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JPH0680770B2 - Hybrid integrated circuit device - Google Patents
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JPH0680770B2 - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

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JPH0680770B2
JPH0680770B2 JP1119113A JP11911389A JPH0680770B2 JP H0680770 B2 JPH0680770 B2 JP H0680770B2 JP 1119113 A JP1119113 A JP 1119113A JP 11911389 A JP11911389 A JP 11911389A JP H0680770 B2 JPH0680770 B2 JP H0680770B2
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eprom
circuit device
hybrid integrated
microcomputer
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明 風見
永 清水
修 中本
克実 大川
保広 小池
正雄 金子
聖和 上野
保雄 斎藤
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は集積回路基板に樹脂封止型の不揮発性メモリ、
例えばEPROM(紫外線消去形プログラマブル・リード・
オンリ・メモリー)を実装してなるEPROM内臓型の混成
集積回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (A) Field of Industrial Application The present invention relates to a resin-sealed non-volatile memory on an integrated circuit substrate,
For example EPROM (UV erasable programmable lead
EPROM built-in type hybrid integrated circuit device in which only memory is mounted.

(ロ)従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEPRO
M素子は、各種電子機器に好んで用いられている。このE
PROM素子は、制御用或は駆動用集積回路と共に現在、そ
の殆んどがプリント配線板に実装されており、一旦書込
んだ情報をその後書き直すために通常、着脱容易なプリ
ント配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量
化が要求される機器は、チップ・オン・ボードと称され
る技法によってプリント配線板に半導体集積回路(IC)
チップが直接搭載され、所要の配線が施された後この配
線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって被覆さ
れ、極めて小形軽量化が達成されている。
(B) Conventional technology EPRO with a UV irradiation window that can erase and rewrite memory information that has already been written by UV irradiation.
The M element is preferably used in various electronic devices. This E
Most of PROM elements are currently mounted on a printed wiring board together with an integrated circuit for control or driving. In order to rewrite information once written, it is usually mounted on a printed wiring board that is easily removable. ing. For various electronic devices that are required to be smaller and lighter, a semiconductor integrated circuit (IC) is mounted on the printed wiring board by a technique called chip-on-board.
The chip is directly mounted, and after the required wiring is provided, the IC chip including this wiring portion is covered with a synthetic resin, and the size and weight are extremely reduced.

一方紫外線照射窓を必要とするEPROMチップは、この照
射窓がネックとなり未だサーディップ型パッケージに組
込まれて製造され、プリント配線板に実装されているた
め小型軽量化が図れない。
On the other hand, EPROM chips that require an ultraviolet irradiation window cannot be reduced in size and weight because the irradiation window becomes a neck and is still manufactured by being assembled in a sardip type package and mounted on a printed wiring board.

かかる従来のEPROM素子の実装構造を第12図に従って説
明すると、第12図は従来のEPROM素子の一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導電性配線パターン(4
1)が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板(42)のスルーホール(43)にサーディ
ップ型パッケージに組込まれEPROM素子(44)が搭載さ
れている。このEPROM素子(44)はヘッダー(45)およ
びキャップ(46)を有し、前記ヘッダー(45)はセラミ
ック基材(47)に外部導出リード(48)か低融点ガラス
材で接着されている。又このヘッダー(45)はガラスに
金粉が多量に混入したいわゆる金ペーストを焼結した素
子搭載部(50)が前記低融点ガラス材上或はセラミック
基材(47)上に接着されており、この素子搭載部(50)
にEPROMチップ(51)が紫外線照射面を上にして装着さ
れ、このチップ(51)の電極と前記外部導出リード(4
8)とが金属細線(52)によって接続されている。前記
キャップ(46)は蓄部材であって、前記EPROMチップ(5
1)の紫外線照射面と対向する部分に窓(53)を有する
セラミック基材(54)を含み、このキャップ(46)は低
融点ガラスによってヘッダー(45)に配置されたEPROM
チップ(51)を密封している。この様にEPROMチップ(5
1)を密封したEPROM素子(44)は、前記絶縁性基板(4
2)のスルーホール(43)に外部導出リード(48)を挿
通させ半田によって固定される。このスルーホール(4
3)は導電性配線パターン(41)によって所要の配線引
回しが施され、前記絶縁性基板の端部に設けられた雄型
コネクタ端子部(55)から図示しない雌型コネクタへと
接続される。
A mounting structure of such a conventional EPROM element will be described with reference to FIG. 12. FIG. 12 is a perspective view showing a partial cross section of the conventional EPROM element, in which a conductive wiring pattern (4
An EPROM element (44) is mounted in a sardip type package in a through hole (43) of an insulating substrate (42) made of glass epoxy resin or the like on which 1) is formed. The EPROM element (44) has a header (45) and a cap (46), and the header (45) is bonded to a ceramic base material (47) with an external lead (48) or a low melting point glass material. Further, in this header (45), an element mounting portion (50) obtained by sintering a so-called gold paste in which a large amount of gold powder is mixed with glass is adhered onto the low melting point glass material or the ceramic base material (47), This element mounting part (50)
An EPROM chip (51) is mounted on the surface of the chip (51) with the UV irradiation surface facing upward, and the electrodes of the chip (51) and the external leads (4) are attached.
8) and are connected by a thin metal wire (52). The cap (46) is a storage member, and the EPROM chip (5
An EPROM that includes a ceramic substrate (54) having a window (53) in a portion facing the ultraviolet irradiation surface of 1), and this cap (46) is placed on a header (45) by a low melting point glass.
The tip (51) is sealed. In this way EPROM chip (5
The EPROM device (44) with the sealed 1) is the insulating substrate (4).
An external lead (48) is inserted through the through hole (43) of 2) and fixed by soldering. This through hole (4
3) has a required wiring arrangement by the conductive wiring pattern (41) and is connected from the male connector terminal portion (55) provided at the end of the insulating substrate to a female connector (not shown). .

