「ion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

A highly graphitized carbon particle 101 is added to a catalyst layer of the air electrode containing carbon particles for carrying catalyst carrying a catalytic metal 107 and an ion exchange resin 103.例文帳に追加

空気極における触媒層において、触媒金属１０７の担持された触媒担持用炭素粒子１０５およびイオン交換樹脂１０３に加え、高黒鉛化炭素粒子１０１を含む構成とする。 - 特許庁

This filter material coated with the layer of the calcium phosphate-based compound is obtained by immersing the organic polymer-made base material containing a calcium-containing compound in the aqueous solution containing phosphoric acid ion and/or its derivative.例文帳に追加

カルシウム含有化合物を含む有機ポリマー基材をリン酸イオン及び／又はその誘導体を含む水溶液に浸漬することでリン酸カルシウム系化合物層を被覆したフィルター材料とする。 - 特許庁

The catalyst particle containing aggregate body for a solid polymer fuel cell has a resin coated layer formed on a surface of an aggregate body containing catalyst carrying carbon particles and an ion conductive electrolyte.例文帳に追加

触媒担持炭素粒子及びイオン伝導性電解質を含む凝集体の表面上に樹脂被覆層が形成されてなる、固体高分子形燃料電池用触媒粒子含有凝集体。 - 特許庁

The ionization layer 3 contains Zr (zirconium) and Al (aluminum) as metal elements to be cationized as well as an ion conductive material (anion element) such as S (sulfur), Se (selenium), and Te (tellurium) (chalcogenide element).例文帳に追加

イオン化層３は、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）（カルコゲナイド元素）などのイオン伝導材料（陰イオン元素）と共に、陽イオン化する金属元素としてＺｒ（ジルコニウム）およびＡｌ（アルミニウム）を含有している。 - 特許庁

To provide a catalyst layer capable of uniformly supplying a reaction gas to a catalyst and quickly discharging the reaction product water, and having high hydrogen ion conductivity and superior reaction efficiency.例文帳に追加

触媒に均一に反応ガスを供給するとともに反応生成水を速やかに排出することが可能で、かつ水素イオン伝導性が高く反応効率の優れた触媒層を提供する。 - 特許庁

The porous electrode catalyst layer contains catalyst carrying carbon particles and an aromatic polymer containing an ion conductive component, and pore volume is 0.1 to 3.0 ml/g.例文帳に追加

本発明に係る多孔質電極触媒層は、触媒担持カーボン粒子およびイオン伝導成分含有芳香族系ポリマーを含み、細孔容積が０．１〜３．０ｍｌ／ｇであることを特徴とする。 - 特許庁

By forming the ion elution preventing layer 9 in the inner face of the tank member 6, elution into the pure water of an elution component from polyamide resin itself composing the tank member 6 is prevented.例文帳に追加

このイオン溶出防止層９をタンク部材６の内面に形成することによって、タンク部材６を構成するポリアミド樹脂自体からの溶出成分が純水に溶出するのを防止する。 - 特許庁

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing initial defects and damage on an insulation layer caused by an ion implantation.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、イオン注入に起因する絶縁膜の初期欠陥やダメージを低減させて歩留まりを向上させること。 - 特許庁

To prevent channeling in ion implantation, and to prevent any impurity from damaging an insulating film in a lower layer, and to reduce the increase of the crystal grain diameter of a crystallized amorphous semiconductor film.例文帳に追加

イオン注入におけるチャネリングを回避し、不純物が下層の絶縁膜に損傷を与えるのを防止するとともに、結晶化された非晶質半導体膜の結晶粒径の大粒径化を抑制する。 - 特許庁

To provide a current collector for lithium ion cells which, while having a high discharge capacity, provides excellent cycle performance without active materials being exfoliated or dropped from a current collecting layer after repeated charges and discharges.例文帳に追加

高い放電容量を有しながら、充放電を繰り返しても集電層から活物質が剥離、脱落することなく、サイクル特性に優れたリチウムイオン電池用集電体を提供する。 - 特許庁

If the dopant profile measurement is implemented by using an electron beam holography, the thin piece 2 is thinned down by sputtering the gas cluster ion beam 1 after an removal of the residual gallium layer 3 until an electron beam of 100-200 kV passes through it.例文帳に追加

