「ion beam generation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MASS SEPARATION DEVICE, ION BEAM GENERATING DEVICE, FUNCTION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF FUNCTION ELEMENT, AND ION BEAM GENERATION METHOD例文帳に追加

質量分離装置、イオンビーム発生装置、機能素子、機能素子の製造方法およびイオンビーム発生方法 - 特許庁

To provide an ion beam position detection plate of an ion beam generation device capable of specifying an ion beam irradiation position without using a phosphor material nor deteriorating the level of vacuum, in relation to an ion beam position detection plate of an ion beam generation device.例文帳に追加

本発明はイオンビーム発生装置のイオンビーム位置検出板に関し、蛍光材を用いることなく、且つ真空度を低下させることのない、イオンのビーム照射位置を特定することができるイオンビーム発生装置のイオンビーム検出板を提供することを目的としている。 - 特許庁

NEGATIVE ION SOURCE, ION BEAM ANALYSIS DEVICE, ETCHING DEVICE, OXYGEN RADICAL GENERATION DEVICE AND WASTE GAS PROCESSOR例文帳に追加

負イオン源、イオンビーム分析装置、エッチング装置、酸素ラジカル発生装置及び排ガス処理装置 - 特許庁

To provide a converged ion beam device provided with a liquid metal ion source for realizing accurate measurement of an emission current and generation of a stable ion beam.例文帳に追加

正確なエミッション電流の測定と安定なイオンビームの発生を実現する液体金属イオン源を備えた集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

The device Sa for controlling the ion beam includes an ion beam generation component 2 and an ion beam controlling component 1a into which a generated ion beam IB is launched and which controls it so that the ion beam IB can be emitted with the energy spread of a prescribed size and the diameter of a prescribed size in the moving radius direction.例文帳に追加

イオンビーム制御装置Ｓａは、イオンビーム生成部２、生成されたイオンビームＩＢが入射され、所定の大きさのエネルギー拡がりおよび動径方向における所定の大きさの直径でイオンビームＩＢが射出されるように、制御するイオンビーム制御部１ａを備える。 - 特許庁

A correction magnetic field is generated on the optical axis of the ion beam 3 from a correction magnetic field generation part 10 to offset the deflection of the ion beam by an external magnetic field.例文帳に追加

補正磁場発生部10からイオン・ビーム３の光軸上に補正磁場を発生させ、外部磁場によるイオン・ビームの偏向を相殺する。 - 特許庁

To suppress the generation of display irregularity by preventing charge irregularity in the alignment of an ion beam.例文帳に追加

イオンビーム配向時における帯電ムラを防止して表示ムラの発生を抑制する。 - 特許庁

Since an ion beam IB from an ion generation part 8 is thus blocked by the open-close mechanism 11, the ion beam IB is implanted into a beam stop 20 in a target chamber 16, so that no particle is produced.例文帳に追加

したがって、イオンビーム発生部８からのイオンビームＩＢは開閉機構１１で遮断されるため、イオンビームＩＢがターゲットチャンバ１６内のビームストップ２０に打ち込まれてパーティクルが発生することは無い。 - 特許庁

To restrain generation of measurement errors of ion-beam currents by an ion-beam current measurement device, even if it is fitted at a downstream side of a plasma generating device.例文帳に追加

プラズマ発生装置を備えていても、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置によるイオンビーム電流の測定に誤差が生じるのを抑制する。 - 特許庁

Specifically, an ion beam generation method forms a continuously distributed magnetic field along the central axis of a path for an ion beam passing from the ECR ion source 20 to the cyclotron 50.例文帳に追加

すなわち、このイオンビーム生成方法においては、ＥＣＲイオン源２０からサイクロトロン５０に至るまでのイオンビームが通過する経路の中心軸方向において、連続的に分布する磁場を形成する。 - 特許庁