さて、かかる従来のEPROM素子の実装構造は、EPROMチッ
プ(51)に比べパッケージ外形が極めて大きく、平面占
有率もさることながら三次元、つまり高さもチップの高
さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。更にスル
ーホール(43)に外部導出リードを挿通した後、半田な
どで固定する必要も生ずる。更に特筆すべき大きな欠点
は、絶縁性基板への実装に先立ってEPROM素子を一旦パ
ッケージに組立てることである。EPROM素子は紫外線照
射用の窓を有するが故、そのパッケージは、セラミック
スを基材としたサーディップ型パッケージに組立てられ
るが、このパッケージは低融点ガラスにより封止される
為、高温(400〜500℃)シールとなり、EPROMチップの
電極(アルミニウム)と外部導出リードとを接続する金
属細線を同種材料で構成しないとアロイ化が起り配線抵
抗の増加を来したり、断線を生じたりする。この様な事
態を回避する目的で通常アルミニウム細線が用いられる
が、このEPROMチップはサブストレートを接地電位にす
る必要上、EPROMチップの接地電極を金ペーストで形成
されたチップ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金
ペースト中の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウ
ムとで二次或は多元合金反応が進むことから、グランド
ダイスと呼ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリ
コン小片をEPROMチップと別個に前記金ペーストより成
るチップ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部と
EPROMチップの接地電極とを接続するという極めて煩雑
な作業を伴う等、従来の実装構造は、小形、軽量、低価
格のいずれも不満足なものである。
Now, the packaging structure of such a conventional EPROM element has an extremely large package outer shape as compared with the EPROM chip (51), and is three-dimensional, that is, the height is several times as high as the height of the chip as well as the plane occupancy rate. It is extremely disadvantageous. Furthermore, it is necessary to fix the lead-out lead through the through-hole (43) with solder or the like. A further major drawback to be noted is that the EPROM device is once assembled into a package prior to mounting on an insulating substrate. Since the EPROM element has a window for UV irradiation, the package is assembled into a cerdip type package that uses ceramics as a base material. However, this package is sealed with a low melting point glass, so it can be used at high temperatures (400 to 500). If the metal thin wire that connects the electrode (aluminum) of the EPROM chip and the external lead is not made of the same kind of material, alloying occurs and wiring resistance increases or disconnection occurs. In order to avoid such a situation, aluminum thin wires are usually used, but this EPROM chip requires a substrate to be at ground potential, so the ground electrode of the EPROM chip is wire-connected to the chip mounting part made of gold paste. . Even in this case, since the secondary or multi-component alloy reaction proceeds between the metal such as gold or foil in the gold paste and the aluminum, a silicon piece having aluminum coated on the head called a ground die is used. Separately from the EPROM chip, fix it to the chip mounting part made of the gold paste, and
The conventional mounting structure is unsatisfactory in terms of its small size, light weight, and low cost, such as the extremely complicated work of connecting to the ground electrode of the EPROM chip.

斯る問題を解決するために第13図に示したEPROM実装構
造がある。
In order to solve such a problem, there is an EPROM mounting structure shown in FIG.

以下に第13図に示したEPROM実装構造について説明す
る。
The EPROM mounting structure shown in FIG. 13 will be described below.

主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形成され
たガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(60)は、
EPROMチップ(61)を載置するチップ搭載エリヤ(60c)
を有し、前記配線パターン(60b)は、このエリヤ近傍
から主表面(60a)上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリヤ(60c)に
は、EPROMチップ(61)が搭載され、このチップ(61)
の表面電極と前記配線パターン(60b)とが金属細線(6
2)により接続されている。勿論金属細線(62)の1本
は前記チップ(61)のサブストレートと接続する為に、
このチップ(61)が搭載された配線パターン(60b)と
ワイヤリングされている。前記EPROMチップ(61)の紫
外線照射面(61a)上には紫外線透過性樹脂(63)(例
えば東レ社製、型名TX−978)を介して、紫外線透過性
窓材(64)が固着されている。この窓材(64)は、石
英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性材料である。
そして、前記窓材(64)の頂部面(64a)は、EPROMチッ
プ(61)の紫外線照射面に光を導入する面であるから、
この頂部面(64a)を除いた残余の窓材(64)部分と、
金属細線(62)と、この金属細線(62)と前記配線パタ
ーン(60b)との接続部分とが合成樹脂(65)(例えば
日東電工社製、型名MP−10)で被覆されている。もし、
絶縁性基板(60)と、EPROMチップ(61)と窓材(64)
とを加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれば、
前記基板(60)のチップ搭載エリヤ(60c)をザグリ穴
としてこの基板(60)の厚さの半分程度握れば良い。又
この様なザグリ穴としておけば、合成樹脂(65)の流れ
止めダムが形成され湿気などの浸入に対して有効に作用
する。
An insulating substrate (60) such as a glass / epoxy resin plate with a conductive wiring pattern (60b) formed on the main surface (60a)
Area with chip (60c) to mount EPROM chip (61)
The wiring pattern (60b) is routed from near the area on the main surface (60a) and is connected to a male connector terminal portion (not shown). An EPROM chip (61) is mounted on the area (60c), and this chip (61)
The surface electrode and the wiring pattern (60b) of the metal thin wire (6
Connected by 2). Of course, one of the thin metal wires (62) is connected to the substrate of the chip (61),
The chip (61) is wired with the wiring pattern (60b) mounted thereon. On the ultraviolet irradiation surface (61a) of the EPROM chip (61), an ultraviolet transparent window material (64) is fixed via an ultraviolet transparent resin (63) (for example, Toray Co., model name TX-978). ing. The window material (64) is a known ultraviolet ray transmissive material such as quartz or transparent alumina.
Since the top surface (64a) of the window material (64) is a surface for introducing light to the ultraviolet irradiation surface of the EPROM chip (61),
The remaining window material (64) excluding this top surface (64a),
The thin metal wire (62) and the connecting portion between the thin metal wire (62) and the wiring pattern (60b) are covered with a synthetic resin (65) (for example, model name MP-10 manufactured by Nitto Denko Corporation). if,
Insulating substrate (60), EPROM chip (61) and window material (64)
If it is necessary to further reduce the total thickness dimension including
The chip mounting area (60c) of the substrate (60) may be used as a countersunk hole to grip about half the thickness of the substrate (60). Further, if such counterbore holes are formed, a flow stop dam of the synthetic resin (65) is formed, which effectively acts on ingress of moisture and the like.

