「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a collector for lithium ion battery with a high discharge capacity and superior cycle characteristics, whose a current collector layer does not delaminate and detach from a substrate and an active material layer in spite of repeated charge and discharge, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

高い放電容量を有しながら、充放電を繰り返しても、集電層が基材及び活物質層と剥離、脱落しない、サイクル特性に優れたリチウムイオン電池用集電体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery comprises: a positive electrode plate 130 including a positive electrode active material layer 131; a negative electrode plate 120 including an negative electrode active material layer; and a separator 150 interposed between the positive electrode plate 130 and the negative electrode plate 120.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池は、正極活物質層１３１を有する正極板１３０と、負極活物質層を有する負極板１２０と、正極板１３０と負極板１２０との間に介在するセパレータ１５０とを備える。 - 特許庁

To provide a collector for lithium ion battery in which a collection layer maintains an excellent recycling property without separating and dropping from a film base material and an active material layer even after repeated charge and discharge operations, and that is excellent in power collection efficiency and electric insulation.例文帳に追加

充放電を繰り返しても、集電層がフィルム基材及び活物質層と剥離、脱落せずに良好なリサイクル特性を有し、更に、集電効率、電気絶縁性に優れたリチウムイオン電池用集電体を提供する。 - 特許庁

Part of a silicon layer 3 held between a bottom face of an element isolation insulation film 5a and a top face of a BOX layer 2 is doped with a P-type impurity for element isolation at a concentration P1 by ion implantation.例文帳に追加

素子分離絶縁膜５ａの底面とＢＯＸ層２の上面とによって挟まれている部分のシリコン層３内には、イオン注入によって、素子分離のためのＰ型不純物が不純物濃度Ｐ１で注入されている。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加

酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。 - 特許庁

The method includes a lens formation step in which a high refractive index is imparted only to an In ion implantation region by implanting In ions from the surface side of a first planarization layer 11, and a projection-shaped in-layer lens 12 is formed only on the underside.例文帳に追加

第１平坦化層１１の表面側からＩｎイオンを注入することにより、Ｉｎイオンの注入領域のみを高屈折率化して、下にのみ凸形状の層内レンズ１２を形成するレンズ形成工程を有している。 - 特許庁

An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a semiconductor substrate capable of forming an SOI layer and a BOX layer in a uniform thickness as a whole by suppressing temperature drop of a part in contact with a stopper from which an ion current flows out.例文帳に追加

本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。 - 特許庁

It has the catalyst layer, which consists of a catalyst substance, an ion conductivity substance, an electronic conductivity substance, and a hole making agent, and vacancy volume of diameters of 60 to 1000 nm in the above catalyst layer is set to 0.15 to 0.25 cm^3/g.例文帳に追加

触媒物質、イオン伝導性物質、電子伝導性物質および造孔剤からなる触媒層を有し、前記触媒層中の直径６０〜１０００ｎｍの空孔容積を、０．１５〜０．２５ｃｍ^３／ｇとする。 - 特許庁

Since inert C ion species enter voids of carbon site to eliminate the voids, diffusion of B is suppressed and a stepwise junction of the deep base layer 30 and the n- epi layer 2 is formed.例文帳に追加

このように、Ｃを注入することにより、炭素サイトの空孔に不活性なイオン種が入り込み、空孔を無くすことができるため、Ｂの拡散が抑制され、ディープベース層３０とｎ^- 型エピ層２との接合部が階段型接合となる。 - 特許庁

Next, an n-type impurity is ion-implanted through the opening with the second insulator 720 possessed, and an n+ source layer 630 is formed in the main face 61S of the p-base layer 621 by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第２絶縁体７２０を有した状態で上記開口を介してｎ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、ｐベース層６２１の主面６１Ｓ内にｎ^+ソース層６３０を形成する。 - 特許庁

Since ohmic junction is formed by means of a drain electrode 31 containing aluminum with the p^--type drain layer 11 after the rear surface of the wafer is ground, ion implantation and heat treatment performed for separately forming a high-concentration layer for drain contact become unnecessary.例文帳に追加

裏面研削後、アルミニウムを含むドレイン電極３１によって、ｐ^-低濃度ドレイン層１１とオーミック接合が形成されるので、ドレインコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

Since the upper surface of multilayer film T1 is entirely covered with the first metal layer 24 and an insulating layer 23, the chips of multilayer film T1 generated by ion milling are prevented from re-sticking to the upper surface of multilayer film T1.例文帳に追加

従って、多層膜Ｔ１の上面は第１金属層２４及び絶縁層２３で完全に覆われているので、イオンミリングで削られた多層膜Ｔ１の削りカスが多層膜Ｔ１の上面に再付着することを防止できる。 - 特許庁

