「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an oiltight power apparatus capable of installing an oil controller at low cost and with ease by eliminating use of a valve of an oil conduit for connecting a container of the oiltight power apparatus with the oil controller and preventing plastic deposit on a top layer of insulation oil charged into the container from invading into the oil controller.例文帳に追加

油密式電力機器の容器と油量調整装置とを接続する油導管のバルブが不要となり、油量調整装置を低コスト、かつ容易に取り付けることができ、容器内に充填されている絶縁油の上層にあるプラスチックの析出物が油量調整装置に侵入することを防ぐことができる油密式電力機器を提供する。 - 特許庁

One layer of armature winding is composed of a subwinding divided into at least two layers in the longitudinal direction wherein each subwinding is dislocated independently and connected with the armature winding in other slot by at least two kinds of connection method while sustaining insulation of the subwinding at the end of the armature winding, and the subwinding constitutes a parallel circuit by the armature winding in a plurality of slots.例文帳に追加

１層の電機子巻線を縦方向に少なくとも２層に分けた副巻線で構成し、副巻線はそれぞれ独立に転位が施され、電機子巻線端部で副巻線の絶縁を保持したまま別のスロットの電機子巻線に少なくとも２種類以上の接続方法で接続されるとともに、副巻線は複数スロットの電機子巻線で並列回路を構成する。 - 特許庁

To obtain a high dielectric constant rubber composition low in degradation in electrical characteristics such as dielectric loss tangent, dielectric breakdown voltage, and insulation resistance despite its high dielectric constant of twenty or more, high in processability and mechanical characteristics, and fusible for integration with an ethylene propylene rubber or silicone rubber, and to obtain a cable part comprising the composition used as an electric field relaxation layer or the like.例文帳に追加

２０以上の高誘電率を有するにもかかわらず、誘電正接、絶縁破壊電圧、絶縁抵抗等の電気特性の低下が少なく、加工性、機械特性がよく、エチレン・プロピレンゴム、シリコーンゴムとの融着一体化が可能な高誘電率ゴム組成物を得ること、またこの高誘電率ゴム組成物からなる電界緩和層などとして用いられるケーブル用部品を得ることにある。 - 特許庁

The polysilicon film formed like an island as a semiconductor layer 1a constituting a TFT 30 as a switching element is heated by means of a sheet-fed semiconductor manufacturing device using a resistance-heating-type heater as a heat source under temperature conditions for releasing film stress occurring in oxidative reaction on the surface of the polysilicon film to form a gate insulation film 2 made of the silicon oxide film.例文帳に追加

スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

In particular, such substrate is impregnated or coated with a mixture of a peroxo-containing ceramic precursor and a colloidal conductive ultramicroparticle solution, and the ceramic precursor is crystallized to obtain an insulation structure in which the substrate has a volume resistivity of 10^8 to 10^12 Ωcm and the formed surface resistance layer has a surface resistivity of 10^7 to 10^11 Ω/square.例文帳に追加

即ち、基板にペルオキソ基を持つセラミックス前駆体とコロイド状の導電性超微粒子溶液の混合物を含浸または塗布し、前記セラミックス前駆体を結晶化させて、前記基板の体積比抵抗が１０^８〜１０^１２Ω・ｃｍであると共に表面比抵抗が１０^７〜１０^１１Ω／□である表面抵抗層を形成したことを特徴とする絶縁構造体である。 - 特許庁

A cavity 24 is formed only in a region located between the gate electrode 14 and the contact plug 22 within the side of the gate electrode 14, and the stress insulation layer 23 is formed on a semiconductor substrate 10 to cover the gate electrode 14, and generates stress to a channel region located immediately below the gate electrode 14 in the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ゲート電極１４の側方のうちゲート電極１４とコンタクトプラグ２２との間に位置する領域のみに空洞２４が形成されており、応力絶縁膜２３は半導体基板１０上にゲート電極１４を覆うように形成されており、半導体基板１０におけるゲート電極１４の直下に位置するチャネル領域に対して応力を生じさせる。 - 特許庁

