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「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索
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ion layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2615



例文

The thickness of the ion exchange layer existing on the outer and inner peripheral end surfaces at a center part in the thickness direction of the glass substrate is 0.3-1.5% of the thickness of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の厚み方向中央部における、外周端面及び内周端面に存在するイオン交換層の厚みが、ガラス基板の厚みの0.3%以上、1.5%以下である。 - 特許庁

Consequently, the p-type RESURF layer 21 can be connected to the p-type base region 3 without requiring oblique ion implantation even if the side wall of the recess 20 is steep.例文帳に追加

これにより、凹部20の側壁が急峻であったとしても、斜めイオン注入を行うことなく、p型ベース領域3に対してp型リサーフ層21を接続することができる。 - 特許庁

(d) Then, a combined substrate 30 is formed by superposing the first substrate obtained in (c) on a second substrate 20, and (e) thereafter the combined substrate 30 is divided at a portion of the ion implanted layer 13.例文帳に追加

次いで、(c)に示す第1基板を第2基板20に重ね合わせて結合基板30を形成し(d)、その後、結合基板30をイオン注入層13の部分で分割する(e)。 - 特許庁

Then, the frame is removed and, further, the unnecessary part of the substrate film 21 other than a part present blow the track width defining layer 12a is removed by using dry etching such as ion milling.例文帳に追加

次に、フレームを除去し、更に、下地膜21のうち、トラック幅規定層12aの下に存在する部分以外の不要な部分をイオンミリング等のドライエッチングを用いて除去する。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a wiring circuit board which can sufficiently remove a residual of a metal thin film existing on an insulating layer, and can prevent an occurrence of an ion migration.例文帳に追加

絶縁層上に存在する金属薄膜の残渣を十分に除去することができ、イオンマイグレーションの発生を防止することが可能な配線回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

As a result, an element ion implantation layer is formed in a position of a prescribed depth from the surface of the semiconductor wafer and particle adhering to the surface of the semiconductor wafer is removed.例文帳に追加

この結果、半導体ウェーハの表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成されるとともに、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルが除去される。 - 特許庁

To provide an all solid-state secondary battery capable of suppressing overvoltage and the expansion/contraction of an electrode active material layer, and preventing the discontinuation of a conductive path and a metallic ion conductive path.例文帳に追加

過電圧抑制、電極活物質層膨張・収縮の抑制、並びに、導電経路及び金属イオン伝導経路の断絶防止に優れた全固体二次電池を提供する。 - 特許庁

The coated zinc oxide particles have a coating layer made of a substance of settling nature obtained by reacting a crosslinked carboxyvinyl polymer and a divalent or trivalent metal ion.例文帳に追加

架橋させたものであるカルボキシビニルポリマーと2価又は3価の金属イオンとを反応させて得られた沈降性物質からなる被覆層を有することを特徴とする被覆酸化亜鉛粒子。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース/ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

例文

Pressure is put on water stored in a circulation water layer by a circulating pump 8 and the detailed droplets and the minus ion are generated by the globular form nozzle through a pipe 12 for water suction.例文帳に追加

循環水層に貯えられた水は循環ポンプ8によって圧力を掛けられ、吸水用パイプ12を経て前記球形ノズルによって微細水滴とマイナスイオンを発生する。 - 特許庁

例文

To provide a lithium ion storage battery in which a multi-layer film is used for the outer package and which can hold a shape in a high temperature environment and can be charged and discharged even in a low temperature environment.例文帳に追加

外装体に多層フィルムを使用しており高温環境下で形状を保持することができ低温環境下でも充放電可能なリチウムイオン蓄電池を提供する。 - 特許庁

The objective original plate of a planographic printing plate has at least one photosensitive layer containing a metallic ion complex dye of formula (1) (where M is a transition metal and X is a counter cation) on a substrate.例文帳に追加

支持体上に下記一般式で表される金属イオン錯体色素を含有する感光層を少なくとも1層有することを特徴とする平版印刷版原版。 - 特許庁

By this setup, ion seeds which never get impurities are introduced into the holes of carbon sites which reside in the J-FET part 6 and the surface channel layer 5, so that the holes of carbon sites are almost removed.例文帳に追加

これにより、J−FET部6及び表面チャネル層5に介在する炭素サイトの空孔内に不純物とならないイオン種が入り込み、炭素サイトの空孔がほぼなくなる。 - 特許庁

The surface of the oxide film 121s is in a shape having fine irregularity, and there is substantially no Fe_2O_3 in the ion diffusion layer 13i, thereby obtaining an excellent adhesion characteristic between the lead part 12 and the glass part 13.例文帳に追加

