「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate electrode 40 covers partial parts of the gate insulation layer 60 and the field insulation layer 50.例文帳に追加

ゲート電極４０はゲート絶縁層６０とフィールド絶縁層５０の一部を覆う。 - 特許庁

A third insulation layer is formed on the intermediate contact and the second insulation layer.例文帳に追加

第三の絶縁層をキャパシタ、中間コンタクトおよび第二の絶縁層の上に形成する。 - 特許庁

On the 1st insulation layer 21 and fuse 24, a 2nd insulation layer 22 is formed.例文帳に追加

次に、第１絶縁層２１上およびヒューズ２４上に第２絶縁層２２を形成する。 - 特許庁

An insulation layer is arranged on the surface.例文帳に追加

絶縁層が、表面の上に配置される。 - 特許庁

The gate structure includes a gate dielectric layer, a conductive layer and an insulation layer.例文帳に追加

ゲート構造は、ゲート誘電体層、導電層、および絶縁層を含む。 - 特許庁

The field insulation layer 50 includes a step 51 to reduce the thickness on the gate insulation layer 60 side in a part where the field insulation layer 50 overlaps the gate electrode 40.例文帳に追加

フィールド絶縁層５０はゲート電極４０と重なる部分で、ゲート絶縁層６０側が薄くなるような段差５１を有する。 - 特許庁

The insulation layer 401 is provided with insulation layer openings, and each gate electrode 201 is provided with control openings at the same positions as the insulation layer openings.例文帳に追加

絶縁層４０１に絶縁層開口を有し、ゲート電極２０１に絶縁層開口と同じ位置に制御開口が設けられる。 - 特許庁

The laminated insulation layer has a first insulation layer, a quantum effect layer provided on the first insulation layer and having a barrier height lower than that of the first insulation layer, and a second insulation layer provided on the quantum effect layer and having a barrier height higher than that of the quantum effect layer.例文帳に追加

前記積層絶縁層は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ、前記第１絶縁層よりもバリアハイトが低い量子効果層と、前記量子効果層上に設けられ、前記量子効果層よりもバリアハイトが高い第２絶縁層と、を有する。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF VESSEL WITH HEAT INSULATION SURFACE LAYER例文帳に追加

断熱表層を有する容器の製造法 - 特許庁

A thickness of the lower layer insulation film 4 is measured.例文帳に追加

下層絶縁膜４の厚みを測定する。 - 特許庁

MULTI-LAYER CORE USED IN VACUUM INSULATION PANEL例文帳に追加

真空絶縁パネルにて使用される多層コア - 特許庁

HEAT INSULATION LAYER CONSTRUCTION METHOD FOR LOW TEMPERATURE TANK WALL SURFACE例文帳に追加

低温タンク壁面の断熱層施工法 - 特許庁

The insulation surface of a semiconductor layer is covered with an insulation layer, and a semiconductor film of a portion of the semiconductor layer is formed between the insulation surface and the insulation layer.例文帳に追加

絶縁表面に絶縁層を覆った半導体層を有しており、前記絶縁表面と前記絶縁層との間には前記半導体層の一部の半導体膜が形成される。 - 特許庁

The enamel layer 463b is coated with an insulation coating layer 462.例文帳に追加

エナメル層４６３ｂは絶縁被覆層４６２で被覆される。 - 特許庁

A fluorescent layer 40 is deposited on the first insulation layer.例文帳に追加

蛍光層（４０，１４０）を第１の絶縁層上に堆積する。 - 特許庁

A conductor layer 3 is formed on one of surfaces of the base insulation layer 2.例文帳に追加

ベース絶縁層２の一面に、導体層３が形成される。 - 特許庁

A soft magnetic layer 6 is formed on the surface of the lower insulation layer 4.例文帳に追加

下部絶縁層４の上面に、軟磁性層６を形成する。 - 特許庁

The insulation film includes a first insulation layer, a second insulation layer, and a metal oxide conductive layer provided between the first and second insulation layers.例文帳に追加

絶縁膜は、第１の絶縁体層と、第２の絶縁体層と、第１および第２絶縁体層の間に設けられた金属酸化物導電体層と、を含む。 - 特許庁

A first insulation layer 21 made of SiO_2, a second insulation layer 22 made of SiN, and a third insulation layer 23 made of SiN, are stacked in sequence from the side of a substrate to form a gate insulation film of stacking structure.例文帳に追加

