nisiとは 意味・読み方・使い方

The entire NiSi layer 110 has a thickness not larger than 50 nm.例文帳に追加

ＮｉＳｉ層１１０全体の層厚が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁

Then, an Ni film 33 is deposited on the NiSi film 32b, heat treatment is made, and the NiSi film 32b is converted to an Ni_3Si film 34.例文帳に追加

その後、ＮｉＳｉ膜３２ｂ上にＮｉ膜３３を堆積し、熱処理を行ってＮｉＳｉ膜３２ｂをＮｉ_3Ｓｉ膜３４に変換する。 - 特許庁

To suppress the oxidization of the surface of an NiSi layer and an increase in the layer.例文帳に追加

ＮｉＳｉ層の表面の酸化および抵抗上昇を抑制する。 - 特許庁

Chiimiya Station and Jinzai Station were renamed as Nisi-Izumo Station and Izumotaishaguchi Station, respectively.発音を聞く 例文帳に追加

知井宮駅を西出雲駅に、神西駅を出雲大社口駅に改称。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The NiSi layer 110 is provided to be contacted with the element formation surface; and made up of a NiSi region 111 substantially not containing nitrogen and a nitride region 117 provided to be contacted with the upper part of the NiSi region 111, and containing nitrogen.例文帳に追加

ＮｉＳｉ層１１０は、素子形成面に接して設けられ、窒素を実質的に含まないＮｉＳｉ領域１１１と、ＮｉＳｉ領域１１１の上部に接して設けられ、窒素を含む窒化領域１１７と、からなる。 - 特許庁

Consequently, heat resistance of the NiSi film 42 is improved, and it is possible to restrain the disilicide structure of the NiSi film 42 by a heat treatment in a later process.例文帳に追加

これにより、ＮｉＳｉ膜４２の耐熱性が向上し、後工程における熱処理によりＮｉＳｉ膜４２がダイシリサイド化するのを抑制することができる。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING LAYER CONTAINING NICKEL MONOSILICIDE NiSi ON SUBSTRATE CONTAINING SILICON例文帳に追加

シリコンを含む基板上にニッケルモノシリサイドＮｉＳｉを含む層を調製する方法 - 特許庁

To provide a residue removing liquid capable of effectively removing residue after a dry process in a process for manufacturing a semiconductor device containing NiSi (nickel silicide).例文帳に追加

本発明は、NiSi(ニッケルシリサイド)を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。 - 特許庁