酸化膜121sの表面が微細な凹凸を有する形状であると共に、イオン拡散層13i中にFe_2O_3が実質的に存在しないことで、リード部12とガラス部13とは密着性に優れる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate, which effectively and efficiently makes an interface of an ion-implanted layer brittle without bringing about exfoliation of surfaces bonded to each other and breakage of the substrate.例文帳に追加

貼り合わせ面の剥離や、基板の破損を生じることなく、イオン注入界面を効果的かつ効率的に脆化することができるSOI基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a metal layer ML is deposited on a wafer W using an ion plating unit, metal sometimes becomes fine droplets and sticks on the wafer W to form droplets DL.例文帳に追加

イオンプレーティングユニットによって基板W上に金属膜MLを形成すると、金属が微小な液滴状となって基板W上に付着し、ドロップレットDLを形成することがある。 - 特許庁

A catalyst metal 5 is supported on oxide particles 4, 6 in a first catalyst layer 2, and a first binder particle 7 which is fine and has oxygen ion conductivity is interposed between the oxygen particles.例文帳に追加

第1触媒層2では、触媒金属5が酸化物粒子4,6に担持され、この酸化物粒子間に酸素イオン伝導性を有する微細な第1バインダ粒子7が介在する。 - 特許庁

After an n-type impurity is ion-injected to form the field stop layer on the rear surface of an n-type FZ wafer 41, a silicon-on-insulator support substrate 42 is adhered to the rear surface of the wafer 41.例文帳に追加

n型のFZウェハ41の裏面に、フィールドストップ層を形成するためのn型不純物のイオン注入の後、FZウェハ41の裏面に、SOIの支持基板42を貼り付ける。 - 特許庁

When a paste composition for forming a catalyst layer is prepared, it is desirable that the catalyst carrying carbon particles, the ion conductive electrolyte and the catalyst particle containing aggregate body are included.例文帳に追加

触媒層形成用ペースト組成物を調製する際には、触媒担持炭素粒子、イオン伝導性電解質及び前記触媒粒子含有凝集体を含ませることが好ましい。 - 特許庁

The converged ion beams are irradiated to a single-crystal semiconductor substrate, without interposing an amorphous layer having an element constituting the semiconductor substrate, and the ions are implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

収束されたイオンビームを、単結晶の半導体基板に、半導体基板を構成する元素からなるアモルファス層を介すことなく照射し、半導体基板にイオンを注入する。 - 特許庁

In the lithium ion secondary battery, the thickness of an electrode layer of at least either a positive electrode or a negative electrode is the same as the diameter of activator particle of the electrode.例文帳に追加

正極或いは負極の少なくともどちらか一方が、電極の活物質粒子の粒子径と電極層の厚さが同じであることを特徴とするリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

The electrolyte layer 410 for the lithium ion secondary battery contains a frame made of a polymer electrolyte 411 and an electrolyte 415 filled in a space formed with the frame.例文帳に追加

ポリマー電解質411からなる枠と、前記枠により形成された空間に充填された電解液415と、を含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池用電解質層410。 - 特許庁

A water decomposition part 50 comprising two electrodes 51 and 53 and an ion exchange resin layer 52 fastened by the electrodes is provided between the fuel electrode 21 and the liquid fuel vaporization film 43.例文帳に追加

燃料極21と液体燃料気化膜43との間に、2つの電極51、53と、これらの電極に挟まれたイオン交換樹脂層52からなる水分解部50を設ける。 - 特許庁

The positive electrode for the lithium-ion secondary battery includes: a positive electrode active material containing a lithium composite oxide; a positive electrode mixture layer containing a conductive material and a binder; and a current collector.例文帳に追加

リチウム複合酸化物を含む正極活物質、導電材及び結着剤を含有する正極合剤層と集電体を備えるリチウムイオン二次電池用正極である。 - 特許庁

The thickness not larger than the longitudinal stop range of the helium ion corresponding to the bias voltage to be used in the step (b) is selected as the thickness of the carbon layer deposited in the step (a).例文帳に追加

