「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

Then after the resist layer 16 is eliminated, the substrate 12 is cleaned and oxygen ion 23 is vertically implanted onto the surface of the substrate 12 through the mask of the surface oxide film 14.例文帳に追加

次にレジスト層１６を除去して基板本体１２を洗浄し、表面酸化膜１４をマスクにして基板本体１２の表面に垂直に酸素イオン２３を注入する。 - 特許庁

A photoelectric transfer target part 110 has a glass substrate 111 of glass such as borosilicate glass, and an ion barrier layer 112 of SiO2 formed on one surface thereof.例文帳に追加

光電変換ターゲット部１１０は、ホウケイ酸ガラスのようなガラスから構成したガラス基板１１１と、その一方の面に形成されたＳｉＯ_２から構成したイオンバリア層１１２とを有する。 - 特許庁

The core 44 is formed by performing reactive ion etching to a core layer 10 with oxygen pressure set to a considerably higher pressure 5Pa than usual.例文帳に追加

コア４４は、チャンバ内の酸素の圧力を通常よりも相当に高い圧力である５Ｐａに設定して反応性イオンエッチングをコア層１０に対して行うことによって形成される。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of restraining break or collapse of an alloy layer caused by expansion and contraction of its volume accompanying storage and release of lithium ion.例文帳に追加

リチウムイオンの吸蔵及び放出に伴う合金層の体積の膨張と収縮に起因する該合金層の割れや、崩壊を抑えることができる非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

To manufacture a solid electrolyte double layer film having a constant quality and an excellent ion conductivity by casting continuously a plurality of dope containing a solid electrolyte and having mutually different prescription.例文帳に追加

固体電解質を含み処方が互いに異なる複数のドープを連続的に流延し、一定品質かつイオン伝導性に優れた固体電解質複層フィルムを製造する。 - 特許庁

This is conductive fine particles where a metal layer having conductivity is formed on the surface of the base material fine particles, the content of halogen ion is 30 ppm or less.例文帳に追加

基材微粒子の表面に導電性を有する金属層が形成されてなる導電性微粒子であって、ハロゲンイオンの含有量が３０ｐｐｍ以下である導電性微粒子。 - 特許庁

Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁

If the dopant profile measurement is implemented by using a scanning capacitance microscope, a surface of the thin piece 2 is oxidized by an oxygen gas cluster ion beam after the removal of the residual gallium layer 3.例文帳に追加

走査キャパシタンス顕微鏡を用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層除去後の薄片2の表面を酸素ガスクラスターイオンビームで表面酸化を行う。 - 特許庁

To provide an optimal method for manufacturing an optical device substrate having a β-FeSi_2 layer on its surface by introducing Fe atoms on an SOI substrate using the ion implantation method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上にイオン注入法でＦｅ原子を導入し、表面にβ−ＦｅＳｉ_２層を有する光デバイス基板を製造するための最適の方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative electrode for a lithium ion secondary battery by which deformation of a current collector or exfoliation of a negative electrode active material layer from the current collector can be suppressed effectively.例文帳に追加

集電体の変形、または集電体からの負極活物質層の剥離を効果的に抑制することができる、リチウムイオン二次電池用負極を提供することを目的とする。 - 特許庁

To easily peel off a hard carbon layer formed on a resist film by implanting ion with high concentration and high energy in a semiconductor producing process.例文帳に追加

本発明は、半導体製造工程において、高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより、レジスト膜に形成された硬いカーボン層を、容易に剥離することを目的とするものである。 - 特許庁

Thus, respective originally required processes for forming one of the extraction electrode and the isolation layer (resist formation, its opening pattern formation and ion implantation, etc., for instance) can be omitted.例文帳に追加

このため、本来必要であって、当該引出し電極及び分離層の一方を形成するための各工程（例えば、レジスト形成、その開口パターン形成、イオン注入等）が省略できる。 - 特許庁

The gelatinous polymer electrolyte layer 21 contains the electrolytic solution 21b, a polymer, and the ion-conductive glass powder 21a, and it is installed between a positive electrode 13 and a negative electrode 18.例文帳に追加

ゲル状のポリマー電解質層２１は電解液２１ｂとポリマーとイオン伝導性ガラス粉末２１ａとを含むとともに、正極１３と負極１８との間に介装される。 - 特許庁

Ions of at least one of oxygen(O), silicon(Si) and carbon(C) are introduced into the vicinity of a bottom in the non-defect layer 13 by ion implantation to form a gettering region 14.例文帳に追加

無欠陥層１３内の底部付近に、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つをイオン注入によって導入することで、ゲッタリング領域１４を形成する。 - 特許庁