積層構造のゲート絶縁膜を基板側から順次、ＳｉＯ_２の第１絶縁層２１、ＳｉＮの第２絶縁層２２、ＳｉＮの第３絶縁層２３とする。 - 特許庁

A second cover insulation layer 44 is formed on the first cover insulation layer 42 so as to cover the ground layer 43.例文帳に追加

グランド層４３を覆うように、第１のカバー絶縁層４２上に第２のカバー絶縁層４４が形成される。 - 特許庁

An insulation film 70 is deposited on the cap layer 50, the insulation layer 70 is planarized and the barrier layer 30 is removed.例文帳に追加

キャップ層５０上に絶縁層７０を堆積させ、該絶縁層７０を平坦化し、バリア層３０を除去する。 - 特許庁

A low layer conductive film layer 3 extending in a Y direction is formed on a foundational insulation layer 1 and an insulation layer 7 is formed on the film layer 3.例文帳に追加

下地絶縁層１上にＹ方向に延びる下層導電膜３が形成され、さらにその上に絶縁層７が形成されている。 - 特許庁

The first surface of the first insulation layer 31 faces to the second surface of the second insulation layer 32.例文帳に追加

第１の絶縁層３１の第１面と第２の絶縁層３２の第２面は対向している。 - 特許庁

The third insulation layer is formed on the second land and the second insulation layer.例文帳に追加

前記第３の絶縁層は、前記第２のランド上および前記第２の絶縁層上に設けられる。 - 特許庁

The second insulation layer is formed on the first insulation layer and the first land.例文帳に追加

前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層および前記第１のランド上に設けられる。 - 特許庁

The insulation layer 160 is composed of an inorganic compound.例文帳に追加

絶縁層１６０は無機化合物からなる。 - 特許庁

SURFACE ROUGHING APPARATUS OF BUILD-UP SUBSTRATE INSULATION LAYER例文帳に追加

ビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置 - 特許庁

The perpendicular heat insulation layer 52 is connected to the horizontal heat insulation layer 52 by an L-shaped fitting tool.例文帳に追加

垂直断熱層５１と水平断熱層５２とはＬ字状の取付具で連結されている。 - 特許庁

A heat radiation element is formed in a housing space of an insulation layer and is structurally connected with the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層の収容空間内に放熱素子を形成し、絶縁層に構造的に接続する。 - 特許庁

SHIELD LAYER EDGE TRIM INSULATION STRUCTURE OF PREFABRICATED JOINT例文帳に追加

プレハブジョイントの遮蔽層縁切り絶縁構造 - 特許庁

A tin layer is applied on the indentations without the insulation lacquer and the insulation layer of the metallic circuit.例文帳に追加

スズの層は、絶縁ラッカーのないくぼみおよび金属回路の絶縁層上に塗布されている。 - 特許庁

An elastic modulus of a core insulation layer is made lower than that of an insulation layer on a side for mounting the semiconductor chip and of an insulation layer on a side for connecting a mother board.例文帳に追加

コア絶縁層を、半導体チップを実装させる側の絶縁層及びマザーボード接続側の絶縁層より低弾性率とした。 - 特許庁

The hydrogen bonding density of the third insulation layer 23 is made lower than that of the second insulation layer 22.例文帳に追加

そして、第３絶縁層２３の水素結合密度は第２絶縁層２２より小さくする。 - 特許庁

The extracellular micro electrode includes: an insulation layer 20 consisting of a photosensitive insulation material; 1 or more of metal layers 40 disposed on the insulation layer 20; an insulation layer 70 consisting of a photosensitive insulation material covering a part of the metal layer 40; and an insulation layer 90 consisting of the photosensitive insulation material covering a part of the insulation layer 70.例文帳に追加

本発明の細胞外マイクロ電極は、感光性絶縁材料からなる絶縁層２０と、絶縁層２０上に配置された１以上の金属層４０と、金属層４０の一部分を覆う感光性絶縁材料からなる絶縁層７０と、絶縁層７０の一部分を覆う感光性絶縁材料からなる絶縁層９０とを有する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes steps of forming a semiconductor layer on an insulated surface, wet-oxidizing the edge of the semiconductor layer to form a first insulation layer, forming a second insulation layer on the semiconductor layer and the first insulation layer, and forming a gate electrode on the semiconductor layer and the first insulation layer via the second insulation layer.例文帳に追加

絶縁表面上に半導体層を形成し、半導体層の端部をウェット酸化して第１の絶縁層を形成し、半導体層上および第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層を介して、半導体層上および第１の絶縁層上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