Energy is given to ions 2 (B+ beams) having plus charges from the ion generation source of the ion injection device 1, and a wafer 3 is irradiated with the beam.例文帳に追加

イオン注入装置１のイオン発生源よりプラスの電荷を持ったイオン２（Ｂ^+ ビーム）にエネルギーを与え、ウエハ３に照射する。 - 特許庁

To improve efficiency of ion beam generation and elongation of life of a hot cathode, in an ion source with the hot cathode of a concentric structure.例文帳に追加

同軸構造の熱陰極を備えているイオン源において、イオンビーム生成効率の向上および熱陰極の長寿命化を可能にする。 - 特許庁

This ion implanter is provided with an ion generation source 2 and a beam line 11 for selecting ions fed from the ion generation source 2 by means of a mass separation magnet 7 and leading ions with a predetermined mass to an end station 8.例文帳に追加

イオン発生源２と、該イオン発生源２から送出されたイオンを質量分離マグネット７で選択し、所定質量のイオンをエンドステーション８に導くためのビームライン１１とを備えたイオン注入装置である。 - 特許庁

To suppress generation of radioactive substances and reduce radioactivity, when shutting off a beam, in an internal ion source type cyclotron.例文帳に追加

内部イオン源型サイクロトロンにおいて、ビーム遮断時の放射化物質の生成を抑え、放射能を低減化する。 - 特許庁

To achieve a high ion generation efficiency and secure a sufficient detection sensitivity even when a beam convergence diameter of laser beam is reduced to near the diffraction limit.例文帳に追加

レーザ光のビーム集束径を回折限界近くまで絞った場合でも、高いイオン生成効率を達成して十分な検出感度を確保する。 - 特許庁

The neutral particle beam treatment device 10 comprises an ion generating means for generating ions in an ion generation chamber 14, an extraction means for extracting the ions in the ion generation chamber 14 to a neutralization chamber 16, and a neutralizing means for neutralizing the extracted ions to generate the neutral particle beam.例文帳に追加

中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオンを中性化室１６に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。 - 特許庁

An ion source 2a is the part facing the ion drawing aperture 12 of a plasma generation vessel 4 that includes an electron-receiving aperture 26 arranged in the extension of the central axis 21 of the ion beam 20.例文帳に追加

このイオン源２ａは、プラズマ生成容器４のイオン引出し孔１２に対向する部分であって、イオンビーム２０の中心軸２１の延長線上に設けられた電子導入孔２６を有している。 - 特許庁

To provide a multivalent ion generation source easy to manufacture, superior in operability and maintenance, high in ionization, with high beam intensity, and a charged particle beam device using the same.例文帳に追加

製造が容易で、操作性及び保守性に優れ、電離度が高く、ビーム強度の大きい多価イオン発生源とそれを用いた荷電粒子ビーム装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stencil mask for ion implantation, having thermal resistance and durability which improves the fault, where a membrane is bent as a result of generation of heat, caused by a collision of an ion beam and improves the ion implantation accuracy, in an ion implantation process which uses the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加

イオン注入用ステンシルマスクを用いたイオン注入工程において、イオンビームの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むという欠点を改善し、イオン注入精度を向上させた耐熱性及び耐久性を有するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stencil mask which reduces flexure of a membrane resulting from ion beam heat generation, and has excellent heat resistance, durability, and ion implantation accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程において、イオンビーム発熱に起因したメンブレンのたわみを低減し、優れた耐熱性や耐久性およびイオン注入精度を有するステンシルマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To suppress electrification as small on the base plate surface during the period of an ion beam radiation while HF(High Frequency) discharge-type plasma generation equipment is in use.例文帳に追加

高周波放電型のプラズマ発生装置を用いつつ、イオンビーム照射の際の基板表面の帯電を小さく抑制する。 - 特許庁

Since no reaction product is deposited in the groove section 7 due to this arrangement, a short-circuiting caused by surface creepage between the ion beam generation chamber flange 6 and the ion source support section flange 5 is prevented.例文帳に追加