The method consists of adhering at least one configuration layer, using ion energy at a sufficiently high level, enabling at least one configuration layer to be aligned, in order to obtain the high-quality <111> crystal structure.例文帳に追加

その方法は、高品質の＜１１１＞結晶組織を得るために少なくとも１つの構成層を整列させることを可能にするだけの十分に高いレベルのイオンエネルギーでもって、少なくとも１つの構成層を付着することからなる。 - 特許庁

To provide a bonding SOI wafer manufacturing method with less defect density in an epitaxial layer in the case where epitaxial growth is performed on a surface of an SOI layer of a bonded wafer manufactured by using an ion implantation peeling method.例文帳に追加

イオン注入剥離法を用いて作製した貼り合わせウエーハのＳＯＩ層の表面上にエピタキシャル成長を行った場合に該エピタキシャル層の欠陥密度が少ない貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A plurality of layers composed of transparent materials are laminated on a support plate 101 made of glass or the like by such means as vacuum deposition, ion plating, and sputtering (an intermediate layer 102 and an electro-conductive layer 103 of the Figure (b)).例文帳に追加

即ち、ガラス等からなる支持板１０１に対し、透明性の材料からなる層を真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等の手法によって複数積層せしめる（図１（ｂ）の中間層１０２や導電層１０３）。 - 特許庁

The electron conductive layer 8c has projections 8c1 formed at predetermined intervals and protruding in a radial direction, and head parts 8c2 of the projections 8c1 are scattered at predetermined intervals and exposed on a surface of the ion conductive layer 8d.例文帳に追加

そして、電子導電層８ｃは、所定間隔で形成された径方向に突出する突部８ｃ１を備えており、突部８ｃ１の頭部８ｃ２は、イオン導電層８ｄの表面に所定間隔で点在して露出されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics.例文帳に追加

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Impact force is given to the bonded substrate, and a silicon thin film is separated from a bulk section 13 of a single crystal Si along the hydrogen ion implantation layer 11, thus obtaining the SOI substrate having the SOI layer 12 on the crystal substrate 20.例文帳に追加

そして、貼り合わされた基板に衝撃力を付与し、水素イオン注入層１１に沿ってシリコン薄膜を単結晶Ｓｉのバルク部１３から剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を有するＳＯＩ基板を得る。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

In this case, the fomentation ingredient-coated layer 8 is directly formed on the minus ion-producing fine particle ore capsule coating layer 28.例文帳に追加

マイナスイオン発生微粉末鉱石をマイクロカプセル化し、マイナスイオン発生微粉末鉱石カプセル塗着層２８としても良く、この場合には、マイナスイオン発生微粉末鉱石カプセル塗着層２８の上に直接湿布薬成分塗着層８を塗着する。 - 特許庁

The high-resistance layer is formed out of the oxide film of Gd (gadolinium), and the ion-source layer contains such metal elements as Cu (copper), Zr (zirconium), Al (aluminum), and so forth together with such chalcogenide elements as S (sulfur), Se (selenium), Te (tellurium), and so forth.例文帳に追加

高抵抗層はＧｄ（ガドリニウム）の酸化膜により形成され、イオン源層は、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）などのカルコゲナイド元素と共に、Ｃｕ（銅），Ｚｒ（ジルコニウム），Ａｌ（アルミニウム）などの金属元素を含有する。 - 特許庁

The laminate has a layer of a thermoplastic resin and a foamed body layer of an ionomer of an ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymer comprising a monovalent or bivalent metal as an ion source or a resin composition comprising the ionomer by ≥10 wt.%.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなる層とエチレン・不飽和カルボン酸共重合体の一価又は二価金属をイオン源とするアイオノマー又は該アイオノマーを１０重量％以上含有する樹脂組成物の発泡体層を有する積層体。 - 特許庁

The process liquid for migration suppression layer formation contains azole compound and water, has a dissolved oxygen amount of 8 ppm, and is used to form a migration suppression layer that suppresses ion migration in copper wiring or copper alloy wiring.例文帳に追加

アゾール化合物と水とを含有し、溶存酸素量が８ｐｐｍ以下である、銅配線または銅合金配線におけるイオンマイグレーションを抑制するマイグレーション抑制層を形成するためのマイグレーション抑制層形成用処理液。 - 特許庁

In a developing roller 100 made by covering the surface of the conductive substrate 101 with a silicon modified urethane resin layer 103, the silicon modified urethane resin has an ether structure, and its layer contains ion conductive materials.例文帳に追加

導電性基材１０１の表面をシリコン変性ウレタン樹脂層１０３で被覆した現像ローラ１００であって、シリコン変性ウレタン樹脂はエーテル構造を有し、かつシリコン変性ウレタン樹脂層がイオン導電材を含有している。 - 特許庁