第12図および第13図で示したEPROM実装構造は特開昭60
−83393号公報(H05K 1/18)に記載されている。
The EPROM mounting structure shown in FIG. 12 and FIG.
-83393 (H05K 1/18).

(ハ)発明が解決しようとする課題 第14図で示したEPROM実装構造ではEPROMのチップをプリ
ント基板上にダイディングしているため、小型化となる
ことはいうまでもない。しかしながら、ここでいう小型
化はあくまでEPROM自体の小型化である。即ち、第14図
からは明らかにされていないがEPROMの周辺に固着され
ているマイクロコンピュータおよびその周辺回路素子は
ディスクリート等の電子部品で構成されているために、
EPROMを搭載したプリント基板用の集積回路としてのシ
ステム全体を見た場合なんら小型化とはならず従来通り
プリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型化にな
る問題がある。更に第14図に示したEPROM構造ではEPROM
のプログラムデータを消去する場合、プリント基板上に
紫外線を照射し消去した後、EPROMから延在された引回
し線の導電パターン上にプローブ等の書込み用の端子を
当接して再書込みを行わなければならず、従来の一般的
なROMライターを使用することができずEPROMの再書込み
という点で煩雑となる問題がある。
(C) Problems to be Solved by the Invention Needless to say, the EPROM mounting structure shown in FIG. 14 is miniaturized because the EPROM chip is die-bonded on the printed circuit board. However, the miniaturization referred to here is only miniaturization of the EPROM itself. That is, although it is not clarified from FIG. 14, since the microcomputer and its peripheral circuit elements fixed around the EPROM are composed of electronic components such as discrete,
Looking at the entire system as an integrated circuit for a printed circuit board equipped with an EPROM, there is a problem that the size of the printed circuit board does not become smaller at all, that is, the entire system becomes larger as in the past. Furthermore, in the EPROM structure shown in FIG.
When erasing the program data of the above, after erasing by irradiating the printed circuit board with ultraviolet rays, the writing terminal of the probe etc. should be contacted with the conductive pattern of the routing line extended from the EPROM and rewriting should be performed. However, there is a problem that the conventional general ROM writer cannot be used and the EPROM is rewritten, which is complicated.

また、第13図に示したEPROM実装構造では消去後の再書
込みという点ではEPROMをプリント基板から着脱するこ
とが可能であるために、一般的なROMライターを用いて
の書込みが行えるために比較的容易に行える。しかしな
がら、第12図に示した実装構造においても第14図と同様
にEPROMの周辺の回路、即ち、マイクロコンピュータや
その周辺LSI,IC等の回路素子がディスクリート等の電子
部品で構成されているため、プリント基板の大型化、即
ちシステム全体が大型化となりユーザが要求される軽薄
短小のEPROM搭載の集積回路を提供することができない
大きな問題がある。
In addition, in the EPROM mounting structure shown in FIG. 13, since the EPROM can be attached to and detached from the printed circuit board in terms of rewriting after erasing, it is possible to write using a general ROM writer. It can be done easily. However, in the mounting structure shown in FIG. 12 as well, as in FIG. 14, the circuits around the EPROM, that is, the circuit elements such as the microcomputer and its peripheral LSI, IC are composed of discrete electronic components. However, there is a big problem that the printed circuit board becomes large in size, that is, the entire system becomes large in size, and it is impossible to provide a light, thin, short and small EPROM mounted integrated circuit which is required by the user.

更に第13図および第14図で示したEPROM実装構造では、
上述した様にシステム全体が大型化になると共にEPROM
およびその周辺の回路素子を互いに接続する導電パター
ンが露出されているため信頼性が低下する問題がある。
Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIGS. 13 and 14,
As mentioned above, the whole system becomes larger and EPROM
Also, since the conductive patterns that connect the circuit elements in the surroundings to each other are exposed, there is a problem that reliability is reduced.

更に第13図および第14図で示したEPROM実装構造ではEPR
OMと、その周辺のマイクロコンピュータおよびIC,LSI等
の回路素子が露出されているため、基板上面に凹凸が生
じて取扱いにくく作業性が低下する問題がある。
Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIG. 13 and FIG.
Since the OM and the circuit elements such as the microcomputer and ICs, LSIs and the like around the OM are exposed, there is a problem that unevenness is generated on the upper surface of the substrate, which makes it difficult to handle and reduces workability.

更に第13図及び第14図で示したEPROM実装構造では一枚
のプリント基板上にEPROMとディスクリート部品からな
るマイクロコンピュータ及びその周辺の回路素子の全て
の素子が搭載されているため上述した様にシステム自体
の小型化という点で大きな問題となる。
Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIG. 13 and FIG. 14, since all the elements of the microcomputer consisting of the EPROM and discrete components and the peripheral circuit elements are mounted on one printed circuit board, as described above. This is a big problem in terms of downsizing the system itself.

(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、二
枚の集積回路基板を固着一体化するケース材の一側面に
シングルインライン型樹脂モールドされた不揮発性メモ
リーを配置し且つ二枚の基板上に形成した導電路と接続
し、マイクロコンピュータ及びその周辺回路素子を二枚
の基板とケース材とで形成された封止空間内に配置した
ことを特徴とする。
(D) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a single in-line type resin mold is formed on one side surface of a case material that firmly fixes and integrates two integrated circuit boards. The non-volatile memory is arranged and connected to the conductive paths formed on the two substrates, and the microcomputer and its peripheral circuit elements are arranged in the sealed space formed by the two substrates and the case material. Characterize.