これにより、溝７部へは反応生成物の付着が発生しないため、イオンビーム発生チャンバフランジ６とイオン源支持部フランジ５との間の沿面放電による短絡を防止する。 - 特許庁

The radiation of the ion beam by the ion beam generation means and the detection of the emission signal by the detection means are carried out in a state where the temperature of the sample is regulated at a predetermined value by the temperature regulation means.例文帳に追加

前記温度調整手段により前記試料を予め設定された温度に調整した状態で、前記イオンビーム発生手段によるイオンビームの照射、及び前記検出手段による放出信号の検出を行う。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with a plasma generation device 14 as an example of an electron supply source for supplying electrons to a substrate 4 held to a holder 6 to restrain charge up of the substrate 4 caused by ion beam irradiation.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、ホルダ６に保持された基板４に電子を供給してイオンビーム照射に伴う基板４のチャージアップを抑制する電子供給源の一例として、プラズマ発生装置１４を備えている。 - 特許庁

To provide an ion source in which control of plasma density distribution in Y direction of a plasma generation container is easy, and bending of an ion beam orbit caused by a magnetic field generated in the plasma generation container can be prevented.例文帳に追加

プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度分布の制御が容易であり、しかもプラズマ生成容器内に発生させる磁界によってイオンビームの軌道が曲げられるのを防止することができるイオン源を提供する。 - 特許庁

To provide a new system structure for high-current ion beam generation improved in the uniformity of ion beams without requiring additional structuring elements, even if manufacturing cost is reduced and manufacturing processes are simplified.例文帳に追加

製造コストを下げ製造プロセスを簡略化しても追加の構成要素を必要としないで均一性を改良した高電流イオンビーム発生のための新しいシステム構成を提供すること。 - 特許庁

A continuous groove without break is cut outward (atmosphere side) along the circumference on the inside face of an insulation bushing 11 in a way to divide an ion beam generation chamber flange 6 and an ion source support section flange 5.例文帳に追加

イオンビーム発生チャンバフランジ６とイオン源支持部フランジ５とを仕切るように、絶縁ブッシング１１の内面に円周方向に沿って外方向（大気側）に向かう切れ目のない連続した溝７を設ける。 - 特許庁

On the ion irradiation device, a plasma 12 is generated by arranging a cathode 18 extended in an X-direction in a plasma generation container 8 of an ion source 2 drawing out the sheet-shaped ion beam widely spread in the X-direction, and by releasing thermion 19 by heating the cathode with an electron beam 38 scanned in the X-direction from an electron beam source 30.例文帳に追加

このイオン照射装置では、Ｘ方向に幅広のシート状のイオンビーム４を引き出すイオン源２のプラズマ生成容器８内に、Ｘ方向に伸びているカソード１８を設け、それを電子ビーム源３０からのＸ方向に走査される電子ビーム３８によって加熱して熱電子１９を放出させて、プラズマ１２を生成する。 - 特許庁

To provide a nuclear fusion energy supplying device in which the generation and the irradiation of an ion beam are not subjected to the influence of a metal vapor and which stably prevents a loss due to the scattering of a molten metal.例文帳に追加

イオンビームの発生及び照射が金属蒸気の影響を受けずに安定に、且つ溶融金属の飛散による損失を防止することにある。 - 特許庁

To provide a nanocluster that is used as a target that allows an efficient generation of a monochromatic ion beam by irradiation of a laser.例文帳に追加

レーザを照射することによって、単色化されたイオンビームを効率よく発生可能なターゲットとして用いることができるナノクラスタを提供する。 - 特許庁

A magnetic field generation part 4 for generating a magnetic field to change the direction of an ion beam IB and a magnetic field control part 5 for controlling the direction and strength of the magnetic field to irradiate an optional irradiation area IBA of a material source 6 with the ion beam IB are arranged between an ion gun 3 and the material source (a target 6).例文帳に追加

イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation improved in position precision of ion implantation by having superior heat resistance and durability and by improving a fault of a stencil mask for ion implantation that a membrane bends due to heat generation caused by a collision of an ion beam with the membrane, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

イオンビームのメンブレンへの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むというイオン注入用ステンシルマスクの欠点を改善し、優れた耐熱性や耐久性を具備することでイオン注入の位置精度を向上させたイオン注入用ステンシルマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam source for preventing abnormal discharge generated in the vicinity of each cathode and suppressing the generation of particles and splashes, and to provide a film deposition system provided therewith.例文帳に追加

カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a negative ion source, an ion beam analysis device, an etching device, an oxygen radical generation device and an waste gas processor which can attain a large ion current by generating a surface-like negative ions by utilization of diamond semi-conductor device structure, with a diamond serving as a semi-conductor.例文帳に追加

ダイヤモンドを半導体と捉えて、ダイヤモンド半導体デバイス構造を利用して、面的な負イオン生成を実現することにより、大きなイオン電流を実現することができる負イオン源、イオンビーム分析装置、エッチング装置、酸素ラジカル発生装置及び排ガス処理装置を提供する。 - 特許庁

In the energy beam machining device X to machine a work 7 by allowing the work 7 to be irradiated with proton beams L1 (energy beams), an energy converting means 10 to convert the energy of the proton beams L1 is provided on the optical path of the proton beams 1 between an energy beam generation source consisting of an ion generation source 1 and an ion acceleration apparatus 2 and the work 7.例文帳に追加

被加工物７にプロトンビームＬ１（エネルギービーム）を照射させて該被加工物７を加工するエネルギービーム加工装置Ｘにおいて，イオン発生源１及びイオン加速装置２からなるエネルギービームの発生源と上記被加工物７との間の上記プロトンビーム１の光路上に，上記プロトンビームＬ１の持つエネルギーを変更させるエネルギー変更手段１０を設ける。 - 特許庁

In the method for forming the film coated with porous titanium oxide thin film, a winding device for winding up the polymer film substrate is provided and titanium metal or titanium oxide is evaporated from an evaporation source arranged under the substrate and simultaneously the substrate is irradiated with an oxygen radial and a rare-gas ion from a radical beam generation source and an ion beam generation source to deposit the titanium oxide thin film onto the substrate.例文帳に追加

ポリマーフィルム基材を巻き取る巻取装置を備え、その基材の下方に設置された蒸発源から金属チタンあるいは酸化チタンを蒸発させ、同時にラジカルビーム発生源及びイオンビーム発生源から酸素ラジカルおよび希ガスイオンを照射し、前記基材上で酸化チタン薄膜を形成することを特徴とする多孔性酸化チタン薄膜被覆フィルムの形成方法である。 - 特許庁

To provide a producing method of a micro-optical element capable of suppressing the generation of drift of a ion beam due to steep change in charging and accurately machining a micro opening portion, in machining by a focusing ion beam (FIB machining), a micro optical element by the producing method, and an optical device using the element.例文帳に追加

集束イオンビームによる加工（ＦＩＢ加工）において、帯電の急激な変化によるイオンビームのドリフトの発生を抑制することができ、微小開口部を高精度に加工をすることが可能となる微小光学素子の作製方法、及び該作製方法による微小光学素子、該素子を用いた光学装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of maintaining good implantation uniformity in the wafer surface without deteriorating wafer processing capacity, even when the ion beam condition is changed, and generation of particles can be reduced as much as possible.例文帳に追加

本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The stage of generation of the work to be milled generated by the ion milling when the work is irradiated with the ion beam is measured and evaluated, and at least one of the parameters including the current, the voltage and the high-frequency power of an ion source is fed back based on the result of evaluation, and the ion milling is achieved by automatically calculating the optimum milling time by the obtained milling rate.例文帳に追加

