ion beam generationとは 意味・読み方・使い方

NEGATIVE ION SOURCE, ION BEAM ANALYSIS DEVICE, ETCHING DEVICE, OXYGEN RADICAL GENERATION DEVICE AND WASTE GAS PROCESSOR例文帳に追加

負イオン源、イオンビーム分析装置、エッチング装置、酸素ラジカル発生装置及び排ガス処理装置 - 特許庁

To provide a converged ion beam device provided with a liquid metal ion source for realizing accurate measurement of an emission current and generation of a stable ion beam.例文帳に追加

正確なエミッション電流の測定と安定なイオンビームの発生を実現する液体金属イオン源を備えた集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

The device Sa for controlling the ion beam includes an ion beam generation component 2 and an ion beam controlling component 1a into which a generated ion beam IB is launched and which controls it so that the ion beam IB can be emitted with the energy spread of a prescribed size and the diameter of a prescribed size in the moving radius direction.例文帳に追加

イオンビーム制御装置Ｓａは、イオンビーム生成部２、生成されたイオンビームＩＢが入射され、所定の大きさのエネルギー拡がりおよび動径方向における所定の大きさの直径でイオンビームＩＢが射出されるように、制御するイオンビーム制御部１ａを備える。 - 特許庁

A correction magnetic field is generated on the optical axis of the ion beam 3 from a correction magnetic field generation part 10 to offset the deflection of the ion beam by an external magnetic field.例文帳に追加

補正磁場発生部10からイオン・ビーム３の光軸上に補正磁場を発生させ、外部磁場によるイオン・ビームの偏向を相殺する。 - 特許庁

To suppress the generation of display irregularity by preventing charge irregularity in the alignment of an ion beam.例文帳に追加

イオンビーム配向時における帯電ムラを防止して表示ムラの発生を抑制する。 - 特許庁

Since an ion beam IB from an ion generation part 8 is thus blocked by the open-close mechanism 11, the ion beam IB is implanted into a beam stop 20 in a target chamber 16, so that no particle is produced.例文帳に追加

したがって、イオンビーム発生部８からのイオンビームＩＢは開閉機構１１で遮断されるため、イオンビームＩＢがターゲットチャンバ１６内のビームストップ２０に打ち込まれてパーティクルが発生することは無い。 - 特許庁

To restrain generation of measurement errors of ion-beam currents by an ion-beam current measurement device, even if it is fitted at a downstream side of a plasma generating device.例文帳に追加

プラズマ発生装置を備えていても、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置によるイオンビーム電流の測定に誤差が生じるのを抑制する。 - 特許庁

Specifically, an ion beam generation method forms a continuously distributed magnetic field along the central axis of a path for an ion beam passing from the ECR ion source 20 to the cyclotron 50.例文帳に追加

すなわち、このイオンビーム生成方法においては、ＥＣＲイオン源２０からサイクロトロン５０に至るまでのイオンビームが通過する経路の中心軸方向において、連続的に分布する磁場を形成する。 - 特許庁