「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

The method is used for producing the metal glass formed body composed of: a metal glass; an insulation film composed of an inorganic oxide covering the metal glass; and a mutual diffusion layer present on the grain boundary between the metal glass and the insulation film.例文帳に追加

金属ガラスと、前記金属ガラスを覆う無機酸化物からなる絶縁皮膜と、前記金属ガラス及び前記絶縁皮膜の界面に存在する相互拡散層と、からなる金属ガラス成形体の製造方法である。 - 特許庁

Tubular surface parts 19a, 19a at the opposite ends of a reinforcing insulation layer 13a constituting an insulation block 9a can be applied tightly to the outer circumferential surface of the insulators 5, 5 of power cables 1, 1 before being crosslinked by heating.例文帳に追加

絶縁ブロック９ａを構成する補強絶縁層１３ａの両端部の円筒面部１９ａ、１９ａを、加熱して架橋する以前の状態で、電力ケーブル１、１の絶縁体５、５の外周面に密着自在とする。 - 特許庁

To solve a problem that, when an integrated circuit having an interlayer insulation film built up on top of a wiring layer is subjected to heat treatment, it is possible that the interlayer insulation film will rupture in a portion wherein a narrow gap section between wirings and a wide opening section contiguous therewith are connected.例文帳に追加

配線層の上に層間絶縁膜を堆積した集積回路において熱処理を施すと、配線間の狭い間隙部と、これにつながる広い開口部との接続部分にて、層間絶縁膜の破裂が起こり得る。 - 特許庁

An individual magnetic powder 11 is a compound magnetic substance formed of a soft magnetic metal phase 12 composed of flat-like soft magnetic metal powder and an insulation layer 13 comprising an insulation film with the soft magnetic metal phase 12 surfaced.例文帳に追加

個々の磁性粉末１１は、扁平状軟磁性金属粉からなる軟磁性金属相１２と、軟磁性金属相１２の表面形成された絶縁膜からなる絶縁相１３とから形成される、複合磁性体とした。 - 特許庁

To improve an electric charge retaining property by suppressing deterioration of a cell property caused by electron detrapping which becomes a problem when a high dielectric constant insulation film is used as an insulation film between electrodes of a nonvolatile memory cell transistor having two-layer gate structure.例文帳に追加

二層ゲート構造を有する不揮発性メモリセルトランジスタの電極間絶縁膜として高誘電率絶縁膜を用いた場合に問題となる電子のデトラップによるセル特性の劣化を抑制し、電荷保持特性を改善する。 - 特許庁

A tunnel insulation film 30t, a charge storage layer CS1, a block insulation film 50 and a gate electrode 60 are sequentially formed between a first source-drain region 21 and a second source-drain region 22 on a semiconductor substrate 20.例文帳に追加

トンネル絶縁膜３０ｔ、電荷蓄積層ＣＳ１、ブロック絶縁膜５０およびゲート電極６０は、半導体基板２０の上において第１のソース・ドレイン領域２１および第２のソース・ドレイン領域２２の間に順に設けられている。 - 特許庁

The coaxial cable 5 comprises a central conductor applied with at least three layers of insulation coating 2a-2c, a plurality of external conductors 3a which are applied with insulation coating (3b) and are located around the coaxial cable, being transversely wound around it, and a protection layer 4.例文帳に追加

同軸ケーブル５は、少なくとも三層２ａ〜２ｃで絶縁被覆された中心導体と、その同軸ケーブルの外周に配置され横巻きされた複数の絶縁被覆（３ｂ）された外部導体３ａと、保護層４からなる。 - 特許庁

The thin-film head section 1b is composed of an insulation layer 150, a heater 4, an electromagnetic shield 50, a reproducing element 2, a recording element 3, insulation layers 152 separating them, and a protective film 154 covering all of them, all formed in this order from the side of the slider 1a.例文帳に追加

薄膜ヘッド部１ｂはスライダ１ａ側から絶縁膜１５０、ヒータ４、電磁シールド５０、再生素子２、記録素子３、これらを隔てる絶縁膜１５２、これら全体を覆う保護膜１５４が積層されて構成されている。 - 特許庁

