「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

An upper insulation layer 15 is provided between a ferroelectric layer 14 and a gate electrode 16, reducing leakage current path from the ferroelectric layer 14 to the gate electrode 16, so that leakage current is reduced significantly, to improve the retention property of the memory device.例文帳に追加

強誘電体層１４とゲート電極１６間に上部絶縁層１５を設けることにより、強誘電体層１４からゲート電極１６へのリーク電流経路を低減し、リーク電流を大幅に低減することにより、メモリ素子のリテンション特性を改善する。 - 特許庁

Then, when manufacturing the multilayer wiring board, a conductive layer formation material 14 is laminated on a surface of the insulation layer formation material 12, and shape forming is carried out so that contact parts between the conductive layer formation materials 11, 14 and the conductive wires 13 form metallic connection.例文帳に追加

そして、多層配線基板を製造するにあたっては、絶縁層形成材１２の面上に導電層形成材１４を積層し、導電層形成材１１，１４と導電性ワイヤ１３との接触部分が金属結合を形成するような成形を行う。 - 特許庁

To provide a repair structure which prevents a waste material etc. from being produced in a building exterior wall, constituted by providing a vent layer between a heat insulating material layer and an external facing material arranged outside the heat insulating material layer, and which enhances the heat insulation performance of the exterior wall of the building by easy construction.例文帳に追加

断熱材層とその外側に配置された外装材との間に通気層を設けてなる建物外壁において、廃材等を出すことなく、また容易な施工で持って、建物外壁の断熱性能をより高いものとした改修構造とする。 - 特許庁

To improve light-emitting efficiency by uniformalizing a thickness of a light-emitting layer while an interval between pixel regions is set to be small by providing a pixel regulation layer (an insulation inorganic film) around a bank, in an organic EL device containing an organic light-emitting layer formed in coating.例文帳に追加

塗布形成される有機発光層を含む有機ＥＬデバイスにおいて、バンクの周りに画素規制層（絶縁性無機膜）を設けて画素領域間の間隔を小さくしつつ、発光層厚の均一化を図ることにより、発光効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for connect the return path conductors of DC coaxial cables with no risk of thermal damage on the external semiconductive layer and the main insulation layer of a cable, or the external semiconductive layer and the reinforcing main insulator at the joint when the return path conductors are connected by welding.例文帳に追加

帰路導体を溶接接続するときに、ケーブルの外部半導電層及び主絶縁層や、接続部の外部半導電層及び補強主絶縁体に熱的損傷を与えるおそれのない直流同軸ケーブルの帰路導体接続方法を提供する。 - 特許庁

Electrolysis copper plating is effected on the surface of an insulation substrate 11 employing a resist pattern 21 on a thin film conductor layer as a plating mask, then, the resist pattern is separated by exclusive separating liquid to form a conductor layer 31 and a conductor layer 32 for thin wiring pattern.例文帳に追加

絶縁基材１１表面に薄膜導体層上のレジストパターン２１をめっきマスクにして電解銅めっきを行い、レジストパターンを専用の剥離液で剥離処理し、薄配線パターン用導体層３１及び薄配線パターン用導体層３２を形成する。 - 特許庁

Further the venting layer 14 is formed on an upper side of the heat insulation sheet 4 so as to reach a ridge beam 2 along the inclined beam 1, and therefore air ascending through a venting layer 13 between the rafters 2 can be lead via the venting layer 14 to the ventilation ridge above the ridge beam 2.例文帳に追加

また断熱シート４の上側に、登り梁１に沿って棟木２に至る通気層１４を形成することができ、垂木２間の通気層１３を上昇してきた空気をこの通気層１４を通して棟木２の上の換気棟に導くことができる。 - 特許庁

Further, the high-frequency coaxial cable has an excellent high frequency property by sequentially providing an inner substantial layer, a foamed resin insulation layer using polyethylene resin composition of the present invention, an outer substantial layer, an outer conductor and a sheath around the outer circumference of an inner conductor.例文帳に追加