従ってEPROMを搭載した混成集積回路を小型化でしかも
二枚の基板上の全面に回路素子を実装することができ、
高密度実装のEPROM内臓の混成集積回路装置を提供する
ことができる。
Therefore, it is possible to downsize the hybrid integrated circuit equipped with EPROM and to mount the circuit elements on the entire surface of the two substrates.
It is possible to provide a hybrid integrated circuit device having a high-density mounting EPROM.

(ホ)作 用 この様に本発明に依れば、二枚の基板を固着一体化する
ケース材の一側面にシングルインライン型樹脂モールド
された不揮発性メモリーを配置し、いずれかの基板上の
導電路と接続しているので、不揮発性メモリーの載置位
置を任意に設定でき、内蔵するマイクロコンピュータと
の電気的接続を考慮して、効率良くEPROMとマイクロコ
ンピュータとを接続することができ、信号線即ち導電路
の引回し線を不要にすることができる。
(E) Operation As described above, according to the present invention, the single in-line type resin-molded non-volatile memory is arranged on one side of the case material for fixing and integrating the two substrates, and Since it is connected to the conductive path, the mounting position of the non-volatile memory can be arbitrarily set, and in consideration of the electrical connection with the built-in microcomputer, the EPROM and the microcomputer can be efficiently connected, It is possible to eliminate the need for a signal line, that is, a wiring line for a conductive path.

更にEPROMの隣接する位置に最も関連の深いマイクロコ
ンピュータを配置でき、EPROMとマイクロコンピュータ
間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離あるい
は最小距離で実現でき、データ線の引回しによる実装密
度のロスを最小限に抑制することになり、高密度の実装
が行える。
Furthermore, the most closely related microcomputer can be placed in the adjacent position of the EPROM, the data line for exchanging data between the EPROM and the microcomputer can be realized with the shortest distance or the minimum distance, and the loss of packaging density due to the routing of the data line. Will be suppressed to the minimum, and high-density mounting can be performed.

更に本発明では不揮発性メモリー以外の全ての回路素子
はチップ部品で二枚の基板とケース材とで形成された封
止空間内に配置され且つ不揮発性メモリーは夫々の基板
の周端部の導電路に接続され、実質的にケース材の側面
に搭載されることにより、夫々の基板全面を実装面積と
して利用できるため、小型化あるいは高密度実装の優れ
たEPROM内蔵の混成集積回路装置を提供することができ
る。
Further, in the present invention, all the circuit elements other than the non-volatile memory are chip parts and are arranged in the sealed space formed by the two substrates and the case material, and the non-volatile memory is electrically conductive at the peripheral end portion of each substrate. Provided with a hybrid integrated circuit device with a built-in EPROM, which is excellent in downsizing or high-density mounting because the entire surface of each substrate can be used as a mounting area by being connected to a path and mounted substantially on the side surface of the case material. be able to.

(ヘ)実施例 以下に第1図乃至第12図に示した実施例に基づいて本発
明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
(F) Embodiment A hybrid integrated circuit device according to the present invention will be described in detail below with reference to an embodiment shown in FIGS. 1 to 12.

第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられコンピュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。
1 and 2 show a hybrid integrated circuit device (1) according to an embodiment of the present invention. This hybrid integrated circuit device (1) is used as an independent electronic component and is used as an integrated circuit having a function independently in a wide range of fields such as computers.

この混成集積回路装置(1)は第1図および第2図に示
す様に、二枚の集積回路基板(2)(3)と、二枚の集
積回路基板(2)(3)上に形成された所望形状の導電
路(5)と、夫々の導電路(5)と接続されシングルイ
ンライン型樹脂モールドされた不揮発性メモリー(6)
と、そのメモリー(6)からデータを供給され且つ不揮
発性メモリー(6)が搭載された導電路(5)と接続さ
れたマイクロコンピュータ(7)と、二枚の基板(2)
(3)上の導電路(5)と接続された周辺の回路素子
(8)と、二枚の基板(2)(3)を離間して一体化す
るケース材(9)とをから構成される。
This hybrid integrated circuit device (1) is formed on two integrated circuit boards (2) and (3) and two integrated circuit boards (2) and (3) as shown in FIGS. 1 and 2. Conductive paths (5) of desired shape, and non-volatile memory (6) connected to each conductive path (5) and molded by a single in-line type resin
And a microcomputer (7) which is supplied with data from the memory (6) and is connected to a conductive path (5) equipped with a non-volatile memory (6), and two substrates (2)
(3) A peripheral circuit element (8) connected to the conductive path (5) above, and a case member (9) that separates and integrates the two substrates (2) and (3). It

二枚の集積回路基板(2)(3)はセラミックス、ガラ
スエポキシあるいは金属等の硬質基板が用いられ、本実
施例では放熱性および機械的強度に優れた金属基板を用
いるものとする。
As the two integrated circuit boards (2) and (3), hard boards made of ceramics, glass epoxy, metal, or the like are used, and in this embodiment, metal boards excellent in heat dissipation and mechanical strength are used.