電子線ホログラフィーを用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層3除去後の薄片2を100〜200kVの電子線が透過する厚さまでガスクラスターイオンビーム1のスパッタで薄くする。 - 特許庁

With photoresist 6 being a mask, a first conductivity type impurity is ion-implanted in a separated implanted region of a silicon layer 3 to form an impurity region having higher impurity concentration than a channel region.例文帳に追加

フォトレジスト６をマスクとして、シリコン層３の分離注入領域に第１導電型の不純物をイオン注入しチャネル領域よりも高い不純物濃度を有する不純物領域を形成する。 - 特許庁

The ink acceptor layer coating solution contains a water-absorptive inorganic pigment, a binder and a coloring agent which are dispersed by a dispersion medium consisting essentially of water of ≤10μS/cm ion conductivity.例文帳に追加

イオン伝導度が１０μＳ／ｃｍ以下である水を主体とした分散媒で分散した、吸水性無機顔料、バインダーおよび着色剤を含有するインク受容層塗工液である。 - 特許庁

After pocket regions 20 and 22 are formed by ion implantation process with the insulating film 12 and the electrode 16 as masks, the electrodes 16 and 18 are covered to form an insulating layer 26 by a CVD method, etc.例文帳に追加

絶縁膜１２及び電極１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極１６，１８を覆って絶縁層２６をCVD法等により形成する。 - 特許庁

The heating treatment results in thermal stress due to a difference in thermal expansion coefficient between both substrates 10 and 20, and the chemical bond of silicon atoms in the ion implantation layer 11 is weakened.例文帳に追加

この加熱処理により、シリコン基板１０と石英基板２０の両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力が生じてイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合が弱化する。 - 特許庁

To provide a resistance memory element, provided with a resistive layer including a metal oxide and a metal ion dopant, which can be formed at low temperatures and has superior electrical properties, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低温形成が可能であり、かつ優秀な電気的特性を有する、金属酸化物及び金属イオンドーパントを含めた抵抗層を備えた抵抗メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor separator which will not break, even a high pressure is applied for adhesion with an electrode, is superior in ion permeability and is superior in ionic solution retaining property.例文帳に追加

電極と密着させるために高い圧力を印加しても、破断することがなく、イオン透過性に優れ、しかもイオン性溶液の保持性に優れている電気二重層キャパシタ用セパレータを提供すること。 - 特許庁

A sidewall insulation film 41 of first insulation film 4 is formed on the side face of the gate electrode 3, and a diffusion layer 5 is formed in the substrate 1 within the logic circuit region 12 through ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３側面に第１の絶縁膜４からなる側壁絶縁膜４１を形成し、ロジック回路領域１２における基板１内に拡散層５をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To provide an ion exchanger excellent in bonding stability to the surface top layer of a substrate composed of a monomolecular film or a bimolecular film of an amphipathic chained organic molecule wherein surface charge density is greatly high.例文帳に追加

表面電荷密度が飛躍的に高い両親媒性鎖状有機分子の単分子膜又は二分子膜からなる最表層の基体に対する結合安定性が優れたイオン交換体。 - 特許庁

When Ag is ionized and diffused into the dielectric layer 13 from electrodes 12a_2, and 12b_2 made of silver, the Ag ion is never coagulated into colloid, but also keeping ionized state.例文帳に追加

これにより、Ａｇからなる電極１２ａ２，１２ｂ２からＡｇがイオン化して誘電体層１３に拡散したとしても、Ａｇが凝集してコロイド化することなくイオン化した状態を保持することができる。 - 特許庁

Water to be processed is caused to pass through an ion exchange resin layer comprising a mixed bed of a salt-type strongly acidic cation exchange resin of an alkali metal or an alkaline earth metal, and Cl (chlorine)-type strongly basic anion exchange resin.例文帳に追加

アルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩形強酸性カチオン交換樹脂と、Ｃｌ（塩素）形強塩基性アニオン交換樹脂とを混床としたイオン交換樹脂層に被処理水を通水させる。 - 特許庁

The electrocatalyst layer contains a hydrogen ion-conducting carbon hydride-based high-polymer electrolyte having a total content of chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I) of 1×10^-6 mol/g or less, and an electrocatalyst.例文帳に追加

塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）の合計含有量が１×１０^−６ｍｏｌ／ｇ以下の水素イオン伝導型炭化水素系高分子電解質と、電極触媒とを含む電極触媒層。 - 特許庁

