「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

The cold insulation layer 30 has rigidity lower than that of the vessel main body 10, and a buffering function for protecting the vessel main body 10 from external impact shock.例文帳に追加

保冷層３０は、容器本体１０の剛性以下の剛性を有するとともに、外部の衝撃から容器本体１０を保護する緩衝機能を有する。 - 特許庁

An additional impurity is implanted into a portion of the shared contact plug 18a where the side wall insulation film is removed, to form an active layer 16.例文帳に追加

シェアードコンタクトプラグ１８ａの形成箇所のうち側壁絶縁膜が除去された部分に追加の不純物注入を行い活性層１６を形成する。 - 特許庁

A heat transmission protection layer 8 is disposed between an inner wall surface of the inserting hole of the outer protection tube 1 and an outer wall surface of a tip end 6k of the insulation tube 6.例文帳に追加

外側保護管１の挿入孔２の内壁面と絶縁管６の先端６ｋの外壁面との間には、伝熱保護層８が配置されている。 - 特許庁

The insulating resin layer is composed of the insulation resin having an acrylic acid monomeric unit or methacrylic acid monomeric unit, preferably, acrylic acid-styrene copolymer.例文帳に追加

絶縁性樹脂層は、アクリル酸モノマー単位又はメタクリル酸モノマー単位を有する絶縁性樹脂、好ましくは、アクリル酸・スチレン共重合体から構成される。 - 特許庁

A movable piece 22a constitutes a first bimetal element and a second bimetal element 24 is laminated on the second bimetal element 24 through an insulation layer 26.例文帳に追加

可動片２２ａは、第１のバイメタル要素を構成し、拡散抵抗層２５上には、絶縁層２６を介して第２のバイメタル要素２４が積層されている。 - 特許庁

With a gate electrode 4 and an element isolation insulation film 2 as a mask, boron ions 5 are implanted to form a high concentration ion implanted layer 6 for extension.例文帳に追加

ゲート電極４及び素子分離絶縁膜２をマスクとして、ボロンイオン５をイオン注入して、高濃度エクステンション用イオン注入層６を形成する。 - 特許庁

To reduce a dead space occurring around a semiconductor block in a semiconductor device provided with an insulation layer around the semiconductor device having a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を有する半導体ブロックの周囲に絶縁層が設けられた半導体装置において、半導体ブロックの周囲に生じるデッドスペースを少なくする。 - 特許庁

A reflection film (2), a light shielding film (13), a color layer (4), a protective film (6) and a transparent electrode (7) are successively formed on a substrate (1) having insulation properties.例文帳に追加

絶縁性を有する基板（１）上に、反射膜（２）、遮光膜（１３）、着色層（４）、保護膜（６）、透明電極（７）が順番に形成されている。 - 特許庁

The lower-layer insulation film is so formed above the semiconductor film as to extend from the respective channel regions to the respective source/drain regions along their upper sides.例文帳に追加

下層絶縁膜は半導体膜上において、チャネル領域上からソースおよびドレイン領域上にまで延在するように形成されている。 - 特許庁

A ferroelectric thick-film layer 12 whose thickness is nearly uniform and whose permittivity changes due to distortion is formed on the surface of an insulation rectangular plate 11.例文帳に追加

絶縁性の矩形板１１の表面に、厚さがほぼ一様で歪みにより誘電率が変化する強誘電体厚膜層１２を形成する。 - 特許庁

A second bimetal element 24 is laminated on a predetermined position between the valve element 23 and a peripheral portion 22c in the movable piece 22a through an insulation layer 26.例文帳に追加

可動片２２ａにおいて弁体２３と周部２２ｃとの間の所定部位上には、絶縁層２６を介して第２のバイメタル要素２４が積層されている。 - 特許庁

A dielectric thick layer is formed on the double insulation type substrate for the inorganic EL while the substrate for the inorganic EL is made of metal.例文帳に追加

誘電体厚膜が形成された２重絶縁層型の無機ＥＬ用基板であって、前記基板が金属である構成の無機ＥＬ用基板とした。 - 特許庁

A single-sided copper-clad laminate base 10 formed with a conductive layer 12 is formed by stacking copper foil on an insulation board 11 formed of polyimide film or the like.例文帳に追加

ポリイミドフィルム等からなる絶縁基板１１に銅箔を積層して導体層１２を形成した片面銅貼り積層基板１０を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor layer 108, which is the constituent an SOI wafer 102 of a semiconductor device 100, first and second insulation layers 110, 112 are formed.例文帳に追加