さらに、内部導体の外周に、内部充実層、本発明のポリエチレン樹脂組成物を用いた発泡樹脂絶縁層、外部充実層、外部導体及びシースを順次設けることにより、高周波同軸ケーブルは、良好な高周波特性を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein the contact hole of an interlayer insulation film is filled with an upper conductive layer and the upper conductive layer is substantially electrically connected with an lower conductive layer even the semiconductor device is miniaturized.例文帳に追加

半導体装置が微細化されても、層間絶縁膜のコンタクト・ホール内に上層の導電層が充填され、上層の導電層と下層の導電層とが電気的に充分に接続された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulation patch 10 is formed by successively laminating a surface layer on which a character or the like can be printed or written, an insulating layer having insulating property, and an adhesive layer having adhesion, and wound on, for example, a cable exposed part after peeling a coat of a wire 20.例文帳に追加

絶縁パッチ１０は、文字等が印刷又は記入可能な表面層と、絶縁性を有する絶縁層と、粘着性を有する粘着層とが積層されてなり、例えば電線２０の被覆を小規模に剥がした後の電線の露出部に巻かれる。 - 特許庁

A fifth product is formed by forming an upper ZnS layer 7 on the surface of the multi-layered film 6a of the fourth product, and a 6th product is formed by forming an upper insulation layer 8 on the surface of the upper ZnS layer 7 of the fifth product.例文帳に追加

前記第４生成物の前記多層膜６ａの表面に上部ＺｎＳ層７を形成して第５生成物を生成し、前記第５生成物の前記上部ＺｎＳ層７の表面に上部絶縁層８を形成して第６生成物を生成する。 - 特許庁

When the wire 200 for automobile, having an insulation layer 230 and an outer semiconductive layer 240, is inserted into the insertion hole 130, the semiconductive part 120 is partially exposed to the inner surface of the insertion hole 130 such that the semiconductive part 120 touches the outer semiconductive layer 240.例文帳に追加

そして、絶縁層230と外部半導電層240とを有する自動車用電線200を前記挿入孔130に差し込んだ際、前記半導電部120と外部半導電層240が接触するように半導電部120の一部が挿入孔130内面に露出されている。 - 特許庁

The mesh electrode substrate has a substrate, a mesh conductive layer composed of a conductive material formed in mesh on the substrate, and an insulation layer formed only on the mesh conductive layer.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上にメッシュ状に形成される導電材料からなるメッシュ導電層と、上記メッシュ導電層のみに形成される絶縁層と、を有することを特徴とするメッシュ電極基板を提供することにより、上記目的を達成する。 - 特許庁

When forming a patterned gate layer 140a in a memory region 1000 in advance prior to forming the insulation layer 270 on the entire surface of a semiconductor substrate, a patterned gate layer 140c which will become a dummy circuit is formed in the periphery of the chip 900.例文帳に追加

半導体基板上に全面的に絶縁層２７０を形成する前に、予め、メモリ領域１０００にパターニングされたゲート層１４０ａを形成する際に、チップ９００の外周部に、同様に、ダミー回路となる、パターニングされたゲート層１４０ｃを形成する。 - 特許庁

A second laminate mica tape wound layer 6 is formed as a main insulator on the molded component 4 surface and an insulation tape wound layer 7 made of a fiber base is formed on the wound layer 6 to form a heat-resistant insulated coil 8.例文帳に追加

成形された線輪部品４表面には本絶縁として第２の集成マイカテープ巻回層６を形成し、この第２の集成マイカテープ巻回層６上には繊維基材からなる絶縁テープ巻回層７を形成して耐熱絶縁線輪８を形成する。 - 特許庁

A film thickness of a drawing wire 16 formed along the surface of the insulation layer so as to electrically connect the thermal infrared radiation detection section 13 to the first metallic layer 19 for electric connection and film thicknesses of the first metallic layer 18 for sealing and the first metallic layer 19 for electric connection are independently set.例文帳に追加

熱型赤外線検出部１３と第１の電気接続用金属層１９とを電気的に接続するように絶縁層の表面に沿って形成された引き出し配線１６の膜厚と第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９の膜厚とが独立して設定されている。 - 特許庁

To provide a felt/rubber laminate structure usable for a noise insulation material and the like in which the felt layer and the rubber layer can be wholly bonded to each other by a simple means without an adhesion or a sewing operation and the felt layer and the rubber layer can be very easily separated for separation and sorted recovery.例文帳に追加