An apparatus for an ion trap includes: a semiconductor or insulation wafer with front and back surfaces; a sequence of alternating conductive and insulation layers formed over the front surface; and a bottom conductive layer.例文帳に追加

イオントラップ用の装置は、前面および背面を有する半導体または絶縁体ウェハと、前記前面を覆って形成された、導電層および絶縁層の交互のシーケンスと、下部導電層とを含む。 - 特許庁

The intermediate layer 6 principally comprising an ion capturing substance 61 capable of capturing metal ions, and an organic compound 62 where the number of unshared electron pairs having a function for transporting electrons is 1 or less.例文帳に追加

中間層６は、金属イオンを補足し得るイオン捕捉物質６１と、電子を輸送する機能を有する非共有電子対の数が１以下の有機化合物６２とを主材料として構成されている。 - 特許庁

Since the metal ion dopant is replaced at the metal position of the metal oxide in the resistive layer 22 and can couple with oxygen, even if is formed at a low temperature, it can have superior electrical characteristics.例文帳に追加

金属イオンドーパントは、抵抗層２２中の金属酸化物の金属位置に置換されて酸素と結合できるため、低温で形成されても優秀な電気的特性を有することができる。 - 特許庁

Nitride ion gas 18 generated by ionizing plasma is radiated to the surface of second nitride semiconductor layer 14 with a cathode for generating plasma fully away from a substrate to be processed.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層１４の表面に、プラズマを電離することにより生成した窒素イオンガス１８を、プラズマを発生させる陰極と被処理基板の距離を十分離して照射する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing popping of a layer altered by ion implantation when removing a resist film by ashing, and suppressing oxidation and a hollow of a semiconductor substrate.例文帳に追加

レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electrode plate for a lithium ion secondary battery capable of sufficiently ensuring adhesion between metal foil and a binder which is homogeneous within an active material layer by a necessary minimum amount of binder.例文帳に追加

必要最小量のバインダーにて、活物質層内のバインダーを均質であり、金属箔とバインダーの結着を十分に確保できるリチウムイオン２次電池用電極板の製造方法を提案すること。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery contains a substance having high energy capacity such as a single substance of lithium, a single substance or a compound of silicon or tin in a negative active material layer 1b as an active material.例文帳に追加

負極活物質層１ｂ中に活物質としてリチウムの単体、ケイ素やスズの単体及びその化合物などのエネルギー容量の大きな物質が含まれるリチウムイオン二次電池を作製する。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery is manufactured which contains materials with large energy capacity including elemental substances of silicon or tin and their compounds as active materials in a negative electrode active material layer forming a negative electrode.例文帳に追加

負極を構成する負極活物質層中に、活物質としてケイ素やスズの単体及びその化合物などのエネルギー容量の大きな物質が含まれているリチウムイオン二次電池を作製する。 - 特許庁

A sacrifice oxide layer is caused to grow on the surface of a semiconductor, a first subset of line elements is exposed to ion injection beams including dopant seeds, the first subset it doped, and its etching rate is varied.例文帳に追加

半導体表面上で犠牲酸化物層を成長させ、ライン要素の第１サブセットを、ドーパント種を含むイオン注入ビームに露出させて、この第１サブセットをドープし、そのエッチング速度を変化させる。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁

The metal surface is directly phase-transformed into a modified layer containing more ceramic particles with the ion beam implantation, or high-speed electron beam irradiation as the pretreatment, and the plasma processing as the main processing.例文帳に追加

イオンビーム注入、或いは、高速電子線照射を前処理とし、プラズマプロセッシングを主加工として、金属直面を直接的にセラミックス粒子を多く含む改質層に相変態させる加工法。 - 特許庁

In the process of a CMOS device, the total number of the pn junction and the non-doped region in the gate polysilicon film is reduced by ion implanting by using this NMIS gate implantation layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスのプロセスにおいて、このＮＭＩＳゲート注入レイヤを用いてイオン注入を行なうことにより、ゲートポリシリコン膜中におけるＰＮ接合部及びノンドープ領域の総数が低減される。 - 特許庁

The electrode-electrolyte film assembly is transformed so as to increase or decrease the thickness of the catalyst layer to be joined to an ion conductive electrolyte film in a fixed direction.例文帳に追加