The hydrogen gas generating device 1 for generating hydrogen to be supplied to a fuel cell comprises a hydrogen generation part B generating hydrogen by a chemical reaction, a film heater 14 for promoting the chemical reaction, adjacently arranged to the hydrogen generation part B, and a case A for enclosing the hydrogen generation part B and the film heater 14 therein through a vacuum heat insulation layer C.例文帳に追加

燃料電池に供給する水素ガスを発生させるための水素ガス発生装置１であって、化学反応により水素ガスを発生する水素発生部Ｂと、この水素発生部Ｂに隣接配置され、化学反応を促進させるためのフィルムヒーター１４と、水素発生部Ｂとフィルムヒーター１４とを真空断熱層Ｃを介して内部に封入するための筐体部Ａとを備えた。 - 特許庁

In a polishing process of the sintering body 4, the pH value of polishing liquid containing a polishing material is controller to be within a range of 4 to 11 for polishing, thus preventing interlayer from peeling between the internal electrode 2 and the ceramic layer 3, generation of cracks or the like, and insulation and appearance failures, when the sintering body 4 is polished for forming external electrodes 5 and 6.例文帳に追加

焼結体４の研磨工程において、研磨材を含んだ研磨液のｐＨ値を４〜１１の範囲で制御して研磨を行う構成としたものであり、これにより、焼結体４を研磨した後、外部電極５、６を形成する際に内部電極２とセラミック層３との層間剥離やクラック等の発生を防止し、絶縁不良や外観不良を防止できる。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition consisting of a thermosetting resin composition having excellent low-temperature adhesivity and, nevertheless, giving a cured material softenable/meltable with heat or soluble in solvents to enable the recycling of the composition and having excellent heat-resistance, cracking resistance, adhesive strength, etc., and provide its cured material and a printed circuit board having a resin insulation layer made of the composition.例文帳に追加

低温接着性に優れた熱硬化性樹脂組成物でありながらその硬化物は加熱によって軟化・溶融、又は溶剤に溶解させることができてリサイクル可能であり、しかも耐熱性、耐クラック性、接着強度等の特性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物、その硬化物及びそれによって樹脂絶縁層を形成したプリント配線基板を提供する。 - 特許庁

Related to a stator core for an electromagnetic actuator comprising a housing groove 24 for housing an electromagnetic coil on one end surface, a structure wherein a plurality of magnetic layers 21 are laminated in the axial direction of center axis of the stator core while insulated from each other is provided, with the magnetic layer 21 comprising an insulation region 25 extending in radial direction of the stator core.例文帳に追加

一方の端面に電磁コイルを収納するための収納溝２４を有する電磁アクチュエータ用ステータコアにおいて、ステータコア７は、複数の磁性層２１を、磁性層２１間を互いに絶縁した状態で、ステータコアの中心軸の軸線方向に積層した構造を有しており、上記磁性層２１は、ステータコアの径方向に延在する絶縁領域２５を有する電磁アクチュエータ用ステータコア - 特許庁

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon.例文帳に追加

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

By attaining a structure for which a third electrode formed in an area, where the photoelectric conversion layer is not formed on the supporting substrate or in the area where the photoelectric conversion layer is not formed on the insulation layer is connected to the second electrode, the electrical resistance of the surface opposite to the incident light is reduced, and the crystal system solar battery of high efficiency and the large area is obtained.例文帳に追加

セラミックや金属等の支持基板上に絶縁層が形成され、その絶縁層上に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層が設けられ、入射光により発生したキャリアを取り出すために、光電変換層の入射光面倒に第1の電極が、その反対の絶縁層側の面に第2の電極が形成された太陽電池において、支持基板上の光電変換層が形成されていない領域または絶縁層上の光電変換層が形成されていない領域に形成された第3の電極が前記第2の電極に接続されている構造とすることにより、入射光と反対の面の電気抵抗を低減し、高効率で大面積の結晶系太陽電池を得る。 - 特許庁