防音材等に用いられるフェルト／ゴム積層構造体であって、フェルト層とゴム層とを、接着剤やミシン掛けによる縫合によらず、より簡便な手段で一体的に接合固定でき、しかもフェルト層とゴム層とを極めて容易に分離することができる分別回収容易なフェルト／ゴム積層構造体を提供する。 - 特許庁

A third repairing electric connection layer for a first source/drain electrode isolated from the first repairing electric connection layer by an insulation is provided, and a fourth repairing electric connection layer for a second source/drain electrode isolated from the second repairing electric connection layer is provided above the second laser repairing points is provided.例文帳に追加

第１レーザ修復点上方に絶縁層により第１修復用電気接続層から隔離される第１ソース／ドレイン電極の第３修復用電気接続層を、第２レーザ修復点上方に第２修復用電気接続層から隔離される第２ソース／ドレイン電極の第４修復用電気接続層を提供する。 - 特許庁

In the wiring board where a nickel-plated layer 6 and a gold- plated layer 7 are successively deposited on the exposed surface of a wiring layer 2 on an insulation substrate 1, the content of boron in the nickel-plated layer 6 is 0.1 wt.% or less, and the average diameter of a nickel particle is 20 nm or less.例文帳に追加

絶縁基体１に形成された配線層２の露出表面にニッケルめっき層６及び金めっき層７を順次被着させて成る配線基板であって、前記ニッケルめっき層６はホウ素の含有量が０．１重量％以下であり、かつニッケル粒子の平均粒径が２０ｎｍ以上である。 - 特許庁

The metal shielding layer 11 has a plastic layer 9 made of polyethylene terephthalate or the like on one side of a metal layer 8 of copper, aluminum or the like, and a conductive adhesive layer on the other, so that sides fitted with the conductive adhesive layers 10 face each other and formed outside the electric insulation thin films 7.例文帳に追加

金属被覆層１１は、銅やアルミニウム等の金属層８の一方面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のプラスチック層９を設け、他方面に導電性接着層１０を設けてなるもので、導電性接着層１０を設けた面同士が向き合うようにして電気絶縁薄膜７の外側に形成される。 - 特許庁

A conductive layer having conductivity is formed on a predetermined substrate with a first group III nitride; a photoresponsive layer exhibiting an insulation property in non-reception of light and exhibiting conductivity by photoelectric conversion in receiving light, is formed on the conductive layer with a second group III nitride; and a counter electrode is formed on the photoresponsive layer.例文帳に追加

所定の基板の上に導電性を有する導電性層を第１III族窒化物にて形成し、該導電性層の上に、非受光時には絶縁性を呈し、受光時には光電変換により導電性を呈する光応答層を第２のIII族窒化物にて形成し、該光応答層の上に対向電極を形成する。 - 特許庁

Patterning is applied on the first conductive layer in the logical operation circuit area based on the resist layer processed by patterning while the gate electrode of an insulation gate electric field effect transistor is formed in the logical operation circuit area and a dummy layer is formed above the element separating area in the logical operation circuit area based on the stopper layer processed by patterning.例文帳に追加

パターニングされたレジスト層に基づいてロジック回路領域内の第１導電層をパターニングし、ロジック回路領域内に絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成し、パターニングされたストッパ層に基づいてロジック回路領域内の素子分離領域の上方にダミーゲート層を形成する。 - 特許庁

A second metal layer 4b is so formed as to be extended over the surface of an exposed part of the insulation layer 3 and on the surface of the first metal portion 5a inside the through hole 2 (Figure 1(f)), and with the second metal layer 4b as a seed layer, a second metal portion 5b is deposited by electroplating (Figure 1(g)).例文帳に追加

絶縁層３の露出している部位の表面と貫通孔２の内側における第１の金属部５ａの表面とに跨って第２の金属層４ｂを形成し（図１（ｆ））、第２の金属層４ｂをシード層として電解メッキ法により第２の金属部５ｂを析出させる（図１（ｇ））。 - 特許庁