An organic insulation material functioning as a laser removal layer, preferably the organic insulation material used when manufacturing an organic EL panel, is formed on a terminal formed when forming an organic EL element or a TFT for driving it.例文帳に追加

有機ＥＬ素子又はその駆動のためのＴＦＴの形成時に形成した端子の上に、レーザ除去層として機能する有機絶縁材料、好ましくは有機ＥＬパネル製造時に用いる有機絶縁材料を形成する。 - 特許庁

A second interlayer insulation film is formed on the first interlayer insulation film where the barrier metal layer is formed, a second contact hole is formed at the upper part of the barrier metal film of the film, and a plug is formed there through selective CVD.例文帳に追加

そのバリヤ金属層を形成させた第１層間絶縁膜の上に第２層間絶縁膜を形成させ、その膜のバリヤ金属層の上側の部分に第２コンタクトホールを形成させ、そこに選択的ＣＶＤでプラグを形成させる。 - 特許庁

A protective film having a sufficient film quality can be attained by forming an insulation film in the hole of the porous layer using a mixture gas plasma of a rare gas generated through microwave stimulation and an insulation film forming gas.例文帳に追加

多孔質層内の孔内に、マイクロ波励起により発生させられた希ガスと絶縁膜形成ガスの混合ガスプラズマを用いて形成した絶縁膜を形成することにより、保護膜として十分な膜質を得ることができた。 - 特許庁

A semiconductor device has W via plugs 106 filled in vias 105 which pierces a second layer insulation film 104, an Al alloy upper wiring 103, a first insulation film 102 and an Al alloy lower wiring 101.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０４，Ａｌ合金上層配線１０３，第１の層間絶縁膜１０２及びＡｌ合金下層配線１０１を貫通するヴィアホール１０５にＷヴィアプラグ１０６が埋め込み形成されている。 - 特許庁

To provide a water-cooled heat insulation structure of an induction heating furnace in which the temperature of an induction heating coil is made to be kept in a low-temperature as far as possible by installing a water-cooled heat insulation layer between an electromagnetic induction heating furnace and the induction heating coil.例文帳に追加

電磁誘導加熱炉と誘導加熱コイルとの間に水冷却断熱層を設け、誘導加熱コイル温度を可及的に低温に保つことを可能にした誘導加熱炉の水冷断熱構造を提供する。 - 特許庁

Following deposition of a first interlayer insulation film on a semiconductor substrate on which a first conductive pattern has been formed, an etching block layer pattern having an etching selection ratio to the first interlayer insulation film is formed partially only in a specified region.例文帳に追加

第１導電パターンが形成された半導体基板に第１層間絶縁膜を蒸着した後、第１層間絶縁膜とエッチング選択比を持つエッチング阻止層パターンを特定の領域に限って部分的に形成する。 - 特許庁

The metal block 3 and the insulation substrate 4 are provided for each insulated power element 1, and the metal layer 5 of the insulation substrate 4 is bonded by a bonding material 10 to one face of the metal block 3 which is on the opposite side from the power element 1.例文帳に追加

金属ブロック３及び絶縁基板４は、パワー素子１の絶縁単位ごとに設けられており、絶縁基板４の金属層５は金属ブロック３のパワー素子１と反対側の面に接合材１０で接合されている。 - 特許庁

On an interlayer insulation film 121 of an underlying metallization layer (not shown), a capacitor element C1 is formed of a capacitor insulation film 14 and an overlying metal pattern 15 in a specified region on a specified metallization metal 13.例文帳に追加

直下のメタル配線層（図示せず）の層間絶縁膜１２１上において、所定の配線層メタル１３上の所定領域にキャパシタ絶縁膜１４及びその上のメタルパターン１５とで構成される容量素子Ｃ１を有する。 - 特許庁

The external connector 111 is mounted on the circuit board 301, and has an insulation housing 305 and the shield case 304 exposed to the outer periphery of the insulation housing 305 and electrically connected to a ground layer of the circuit board 301.例文帳に追加