半導体装置１００のＳＯＩウェハ１０２を構成する半導体層１０８上に第１および第２絶縁膜１１０，１１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring board whereon wiring patterns with excellent dimensional precision can be formed without causing a step difference to an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層に段差を生じることなく、寸法精度に優れる配線パターンを形成することのできる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulation layer 100 for printed circuit substrates includes a glass fiber 103 manufactured using the glass composition, and a polymeric resin 102 having the glass fiber impregnated therewith.例文帳に追加

ガラス組成物を用いて製造されたガラス繊維１０３とガラス繊維が含浸された高分子樹脂１０２とを含む、印刷回路基板の絶縁層１００。 - 特許庁

The source and the drain are arranged as self-aligned with a gate electrode arranged through a gate insulation layer, and have a coplanar structure.例文帳に追加

ソース部位とドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなる構成をとることができる。 - 特許庁

To provide an insulation-coated electric wire which is provided with a semiconductive layer having an even thickness and smooth surface, and prevents partial discharge due to inverter surge.例文帳に追加

厚さが均一で滑らかな表面を有する半導電層を備え、インバータサージによる部分放電が発生しにくい絶縁被覆電線を提供する。 - 特許庁

The resin layer at an easily contactable part is formed thickly, thus ensuring the insulation properties between the segment 33 and the stator core 31.例文帳に追加

この点、接触しやすい部位における樹脂層を厚く形成することで、セグメント３３と固定子鉄心３１との間の絶縁性を確保することができる。 - 特許庁

This wire 3 has the element wire 1, and the insulation layer 2 covering the surface of the element wire 1 in a part in the lengthwise direction of the element wire 1.例文帳に追加

本発明に係るワイヤ３は、素線１と、素線１の長さ方向の一部において素線１の表面を覆う絶縁物質層２を有する。 - 特許庁

A current supply line which supplies an electric current to the upper electrode 30 and the auxiliary electrodes are made conductive with each other by forming a through hole in an insulation layer.例文帳に追加

上部電極３０に電流を供給するための電流供給線と補助電極とは絶縁膜にスルーホールを形成して導通をとる。 - 特許庁

To decrease parasitic capacitance between groove wirings by a simple method, by using a low-permittivity film with an Si-O base effectively as an inter-layer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜にＳｉ−Ｏベースの低誘電率膜が効果的に使用できようにし、簡便な方法で溝配線間の寄生容量を低減させる。 - 特許庁

A bottom insulation film 11a is formed thereon, and a semiconductor layer 11b made of a-Si is formed corresponding to the position of the bottom electrode.例文帳に追加

この上に、ボトムゲート絶縁膜１１ａが形成され、ボトムゲート電極の位置に対応してａ−Ｓｉからなる半導体層１１ｂが形成される。 - 特許庁

After an electric field control electrode 122, a gate electrode 123 and an insulation layer 124 are formed on a glass substrate 121, the electron passing holes 125 are formed.例文帳に追加

ガラス基板１２１上に電界制御電極１２２、ゲート電極１２３および絶縁層１２４を形成した後に、電子通過孔１２５を形成する。 - 特許庁

The array substrate 12 includes a plurality of pixel electrodes 29 that are driven by the thin film transistors 24 at a position of the insulation layer 21 that is opposite to the thin film transistors 24.例文帳に追加

アレイ基板12は、絶縁層21に対して各薄膜トランジスタ24と反対側の位置に、各薄膜トランジスタ24により駆動する複数の画素電極29を備える。 - 特許庁

To provide an insulation film having an adhesive layer containing neither a halogen nor a phosphorous compound and excellent in flame retardance though inexpensive and a flat cable obtained using the same.例文帳に追加

廉価でありながら、ハロゲンもリン系化合物も含有せず、かつ難燃性に優れた接着層付き絶縁フィルム及びそれを用いたフラットケーブルを提供する。 - 特許庁

The transmission cable has a plurality of signal wires 2 formed on one side of an insulation layer 1 and the ground wire 3 formed between the signal wires 2.例文帳に追加

伝送ケーブルは、絶縁層１の片側に複数の信号線２が形成されるとともに、これら信号線２の間にグラウンド線３が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electronic component which can prevent oxidization of an electrode layer formed on the outer surface of an elemental body and deterioration in the insulation resistance.例文帳に追加

素体の外表面に形成される電極層の酸化及び絶縁抵抗の劣化を防止することが可能な電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The isolation insulating film is formed, which isolates a silicon layer of an SOI substrate into multiple active regions, to form a gate electrode through a gate insulation film.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン層を複数の活性領域に分離する分離絶縁膜を形成して、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

This method is a regenerating method of a semiconductor wafer having a surface coating layer containing a metal film and an insulation film.例文帳に追加

金属膜と絶縁膜を含む表面被膜層を有する半導体ウエハ基板を再生する方法で、下記工程を含むところに特徴を有している。 - 特許庁

The protruding portions of the spacer act to space the interior surfaces of the outer shell away from the spar to provide a thermal insulation layer of cooling air.例文帳に追加