電極−電解質膜接合体は、イオン伝導性電解質膜に接合される触媒層の厚みを、一定方向に向けて増大又は減少するように変化させたことを特徴とする。 - 特許庁

The graphitized carbon powder is used for an electrical double layer capacitor electrode material, a lithium ion secondary battery negative pole material, a highly heat conductive filler, a coating material, a material for powder metallurgy or the like.例文帳に追加

該炭素粉末および黒鉛粉末は電気二重層キャパシタ電極材料、リチウムイオン二次電池負極材料、高熱伝導性フィラー、塗料、粉末冶金用などに好適に用いられる。 - 特許庁

The solid oxide type fuel cell 1 comprises at least an anode 2, a cathode 3, and an electrolyte layer 4 which is arranged between the anode 2 and the cathode 3 and made of an ion conductive solid oxide.例文帳に追加

固体酸化物型燃料電池１は、アノード２と、カソード３と、アノード２とカソード３との間に配置されたイオン伝導性の固体酸化物からなる電解質層４と、を少なくとも有する。 - 特許庁

In application wherein electrolytic solution or ion solution is sent by the contacts, a protective layer having high thermal conductivity can be added to a conduction surface in order to prevent corrosion or short-circuiting of equipment.例文帳に追加

接点によって電解液またはイオン流体が送られるアプリケーションにおいて、装置の腐食または短絡を防止するために、高い熱伝導率の保護層を伝導表面に加えることができる。 - 特許庁

To provide a corrosion restraining method for a material used for electrochemical devices such as a lithium cell, a lithium ion cell, and an electric double-layer capacitor or the like using LiPF_6 as an electrolyte.例文帳に追加

ＬｉＰＦ_6を電解質として使用したリチウム電池、リチウムイオン電池、電気二重層キャパシタ等の非水電解液電気化学ディバイス用部材の腐食抑制方法及び電池を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a lithium ion secondary battery having an anode activator layer composed of a solid polymer electrolyte and anode activator, capable of restraining lowering of battery capacity at initial charging.例文帳に追加

固体高分子電解質と負極活物質とからなる負極活物質層を含み、初充電時の電池容量の低下を抑制することのできるリチウムイオン二次電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To restrain degradation of efficiency of a fuel cell caused by projection of fibers included in an electrode, in an electrode for a fuel cell jointed to an MEA having an ion-exchange membrane and a catalyst layer.例文帳に追加

イオン交換膜と触媒層とを有するＭＥＡに接合される燃料電池用の電極において、電極内部に含まれる繊維の突出による燃料電池の効率の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a composition which uses a sulfonic acid group inlet amorphous carbon to furthermore improve performance of a proton conduction film, a solid acid catalyst, an ion exchange membrane, a catalyst layer for fuel cell, or the like.例文帳に追加

スルホン酸基が導入された無定形炭素を使用したプロトン伝導膜、固体酸触媒、イオン交換膜、燃料電池用触媒層等をさらに性能向上させる組成物を提供すること。 - 特許庁

An ion detection plate 1 made of iron, a laminar insulating film 12, a plurality of permanent magnets 13, and a retention plate 4 made of iron are composed in a layer, and they are integrated by the attraction force of a magnet.例文帳に追加

鉄製のイオン検出板１、膜状の絶縁材１２、複数の永久磁石１３、鉄製の保持板４を層状に構成し、磁石の吸引力でこれらを一体構成とする。 - 特許庁

A catalyst layer 221 is formed of ion exchange resin particles 221a and a Pt/C221b consisting of platinum particles 2212 and porous carbon particles 2211 having a specific surface area of 300 m2/g or larger and being hydrophilic with electrolytic treatment.例文帳に追加

触媒層221を、イオン交換樹脂粒子221aと、白金粒子2212および比表面積が300m^2/g以上で且つ電解処理により親水化した多孔性カーボン粒子2211からなるPt/C221bとで構成する。 - 特許庁

Here, the ion-implantation is performed through the partitioning insulation film 105 and gate insulation film 103 using the first gate electrode element 104 as the mask to form an impurity region 111 to a semiconductor layer 102.例文帳に追加

第１ゲート電極要素１０４をマスクとして仕切絶縁膜１０５、ゲート絶縁膜１０３を通してイオン注入を行って、半導体層１０２に不純物領域１１１を形成する。 - 特許庁