イオンビームをミリング対象物に照射して加工した際にイオンミリングによって発生した被ミリング物の発生状況を計測評価し、評価結果に基づいてイオン源の電流、電圧、高周波数電力を含むパラメータの内の少なくとも一つにフィードバックをかけ、得られたミリングレートにより最適なミリング時間を自動算出してイオンミリングを行う。 - 特許庁

The gas cluster ion beam apparatus comprises: a cluster generation chamber 2 for generating gas clusters by introducing a gas from a nozzle 1; and a process chamber 15 which is separated from the cluster generation chamber 2 by a partition wall 18, and in which the gas clusters are supplied through the skimmer 4 installed on the partition wall 18.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム装置は、ノズル１からガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室２と、隔壁１８によってクラスター生成室２から分離され、ガスクラスターが隔壁１８に設けられたスキマー４を通して供給されるプロセス室１５とを有している。 - 特許庁

The gas cluster ion beam apparatus comprises: a cluster generation chamber 2 for generating gas clusters by introducing a gas from a nozzle 1; and a process chamber 9 which is separated from the cluster generation chamber 2 by a partition wall 5, and in which the gas clusters are supplied through a skimmer 4 installed on the partition wall 5.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム装置は、ノズル１からガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室２と、隔壁５によってクラスター生成室２から分離され、ガスクラスターが隔壁５に設けられたスキマー４を通して供給されるプロセス室９とを有している。 - 特許庁

The vacuum container for the beam deflection electromagnet comprises the distribution ion pump 1 keeping vacuum inside the container 2 and the absorber 8 receiving radiated light and protecting the generation of the high-temperature part inside the container caused by the irradiation of radiated light.例文帳に追加

容器２内部を真空に保つための分布イオンポンプ１と、放射光の照射により容器内に高温部が発生するのを防ぐよう放射光を受光するアブソーバ８とを有するビーム偏向電磁石用真空容器である。 - 特許庁

An electron generation source 28 applied with a lower voltage than that of the electrode 16 kept at the lowest voltage in the drawing electrode system 14 is arranged to generate electrons towards the electron-receiving aperture 26 in the extension of the central axis 21 of the ion beam 20 upstream of the plasma generation vessel 4.例文帳に追加

プラズマ生成容器４の上流側であってイオンビーム２０の中心軸２１の延長線上には、電子導入孔２６に向けて電子３４を発生させるものであって、引出し電極系１４内の最も低い電位の電極１６よりも低い電位に保たれる電子発生源２８が設けられている。 - 特許庁

To provide a milling device and a milling method capable of highly reliable machining, and capable of attaining high reliability of a thin film magnetic head, particularly becoming problematic even with sediment having the microscopic height of several nm, by reducing generation of the sediment by milling machining using a beam of an ion and a neutral particle.例文帳に追加

イオンや中性粒子のビームを用いたミリング加工による堆積物の発生を低減し、高信頼な加工を可能とし、特に数ｎｍの微小な高さの堆積物でも問題となるような薄膜磁気ヘッドの高信頼化を達成とするミリング装置及びミリング方法を提供する。 - 特許庁

The device is provided with an ion beam column including a closed space for housing an emitter having an emitter region for ion generation, a first gas inlet adapted for introducing a first gas into the emitter region, a second gas inlet adapted for introducing a second gas different from the first gas into the emitter region, and a switching unit adapted for switching over introduction of the first gas and the introduction of the second gas.例文帳に追加

装置はイオン発生用のエミッタ領域を備えたエミッタを収容するための閉鎖空間を含むイオンビームカラムと、第１ガスをエミッタ領域に導入するよう適合された第１ガス流入口と、第１ガスとは異なる第２ガスをエミッタ領域に導入するよう適合された第２ガス流入口と、第１ガスの導入と第２ガスの導入との切り替えを行うよう適合された切替ユニットを備える。 - 特許庁