To provide the transistor of a semiconductor element for which an oxygen ion implantation layer is formed at the lower part of an LDD region, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、ＬＤＤ領域の下部に酸素イオン注入層が形成された半導体素子のトランジスタ及びその製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery has a buffer layer 3 of microfine fibers provided at an interface between the solid electrolyte 4 and the positive electrode 2, and/or an interface between the solid electrolyte 4 and the negative electrode 5.例文帳に追加

固体電解質４−正極２の界面、及び／又は固体電解質４−負極５の界面に、微細ファイバーからなる緩衝層３が形成されているリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

The quantity of animal charcoal in the packing layer 8 is set in accordance with the calcium concentration and pH of the property of the sewage to elute phosphate ion in the quantity just enough for the microorganisms to intake.例文帳に追加

汚水の性状であるカルシウム濃度、ｐＨに対応して充填層８の骨炭量を設定し、過不足なく微生物が摂取する必要量のリン酸イオンを溶出する。 - 特許庁

The antistatic film has a coating layer containing a compound which has two or more quaternary nitrogens in a molecule and the counter anion of which is a nitrate ion on one surface of the polyester film.例文帳に追加

分子内に４級化窒素を２つ以上有し、その対アニオンが硝酸イオンである化合物を含む塗布層をポリエステルフィルムの片面に有することを特徴とする帯電防止フィルム。 - 特許庁

To provide an electrolyte having a novel chemical structure used for an electrochemical device such as a lithium battery, a lithium ion battery or an electric double-layer capacitor, and a battery using the same.例文帳に追加

リチウム電池、リチウムイオン電池、電気二重層キャパシタ等の電気化学ディバイス用として利用される新規の化学構造を有する電解質およびそれを用いた電池を提供する。 - 特許庁

The resultant resin is used as the inert resin filled together with a strongly acidic cation exchange resin and a strongly basic anion exchange resin in a three-layer mixed bed type ion exchange equipment.例文帳に追加

この樹脂は、三層混床式イオン交換装置に強酸性陽イオン交換樹脂及び強塩基性陰イオン交換樹脂とともに充填される不活性樹脂として用いられる。 - 特許庁

The electrode (a lithium ion battery positive electrode) 30 is provided wherein an active material layer 35 mainly containing an electrode active material is held on a metal collector 32.例文帳に追加

本発明によると、電極活物質を主成分とする活物質層３５が金属製の集電体３２に保持された電極（例えばリチウムイオン電池用正極）３０が提供される。 - 特許庁

By approximately matching a neutral axis Ns of bending where no stress acts with an alkali ion depletion layer 4 that causes warpage, warpage of the bonded substrate 3 can be effectively suppressed.例文帳に追加

応力が作用しない曲げ中立軸Ｎｓと、反りの原因となるアルカリイオン欠乏層４とを略一致させることにより、接合基板３の反りを効果的に抑制することができる。 - 特許庁

Ions are implanted from the flat surface 20a of a piezoelectric body 20 to form an ion implantation layer 22 in a region of a prescribed depth from the surface 20a inside the piezoelectric body 20.例文帳に追加

圧電体２０の平坦な表面２０ａからイオンを注入して、圧電体２０内において表面２０ａから所定の深さの領域にイオン注入層２２を形成する。 - 特許庁

To obtain a stable contact resistance as well as to realize a low junction leakage, without having to carry out compensatory ion implantation in a contact hole, inside which the boundary between a diffusion layer and an element isolation is exposed.例文帳に追加

拡散層と素子分離との境界が内部で露出するコンタクトホールにおいて、補償イオン注入を行わずに低接合リークを実現するとともに安定したコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

In the solid electrolyte fuel cell having an electrolyte layer composed of a basic metal compound between an anode electrode and a cathode electrode, resin having ionic conductivity by an ion species the same as the ion species showing ionic conductivity to the basic metal compound is interposed between at least one electrode of either the anode electrode or the cathode electrode and the electrolyte layer, at least the one electrode and the electrolyte layer are jointed.例文帳に追加

アノード電極とカソード電極との間に、塩基性金属化合物からなる電解質層を備える固体電解質形燃料電池において、塩基性金属化合物にイオン伝導性を示すイオン種と同じイオン種によるイオン伝導性を有する樹脂が、アノード電極とカソード電極の少なくとも一方の電極と電解質層の間に介在し、少なくとも一方の電極と電解質層を接合している。 - 特許庁

It comprises an inducing electrode 5 formed on a substrate 3 made of a nonconductor, a dielectric layer 7 covering the induction electrode 5 on the substrate 3, an ion generating electrode 9 formed on the dielectric layer 7 and a protection layer 11 to cover at least the ion generating electrode 9.例文帳に追加

