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「line selection」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索
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line selectionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1407



例文

ON-LINE SELECTION OF SERVICE PROVIDER IN PROVIDING DISTRIBUTED ON-DEMAND SERVICE例文帳に追加

分散型オンデマンドサービスの提供におけるサービスプロバイダのオンライン選択 - 特許庁

NAND-TYPE FLASH MEMORY DEVICE HAVING SHARED SELECTION LINE STRUCTURE例文帳に追加

共有された選択ライン構造を有するNAND型フラッシュメモリ装置 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY APPARATUS HAVING SHARED SELECTION LINE STRUCTURE例文帳に追加

共有された選択ライン構造を有するNAND型フラッシュメモリ装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of preventing conflict of the selection period of a refresh word line with the selection period of a read/write word line.例文帳に追加

リフレッシュ用のワード線の選択期間とリード/ライト用のワード線の選択期間の衝突を回避する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

例文

An eye selection part 1500 selects an eye according to the degree of visual line reliability.例文帳に追加

目選択部1500は、視線の信頼度に応じて目を選択する。 - 特許庁


例文

The IDE duplicates the designated line or selection in the desired location.例文帳に追加

指定した行または選択範囲が、指定した位置に複製されます。 - NetBeans

The IDE moves the designated line or selection in the desired location.例文帳に追加

指定した行または選択範囲が、指定した位置に移動されます。 - NetBeans

In 1915, the Prefectural Agricultural Experiment Station conducted the pure-line selection of Goriki No.2. 例文帳に追加

1915年、同県農業試験場にて強力2号を純系分離。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a semiconductor memory device in which the confliction of a selection period of a word line for refresh and a selection period of a word line for read/write can be prevented.例文帳に追加

リフレッシュ用のワード線の選択期間とリード/ライト用のワード線の選択期間の衝突を回避する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

例文

A menu object O1 displays a menu of a parent hierarchy with reference to a text file F1 and stores a selection line variable which indicates a selection result in a selection line variable storing part A14.例文帳に追加

メニューオブジェクトO1は、テキストファイルF1を参照して、親階層のメニューを表示すると共に、選択結果を示す選択行変数を選択行変数記憶部A14に格納する。 - 特許庁

例文

Then provided is a scanning drive part for driving the selection scan line, 1st light emission scanning line, and 2nd light emission scanning line.例文帳に追加

そして,選択走査線,第1発光走査線および第2発光走査線を駆動するための走査駆動部が提供される。 - 特許庁

That is, area of a circuit band is reduced by using a digit line before the selection memory block as a signal line being not a current line.例文帳に追加

つまり、選択メモリブロック以前のデジット線を電流線ではなく信号線として用いて回路帯の面積を縮小する。 - 特許庁

This device is equipped with a line display part which displays a line number, a next line display light 23b, a next line selection switch 23 and a registration processing part.例文帳に追加

回線番号を表示する回線表示部10、次回線表示灯23b、次回線選択スイッチ23、登録処理部102bを設ける。 - 特許庁

COLUMN SELECTION LINE DRIVING CIRCUIT WITH IMPROVED COLUMN SELECTION SPEED, MEMORY DEVICE WITH IT, AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

カラム選択速度が改善されたカラム選択ライン駆動回路とこれを具備したメモリ装置、及びその駆動方法 - 特許庁

To reduce a peak current when switching a word line to a non-selection state from a selection state, and reduce the resultant noise.例文帳に追加

ワード線を選択から非選択へ切り替え時のピーク電流及びこれに伴うノイズを軽減すること。 - 特許庁

The word line driver (4) supplies a selection voltage or a non-selection voltage to each of the plurality of word lines (WL).例文帳に追加

ワード線ドライバ(4)は、複数のワード線(WL)の各々に選択電圧又は非選択電圧を供給する。 - 特許庁

High speed data transfer is realized by performing simultaneously data line selection and redundancy selection based on a column address.例文帳に追加

カラムアドレスに基づくデータ線選択と冗長選択とを同時に行うことで、高速なデータ転送を実現する。 - 特許庁

Each memory cell includes two memory elements connected to the coincidence line, and a selection line connected there.例文帳に追加

各メモリ・セルは、一致ラインに結合された二つのメモリ素子と、そこに結合された選択ラインとを含む。 - 特許庁

To stabilize the potential of a non-selection word line in a semiconductor memory device of a negative word line system.例文帳に追加

ネガティブワード線方式の半導体記憶装置において非選択ワード線の電位を安定させる。 - 特許庁

A word latch circuit is provided for each word line, and threshold value control is performed for each word line in a selection block.例文帳に追加

ワード線毎にワードラッチ回路を儲け、選択ブロック中でワード線毎にしきい値管理を行なう。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device related to one embodiment includes: a memory cell array; a plurality of memory strings; a drain side selection transistor; a source side selection transistor; a plurality of word lines; a plurality of bit lines; a source line; a drain side selection gate line; a source side selection gate line; and a controlling circuit.例文帳に追加