The rotating electric machine has a stator 4 in which a plurality of dual layer wound coils 413 having a substantially square cross sectional surface and continuing via a jumper wire are incorporated, and a rotor rotatably provided via a gap on the stator 4, wherein a slot 411 of the stator 4 is provided with an inclination 120 extending outwardly from the coils 413 and an insertion portion of an insulation sheet 91.例文帳に追加

コイル素線の断面が略四角形で、渡り線を介して連続した複数の二層巻の重ね巻のコイル４１３が組み込まれた固定子４と、固定子４にギャップを介して回転可能に設けられた回転子とを有する回転電機であって、固定子４のスロット４１１は、コイル４１３及び絶縁紙９１の挿入部よりも内周側に外広がりの傾斜１２０が設けられている。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of applying SOG(spin-on glass) much containing hydrogen to form a layer insulation film filling gaps between gate electrodes, a step of firstly baking at a first temperature in nitrogen atmosphere, a step of forming contact holes, and a step of secondly baking at a second temperature higher than the first temperature in nitrogen atmosphere or dilute steam after forming the contact holes.例文帳に追加

ゲート電極間を埋め込む層間絶縁膜として、水素を多量に含むＳＯＧ(Spin-on Glass)を塗布する工程と、窒素雰囲気中で第１の温度にて第１の焼成を行う工程と、コンタクトホールを形成する工程と、該コンタクトホール形成後に、窒素雰囲気中もしくは希釈スチーム中で前記第１の温度よりも高温である第２の温度にて第２の焼成を行う工程と、を含む。 - 特許庁

Particularly, the insulation coating layer is formed by being protrusively dotted on a surface of the upper substrate or the lower substrate on the side laminated and stuck on the inter-substrate connection sheet, and the area of the opening of the inter-substrate connection sheet is formed larger than that of the opening of the upper substrate, thereby this multilayer circuit board having a cavity structure and a full-thickness IVH structure having high interlayer connection reliability can be manufactured.例文帳に追加

特に、絶縁被膜層は、上側基板または下側基板の基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、基板間接続シートの開口部の面積を上側基板の開口部の面積より大きく形成することにより、キャビティ構造および高い層間接続信頼性を備えた全層ＩＶＨ構造を有する多層の回路基板を製造することができる。 - 特許庁

To provide: a metal substrate with an insulating layer which has high insulation, and superior heat resistance, bending resistance, and long-term reliability and a manufacturing method thereof; a semiconductor device using the substrate and a manufacturing method thereof; a solar cell using the substrate and a manufacturing method thereof; an electric circuit using the substrate and a manufacturing method thereof; and a light-emitting element using the substrate and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高い絶縁性を有し、かつ耐熱性、耐曲げ性、長期信頼性に優れたフレキシブルな絶縁層付金属基板およびその製造方法、この基板を用いた半導体装置およびその製造方法、この基板を用いた太陽電池およびその製造方法、この基板を用いた電子回路及びその製造方法、ならびにこの基板を用いた発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board which has high etching nature in formation of conductor wiring lines, specifically, has less etching residue of ground metal layer components remaining between conductor wiring lines when etching is performed by aqueous ferric chloride solution or aqueous hydrochloric acid acidic cupric chloride solution, has high insulation reliability and corrosion resistance when high voltage is applied between the conductor wirings, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

導体配線の形成時における高いエッチング性、具体的には塩化第２鉄水溶液又は塩酸酸性塩化第２銅水溶液でエッチングした際に導体配線間に残留する下地金属層成分のエッチング残渣が少なく、導体配線間に高電圧を印加した場合に高い絶縁信頼性及び耐食性を兼ね備えたプリント配線基板およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a control method of an electric heating device with extremely high safety having a heating element formed by winding a secondary heating conductor around a first heating conductor through an insulation layer, capable of quickly detecting a short-circuit between the first heating conductor and the second heating conductor, and stopping current supply upon the detected short-circuit.例文帳に追加