絶縁体からなる基板３上に形成された誘導電極５と、基板３上に誘導電極５を覆って形成された誘電体層７と、この誘電体層７上に形成されたイオン発生電極９と、少なくともこのイオン発生電極９を覆う保護層１１とを備えてなり、保護層１１に、除電手段、すなわち、イオン発生電極よりも幅が狭く、イオン発生電極の表面中央部を底面とする溝部１９が形成されている。 - 特許庁

To provide a wiring circuit board assuring excellent long-term reliability by reducing transmission loss through a simplified layer structure, and improving close contact between a metal foil and an insulating layer and conductivity of conductors by preventing generation of ion migration phenomenon generated between the metal foil and insulating layer.例文帳に追加

簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、金属箔と絶縁層との間に生じるイオンマイグレーション現象の発生を防止して、金属箔と絶縁層との密着性および導体の導電性を向上させて、長期信頼性に優れる配線回路基板を提供すること。 - 特許庁

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。 - 特許庁

After forming a groove 12 in the insulating layer 11 formed on a semiconductor substrate 10, a barrier metal layer 13 is formed on the insulating layer 11 by an ALD method to cover the side faces and the bottom face of the groove 12, and impurity layers 14, 17 are formed on the surface thereof according to an ion implantation method or ALD method.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された絶縁層１１内に溝１２を形成した後、溝１２の側面及び底面を覆うように、絶縁層１１上にＡＬＤ法でバリアメタル層１３を形成し、その表面に、イオン注入法またはＡＬＤ法により不純物層１４、１７を形成する。 - 特許庁

In an SIMOX substrate where an oxide ion is implanted to a silicon mono-crystal substrate, and high temperature heat treatment is carried out to form an embedded oxide layer and a surface silicon layer, the density of the through-displacement failure of an SOI layer is set so as to be 100 pieces/cm^2.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入し、その後高温熱処理を施すことにより、埋め込み酸化層および表面シリコン層を形成するＳＩＭＯＸ基板において、ＳＯＩ層の貫通転位欠陥の密度が１００個／ｃｍ^2 未満であることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板である。 - 特許庁

Because of the tunnel magnetoresisitive elements 34 and 35, a part of the first magnetic layer 29 can be left as the upper shield layer 50, and the protection layer 28 can be effectively protected from the ion milling so that a plurality of thin film magnetic head whose electric characteristic variation is suppressed can be formed simultaneously.例文帳に追加

トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５であるから、前記第１磁性層２９を上部シールド層５０して一部残すことが可能であり且つ、前記保護層２８をイオンミリングからより効果的に保護でき、電気特性のばらつきが抑制された薄膜磁気ヘッドを複数個同時に形成できる。 - 特許庁

The chargeable and dischargeable battery is formed by forming a battery active material layer 2 on a surface of a fibrous material 1 having electron conductivity, coating it with a material 3 not having electron conductivity but having ion conductivity, forming a counter electrode active material layer 4, and then forming a material layer 5 having electron conductivity thereon.例文帳に追加

電子伝導性のある繊維状物質１の表面に電池活物質層２を形成し、その上を電子伝導性が無くイオン伝導性のある物質３で被覆し、さらに対極活物質層４を形成し、その上に電子伝導性のある材料層５を形成してなる充放電可能な電池。 - 特許庁

The pressure resisting composite culvert material is constituted by combining an underdrainage pipe with a water permeable layer and solidifying a filler for forming the water permeable layer, and the propagation of bacteria is prevented by dispersing an inorganic compound having a copper ion to the inside of the filler for forming the water permeable layer.例文帳に追加

暗渠排水管と通水層を一体化し、かつ通水層を形成する充填材を固化して成る耐圧性複合暗渠材とすること、及びその通水層を形成する充填材内部に銅イオンを担持した無機化合物を分散させることによりバクテリアの繁殖を防止することを手段とした。 - 特許庁

The first mask layer 14 and the magnetic recording layer 13 are etched with reactive ion etching under heating by using a mixed gas composed of gaseous chlorine, gaseous argon, and gaseous oxygen in a vacuum, and using the second mask layer 15a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

In this light-receiving circuit and method of manufacturing the same, since the p-type light-absorbing layer of a single running carrier photodiode is formed in the undoped InGaAs layer corresponding to the collector of the heterojunction bipolar transistor, Be is doped into the p-type light- absorbing layer with the Be ion injection method having superior controllability of the doping profile in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、単一走行キャリアフォトダイオードのｐ形光吸収層をヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタに相当するアンドープＩｎＧａＡｓ層中に形成するため深さ方向ドーピングプロファイルの制御性に優れたＢｅイオン注入法を用い、ｐ形光吸収層にＢｅドープすることを特徴とする。 - 特許庁

In a front stage curing the surface of the adhesive layer, an ion forming natural radioactive rare earth element 3 formed into a fine powdery form is sprinkled over the surface of the surface layer 2 to be fixed to the surface of the base material 1 highly densely through the adhesive layer 2.例文帳に追加

