N. Ir.とは 意味・読み方・使い方

A k-bit information bit string is inputted from an information signal source 10, and the encoder 20 encodes the k-bit information bit string to an n-bit encoded bit string of a parallel sequence at an encoding rate (k/n), and n repeat pulse trains are generated by the pulse generator 30 and transmitted as UWB-IR from the antenna 90.例文帳に追加

情報信号源１０からｋビットの情報ビット列が入力され、符号器２０は、符号化率（ｋ／ｎ）で、ｋビットの情報ビット列を並列系列のｎビットの符号化ビット列に符号化し、パルス発生器３０においてｎ個の繰返しパルス列が生成されてアンテナ９０からＵＷＢ−ＩＲとして送信される。 - 特許庁

In formula 1, M expresses Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru or Pd; CyN-Cy expresses a cyclometalized ligand bonded to the M through nitrogen(N) and carbon(C); 'A' expresses an N-containing ligand bonded to the M; X expresses a monoanionic single ligand; (n) expresses 1 or 2.例文帳に追加

式中、Ｍは、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｒｅ、ＲｕまたはＰｄであり、ＣｙＮ−ＣｙＣは、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）を通じてＭと結合されているシクロメタル化配位子を表し、ＡはＭと結合する窒素原子を含む配位子を表し、Ｘはモノアニオン性単座配位子であり、ｎは１または２である。 - 特許庁

A current It flows to the n channel MOS field effect transitsro 13 of the constant-voltage generating circuit 10 and a current Ir which is equal to or a constant multiple of the current It flows to a resistance 18.例文帳に追加

定電流発生回路１０のｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ１３に電流Ｉｔが流れ、電流Ｉｔと等しいかまたは定数倍の電流Ｉｒが抵抗１８に流れる。 - 特許庁

To provide a trench Schottky barrier diode that improves the relation of trade-off between a leakage current IR in reverse direction and a forward drop voltage VF even when the carrier balance is excessive in n because of the variation of production.例文帳に追加

製造ばらつきに起因してキャリアバンスがｎ過多となった場合でも、逆方向リーク電流ＩＲと順方向降下電圧ＶＦとの間にあるトレードオフの関係を改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 7 of a high-breakdown-voltage MISFET with a thick film thickness is formed on an n-type buried layer 3 as an active area and a resistance element IR of an internal circuit is formed on the gate insulating film 7.例文帳に追加

アクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

The electron releasing material is constituted by forming an amorphous or microcrystalline carbon nitride film containing an N-H terminal, more particularly the carbon nitride film which is above the absorption area of the C-H terminal in the absorption area of the N-H terminal in the IR absorption spectra of the carbon nitride film on the surface of a conductive base material.例文帳に追加

Ｎ−Ｈ終端を含有するアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜、特に窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおけるＮ−Ｈ終端の吸収面積がＣ−Ｈ終端の吸収面積以上である窒化炭素膜を導電性の基材表面に形成することによって、電子放出材料を構成する。 - 特許庁

A gate insulator 7 of a high breakdown voltage MISFET having a thick film thickness is formed at an upper part of an n-type buried layer 3 serving as a dummy active region, and a resistance element IR of an internal circuit is formed at an upper part of the gate insulator 7.例文帳に追加

ダミーアクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

This organometallic complex is expressed by chemical formula: ML_mL'_n (chemical formula 1) [wherein, M is Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru or Pd; L and L' are different bidentate ligands; (m) is 1, 2 or 3; and (n) is (3-m)].例文帳に追加

下記化学式１で表される有機金属錯体：ＭＬ_ｍＬ’_ｎ・・・（化学式１） 式中、 前記Ｍは、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｒｅ、ＲｕまたはＰｄであり、 前記ＬおよびＬ’は、異なる二座配位子であり、 ｍは、１、２または３であり、 ｎは、３−ｍである。 - 特許庁