第１発熱導体の周囲に絶縁層を介して第２発熱導体を巻いた発熱体を有する電気採暖具において、第１発熱導体と第２発熱導体の短絡の発生を迅速に検出でき、この短絡の発生の検出によりこれらの発熱体に供給する電流を停止できる、極めて安全性の高い電気採暖具の電流制御方法及び電気採暖具を提供する。 - 特許庁

In a wet etching process, the quantity of a wet etching solution penetrated between a layer insulation film and a resist film varies depending on the impurity concentration ratio of boron to phosphorus, B/P, and it is controlled to reduce the proportion of the boron impurity concentration to the phosphorous impurity concentration since the penetration quantity tends to increase with the increase of the B/P ratio.例文帳に追加

ウェットエッチング工程においてウェットエッチング液が層間絶縁膜とレジスト膜との間に染み込む量である染み込み量は、硼素の不純物濃度と燐の不純物濃度との比によって変化し、Ｂ／Ｐ（硼素の不純物濃度／燐の不純物濃度）の値が大きいほど染み込み量が増加する傾向があるため、燐の不純物濃度に対する硼素の不純物濃度の割合を低く抑えるようにコントロールする。 - 特許庁

A binder, a coating agent, a saturant 107 decrease pore size, increase or decrease the contact angle of liquid, promote adhesion to a cementitious core 101, promote adhesion to the external facing layer 105 and promote adhesion or affinity to an adhesive composition used to join the cementitious board to an exterior insulation system and an exterior finishing system (EIS and EIFS).例文帳に追加

結合剤、被覆剤、飽和剤１０７は、間隙の大きさを減少させ、液体との接触角を増加若しくは減少させ、セメント芯部１０１との接着性を向上させ、外装層１０５との接着性を向上させ、断熱工法及び外断熱仕上工法（ＥＩＳ及びＥＩＦＳ）にセメントボードを連結する際に使用する、接着合成剤に対する接着性又は親和性を向上させる。 - 特許庁

To provide a resin material for forming the insulation layer of a semiconductor device, having superior adhesiveness with other resin materials and with a metal foil or an alloy foil, and a high breaking elongation and stress relaxing properties, to provide a varnish solution and a B stage material for forming the resin material, a laminate provided with the resin material, and to provide a wiring board and a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の絶縁層を形成する樹脂材において、他の樹脂材との間の密着性及び金属又は合金からなる箔との間の密着性が良好であり、破断伸び性が高く応力緩和性が優れた樹脂材、並びに、この樹脂材を形成するためのワニス溶液及びＢステージ材、並びにこの樹脂材を備えた積層体、配線基板及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate having an element isolation region and an element forming region formed in a protruding state on the isolation region, the gate electrode formed on the element forming region via a gate insulation film, and a source-drain made of a conductive layer formed on the substrate so as to cover a side face of the protruding substrate.例文帳に追加

素子分離領域を有し、該素子分離領域に対して素子形成領域が凸状に形成されてなる半導体基板と、素子形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、凸状半導体基板の側壁を覆うように半導体基板上に形成された導電層からなるソース／ドレインとを備えることを特徴とするＭＯＳ電界効果型トランジスタにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region.例文帳に追加

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。 - 特許庁

A film deposition method of performing deposition processing to a workpiece W on whose surface an insulation layer 1 is formed includes: a first thin film formation process of forming a first thin film 60 consisting of first metal; an oxidation process of oxidizing the first thin film to form an oxide film 60A; and a second thin film formation process of forming a second thin film 62 containing second metal on the oxide film.例文帳に追加

絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。 - 特許庁

Conductors 1 are coated with an insulation layer 2 obtained by silane cross-linking a polymer alloy composed of a straight-chain low density polyethylene polymerized with a low density polyethylene and a metallocene catalyst, with water added polymer containing a styrene component, which is covered with a non-halogenous flame-retardant olefinic resin sheath 3 composed of a mixture of an olefinic resin and metal hydroxide to produce the coated wires and cables.例文帳に追加