一態様に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ、複数のメモリストリング、ドレイン側選択トランジスタ、ソース側選択トランジスタ、複数のワード線、複数のビット線、ソース線、ドレイン側選択ゲート線、ソース側選択ゲート線、及び制御回路を有する。 - 特許庁

Random selection according to the selection probability (2) and selection by a random target value on a controllability scale may be adopted (3) as well as selection by the probability of selecting the gate input signal line (1) as selection criteria.例文帳に追加

選択の基準としては、(1)ゲート入力信号線の選択確率による選択316の他に、(2)選択確率に従ったランダム選択、(3)可制御性尺度のランダム目標値による選択を採用してもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of detecting defects of a column selection line.例文帳に追加

カラム選択線の不良を検出可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Memory strings are formed by connecting in series a plurality of electrically rewritable memory cells, a bit line side selection transistor and a source line side selection transistor.例文帳に追加

メモリストリングスは、電気的に書き換え可能な複数のメモリセル、ビット線側選択トランジスタ、及びソース線側選択トランジスタを直列に接続してなる。 - 特許庁

Further, a drain side selection gate line SGD and a source side selection gate line SGS are charged to the second voltage Vs by the voltage generation circuit 10.例文帳に追加

さらに、電圧発生回路10により、ドレイン側選択ゲート線SGDおよびソース側選択ゲート線SGSを、第2の電圧Vsに充電する。 - 特許庁

Each memory cell of the semiconductor memory is connected to a control gate line, and includes a memory transistor for accumulating electrons and a selection transistor connected to a selection gate line.例文帳に追加

半導体メモリの各メモリセルは、制御ゲート線に接続され、電子を蓄積するメモリトランジスタと、選択ゲート線に接続された選択トランジスタとを有する。 - 特許庁

The transistor Q_1 shorts the outputs of the gate output circuits GO_1, GO_2 in a period between the selection period of the gate line G_1 and the selection period of the gate line G_2.例文帳に追加

トランジスタQ_1は、ゲート線G_1の選択期間とゲート線G_2の選択期間との間に、ゲート出力回路GO_1、GO_2の出力を短絡する。 - 特許庁

SELECTION ASSISTING METHOD FOR OPTIMAL POWER DISTRIBUTION SYSTEM IN TRUNK LINE FACILITY OF BUILDING例文帳に追加

建物の幹線設備における最適配電方式の選定支援方法 - 特許庁

In verify-read-out operation after writing data, verify-read-out voltage is given to the selection word line and pass voltage Vpass 3 is given to the non-selection word line.例文帳に追加

データ書き込み後のベリファイ読出し動作では、選択ワード線にベリファイ読出し電圧、非選択ワード線にはパス電圧Vpass3を与える。 - 特許庁

One time line selection interval T is divided into a plurality of partial selection intervals P1 and P2 and a signal potential VB is pulse width modulated for every partial selection interval.例文帳に追加

1回のライン選択期間Tを複数の部分選択期間P1,P2に分割し、各部分選択期間毎に信号電位VBをパルス幅変調した。 - 特許庁

To control the summation of transmission power in whole channels not to exceed the maximum transmission power when an incoming line channel to be the object of TFC Selection coexists with an incoming line channel not to be the object of the TFC Selection.例文帳に追加

TFC Selectionの対象となる上り回線チャネルとTFC Selectionの対象にない上り回線チャネルとが存在する場合に、全てのチャネルの送信電力の総和が最大送信電力を超えないように制御すること。 - 特許庁

This device is provided with a selection line driver supplying selection voltage restricted lower than power source voltage to a string selection line while program voltage is supplied to a word line, and a slope control circuit controlling rising slope so that electrostatic coupling is not caused between the string selection line and a selected word line during program operation.例文帳に追加

プログラム電圧がワードラインに供給される間に、ストリング選択ラインに電源電圧より低く制限される選択電圧を供給する選択ラインドライバ、そしてプログラム動作の間、ストリング選択ラインと選択されたワードライン間に静電結合が発生しないように、プログラム電圧のライジングスロープを制御するスロープ制御回路を備える。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 101 is configured to include a bit voltage adjustment circuit 25 per respective bit line for fixing potentials of a selection bit line and a non-selection bit line to a prescribed potential to perform the memory operation, and data voltage adjustment circuits 27, 28 per respective data line for fixing potentials of the selection data line and the non-selection data line to a prescribed potential to perform the memory operation.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置101は、ビット線の夫々につき、選択ビット線と非選択ビット線の電位をメモリ動作を行うための規定の電位に固定するビット電圧調整回路25、及び、データ線の夫々につき、選択データ線と非選択データ線の電位をメモリ動作を行うための規定の電位に固定するデータ電圧調整回路27、28を設けてなる。 - 特許庁