当該接着層２の表面が硬化する前段階において、当該接着層２の上面から、微粉末状にしたイオンを生成する天然放射性稀土類元素３を振りかけて基材１の表面に接着層２を介して微粉末状の天然放射性稀土類元素３を高密度に定着させるようにした。 - 特許庁

The memory element 10 comprises a memory layer 3 disposed between a first electrode 2 and a second electrode 6, and consisting of an oxide containing tantalum or silicon and a rare earth element; and an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn and making contact with the memory layer 3.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がタンタル又はシリコンと希土類元素とを含有する酸化物から成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The electric double layer capacitor includes: a laminated electric double layer capacitor cell which includes first and second electrodes arranged to face each other and an ion-permeable separator formed therebetween; and an insulating tape which encloses an outer surface of the laminated electric double layer capacitor cell and has a plurality of voids.例文帳に追加

本発明による電気二重層キャパシタは、対向して配置される第１及び第２電極とその間に形成されたイオン透過性分離膜を備える積層型電気二重層キャパシタセルと、上記積層型電気二重層キャパシタセルの外面を包み、複数の空隙を有する絶縁テープを含む。 - 特許庁

Depositing of a polysilicone film having a thickness of 1.5 μm using pressure-reduced CVD and ion pouring into the polysilicone film are repeated twice for annealing to fill a hole in a recessed part 18 formed in an LTO layer 16 and add a polysilicone lower layer 19 having a thickness of 3 μm to the LTO layer 16.例文帳に追加

減圧ＣＶＤを用いた１．５μｍの厚さのポリシリコン膜の堆積と、かかるポリシリコン膜へのイオン注入とを２回繰り返した後に、アニールすることにより、ＬＴＯ層１６に形成された凹部１８の孔埋めを行うとともに、厚さが３μｍのポリシリコンの下層１９をＬＴＯ層１６に付加させる。 - 特許庁

Further, it includes a transparent electrode adhesion layer 7 made of adhesive ion conductive polymer gel formed on a surface of the transparent film 6 facing with the luminescence layer 5, and spacers 8 consisting of grain-shaped resin beads of bridge polymethacrylic acid methyl and dispersedly formed on the transparent electrode adhesion layer 7.例文帳に追加

一方、透明フィルム６の発光層５と相対する面側に形成された粘着性を有するイオン伝導性高分子ゲルからなる透明電極粘着層７と、透明電極粘着層７に分散形成された架橋ポリメタクリル酸メチルの粒形状樹脂ビーズからなるスペーサ８を備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing the conductive film, a conductive layer (A) containing conductive fine particles, and an ion exchange layer (E) containing a copolymer (D) made by copolymerizing a monomer (B) containing a tertiary amino group and/or a quaternary ammonium group, and a monomer (C) capable of copolymerizing with the monomer (B) are laminated on a base layer.例文帳に追加

下地上に、導電性微粒子を含む導電層（Ａ）と、三級アミノ基および／または四級アンモニウム基を含有するモノマー（Ｂ）と、前記モノマー（Ｂ）と共重合し得るモノマー（Ｃ）とを共重合してなる共重合物（Ｄ）を含むイオン交換層（Ｅ）、とを積層することを特徴とする導電性被膜の製造方法。 - 特許庁

A ashing method removes resist having an altered layer 4 formed on a surface by ion implantation and a non-altered layer 3 formed on a lower side of the altered layer 4, forms an applied film 5 to cover a face of a substrate on which the resist is formed, and removes the resist and the applied film 5 from the substrate by plasma treatment using reactive gas.例文帳に追加

イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory device that has an oxide layer formed of a resistance converted material to reduce and stabilize the reset current comprises a step of, after forming a lower electrode and an oxide layer on a lower structure, irradiating one region of the oxide layer with an electric beam or ion beam.例文帳に追加

抵抗変換物質から形成された酸化層を備えるメモリ素子の製造方法において、下部構造体上に下部電極及び酸化層を形成した後、酸化層の一領域に電子ビームまたはイオンビームを照射するステップを含むリセット電流の安定化のためのメモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁

The negative ion producing nonwoven fabric structure is a nonwoven fabric mat having a three-layer structure and comprises laminating a lower layer, which comprises an electret nonwoven fabric, on both surfaces of an intermediate layer which comprises a non-electret nonwoven fabric to which a fine powder of a natural mineral having positive and negative poles applied to both ends of its crystal and having piezoelectric procperties is fixed.例文帳に追加

三層構造からなる不織布マットであって、結晶の両端にプラス極とマイナス極を有し、かつ圧電性を有する天然鉱物の微粉末を固着した非エレクトレット化不織布からなる中間層の両面に、エレクトレット化不織布からなる上、下層を積層して貼り合わして成る。 - 特許庁