前記スペーサ上の前記突出部分は前記外殻の内面を前記スパーから離間させて、冷却空気の熱絶縁層が構成されるように作用する。 - 特許庁

A nonwoven fabric having the sufficiently cured film is impregnated with an epoxy resin and the nonwoven fabric is heat/pressure molded to provide a laminated sheet or an insulation layer of a printed circuit board.例文帳に追加

その十分に硬化した皮膜を有する不織布にエポキシ樹脂を含浸し、加熱加圧成形して積層板ないしはプリント配線板の絶縁層とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a resistor 25 made of a titanium nitride (TiN) film is directly connected with wiring layers 28 and 29 on an insulation layer 26.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、チタンナイトライド（ＴｉＮ）膜から成る抵抗体２５が、絶縁層２６上で、直接、配線層２８、２９と接続している。 - 特許庁

A plurality of collector electrodes 12 each having active layers 11 on both surfaces are stacked between the flat terminals 10A and 10B through an insulation layer 14.例文帳に追加

平板状端子１０Ａ及び１０Ｂの間には、両面に活性層１１を有する複数の集電電極１２が絶縁層１４を介して積層される。 - 特許庁

The manufacturing method is for obtaining a core for a coaxial cable having an internal conductor and an insulation coating layer provided at an outer periphery of the internal conductor.例文帳に追加

製造方法は、内部導体と、前記内部導体の外周に設けられた絶縁被覆層とを有する同軸ケーブル用コア体を得るものである。 - 特許庁

Further, each cell placement area 115 containing the exposed face of the each electrode area 111 is surrounded by the insulation layer 90.例文帳に追加

そして、各電極領域１１１の露出面をそれぞれ含む各細胞配置領域１１５は、それぞれ、絶縁層９０によって周囲を囲まれる。 - 特許庁

The coaxial wire harness is constituted by arranging a plurality of coaxial cables including core wire 11 and an insulation layer which covers the outer periphery of the core wire 11.例文帳に追加

この同軸線ハーネスは、芯線１１とこの芯線１１の外周を被覆する絶縁層とを含む同軸ケーブルが複数に並べられて構成されている。 - 特許庁

A semiconductor element provided on a semiconductor device has a gate electrode 8 and a source electrode 151 which are surrounded by an insulation layer 121.例文帳に追加

半導体装置に設置される半導体素子は、ゲート電極８及びソース電極１５１を有し、各電極は絶縁層１２１によって囲まれている。 - 特許庁

The heat conduction board 1 is formed by laminating an insulation layer 2 comprising a hardened resin composition containing an inorganic filer and an epoxy resin, and a lead frame 3.例文帳に追加

無機フィラーとエポキシ樹脂を含む樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層２とリードフレーム３とを積層成形してなる熱伝導基板１である。 - 特許庁

A wiring layer MH1 is embedded at the same level as the insulation film 4 in the contact portion on the source/drain area 2 at the exposed central part.例文帳に追加

露出された中央部のソース／ドレイン領域２上のコンタクト部分には、配線層ＭＨ１が絶縁膜４と同じ高さに埋め込まれている。 - 特許庁

A pair of recess grooves 11, 11 are formed along a whole circumference of an outer surface 8 of an outer ring 3, and an insulation layer 7a made from predetermined ceramics is formed.例文帳に追加

外輪の３の外周面８に全周に亙って１対の凹溝１１、１１を設けると共に、所定のセラミックス製の絶縁層７ａを形成する。 - 特許庁

The heat insulation material layer 13 is formed by sticking rock wool, ceramic fibers, or the like, molded planarly to the inside of a second metal pipe 15.例文帳に追加

断熱材質層１３は、板状に成型したロックウールやセラミックファイバー等を、第２金属製管体１５の内側に貼り付けることで形成した。 - 特許庁

The insulated wire 11 protruded from an end of a sheath 12 of the cap tire cord 2 has a conductive wire 11a protruded from an end of the insulation layer.例文帳に追加

キャプタイヤコード２のシース１２の端から突出した絶縁電線１１は、その絶縁層の端から突出した導電線１１ａを有する。 - 特許庁

To provide a potassium niobate deposited body where a thin polycrystal or single crystal potassium niobate layer is formed on an insulation board, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁体基板上に多結晶または単結晶の薄いニオブ酸カリウム層が形成されたニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the recess region, a gate electrode 5, a gate insulation film 6, and a semiconductor channel layer 7 are formed sequentially upward from the bottom face of the recess.例文帳に追加

このときの凹部領域は、凹部底面からその上方に向かって、ゲート電極５、ゲート絶縁膜６、半導体チャネル層７の順で積層される。 - 特許庁