外部コネクタ１１１は、回路基板３０１に実装され、絶縁ハウジング３０５と、絶縁ハウジング３０５の外周に露出するとともに回路基板３０１のグランド層と電気的に接続するシールドケース３０４とを有する。 - 特許庁

The multilayer printed board has conductor circuits and layer insulation resin layers stacked one above the other on a board, the conductor circuits being connected by vias, and the insulation resin layers are made of a thermoplastic elastomer resin.例文帳に追加

基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、これら導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板において、前記樹脂絶縁層は、熱可塑性エラストマー樹脂からなることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: an insulation film 154 formed on a substrate (not shown); and a MIM capacitor 200 including first and second electrodes formed in the same layer and oppositely disposed via the insulation film 154.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された絶縁膜１５４、同層に形成されるとともに、絶縁膜１５４を介して対向配置された第１の電極および第２の電極、を有するＭＩＭキャパシタ２００とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor substrate 2; a diffusion layer 4 provided in the semiconductor substrate; a gate insulation film 12 provided on the semiconductor substrate; a gate electrode 14 provided on the gate insulation film; and a Ni silicide layer 8 selectively provided on the diffusion layer, wherein a metal cap film 18 having Co as a main component is selectively provided on the Ni silicide layer 8.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板２と、半導体基板内に設けられた拡散層４と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１４と、拡散層上に選択的に設けられたＮｉシリサイド層８と、を含み、Ｎｉシリサイド層８上にはＣｏを主成分とするメタルキャップ膜１８が選択的に設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing the multilayer circuit board comprises the step of electrically connecting wiring layers via an insulating layer by a conductive metal post passing through an insulating layer formed by electric plating instead of a constitution, in which an opening passing through front and rear surfaces of a resin for forming an insulation layer is copper plated so that the wiring layers are electrically connected via the insulation layer in a conventional multilayer circuit board.例文帳に追加

従来の多層配線基板において、絶縁層を形成する樹脂の表裏を貫通する開口部に銅メッキを施すことによって絶縁層を介した配線層同士の電気的な接続を行っていた構成に替えて、電気メッキで形成した絶縁層を貫通する導電性の金属柱によって、絶縁層を介した配線層同士の電気的な接続を行うようにして課題を解決した。 - 特許庁

When heating the multilayer wiring board 10 for connecting conductor bumps formed on electrodes of a semiconductor chip to a conductor pad 92 exposed in a through-hole 40 formed in the insulation layer 80 in the uppermost layer, the expanded air remaining in the inside space of the vacant conductor via hole 50 is released outside, through the through-hole 70 formed in the insulation layer 80 in the uppermost layer.例文帳に追加

そして、半導体チップの電極に形成された導体バンプを最上層の絶縁層８０に設けられた透孔４０に露出した導体パッド９２に接続等するために、多層配線基板１０を加熱した際に、導体ビア５０の空の状態の内側空間に存在する加熱されて膨張した空気を、最上層の絶縁層８０に設けられた貫通穴７０を通して、外気中に逃がす。 - 特許庁

To provide a three-layer insulation structure for agricultural greenhouses which is excellent in workability and formed by stretching out film in three layers to make double insulation space so as to be largely improved in insulation effect and thereby save energy, so that farm crops can be cultivated not only in summer but also in winter.例文帳に追加

施工性に優れて、フイルムを３層に張り渡して二重の断熱空間部を形成することにより、断熱効果を大幅に向上させて省エネルギー化を図り、夏期のみならず冬期においても作物を栽培することができる農業用ハウスの３層断熱構造を提供するものである。 - 特許庁

On the first inter-layer insulation film 112, a capacitor lower electrode 115 connected to the first plug 113, a capacity insulation film 118 composed of the ferroelectric film, and a capacity upper electrode 119 extended to the outer side of the capacity insulation film 118 and electrically connected to the second plug 114 are successively formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１１２の上に、第１のプラグ１１３と接続する容量下部電極１１５、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜１１８、及び容量絶縁膜１１８の外側まで延び且つ第２のプラグ１１４と電気的に接続する容量上部電極１１９を順次形成する。 - 特許庁