The device comprises a substrate 14 made of a compound semiconductor, a mesa-structured avalanche photodiode which is disposed on the substrate 14 and has a superlattice multiplier layer 17, an electric field relaxation layer 18, and a light absorption layer 19; and an insulation oxide protective layer 16 substantially covering all the end faces of the mesa structure.例文帳に追加

化合物半導体で形成された基板１４と、基板１４の上に配置され、超格子増倍層１７、電界緩和層１８、および光吸収層１９を有する、メサ型構造のアバランシェフォトダイオードと、メサ型構造の実質上全端面を覆う絶縁酸化物の保護膜１６とを備える。 - 特許庁

On the surface of a conductor pattern 9 formed by depositing a metallized layer, an Ni plating layer, and an Au plating layer in order which is formed on other part than a wiring pattern 2 of an upper face of an insulation base 1; the mark 8 for image recognition is formed which is a recess with the bottom to the Ni plating layer by laser light.例文帳に追加

絶縁基台１の上面の配線パターン２以外の部位に形成された、メタライズ層とＮｉメッキ層とＡｕメッキ層とを順次積層して成る導体パターン９の表面に、レーザ光によって底がＮｉメッキ層に達している溝から成る画像認識用マーク８が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an organic film layer 12 having a function of an interlayer insulation formed on a nitride film 11 for protecting aluminum wirings of an LSI chip 10, in such a manner that the film layer 12 on an aluminum pad 13 is removed by a photolithography; and a contact hole formed to connect a metal layer 14 laminated on the film layer 12.例文帳に追加

ＬＳＩチップ１０のアルミ配線を保護する窒化膜１１の上に、層間絶縁の働きをする有機膜層１２が形成され、アルミパッド１３上の有機膜層１２がフォトリソグラフィにより除去され、有機膜層１２に積層されるメタル層１４との接続のためのコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

The laminate for the vacuum insulation material is made by laminating a heatsealable resin layer at at least a gas barrier layer and an innermost layer and the heatsealable resin layer is made by laminating a highdensity polyethylene resin, a polyolefin resin, and a highdensity polyethylene resin in series.例文帳に追加

真空断熱材用積層体が少なくともガスバリア層と最内層に熱接着性樹脂層が積層されて構成されており、熱接着性樹脂層が高密度ポリエチレン、ポリオレフィン、高密度ポリエチレンが順次、積層されてなることを特徴とする真空断熱材用積層体及びそれを用いた真空断熱材。 - 特許庁

In the liquid crystal panel 3 of a translucent color liquid crystal display device 1, transparent electrodes 23, an insulation layer 34 and an alignment layer 25 are formed on a glass substrate 21, and a translucent reflection plate 32, color filters 30, an overcoat layer 29, a transparent electrode 24 and an alignment layer 25 are formed on the other glass substrate 35.例文帳に追加

半透過型カラー液晶表示装置１において、液晶パネル３によれば、ガラス基板２１上に透明電極２３と絶縁層３４と配向膜２５を形成し、一方のガラス基板３５上には半透過反射板３２とカラーフィルター３０とオーバーコート層２９と透明電極２４と配向膜２５を形成している。 - 特許庁

In the cylindrical cavitation sensor, a piezoelectric vibrator layer made of a piezoelectric material, a signal electrode layer made of a conductive material, and an acoustic isolator layer made of a sound insulation or sound absorbing material are laminated successively on the outer surface of a conductive cylindrical substrate, and the outermost side is covered with a shield layer.例文帳に追加

導電性筒状基体の外側表面に、圧電材料からなる圧電振動子層、導電性材料からなる信号電極層及び遮音又は吸音材からなる音響アイソレータ層が順次積層され、その最外側がシールド層で被覆された構造を有する筒型キャビテーションセンサとする。 - 特許庁

A porous insulation layer having a thickness of not thinner than 0.3 μm and not thicker than 3 μm is deposited on an activator layer of either a positive electrode plate having a positive electrode activator layer or a negative electrode plate having a negative electrode activator layer containing negative electrode activator particles, by a sputtering method, an ion plating method, or a CDV method (chemical vapor deposition method).例文帳に追加

正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に厚みが０．３μｍ以上３μｍ以下の多孔質絶縁層をスパッタリング法、イオンプレーティグ法、ＣＶＤ法で堆積させる。 - 特許庁