金属基板としては例えば0.5〜1.0mm厚のアルミニウム基
板を用いる。その二枚の基板(2)(3)の表面には4
図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム
膜(9)(アルマイト層)が形成され、その一主面側に
10〜70μ厚のポリイミド等のフレキシブル性を有した絶
縁樹脂層(10)が貼着される。更に絶縁樹脂層(10)上
には10〜70μ厚の銅箔(11)が絶縁樹脂層(10)と同時
にローラーあるいはホットプレス等の手段により貼着さ
れている。ところで、二枚の基板(2)(3)はフレキ
シブル性を有する絶縁樹脂層(10)によって所定の間隔
離間されて連結された状態となっている。
As the metal substrate, for example, an aluminum substrate having a thickness of 0.5 to 1.0 mm is used. 4 on the surfaces of the two substrates (2) and (3)
As shown in the figure, an aluminum oxide film (9) (alumite layer) is formed by well-known anodic oxidation, and one main surface side thereof is formed.
An insulating resin layer (10) having flexibility such as polyimide having a thickness of 10 to 70 μm is attached. Furthermore, a copper foil (11) having a thickness of 10 to 70 μm is adhered to the insulating resin layer (10) at the same time as the insulating resin layer (10) by means such as a roller or a hot press. By the way, the two substrates (2) and (3) are in a state of being connected to each other with a predetermined gap therebetween by the insulating resin layer (10) having flexibility.

二枚の基板(2)(3)の一主面上に設けられた銅箔
(11)表面上にはスクリーン印刷によって所望形状の導
電路を露出してレジストでマスクされ、貴金属(金、
銀、白金)メッキ層が銅箔(11)表面にメッキされる。
然る後、レジストを除去して貴金属メッキ層をマスクと
して銅箔(11)のエッチングを行い所望の導電路(5)
が形成される。ここでスクリーン印刷による導電路
(5)の細さは0.5mmが限界であるため、極細配線パタ
ーンを必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約2
μまでの極細導電路(5)の形成が可能となる。
On the surface of the copper foil (11) provided on one main surface of the two substrates (2) and (3), a conductive path of a desired shape is exposed by screen printing and masked with a resist.
A silver, platinum) plating layer is plated on the surface of the copper foil (11).
After that, the resist is removed, and the copper foil (11) is etched using the noble metal plating layer as a mask to perform the desired conductive path (5).
Is formed. Here, the thickness of the conductive path (5) by screen printing is limited to 0.5 mm, so when a very fine wiring pattern is required, it is about 2 by the well-known photo-etching technique.
It is possible to form ultrafine conductive paths (5) up to μ.

夫々の基板(2)(3)上の導電路(5)にはシングル
インライン型不揮発性メモリー(6)とそのメモリー
(6)からデータを供給されるマイクロコンピュータ
(7)が搭載され、一方の基板(3)及び他方の基板
(2)上の導電路(5)にその周辺の回路素子(8)が
搭載されている。また両基板(2)(3)の一側辺ある
いは対向する側辺周端部に導電路(5)が延在され外部
リード端子(12)(13)を固着するための複数のバッド
が形成されている。このパッドには外部リード端子(1
2)(13)が半田によって固着され、水平に導出されて
その中央部分で略直角に折曲られている。また両基板
(2)(3)上に形成されている導電路(5)はフレキ
シブル樹脂層(10)上に形成されているので二枚の基板
(2)(3)を股がる様にパターニングされ両基板
(2)(3)の接続が所定の位置でしかも任意に行える
ことができる。
A single in-line type non-volatile memory (6) and a microcomputer (7) supplied with data from the memory (6) are mounted on the conductive paths (5) on the respective substrates (2) and (3). The circuit elements (8) around the conductive path (5) on the substrate (3) and the other substrate (2) are mounted. Further, a conductive path (5) is extended to one side edge of each of the substrates (2) and (3) or a peripheral edge portion of the opposing side edges to form a plurality of pads for fixing the external lead terminals (12) and (13). Has been done. The external lead terminal (1
2) (13) is fixed by solder, is led out horizontally, and is bent at a substantially right angle in the central part. Further, since the conductive paths (5) formed on both the substrates (2) and (3) are formed on the flexible resin layer (10), the two substrates (2) and (3) are cleaved. Both substrates (2) and (3) that are patterned can be connected at predetermined positions and arbitrarily.

不揮発性メモリー(6)としてシングルインライン型樹
脂モールドされたEPROM(ErasableProgramable Read On
ly Memory)が用いられる(以下不揮発性メモリー
(6)をEPROMという)。このEPROM(6)は周知の如
く、EPROM(6)のペレットに形成されているフローテ
ィングゲートに蓄積されている電子(プログラム・デー
タ)を光を照射して励起させて未記憶状態のペレットに
戻し再書込みして利用できる素子である。
Single in-line type resin molded EPROM (Erasable Programmable Read On) as non-volatile memory (6)
ly Memory) is used (hereinafter, the non-volatile memory (6) is referred to as EPROM). As is well known, this EPROM (6) emits electrons (program data) accumulated in the floating gate formed in the pellet of the EPROM (6) by irradiating light to excite it to restore it to the unstored state. It is an element that can be rewritten and used.

一般的なEPROM(6)の構造は第5図および第6図に示
す様にSIP(シングル・イン・ライン)型であり、大別
すると樹脂モールド型パッケージタイプとセラミックス
型パッケージタイプとがある。樹脂モールド型あるいは
セラミックス型のいずれのタイプにおいてもペレット
(14)のメモリーを消去するために光を照射する必要が
あるため、モールド樹脂の側面でペレット(14)の上面
にあたる部分はエネルギーの高い光(紫外線)を透過す
る透過部材(15)が配置されている。本実施例ではSIP
型のEPROM(6)であれば樹脂モールド型あるいはセラ
ミックス型のどちらのタイプのパッケージを用いてもよ
い。この様なEPROM装置は特開昭53−74358号公報および
特開昭62−290160号公報に開示されている。
The structure of a general EPROM (6) is a SIP (single in line) type as shown in FIGS. 5 and 6, and is roughly classified into a resin mold type package type and a ceramics type package type. In both the resin mold type and the ceramic type, it is necessary to irradiate light to erase the memory of the pellet (14), so the side of the mold resin that corresponds to the upper surface of the pellet (14) has high energy. A transparent member (15) that transmits (ultraviolet rays) is arranged. In this example, SIP
As long as the mold EPROM (6), either resin mold type or ceramic type package may be used. Such an EPROM device is disclosed in JP-A-53-74358 and JP-A-62-290160.