導体１を、低密度ポリエチレンおよびメタロセン型触媒を用いて重合された直鎖状低密度ポリエチレンの少なくとも一種と、スチレン成分を含有する水添ポリマーとのポリマーアロイをシラン架橋してなる絶縁体２で被覆し、その上をさらにオレフィン系樹脂に金属水酸化物を配合したノンハロゲン難燃性オレフィン系樹脂組成物からなるシース３で被覆したことを特徴とする被覆電線・ケーブル。 - 特許庁

To provide a polishing solution for polishing hard barrier layers and layer insulation films while the surface of cupper or a cupper alloy in a recess is protected during polishing to obtain a polished superior-flatness clean substrate surface, in the manufacturing of an electronic apparatus such as a semiconductor device, and to provide a high reliability chemical/mechanical polishing method superior in microprocessing, thinning, and dimension accuracy.例文帳に追加

半導体デバイスなど電子機器の製造において、硬いバリア層や層間絶縁膜を研磨する際に、凹部の銅或いは銅合金表面を研磨中に保護することにより、研磨後に平坦性に優れた清浄な基体表面が得られる研磨液、及び前記研磨液を用いて生産性が高く、微細化、薄膜化、寸法精度に優れ、信頼性の高い化学機械研磨を行う研磨方法を提供する。 - 特許庁

For the battery device comprising the above battery and a protection circuit, the battery has a battery terminal penetrating the lid through an insulation material, and one electrode of the storage element is connected to the battery terminal and the other electrode of the storage element is directly or indirectly connected to the lid, and a protection circuit is connected to the battery terminal and the nickel layer of the lid.例文帳に追加

本発明の電池装置は、上記の電池と保護回路とを備えた電池装置において、電池が、絶縁部材を介して蓋を貫通した電池端子を有し、蓄電要素の一方の電極をその電池端子に接続させるとともに、蓄電要素の他方の電極を直接的又は間接的に蓋に接続させており、保護回路が、電池端子及び蓋のニッケル層と接続していることを特徴とする。 - 特許庁

The charge transfer device 100 comprises: a semiconductor substrate 101 provided with a photodiode 122 and a charge transfer passage 120; a P^+ region 104 provided on the semiconductor substrate and isolating the region arranged with the photodiode 122 and the charge transfer passage 120 from other regions; and an insulation layer 106 formed on the P^+ region 104 by depositing a silica compound.例文帳に追加

電荷転送装置１００は、フォトダイオード１２２と電荷転送路１２０とが設けられた半導体基板１０１と、前記半導体基板に設けられ、フォトダイオード１２２と電荷転送路１２０とが配置された領域を他の領域から分離する分離領域であるＰ^＋領域１０４と、Ｐ^＋領域１０４上に設けられ、珪素化合物を堆積して形成された堆積絶縁層１０６と、を含む。 - 特許庁

A resin composition for insulation is formed by adding silane bridging agent to a base polymer consisting of 50-95 wt.% low-density polyethylene and 5-50 wt.% polymers as the remainder, wherein the remainder consists of at least one of the high-density polyethylene, polypropylene and thermoplastic elastomer, and this resin composition is subjected to silane bridging so that the insulating layer of a power cable is accomplished.例文帳に追加

低密度ポリエチレン５０〜９５重量％と、残部ポリマー５〜５０重量％からなるベースポリマーにシラン架橋剤が添加された絶縁体用樹脂組成物であって、前記残部ポリマーが高密度ポリエチレン、ポリプロピレン及び熱可塑性エラストマーからなる群より選択された少なくとも１種からなることを特徴とする絶縁体用樹脂組成物をシラン架橋して電力ケーブルの絶縁層を構成する。 - 特許庁

The printed circuit board, in which optical waveguides are formed for transmitting optical signals together with electrical signals, includes a cladding 20, a core 25 embedded in the cladding 20 that transmits optical signals, and a wiring pattern 30 embedded in the cladding 20 that transmits electrical signals, enabling the cladding 20 to act as an insulation layer and embedding the wiring pattern 30 in the cladding 20.例文帳に追加