This cylindrical lithium-ion secondary battery has a positive electrode wherein a positive electrode mix layer containing lithium manganate is formed on aluminum foil, and a negative electrode wherein a negative electrode mix layer containing amorphous carbon is formed on electrolytic copper foil.例文帳に追加

円筒型リチウムイオン二次電池は、マンガン酸リチウムを含有する正極合剤層をアルミニウム箔上に形成した正極と、非晶質炭素を含有する負極合剤層を電解銅箔上に形成した負極とを備えている。 - 特許庁

Thereafter, the metal burr is prevented from remaining at the upper end of the single layer metal film or the multilayer metal film by selectively removing the single layer metal film or the multilayer metal film by ion milling while taking the resist film as a mask.例文帳に追加

この後に、前記レジスト膜をマスクとしたイオンミリングで単層金属膜あるいは多層金属膜を選択除去することにより、金属バリが単層金属膜あるいは多層金属膜上端に残存しないようにした。 - 特許庁

After a metal electrode layer 7 is formed to cover them, the metal electrode layer 7 is removed by a focusing ion beam excepting the portions becoming a source electrode 8, a gate electrode 9, and a gate electrode 10.例文帳に追加

そして、これらを覆うように金属電極層７を形成した後、この金属電極層７におけるソース電極８、ドレイン電極９及びゲート電極１０となる部分以外の部分を収束イオンビームにより除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加

電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic resistance element is formed by forming a base film on a substrate, heating the base film at 400°C or higher, emitting an ion beam over the base film to reduce its surface roughness, and forming a ferromagnetic layer and a magnetic layer.例文帳に追加

この素子は、基板上に下地膜を形成し、この下地膜を４００℃以上で熱処理し、この下地膜の表面にイオンビームを照射して表面粗さを低減し、強磁性層および磁性層を形成して得ることができる。 - 特許庁

This electrophotographic photosensitive body is constituted in such a manner that a film is formed by a vapor deposition method using the metallic complex in which nitrogen atom, oxygen atom and metallic ion have a specified coordination environment and, thereupon, a charge generation layer and a charge transport layer are successively formed.例文帳に追加

本発明は、窒素原子と酸素原子と金属イオンが特定の配位環境を有する金属錯体を蒸着法により形成した膜とし、その上に順次、電荷発生層、電荷輸送層を形成する構成である。 - 特許庁

A hydrophilic and water-insoluble anchor agent layer 14 is formed on one surface of a plastic film 12 and a water-containing gel 16 produced by crosslinking a water-soluble polymer with metallic ion, or the like, is applied to the surface of the anchor agent layer 14.例文帳に追加

樹脂フィルム１２の片面に、親水性かつ非水溶性のアンカー剤層１４が設けられ、アンカー剤層１４の表面に、水溶性高分子を金属イオン等により架橋した含水ゲル１６が展膏されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the ion exchange membrane 1 comprises a process of surface-coating at least a part of the surface of the metal porous membrane 3 of Ti or the like by the insulating protection layer 2 and a process of filling the ion exchange resin 4 of Nafion or the like in the porous membrane 3.例文帳に追加

Ｔｉ等の金属多孔質膜３の表面の少なくとも一部を絶縁性保護層２で表面被覆する工程と、多孔質膜３にナフィオン等のイオン交換樹脂４を充填する工程とを有する、イオン交換膜１の製造方法。 - 特許庁

The ion conductive high polymer arranged between the positive and negative electrodes is structured into double layers of a positive electrode side and at a negative electrode side, and the concentration of lithium salt in a non-aqueous electrolyte held in the ion conductive high polymer layer is set higher at the positive electrode side than at the negative electrode side.例文帳に追加

正極と負極の間に配置されるイオン伝導性高分子を正極側と負極側の二層構造とし、イオン伝導性高分子層に保持される非水電解液中のリチウム塩濃度を負極側よりも正極側において高くする。 - 特許庁

Since the radius of an sodium ion is larger than that of a lithium ion, the sodium ions hardly diffuse into the negative electrode active material layer, whereby the thickness of a polycrystalline germanium thin film is set not larger than 8 μm, or the diameter of each particle of the germanium powder is set not larger than 16 μm.例文帳に追加

ナトリウムイオンの半径はリチウムイオンの半径よりも大きいので、ナトリウムイオンが負極活物質層内部に拡散しにくいことから、多結晶ゲルマニウム薄膜の厚さを８μｍ以下とし、または、一つのゲルマニウム粉体の粒径を１６μｍ以下とする。 - 特許庁

The positive electrode active material layer 12 is composed of lithium-ion conductive oxide that contains Co and the intensity ratio of the peak intensity of amorphous Co_3O_4 to the peak intensity of the lithium-ion conductive oxide obtained by Raman spectroscopy analysis is in the range of 0.02 to 0.50.例文帳に追加