When a memory horizontal selection circuit 6 does not generate a selection pulse of a horizontal line at a first row, a memory horizontal selection pulse disappearance detection circuit 23 detects the disappearance of the selection pulse, generates a forced reset pulse and resets the memory horizontal selection circuit 6, and generates the selection pulse of the horizontal line at the first row.例文帳に追加

メモリ横選択回路6が1行目の横の並びの選択パルスを発生しない時には、メモリ横選択パルス消滅検出回路23がその選択パルスの消滅を検出して強制リセットパルスを発生してメモリ横選択回路6をリセットし、1行目の横の並びの選択パルスを発生させる。 - 特許庁

Similarly, a memory vertical selection circuit 5 does not generate a selection pulse of a vertical line at the first row, a memory vertical selection pulse disappearance detection circuit 22 detects the disappearance of the selection pulse, generates a forced reset pulse and resets the memory vertical selection circuit 5, and generates the selection pulse of the vertical line at the first row.例文帳に追加

同様に、メモリ縦選択回路5が1行目の縦の並びの選択パルスを発生しない時には、メモリ縦選択パルス消滅検出回路22がその選択パルスの消滅を検出して強制リセットパルスを発生してメモリ縦選択回路5をリセットし、1行目の縦の並びの選択パルスを発生させる。 - 特許庁

Furthermore, the backing method can incorporate a bit diffusion selection transistor and/or a control gate line selection transistor.例文帳に追加

更に、この裏打ち方法は、ビット拡散選択トランジスタ及び/又はコントロールゲート線選択トランジスタを組み込むことができる。 - 特許庁

Package selection information is transmitted from a master package 1 through a package selection information line 3 to all slave packages 21,..., 2n.例文帳に追加

マスタパッケージ1からパッケージ選択情報をパッケージ選択情報線3を介して全スレーブパッケージ21,…,2nに伝送する。 - 特許庁

Also, the selection of an icon by the line of sight of the user or the like can be performed as well.例文帳に追加

また、ユーザの視線によるアイコンの選択なども行うことができる。 - 特許庁

To detect word line multiple selection caused by a defective program Raving a defective address.例文帳に追加

不良アドレスのプログラム不良に起因するワード線多重選択を検出する。 - 特許庁

To facilitate the selection of image data transmitted through a predetermined communication line.例文帳に追加

所定の通信回線を通じて送信する画像データの選択を容易にする。 - 特許庁

A length of a nonselection period after the selection period is thereby different in every scanning line.例文帳に追加

そのため、選択期間後の非選択期間の長さが走査線毎に異なる。 - 特許庁

To provide a flash memory device having a split string selection line structure.例文帳に追加

分離されたストリング選択ライン構造を有するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

A line selection device 2 is a device for selecting a line used for communication between a terminal device and a network.例文帳に追加

回線選択装置2は、端末装置とネットワークとの通信に使用する回線を選択するための装置である。 - 特許庁

Further, at the time of access, a selecting word line is made a H level, and a non-selection word line is made a ground potential.例文帳に追加

なお、アクセス時においては、選択するワード線はHレベルにされ、非選択のワード線は接地電位にされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a word line shift constitution in which there is less danger of word line multi-selection.例文帳に追加

ワード線マルチセレクションの危険性の少ないワード線シフト構成を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cache line selection method for preferentially refilling a cache line having unnecessary data.例文帳に追加

すでに不要となったデータもつキャッシュラインを優先的にリフィルするキャッシュライン選択方法を提供すること - 特許庁

Alternatively, a prism provides the emission line selection and the etalon narrows the selected emission line.例文帳に追加

また、その代りにプリズムが輝線選択を提供しエタロンがその選択された輝線を狭線幅化することもある。 - 特許庁

When data are read out, a bit line potential VBL is larger than a source line potential VSL, and a word line potential VWL_s of a selection cell MC_s is larger than the bit line potential VBL, and a word line potential VWL_us of a non-selection cell MC_us is smaller than the source line potential VSL.例文帳に追加

データの読み出し時、ビット線電位VBLはソース線電位VSLより大きく、選択セルMC_sのワード線電位VWL_sは、ビット線電位VBLより大きく、非選択セルMC_usのワード線電位VWL_usは、ソース線電位VSLより小さい。 - 特許庁

A connection line selection part 309 sets the first connection line or the second connection line as a connection line of an adjacent captured image according to the detected imaging condition.例文帳に追加

接続ライン選択部309は、検出された撮像条件に応じて、第1接続ラインまたは第2接続ラインを隣接する撮像画像の接続ラインとする。 - 特許庁

例文

When only the second visual line direction is detected, the visual line direction selection part 30 selects the second visual line direction as the visual line direction of the crew of the vehicle.例文帳に追加

視線方向選択部30は、第2視線方向のみが検出された場合には、この第2視線方向を車両の乗員の視線方向として選択する。 - 特許庁




  
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