本発明の印刷回路基板は、光信号と電気信号とを共に伝送するように光導波路が形成された印刷回路基板であって、クラッド２０と、クラッド２０に内蔵されて光信号を伝送するコア２５と、クラッド２０に内蔵されて電気信号を伝送する配線パターン３０とを含み、クラッド２０が絶縁層としての機能を行って配線パターン３０をクラッド２０に内蔵させたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a ceramics having sufficient fracture toughness without degrading a bending strength remarkably even when surface roughening treatment is applied to obtain a satisfactory anchor effect, particularly aluminum nitride substrate or a silicon nitride substrate having high heat conductivity, high reliability to insulation property, high bending strength and strong fracture toughness and further having anchor effect to improve the bonding strength to a metallic layer.例文帳に追加

十分なアンカー効果を得るために粗面化処理を行っても、強い破壊靱性を有し、抗折強度を著しく低下させることのないセラミックス、特に高熱伝導性でしかも絶縁特性に対して高い信頼性と、高抗折強度と強破壊靱性を有し、しかもアンカー効果によって金属層との接合強度が強めることができる窒化アルミニウム基板又は窒化ケイ素基板を提供する。 - 特許庁

A plurality of conductive circuits 12 are formed of single conductive metal wires 1 parallel to each other on the surface of an insulating material 10 for transmitting transmission signals between outside electronic elements, and then, an insulation layer insulated from outside is formed in the conductive circuit, with both ends of each conductive circuit exposed as conductive ends of a conductive flat cable so that the electronic elements outside are electrically connected.例文帳に追加

単一の導電金属線１によって、絶縁基材１０表面に互いに平行でありかつ外部の電子素子間の伝送信号を伝送するための導電回路１２を複数形成し、次に導電回路に外部から絶縁される絶縁層を形成し、外部の電子素子が電気的に接続されるように、導電回路の両端が導電フラットケーブルの導電端として露出している。 - 特許庁

At least one bridging means 76a extends the insulating means 72, the bridging means 76a includes a conductive material for connecting the side electrode with the internal electrode, and at least one first surface formed by an interface between the conductive material and the insulating means is mutually continuous eventually with at least one second surface formed by an internal boundary in the piezoelectric layer in the vicinity of a piezoelectric/insulation interface 74.例文帳に追加

少なくとも１つのブリッジ手段７６ａが絶縁手段７２を延長し、ブリッジ手段７６ａは側部電極と内部電極との間の接続のため導電性材料を含み、導電性材料と絶縁手段との間のインターフェースにより形成された少なくとも１つの第１の表面と圧電層の内部境界により形成された少なくとも１つの第２の表面とは圧電／絶縁インターフェース７４の近傍で互いに事実上連続する。 - 特許庁

To provide a fluorescent lamp equipped with an enhanced power converting efficiency by thinning a dielectric substance layer as a barrier for electric discharge so that the voltage at starting of discharge is sunk while dielectric substance barrier discharge is utilized, capable of uniform electric discharge by forming a uniform phosphor surface, and easily securing the electric insulation for safety by impressing a high voltage not on the lamp outside but internally.例文帳に追加

誘電体バリア放電を利用しつつ、放電の誘電体バリアとなる誘電体層を薄くすることによって放電開始時の電圧を下げ、電力変換効率をよくした蛍光ランプ、また、均一な蛍光体面を有することによって、均一な放電を可能にする蛍光ランプ、さらには、高電圧をランプ外部ではなく内部に印加する構造とすることによって、安全上の絶縁を容易に確保されるような蛍光ランプを提供すること。 - 特許庁

In a foaming injection-molding method of a foamed molded product by injecting a foamable resin into a cavity 13 formed between a fixed mold and movable molds 11 or between the movable molds 11, the surface facing to the cavity 13 of at least one of the fixed mold and the movable molds 11 is coated with a heat-resistant resin or a ceramic as a heat insulation layer 9.例文帳に追加

固定金型と可動金型１１との間、或いは可動金型１１間に形成されるキャビティ１３内に発泡性樹脂を射出して発泡成形品を成形する発泡射出成形方法において、該固定金型と可動金型１１のうち少なくとも一方の金型のキャビティ１３に面する面に断熱層９として耐熱性樹脂或いはセラミックをコーティングした金型を用いる発泡射出成形方法である。 - 特許庁