この正極活物質層１２は、Ｃｏを含むＬｉイオン伝導性の酸化物で構成され、ラマン分光分析における非晶質Ｃｏ_３Ｏ_４のピーク強度とＬｉイオン伝導性の酸化物のピーク強度との強度比が０．０２以上０．５０以下である。 - 特許庁

The method of manufacturing a lithium-ion secondary battery includes a step of making an electrode precursor by firing a mixture containing lithium ion conductive solid-state electrolyte powder and electrode active material powder with its surface covered at least partially with a coating layer not containing Li.例文帳に追加

リチウムイオン伝導性固体電解質粉末と、Ｌｉを含まない被覆層で少なくとも表面の一部が被覆された電極活物質粉末とを含む混合物を焼成し電極前駆体を作製する工程を含むリチウムイオン二次電池の製造方法。 - 特許庁

A carrier for culturing the cell has a finely processed surface obtained by peeling an ion beam irradiated layer of a highly polymeric material surface formed by patterning ion beams on the surface of the highly polymeric material containing carbon as a constituent element and irradiating the surface therewith.例文帳に追加

炭素を構成元素として含む高分子材料の表面にイオンビームをパターン化し照射することにより形成される該高分子材料表面のイオンビーム照射層を剥離させることにより得られる微細加工表面を有する細胞培養用担体。 - 特許庁

To provide a lithium ion cell that can resolve various problems caused by generation of pinholes of an electrolyte layer and mitigate variations of an ion-transfer property between positive and negative electrode layers even though it is a cell whose positive and negative electrode layers both are of a laminated structure.例文帳に追加

正負極の両電極層を積層構造とした電池でありながら、電解質層のピンホールの発生に伴う諸問題を解消することができ、正負極層間におけるイオン伝導特性のバラツキを緩和することができるリチウムイオン電池を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a negative electrode carbon material for a lithium-ion secondary battery in which the negative electrode carbon material for the lithium-ion secondary battery which is as good as conventional ones can be manufactured more inexpensively by utilizing effectively Chujiro bran or Jojiro bran (mixture of aleurone layer and a part of endosperm) of rice.例文帳に追加

米の中白糠又は上白糠を有効利用して、従来品と同等のリチウムイオン二次電池用負極炭素材料をより安価に製造することのできるリチウムイオン二次電池用負極炭素材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the mold 1 for fine molding, a high concentration injection ion layer 14 in which a concentration of an injection ion injected from the surface 13a of the base material 13 is higher than that of the other part is formed from the surface 13a of the base material 13 toward the bottom 11b of the recess 11.例文帳に追加

微細成形型１は、基材１３の表面１３ａから注入した注入イオンの濃度が他の部分よりも高い高濃度注入イオン層１４が基材１３の表面１３ａから凹部１１の底部１１ｂまでの間に形成されている。 - 特許庁

The cosmetic further contains a lipid bilayer vesicle including K^+ and Cl^- ions to increase the K^+ and Cl^- ion concentrations in the cell to regulate the cell volume in combination with the reduction of the Ca^2+ ion concentration on the surface layer of the cell.例文帳に追加

また、上記化粧料には、細胞内のＫ^+及びＣｌ^-イオン濃度を上昇せしめるべくＫ^+及びＣｌ^-イオンを内包せしめた脂質二分子膜小包を配合せしめ、細胞表層上のＣａ^2+イオン濃度の減少とも相まって細胞容積を調整せしめる。 - 特許庁

The dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering, for example, by means of the cathode sputtering which is assisted by a magnetic field and is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4).例文帳に追加

誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。 - 特許庁

Although the oxygen electrode side film layer 125 is formed into a film by using a proton conductive compound of a perovskite structure, its oxygen ion conductivity is small, and consequently, its transport number of oxygen ion also becomes small, so that it exerts proton conductivity sufficient for practical use as an electrolyte film 100 constructing member.例文帳に追加

酸素極側膜層１２５は、ペロブスカイト型プロトン伝導体化合物で製膜されるが、酸素イオン伝導性が小さいことから酸素イオン輸率も小さくなり、電解質膜１００の構成部材としての実用に足りるプロトン伝導性を発揮する。 - 特許庁

The oxide layer 3 can receive an oxygen ion 4 from the oxidation denaturation part 2a to change from a high resistance state to a low resistance state, and can provide the oxidation denaturation part 2a with an oxygen ion 4 to change from a low resistance state to a high resistance state.例文帳に追加

酸化物層３は、酸化変性部２ａから酸素イオン４を受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、酸化変性部２ａに酸素イオン４を供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能である。 - 特許庁