一方、EPROM(6)のプログラム・データを選択して供
給されるマイクロコンピュータ(7)およびその周辺の
回路素子(8)のIC、トランジスタ、チップ抵抗および
チップコンデンサー等はチップ部品で所望の導電路
(5)上に半田付けあるいはAgペースト等のろう材によ
って付着され、マイクロコンピュータ(7)および回路
素子(8)は近傍の導電路(5)にボンディング接続さ
れている。更に導電路(5)間にはスクリーン印刷によ
るカーボン抵抗体あるいはニッケルメッキによるニッケ
ルメッキ抵抗体が抵抗素子として形成されている。
On the other hand, the ICs, transistors, chip resistors, chip capacitors, etc. of the microcomputer (7) and its peripheral circuit elements (8), which are supplied by selecting the program data of the EPROM (6), are desired conductive paths in chip parts. It is attached to (5) by soldering or a brazing material such as Ag paste, and the microcomputer (7) and the circuit element (8) are connected by bonding to a conductive path (5) in the vicinity. Further, a carbon resistor by screen printing or a nickel-plated resistor by nickel plating is formed as a resistance element between the conductive paths (5).

上述した二枚の基板(2)(3)はケース材(9)を挾
持する様に固着一体化され、そのケース材(9)の一辺
の側面にSIP型EPROM(6)が配置される。即ち、SIP型E
PROM(6)は他方の基板(3)の導電路(5)と接続さ
れ、他方の基板(3)上に搭載されることになる。更に
詳述すればSIP型EPROM(6)は他方の基板(3)の周端
部を導電路(5)上に固着されたソケット(16)を介し
て導電路(5)と接続されることになる。
The above-mentioned two substrates (2) and (3) are fixed and integrated so as to hold the case material (9), and the SIP type EPROM (6) is arranged on one side surface of the case material (9). That is, SIP type E
The PROM (6) is connected to the conductive path (5) of the other substrate (3) and mounted on the other substrate (3). More specifically, the SIP type EPROM (6) is connected to the conductive path (5) through the socket (16) fixed to the conductive path (5) at the peripheral end of the other substrate (3). become.

ケース材(9)は絶縁部材の熱可塑性樹脂から形成さ
れ、第3図に示す如く、二枚の基板(2)(3)を所定
間隔離間して封止空間(2)を形成するために一定の厚
みを有し枠状に形成されている。ケース材(9)の一側
面にはソケット(16)、即ち、SIP型EPROM(6)を収納
するための孔(4)が設けられている。その孔(4)は
SIP型EPROM(6)とソケット(16)を収納でき且つ、SI
P型EPROM(6)の外形と実質的に同形状で形成され、ケ
ース材(9)の約半分の厚みを利用して他方の基板
(3)の内側にくぼませている。またEPROM(6)の挿
脱を容易に行うためにSIP型EPROM(6)より若干大きめ
に形成されている。更に孔(4)が設けられたケース材
(9)の他の一側辺には両基板(2)(3)を配置した
ときに樹脂層(10)が容易に折曲される様に円弧状に形
成されている。
The case material (9) is made of a thermoplastic resin as an insulating member, and as shown in FIG. 3, the two substrates (2) and (3) are separated by a predetermined distance to form a sealed space (2). It has a fixed thickness and is formed in a frame shape. A socket (16), that is, a hole (4) for accommodating the SIP type EPROM (6) is provided on one side surface of the case material (9). The hole (4)
SIP type EPROM (6) and socket (16) can be stored and SI
The P-type EPROM (6) is formed to have substantially the same shape as the outer shape of the P-type EPROM (6) and is recessed inside the other substrate (3) by using about half the thickness of the case material (9). The EPROM (6) is slightly larger than the SIP type EPROM (6) in order to easily insert and remove the EPROM (6). Further, the resin layer (10) is easily bent when the substrates (2) and (3) are arranged on the other side of the case member (9) provided with the holes (4). It is formed in an arc shape.

ケース材(9)と二枚の基板(2)(3)との固着は接
着シートによって行われ、フィルム樹脂層(10)によっ
て連結された両基板(2)(3)でケース材(9)を挾
む様に且つ搭載された回路素子を対向させる様にして固
着される。このとき、両基板(2)(3)を連結するフ
ィルム樹脂層(10)は上述したケース材(9)に設けら
れた円弧状部と当接されて折曲げされるため折曲げ部分
の導電路(5)が折曲時に切断する恐れはない。ケース
材(9)と両基板(2)(3)とを一体化したのち、連
結部の樹脂層(10)が露出されるため、本実施例では蓋
体(20)で露出した連結部分を完全に封止するものとす
る。尚、蓋体(20)はケース材(9)と同一材料で形成
され、その接着は上述した接着シート等の所定の手段に
よって行われている。
The case material (9) and the two substrates (2) and (3) are fixed to each other by an adhesive sheet, and the case material (9) is formed by the two substrates (2) and (3) connected by the film resin layer (10). They are fixed so that the mounted circuit elements face each other so as to sandwich them. At this time, the film resin layer (10) connecting the two substrates (2) and (3) is abutted against the arcuate portion provided on the case member (9) and bent, so that the conductivity of the bent portion is reduced. There is no risk of the road (5) being cut when it is bent. After the case material (9) and both substrates (2) and (3) are integrated, the resin layer (10) of the connecting portion is exposed. Therefore, in this embodiment, the connecting portion exposed by the lid (20) is removed. It shall be completely sealed. The lid body (20) is made of the same material as the case material (9), and the bonding is performed by a predetermined means such as the above-mentioned adhesive sheet.