A nonmagnetic isolation layer 305 is located between the second pole piece 102 and the write shield layer 304 and at least one ferromagnetic stud 300 and/or 302 is magnetically connected between a first pole piece layer 100 and the write shield layer 304 and is located between the head surface ABS and the insulation stack 110.例文帳に追加

非磁性分離層３０５が第２磁極片１０２と書込みシールド層３０４の間に位置しており、少なくとも１個の強磁性スタッド３００，３０２が第１磁極片層１００と書込みシールド層３０４の間に磁気的に結合され、かつヘッド表面ＡＢＳと絶縁スタックの１１０間に位置している。 - 特許庁

A laminated film composed of a semiconductor layer, a gate insulation layer and a gate electrode layer is formed on an insulator, the laminated film is etched with a first resist pattern formed on it as a mask, then the first resist pattern is worked into a second resist pattern, and at least the gate electrode layer is etched with the second resist pattern as the mask.例文帳に追加

絶縁体上に半導体層とゲート絶縁層とゲート電極層からなる積層膜を形成し、この上に形成した第1のレジストパターンをマスクとして積層膜をエッチングした後、第1のレジストパターンを第２のレジストパターンに加工し、第２のレジストパターンをマスクとして少なくともゲート電極層をエッチングする。 - 特許庁

An acrylic resin layer 82 is supplied onto a TFT 56 of a transparent insulation substrate 67 and a transfer die 83 having a projecting and recessed part 86 on its surface is pressed to the acrylic resin layer 82 in the uncured state of the acrylic resin layer 82 to form the spacer 79 and the contact hole 59 on the acrylic resin layer 82.例文帳に追加

透明絶縁性基板６７のＴＦＴ５６上にアクリル系樹脂層８２が供給され、このアクリル系樹脂層８２が未硬化の状態で、表面に凹凸部８６を有する転写型８３をアクリル系樹脂層８２に押圧して、アクリル系樹脂層８２にスペーサ７９とコンタクトホール５９とが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a channel region, a semiconductor layer composed of a pair of impurity regions and a pair of low-concentration impurity layers, and a gate electrode layer of a monolayer structure or laminated layer structure having film thickness differences which is contacted with the semiconductor layer via a gate insulation film.例文帳に追加

本発明は、チャネル領域、一対の不純物領域及び一対の低濃度不純物領域からなる半導体層と、ゲート絶縁膜を介して、前記半導体層に接して形成された、膜厚差を有する単層構造又は積層構造のゲート電極層を含むことを特徴としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the heat insulation fire-resistant sandwich panel 100 includes a step of integrating the inorganic layer 106 with the back surface member 104, a step of injecting and foaming the phenol urethane resin in contact with the inorganic layer 106 and solidifying and molding the organic layer 108, and a step of integrating the surface member 102 with the organic layer 108.例文帳に追加

断熱耐火サンドイッチパネル１００の製造方法は、裏面材１０４に無機層１０６を一体化させる工程と、無機層１０６に接してフェノールウレタン樹脂を注入発泡させ、有機層１０８を固化成形する工程と、有機層１０８に表面材１０２を一体化させる工程と、を含む。 - 特許庁

The thin film transistor includes a gate electrode 15, a gate insulation layer 12, a channel layer 11, a source electrode 13, and a drain electrode 14 formed on a substrate 10, in which: the channel layer 11 contains indium, germanium, and oxygen; and the channel layer 11 has a compositional ratio expressed by In/(In+Ge) of 0.5 or more and 0.97 or less.例文帳に追加

基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。 - 特許庁

This electronic device packaging substrate includes coaxial multilayer structure that is composed of a center conductive part 1, a cylindrical dielectric layer 2 that is formed around the center conductive part 1, and a cylindrical conductive layer that is formed around the cylindrical dielectric layer 2, and an insulation layer where a plurality of coaxial multilayer structures are mutually embedded at intervals.例文帳に追加

中心導電部１とその中心導電部１の周囲に形成された筒状誘電体層２とその筒状誘電体層の周囲に形成された筒状導電層から構成された同軸多層構造と、同軸多層構造が互いに間隔を置いて複数埋め込まれる絶縁層とを含む。 - 特許庁