A first element isolating insulation film is provided which is buried in an element isolation groove provided on the semiconductor substrate, and the bottom face of which is lower than the height of a face at which the semiconductor substrate and the tunnel insulation film are contacted and the top face of which is lower than the height of a face at which the charge storage layer and the block insulation film are contacted.例文帳に追加

前記半導体基板に設けられた素子分離溝部に埋め込まれ、底面が前記半導体基板と前記トンネル絶縁膜の接する面の高さよりも低く、かつ上面が前記電荷蓄積層および前記ブロック絶縁膜の接する面の高さよりも低い第１の素子分離絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

In a peripheral circuit region B (other than a memory cell region A, in which several memory cells having the transistor 3 and capacitor 8 are included), a second insulation layer 9, which is formed at the same time as the columnar insulation member 8a of the capacitor 8 and is identical with the columnar insulation member 8a which are equal in height and material, is provided.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ３とキャパシタ８とを有するメモリセルを複数含むメモリセル領域Ａ以外の周辺回路領域Ｂには、第１絶縁層５上に、キャパシタ８の柱状絶縁部材８ａと同時に形成され同等の高さを持ち同一の絶縁材料からなる第２絶縁層９が設けられている。 - 特許庁

In the blowing method, prior to blowing, one or more sedimentation preventing members 11 are laid in a blowing scheduled insulation space in wall insulation of a building structure to divide a blowing scheduled insulation layer to prevent sedimentation, net swelling and the avalanche phenomenon thereby, whereby a high-level super-insulated wall structure is built.例文帳に追加

建築構造物の壁断熱に於ける吹込み予定断熱空間に１以上の沈降防止部材１１を張設、吹込み予定断熱層を分割形成してからブローイング施工を行い、沈降、ネット膨らみ、それによる雪崩現象を防止することにより高度な高断熱壁構造を構築するブローイング工法。 - 特許庁

Pressure is applied under the non-cured condition of the insulation resin until the surfaces of a pressing member 9 reaches the thickness control spacers 7 and a curing treatment is applied while retaining the pressed condition of the insulation resin at the position whereby the insulation resin layer 5, having a flat surface 5a and whose thickness is uniform as a whole, is formed.例文帳に追加

絶縁樹脂の未硬化状態で押圧部材９の押圧面が厚み制御スペーサ７に達するまで押圧操作するとともにこの位置で絶縁樹脂の押圧状態を保持して硬化処理を施すことにより、全体に厚みが均一で平坦な表面５ａを有する絶縁樹脂層５が形成される。 - 特許庁

To manufacture a carbon fiber heat insulation material in which the heat insulation performance is improved, the thin-wall formation of a heat insulation layer can be realized, a simple manufacturing method is applied inexpensively to the material and damages to the material are scarce, its life can be prolonged, handling properties and self-supporting properties are superior and the scattering of carbon fiber powder is not generated.例文帳に追加

高温熱処理用断熱材につき、断熱性能をより向上させ、断熱層の薄肉化に資することができ、また簡易な製法で安価に製造可能でかつ損傷が少なく、寿命延長ができ、ハンドリング性や自立性にすぐれ、炭素繊維粉の飛散も生じない炭素繊維断熱材を提供する。 - 特許庁

A thermal insulation part 30 capable of forming a gas layer by having a plurality of cylindrical body parts 31, is arranged on the shroud inner surface part 26 side of the stator vane 15.例文帳に追加

静翼１５のシュラウド内面部２６側に、複数の筒体部３１を有することにより気体層を形成可能な断熱部３０を設ける。 - 特許庁

In particular, the gap may be formed by removing a portion of the insulation layer with an etch that does not affect the surface of the substrate underlying the gap.例文帳に追加

特にギャップは絶縁層の一部分をギャップの下の基板の表面に影響を与えないエッチングで除去することによって形成され得る。 - 特許庁

The thermal insulation layer is disposed on one of the first surface and the second surface and is composed of an inorganic material, a thermal activation material, and a binder.例文帳に追加