ステップ(a)で堆積させる炭素層の厚みとしてステップ(b)で使用されるバイアス電圧に対応するヘリウムイオンの縦方向ストップレンジより大きくない厚みが選択される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING HIGHLY GRAPHITIZED CARBON POWDER AND HIGHLY GRAPHITIZED GRAPHITE POWDER, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL DOUBLE LAYER CAPACITOR AND LITHIUM ION SECONDARY BATTERY NEGATIVE POLE MATERIAL例文帳に追加

高黒鉛化性炭素粉末ならびに高黒鉛化度黒鉛粉末の製造法、および電気二重層キャパシタならびに電極材料リチウムイオン二次電池負極材料の製造法 - 特許庁

To provide a rubber composition for a semiconductive roller using an ion conductive rubber for a semiconductive layer, having low rubber hardness, good surface roughness and low adherence.例文帳に追加

イオン導電性ゴムを半導電層に用いたローラにおいて、ゴム硬度が低く、かつ表面粗さが良好で粘着性の弱い半導電性ローラ用ゴム組成物を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate, hydrogen ions are implanted into a nitride-based semiconductor crystal 10 provided on a first substrate 20 to form a hydrogen ion implanted layer 13 in a low dislocation density region 12.例文帳に追加

第1の基板20上に設けられた窒化物系半導体結晶10に水素イオンを注入して、低転位密度領域12内に水素イオン注入層13を形成する。 - 特許庁

The re-wiring 9 is covered with the upper layer protection film 13, whereby it is possible that the short caused by the so-called ion migration is hard to occur between the re-wirings 9.例文帳に追加

そして、再配線9が上層保護膜13で覆われていることにより、再配線9間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる。 - 特許庁

This electronic component electrode-porous sheet composite can be used suitably for electronic components such as a lithium ion secondary battery, a polymer-lithium secondary battery, an electric double layer capacitor, or redox capacitor.例文帳に追加

この電子部品用電極−多孔質シート複合体は、リチウムイオン二次電池、ポリマーリチウム二次電池、電気二重層キャパシタ又はレドックスキャパシタ等の電子部品に好適に用いられる。 - 特許庁

A deodorant coated with the calcium phosphate based compound layer is obtained by immersing the organic polymer base material including a calcium containing compound in a solution including a phosphate ion and/or its derivative.例文帳に追加

カルシウム含有化合物を含む有機ポリマー基材をリン酸イオンおよび/またはその誘導体を含む水溶液に浸漬する事でリン酸カルシウム系化合物層を被覆した脱臭剤とする。 - 特許庁

An ion implantation layer is formed at a position of desired depth from one principal surface of a piezoelectric single crystal substrate by implanting hydrogen ions into the piezoelectric single crystal substrate under predetermined conditions (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板の一主面から所定深さの位置にイオン注入層を形成する(S101)。 - 特許庁

The conductive layer 7 for setting the ion free is formed for preventing generation of a notch being an unnecessary space formed when the through hole is formed on the other face of the silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、シリコン基板1の他方の面に貫通孔を形成する際にできる余分な空間部分であるノッチの生成を防ぐため、イオンを逃がすための導電層7を形成する。 - 特許庁

A back of a first semiconductor substrate 11 is ground, ion implantation is performed for forming an n-type impurity layer 14 on a back side of the substrate 11, and a retaining substrate 15 is stuck on the back.例文帳に追加

第1の半導体基板11の裏面を研削し、その裏面側にn型不純物層14を形成するために、イオン注入をおこなった後、裏面に支持基板15を貼り付ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color transformation light-emitting substance device, capable of preventing elements separating out due to ion migration, when a phosphor layer is made to adhere through electrophoresis.例文帳に追加

電気泳動によって蛍光体層を付着させる際に、イオンマイグレーションによる元素析出を防止することのできる色変換発光体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

With the generated heat, a piezoelectric thin film is detached from the piezoelectric single crystal substrate using the ion implantation layer as a detaching interface, and a piezoelectric composite substrate including the piezoelectric thin film and the supporting substrate is formed.例文帳に追加

この発熱によりイオン注入層を剥離面として、圧電薄膜が圧電単結晶基板から剥離され、圧電薄膜と支持基板とを有する複合圧電基板が形成される。 - 特許庁

The covering layer is the intra-orally worn body formed by preferably a chemical vapor deposition method, especially a plasma CVD method, or by a physical vapor deposition method, especially an ion plating method.例文帳に追加

前記被覆層は、好ましくは化学的蒸着法、特にプラズマCVD法、または物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法により形成されて成る口腔内装着体である。 - 特許庁