ケース材(9)と二枚の基板(2)(3)を固着一体化
すると、ケース材(9)の一側辺に設けた孔(4)と基
板(2)(3)間にEPROM(6)が配置される。即ち、
孔(4)が固着される他方の基板(3)上の周端部には
SIP型EPROM(6)と接続される複数の導電路(5)が形
成され、その導電路(5)上にEPROM(6)を接続する
ためのソケット(16)が半田固着されている。ソケット
(16)は、第2図に示す如く、SIP型EPROM(6)のリー
ドが挿入されて接続されることになる。即ち、SIP型EPR
OM(6)はソケット(16)を介して他方の基板(3)に
搭載されることになる。ソケット(16)が固着された一
方の導電路(5)の他端はマイクロコンピュータ(7)
の近傍に延在されチップ状のマイクロコンピュータ
(7)とボンディングワイヤで電気的に接続される。即
ち、SIP型EPROM(6)と接続されるマイクロコンピュー
タ(7)は他方の基板(3)上に設けたソケット(16)
の近傍に配置される。
When the case material (9) and the two substrates (2) and (3) are fixed and integrated, an EPROM (between the holes (4) provided on one side of the case material (9) and the substrates (2) and (3)) 6) is arranged. That is,
The peripheral edge on the other substrate (3) to which the hole (4) is fixed is
A plurality of conductive paths (5) connected to the SIP type EPROM (6) are formed, and a socket (16) for connecting the EPROM (6) is soldered and fixed on the conductive paths (5). As shown in FIG. 2, the socket (16) is connected by inserting the lead of the SIP type EPROM (6). That is, SIP type EPR
The OM (6) will be mounted on the other substrate (3) via the socket (16). The other end of the one conductive path (5) to which the socket (16) is fixed is the microcomputer (7).
And is electrically connected to a chip-shaped microcomputer (7) extending in the vicinity of (1) by a bonding wire. That is, the microcomputer (7) connected to the SIP type EPROM (6) has a socket (16) provided on the other substrate (3).
Is located near the.

ここでSIP型EPROM(6)とマイクロコンピュータ(7)
との位置関係について述べる。第7図はSIP型EPROM
(6)が挿入されるソケット(16)とマイクロコンピュ
ータ(7)とを他方の基板(3)上に配置したときの要
部拡大図であり、SIP型EPROM(6)とチップ状のマイク
ロコンピュータ(7)とは第7図に示す如く、多数本の
導電路(5)を介して接続されるため、その導電路
(5)の引回しを短くするためにSIP型EPROM(6)が挿
入されるソケット(16)とマイクロコンピュータ(7)
は夫々、隣接する位置かあるいはできるだけ近傍に位置
する様に配置される。従ってSIP型EPROM(6)が挿入さ
れるソケット(16)とマイクロコンピュータ(7)との
導電路(5)の引回しは最短距離で形成でき基板上の実
装面積を有効に使用することができる。SIP型EPROM
(6)が挿入されるソケット(16)とその近傍あるいは
隣接した位置に配置されたチップ状のマイクロコンピュ
ータ(7)は第7図の如く、マイクロコンピュータ
(7)の近傍に延在された導電路(5)の先端とワイヤ
線によってボンディング接続されソケット(16)にSIP
型EPROM(6)を挿入することにより電気的に接続され
る。
Here, SIP type EPROM (6) and microcomputer (7)
The positional relationship with Figure 7 shows SIP type EPROM
FIG. 9 is an enlarged view of a main part when the socket (16) into which (6) is inserted and the microcomputer (7) are arranged on the other substrate (3), the SIP type EPROM (6) and the chip-shaped microcomputer. As shown in FIG. 7, since (7) is connected through a large number of conductive paths (5), SIP type EPROM (6) is inserted to shorten the routing of the conductive paths (5). Socket (16) and microcomputer (7)
Are arranged so as to be adjacent to each other or as close to each other as possible. Therefore, the routing of the conductive path (5) between the socket (16) into which the SIP type EPROM (6) is inserted and the microcomputer (7) can be formed in the shortest distance, and the mounting area on the substrate can be effectively used. . SIP type EPROM
The socket (16) into which (6) is inserted and the chip-shaped microcomputer (7) arranged in the vicinity of or adjacent to the socket (16) are electrically conductive extending in the vicinity of the microcomputer (7) as shown in FIG. The tip of the road (5) is bonded to the socket (16) by wire bonding and SIP is attached to the socket (16).
It is electrically connected by inserting the type EPROM (6).

ところで、SIP型EPROM(6)はケース材(9)に設けた
孔(4)内に収納されて他方の基板(3)と接続された
構造となりSIP型EPROM(6)の上面のみが外部に露出す
ることになる。このとき、SIP型EPROM(6)の上面とケ
ース材(9)の上面とが略一致する様に孔(4)内にEP
ROM(6)を収納する際に設定する。この結果、EPROM
(6)だけが孔(4)によって露出し、他のマイクロコ
ンピュータ(7)およびその周辺回路素子(8)は両基
板(2)(3)とケース材(9)とで形成された封止空
間(21)内に配置されることになる。
By the way, the SIP type EPROM (6) is housed in the hole (4) provided in the case material (9) and connected to the other substrate (3), and only the upper surface of the SIP type EPROM (6) is exposed to the outside. It will be exposed. At this time, EP is placed in the hole (4) so that the upper surface of the SIP type EPROM (6) and the upper surface of the case material (9) are substantially aligned with each other.
Set when storing ROM (6). As a result, EPROM
Only (6) is exposed by the hole (4), and the other microcomputer (7) and its peripheral circuit element (8) are sealed with both substrates (2) and (3) and the case material (9). It will be placed in the space (21).