The circuit board manufacturing method comprises a step of preparing a metal foil 3 with conductive protrusions 5 at least on one side, laminating two or more different insulation resin layers 8, 9 resistive to resin etchant on the one side of the metal foil with the lower resin etchant-resistive layer 8 contacted to the metal foil 3, and selectively etching by the resin etching method to expose the tops 7 of the conductive protrusions.例文帳に追加

少なくとも一方の面に導電性突起５が形成された金属箔３を用意し、前記金属箔の前記一方の面に樹脂エッチング液耐性の異なる２層以上の絶縁樹脂層８，９を、樹脂エッチング液耐性の低い層８が前記金属箔３に接するように積層し、樹脂エッチング工法により選択エッチングを施して前記導電性突起の頂部７を露出させる回路基板の製造方法、およびその回路基板。 - 特許庁

An insulation layer is arranged between the first positive electrode and the second negative electrode.例文帳に追加

しかし、有機ＥＬ素子の重ね方によって、陽極電極として使用されるＩＴＯ等の透明電極はスパッタリング等の方法によって形成されるため、ＩＴＯ等の透明電極が形成される最中に有機層が傷つけられてしまうという問題が生じる場合があり、また、陰極電極と陽極電極とが接触すると、陰極電極となる材料と陽極電極となる材料との仕事関数の違いから、一方の材料の劣化速度が速まり、寿命が短くなってしまう場合がある - 特許庁

Electrodes 61 and 62 are formed on the semiconductor substrate 2 around the T-type gate electrode 5, the hollow structure 7 is provided between the head part 52 of the T-type gate electrode 5 and the insulation layer 4 in order to isolate the head part 52 of the T-type gate electrode 5 and the electrodes 61 and 62 on the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に形成された絶縁層４と、絶縁層４上に、この絶縁層４に形成された穴９を通じて半導体基板２に接続して形成されたＴ型ゲート電極５とを有し、Ｔ型ゲート電極５の周囲の半導体基板２上に電極６１，６２が形成され、Ｔ型ゲート電極５の頭の部分５２と絶縁層４との間が中空構造７とされ、この中空構造７により、Ｔ型ゲート電極５の頭の部分５２と半導体基板２上の電極６１，６２とが離間されている半導体装置１を構成する。 - 特許庁

A beltlike metal film having light reflectivity which projects toward the image signal wiring side of the pixel electrode and is separated for each pixel is formed on the rear side of the pixel electrode through an insulation layer.例文帳に追加

複数の画像信号配線と、複数の走査信号配線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配線と走査信号配線との交差部に、画素電極とこの画素電極に画像信号を供給するスイッチング素子とを設け、前記画素電極とこの画素電極に対向して設けられた対向電極との間に液晶材料が保持されている液晶表示装置において、前記画素電極の裏面側に前記絶縁膜を介して、前記画素電極よりも前記画像信号配線側に張り出し、各画素毎に分離された光反射性の帯状金属膜を設けた。 - 特許庁

A method for manufacturing an electronic component jointed body comprises a step (1) for applying a coating of adhesive 4 to a surface insulation layer 2 of a substrate or other electronic component 3, a step (2) for laminating the electronic component 3, a step (3) for forming a fillet, and a step (4) for curing the adhesive 4.例文帳に追加

電子部品接合体を製造する方法で、基板又は他の電子部品３の表面絶縁層２上に、接着剤４を塗布する工程（１）と、電子部品３を積層する工程（２）と、フィレットを形成する工程（３）と、接着剤４を硬化する工程（４）とを有し、工程（４）の後の接着剤厚みをｄｔ、電子部品３の厚みをＤｅ、外周長さをＬ、接合する領域の面積をＡ、接合する領域から開口部までの距離の平均値をＤｄ、工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、工程（２）の直後に接着剤４が濡れ拡がる領域の面積をＳ、工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う。 - 特許庁