断熱層は、第１表面および第２表面のうちの１つの上に配置され、無機材料、熱活性化材料およびバインダで構成される。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a light emission element which can easily form an insulation layer of a predetermined form irrespective of a quality of a material of a substrate.例文帳に追加

基板の材質等にかかわりなく容易に所定形状の絶縁層を形成することができる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat dissipation sheet S2 is provided with insulation coating layers 12 made of polyimide or the like on the front and reverse sides of a heat conductive layer 11 made of a metallic material such as a copper foil.例文帳に追加

銅箔等の金属材料からなる熱伝導層１１の表裏面にポリイミド等の絶縁被覆層１２を設けた放熱シートＳ２である。 - 特許庁

To provide an ignition device for an internal combustion engine capable of preventing a stress generated when insulation mold resin expands and shrinks from acting directly on a protection resin layer covering an electronic part.例文帳に追加

絶縁モールド樹脂の膨張，収縮時の応力が、電子部品を覆っている保護樹脂層に直接作用しない内燃機関用点火装置を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element whereby the adhesiveness between a recording layer and an insulation film is sufficiently ensured and a desired resistance ratio is obtained between the set state and the reset state.例文帳に追加

記録層と絶縁膜との間の十分な接着性を確保しつつ、セット状態とリセット状態との間で所望の抵抗比を得る。 - 特許庁

The insulation layer 30 other than connection parts of the fixing part 12 to the base part 21 and the fixing part 13 to the weight part 23 is removed.例文帳に追加

そして、周辺固定部１２と台座部２１、及び錘固定部１３と錘部２３の接続箇所以外の絶縁層３０をエッチングで除去する。 - 特許庁

The electrophoretic process allows formation of a sufficiently thick enamel protection layer, which is excellent in the electric insulation and water resistance.例文帳に追加

電気泳動法で形成するので、厚みの充分厚いホーロー保護層を形成することができ、電気絶縁性、耐水性に優れた保護層が得られる。 - 特許庁

The second conductor pattern 12 has slits 22 allowing the second conductor pattern 12 to extend and contract by following thermal expansion of the insulation layer 10.例文帳に追加

第２の導体パターン１２は、絶縁層１０の熱膨張に追従して第２の導体パターン１２が伸縮することを許容するスリット２２を有している。 - 特許庁

The intervention of the adhesive sheet 2 made of the material of the high electrical insulation eliminates the object to be measured from conducting with a conducting element such as a conducting layer.例文帳に追加

電気絶縁性の高い素材の粘着シート２を介在しているので、被測定物の導電膜等の導電性要素と導通することがない。 - 特許庁

To provide a resist residues removing method without deterioration of a semiconductor device as recesses on the layer insulation films, spread connection holes or roughed wirings, etc.例文帳に追加

層間絶縁膜のリセスや接続孔の拡がりないし配線荒れなどの半導体装置の劣化のないレジスト残渣の除去方法を提供するものである。 - 特許庁

An electrically nonconduct insulation layer 12 is formed in at least a part of the screw body 3 contacting with the exterior material 1 and the substrate material 2.例文帳に追加

ねじ本体３のうち少なくとも外装材１及び下地材２と接触する部分に、電気的に導通しない絶縁層１２を形成する。 - 特許庁

This cable is composed by coating a conductor formed by collecting metal element wires with a plastic insulation layer, and is provided with a chemical injecting passage at the conductor center part.例文帳に追加

金属素線を集合した導体をプラスチック絶縁層で被覆したケーブルであって、導体中央部に薬剤注入用通路を設けたケーブル。 - 特許庁

An insulation film 116 filling space between metal patterns to flatten its top surface, and a step is executed such that a passivation layer 112 is laminated thereon and selectively etched to expose bonding pads.例文帳に追加

次いで、メタルパターン間を充填する絶縁膜１１６を積層してその上面を平坦化してから、この上にパッシベーション層１１２を積層する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell module that can secure electric insulation between the metal layer of a rear-side protective material and a take-out wiring material.例文帳に追加

裏面側保護材の金属層と取出し配線材との電気的絶縁性を確保可能な太陽電池モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