To provide an ion injector that makes it possible to inject uniform ions into substrates and can generate a treatment layer of high quality whose thickness is uniform and which is stable in the substrates.例文帳に追加

複数の基体に対して均一なイオン注入を可能とし、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The ion implanting layer 2 of a SiC semiconductor 1 extends to the face of a plane direction having the off angle of an angle a within 10° from the {03-38} face of 4H-type SiC.例文帳に追加

本発明に係るSiC半導体1のイオン注入層2は、4H型SiCの{03−38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 - 特許庁

The electrolyte layer which is, in substance, made of a lithium ion conductive inorganic solid material and of which film thickness is regulated to 500 μm or less is formed preferably by a blast method or an aerosol deposition method.例文帳に追加

実質的にリチウムイオン伝導性無機固体物質のみからなり、膜厚を500μm以下に規制した電解質層を、好ましくはブラスト法又はエアロゾルデポジション法にて形成させる。 - 特許庁

A contact hole is formed by an etching process for reducing ion energy and an O_2 flow rate with the progress of etching depth, and the damage layer to be formed on the base is suppressed.例文帳に追加

本発明は、イオンエネルギーおよびO_2流量を、エッチング深さの進行と伴に低減するエッチング工程によりコンタクトホール形成し、下地に形成されるダメージ層を抑制する。 - 特許庁

Next, a p-type impurity is ion-implanted through the opening of the first insulator 710, and a p-base layer 621 is formed in the main face 61S by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第1絶縁体710の上記開口を介してp型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、主面61S内にpベース層621を形成する。 - 特許庁

The convex spherical pattern of each resist layer is transferred to the surface of the substrate 10 by a reactive ion etching process using CF_4, as an etching gas, for forming a lens.例文帳に追加

このような状態でCF_4をエッチングガスとする反応性イオンエッチング処理により各レジスト層の凸球面状パターンを基板10の表面に転写してレンズを形成する。 - 特許庁

After an oxygen precipitated nucleus 12 is formed inside a semiconductor wafer 10 such as silicon or the like through a first heat treatment, hydrogen ion composed of H_2^+ is implanted into the surface layer of the wafer 10.例文帳に追加

シリコン等の半導体ウエハ10の内部に第1の熱処理により酸素析出核12を形成した後、ウエハ10の表面層にH_2^+からなる水素イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device called as a CSP(chip sized package), in which short circuit due to copper ion migration hardly occurs between wiring and a base metal layer for wiring is excellently formed.例文帳に追加

CSPと呼ばれる半導体装置において、配線相互間で銅イオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにし、且つ、配線用の下地金属層を良好に形成する。 - 特許庁

To provide a lithium-ion secondary battery which is provided with a cathode active material layer containing both a cathode active material containing Mn, Ni, or Fe, and a water-soluble cellulose and has a high discharge capacity.例文帳に追加

Mn、Ni又はFeを含む正極活物質と水溶性セルロース類とを含む正極活物質層を備え、放電容量が大きいリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

An electromagnetic wave shield member is formed by providing a metallic plating layer on the surface of a molding made of organic polymer material (ABS or the like) mixed with a powder having a negative ion generating function.例文帳に追加

マイナスイオン発生機能を有する粉末を混入した有機高分子材料(例えばABS等)の成形体表面に金属メッキ層を設けたものを、電磁波シールド部材とする。 - 特許庁

A filling layer 14 is formed by filling the through-holes 17 of the porous sheet 13 and the minute pores provided for the porous film 15 itself with an ion exchange resin.例文帳に追加

そして、この多孔シート13の貫通孔17及び多孔膜15自身が有する微細孔には、イオン交換樹脂が充填されて、充填層14が形成されるようになっている。 - 特許庁

The surface of a discharge electrode 1 of the ion generation element 21 other than a surface coming into contact with a dielectric 4 is covered with a protection layer 6a having glass material as a principal component.例文帳に追加

イオン発生素子21の放電電極1は、誘電体4と接する表面以外の表面が、ガラス系材料を主成分とする保護層6aによって被覆されている。 - 特許庁

例文

To provide a porous carbon material having excellent characteristics when used in electrochemical devices such as batteries like lithium ion secondary batteries or electric double layer capacitors, and a method for producing the porous carbon material.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池といった電池や電気二重層キャパシタ等の電気化学デバイスに用いた場合、優れた特性が得られる多孔質炭素材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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