The method of forming the multilayer structure includes a step of forming a first insulation layer, a conductive layer disposed on the first insulation layer, and a second insulation layer covering the first insulation layer and the conductive layer by heating at a time a first insulation material layer, a second insulation material layer, and a conductive material layer formed using the droplet dispenser.例文帳に追加

多層構造形成方法は、第１絶縁材料層と、第２絶縁材料層と、液滴吐出装置によって形成された導電性材料層と、を一度に加熱して、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する導電層と、前記第１絶縁層と前記導電層とを覆う第２絶縁層と、を形成するステップを含んでいる。 - 特許庁

The insulator exists principally as a multilayer insulation layer of a first inorganic substance layer - an insulation layer - a second inorganic substance layer or of an inorganic substance layer - an insulation layer where the inorganic substance layer is removed at least partially, to expose the insulation layer.例文帳に追加

該絶縁体は、第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として主として存在するものであり、該無機物層の少なくとも一部が除去されて絶縁層が露出している。 - 特許庁

The insulator exists principally as a multilayer insulation layer of a first inorganic substance layer - an insulation layer - a second inorganic substance layer or of an inorganic substance layer - an insulation layer, where the inorganic substance layer is removed at least partially, to expose the insulation layer.例文帳に追加

該絶縁体は、第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として主として存在するものであり、該無機物層の少なくとも一部が除去されて絶縁層が露出している。 - 特許庁

There are provided a semiconductor substrate, a tunneling insulation layer on the semiconductor substrate, an electric charge storing layer on the tunneling insulation layer, a blocking insulation layer on the electric charge storing layer, and a gate electrode on the blocking insulation layer, wherein the blocking insulation layer is a memory transistor that surrounds the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上のトンネリング絶縁層と、トンネリング絶縁層上の電荷保存層と、電荷保存層上のブロッキング絶縁層と、ブロッキング絶縁層上のゲート電極と、を備え、ブロッキング絶縁層は、ゲート電極を取り囲むことを特徴とするメモリトランジスタである。 - 特許庁

The inter-electrode insulation film includes a laminated insulation layer, a charge storage layer provided on the laminated insulation layer and having a barrier height lower than that of the laminated insulation layer, and a block insulation layer provided on the charge storage layer and having a barrier height higher than that of the charge storage layer.例文帳に追加

前記電極間絶縁膜は、積層絶縁層と、前記積層絶縁層上に設けられ、前記積層絶縁層よりもバリアハイトが低い電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に設けられ、前記電荷蓄積層よりもバリアハイトが高いブロック絶縁層と、を有する。 - 特許庁

For example, let the first covering layer be an insulation layer 30, and let the second covering layer be an outer semiconductor layer 40.例文帳に追加

例えば、絶縁層30を第一被覆層とし、外部半導電層40を第二被覆層とする。 - 特許庁

Insulation layer of a substrate is coated with an insulation material 20 of SiLK resin for adhesion, and then the insulation material 20 is heated at a temperature not higher than the crosslinking point to make it stick to the insulation layer.例文帳に追加

基板の絶縁層上にＳｉＬＫ樹脂から成る密着用絶縁材２０を塗布し、架橋温度以下で加熱して絶縁層に密着させる。 - 特許庁

An insulation protective layer 10 is installed on a non-contact surface of an anisotropic electro-conductive connector layer 1 and an insulation supporting layer 20 is made to exist between the anisotropic electro-conductive connector layer 1 and the insulation protective layer 10.例文帳に追加

異方導電コネクタ層１の非接触面に絶縁保護層１０を設け、異方導電コネクタ層１と絶縁保護層１０との間に絶縁支持層２０を介在させる。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a first insulation layer 2, a semiconductor layer formed on the upper surface side of the first insulation layer 2, and a second insulation layer 7 formed on the upper surface side of the semiconductor layer.例文帳に追加

第１絶縁層２と、第１絶縁層２の上面側に形成される半導体層と、その半導体層の上面側に形成される第２絶縁層７とから構成されている。 - 特許庁

The shock recording layer has a deformation-holdable heat insulation material layer 14 having the heat insulation function, and a colored layer 22 arranged just under the heat insulation material layer 14 and colored in a color different from a color of the heat insulation material layer 14.例文帳に追加

衝撃記録層が、断熱機能を有し変形保持可能な断熱材層１４と、断熱材層１４の直下に設けられ断熱材層１４の色と異なる色に着色された着色層２２とを有する。 - 特許庁