The TFT comprises the semiconductor layer (202) containing a source region, a channel region, and a drain region formed on a substrate (200); a gate insulation film (204) formed on the semiconductor layer in at least the channel region; and a gate electrode film (206) formed on the gate insulation film so that the semiconductor layer contains a deuterium.例文帳に追加

本発明に係るＴＦＴは、基板（２００）上に形成された、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む半導体層（２０２）と、少なくとも前記チャネル領域における前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜（２０４）と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極膜（２０６）とを備えており、前記半導体層中に重水素を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the build-up multilayer board includes the steps of forming wiring layers 2a and 2b by electric copper plating on an organic polymer insulation layer 11a and further of laminating an organic polymer insulation layer 11b on the wiring layer.例文帳に追加

また、特にビアフィルめっきに用いられる各種添加剤を含む種々の硫酸銅めっき浴をそのまま用いても表面の凹凸を様々な形状や粗さに形成することができることから、添加剤に起因する皮膜特性に応じて特殊なエッチング液を選択する必要もなく、また、積層する有機高分子絶縁層の材質及び物性に合わせて表面の凹凸を容易に形成する。 - 特許庁

A liquid crystal panel substrate includes a connecting plug 15 connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer under a second interlayer insulation film 11 under a shading film 12 composed of a second metal layer and a pixel electrode composed of a third metal layer on a third interlayer insulation film 13 on the shading film through an opening provided in the shading film 12, in a pixel region.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

A liquid crystal panel substrate includes a connecting plug 15 conductively connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer sandwiching a second interlayer insulation film 11 under a shading film through an opening 12a provided in the shading film 12 composed of a second metal layer and a pixel electrode composed of a third metal layer sandwiching a third interlayer insulation film 13 on the shading film, in a pixel region.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

With the manufacturing method of glass winding in which, after a glass bobbin layer is formed by winding a glass yarn bunch around a conductor, an insulation varnish is applied inside the glass bobbin layer to be printed afterwards, the printing of the insulation varnish is to be made as pressure is impressed on the surface of the glass bobbin layer with a surface- smoothing roll for glass winding.例文帳に追加

導体にガラス糸束を巻き付けてガラス糸巻層を形成した後、該ガラス糸巻層内に絶縁ワニスを塗布し、然る後焼き付けを行なうことによりガラス巻線を製造するガラス巻線の製造方法において、前記絶縁ワニスの焼き付けは、前記ガラス糸巻層の表面にガラス巻線用表面平滑ロールにより圧力を印加しながら行なうようにしたことにある。 - 特許庁

In the semiconductor device where an interlayer insulation layer 13 is formed on a semiconductor chip 30, and a sealing resin layer 19 for protecting the semiconductor chip 30 from external atmosphere and at the same time bump electrodes 20 used as external connection terminals are provided, at least the interlayer insulation layer 13 is formed by using resin with a specific low thermal coefficient of expansion and a specific low modulus of elasticity.例文帳に追加

半導体チップ３０上に層間絶縁層１３が形成され、さらに半導体チップ３０を外部雰囲気から保護する封止樹脂層１９を有すると共に、外部接続端子としての突起状電極２０を備えた半導体装置において、少なくとも層間絶縁層１３を特定の低熱膨張率及び特定の低弾性率を有する樹脂を用いて形成する。 - 特許庁

The insulation film 5 is polished by a CMP method, to remove the part of deposits formed on the sidewall of the conductive layer 2, which is higher than at least the surface of the conductive layer 2.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法によって絶縁膜５を研磨し、導電層２側壁に形成された側壁堆積物４のうち、少なくとも導電層２表面よりも高く形成された部分を除去する工程とを有する。 - 特許庁

Subsequently, a via hole 6 and second wiring layers 7a, 7b are formed in the via holes 4 from which the residue is removed and on the insulation layer 3 thus obtaining a highly reliable four layer high density wiring board.例文帳に追加

残渣が除去されたバイアホール用孔４内及び絶縁層３上にバイアホール６及び第２配線層７ａ及び第２配線層７ｂを形成し、信頼性に優れた４層の高密度配線板を得る。 - 特許庁