of the high resistance layer 3A does not reach the ion source layer 3B during subsequent annealing, and variation in characteristics resulting from hot annealing in a subsequent step can be controlled.例文帳に追加

その後の熱処理により高抵抗層３Ａの中心の酸素過剰部分からの拡散酸素がイオン源層３Ｂに達するようなことがなく、後工程での熱処理による特性変化が抑制される。 - 特許庁

After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment.例文帳に追加

イオン注入処理によりエッチング溶液Ｅ（例えばリモネン）に不溶な表面改質層２１を基板Ｐの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層２１に開口部２１Ｕを形成する。 - 特許庁

The region in the silicon layer 3 except the compound regions 42, 51 constitute a substrate region and the compound regions 42, 51 are selectively formed in the silicon layer 3 by utilizing lithography and ion implantation.例文帳に追加

シリコン層３において化合物領域４２，５１以外の領域が基体領域を構成し、化合物領域４２，５１はリソグラフィ技術とイオン注入技術とを利用してシリコン層３内に選択的に形成される。 - 特許庁

The light emitting device includes a support substrate, a semiconductor laminated structure having a light emitting layer formed on the support substrate, and an ion liquid layer disposed between the support substrate and semiconductor laminated structure.例文帳に追加

本発明に係る発光装置は、支持基板と、支持基板上に形成された発光層を有する半導体積層構造と、支持基板と半導体積層構造との間に配置されたイオン液体層とを備える。 - 特許庁