上述の如く、SIP型EPROM(6)と接続されるマイクロコ
ンピュータ(7)およびその周辺の回路素子(8)は二
枚の基板(2)(3)とケース材(9)で形成された封
止空間部(21)に配置する様に設定されている。即ち、
チップ状の電子部品および印刷抵抗、メッキ抵抗等の抵
抗素子の全ての素子が封止空間部(21)内に設けられて
いる。またEPROM(6)の側面に設けた透過部材(15)
は孔(4)の側面とほぼ当接するので、孔(4)にEPRO
M(6)を挿入するだけで遮光できる。
As described above, the microcomputer (7) connected to the SIP type EPROM (6) and the peripheral circuit element (8) are formed by the two substrates (2) and (3) and the case material (9). It is set to be placed in the stop space (21). That is,
All of the chip-shaped electronic components and resistance elements such as printing resistors and plating resistors are provided in the sealing space (21). The transparent member (15) provided on the side surface of the EPROM (6)
Is almost in contact with the side surface of the hole (4).
Just insert M (6) to block light.

本実施例でEPROM(6)のデータ消去を行う場合はソケ
ット(16)からEPROM(6)を離脱して紫外線を照射す
る。また、再書込みの場合はEPROM(6)をソケットか
ら離脱して一般的なROMライターを使用して電気的に書
込みを行い、書込み後、ソケット(16)に挿入すればよ
い。
When erasing the data of the EPROM (6) in this embodiment, the EPROM (6) is removed from the socket (16) and ultraviolet rays are irradiated. For rewriting, the EPROM (6) may be removed from the socket, electrically written using a general ROM writer, and then inserted into the socket (16) after writing.

以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。
A specific example of a hybrid integrated circuit device for a modem using the present invention will be shown below.

先ず、モデム(MODEM)とはパーソナルコンピュータな
どのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電話回
路を使って、お互に離れたところでデータ送受を行うデ
ータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能はデ
ジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波数を
使って、データによる変調を行いアナログ信号にして電
話回線に乗せることと、相手方から有られて来たデータ
で変調されるアナログ信号を復調してデジタル化したデ
ータに戻す機能を持つ。
First, a modem (MODEM) exists for data communication in which digital data handled by a data terminal such as a personal computer is transmitted and received at a distance from each other by using a telephone circuit. The function of the modem is to modulate the digitized data by using the frequency that can be used in the telephone line, convert it into an analog signal and put it on the telephone line, and the analog signal that is modulated with the data received from the other party. It has the function of demodulating and returning to digitized data.

第8図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。
The modem will be briefly described based on the block diagram shown in FIG.

第8図は集積回路基板(2)上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram when a modem is mounted on the integrated circuit board (2).

モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するDTEインターフ
ェース(31)と、DTEインターフェース(31)より出力
されたデータに基づいて所定の出力信号を出力するマイ
クロコンピュータ(7)と、マイクロコンピュータ
(7)からアドレスされるデータを内蔵したEPROM
(6)と、マイクロコンピュータ(7)からの出力信号
を変復調しNCU(NETWORK CONTROL UNIT)に出力する
第1および第2の変復調回路(32)(33)と、マイクロ
コンピュータ(7)からの出力信号に応じて所望のDTMF
信号(トーン信号)を発生するDTMF発生器(34)とをか
ら構成されている。
The modem stores a data transmitted from a personal computer in a built-in memory and outputs the data, and a micro that outputs a predetermined output signal based on the data output from the DTE interface (31). EPROM containing data addressed by the computer (7) and the microcomputer (7)
(6), first and second modulation / demodulation circuits (32) (33) that modulate and demodulate the output signal from the microcomputer (7) and output to the NCU (NETWORK CONTROL UNIT), and output from the microcomputer (7) Desired DTMF depending on the signal
And a DTMF generator (34) for generating a signal (tone signal).

DTEインターフェース(31)は例えばSTC9610(セイコー
エブソン)等のICより成り、第9図の如く、パソコンの
出力信号を供給し、その出力信号を内蔵メモリー内に蓄
積してマイクロコンピュータ(7)へ出力する送信メモ
リー部(35)と、マイクロコンピュータ(7)からの出
力信号が供給される信号を内蔵メモリー内に蓄積してパ
ソコン(38)へ出力する受信メモリー部(36)と、送信
メモリー部(35)および受信メモリー部(36)を介して
入出力される夫々の信号を切替える制御部(37)とから
なり、パソコン(38)とマイクロコンピュータ(7)と
を接続するための所定の機能を有するものである。
The DTE interface (31) is composed of an IC such as STC9610 (Seiko Ebson), supplies the output signal of the personal computer, accumulates the output signal in the built-in memory and stores it in the microcomputer (7) as shown in FIG. A sending memory unit (35) for outputting, a receiving memory unit (36) for storing a signal supplied with an output signal from the microcomputer (7) in a built-in memory and outputting the signal to a personal computer (38), and a sending memory unit (35) and a control unit (37) for switching respective signals input and output through the reception memory unit (36), and a predetermined function for connecting the personal computer (38) and the microcomputer (7) Is to have.

マイクロコンピュータ(7)は例えばSTC9620(セイコ
ーエブソン)等のICより成り、第10図の如く、DTEイン
ターフェース(31)から出力される出力信号を認識する
コマンド認識部と、コマンド認識部によって認識された
出力信号を解読するコマンド解読部と、コマンド解読部
で解読された信号に基づいてメモリー部のデータと比較
し変復調回路へデータを供給するコマンド実行部と、コ
マンド解読部のデータとメモリー部内のデータとの比較
結果、誤ったデータがコマンド実行部に供給された際に
DTEインターフェース(31)に出力信号を出力する応答
コード生成部とからなる。
The microcomputer (7) is composed of, for example, an IC such as STC9620 (Seiko Ebson), and as shown in FIG. 10, is recognized by the command recognition unit and the command recognition unit that recognizes the output signal output from the DTE interface (31). Command decoding section that decodes the output signal, the command execution section that compares the data in the memory section based on the signal decoded in the command decoding section and supplies the data to the modulation / demodulation circuit, and the data in the command decoding section and the memory section If incorrect data is supplied to the command execution section as a result of comparison with the data,
The DTE interface (31) includes a response code generation unit that outputs an output signal.

変復調回路(38)はマイクロコンピュータ(7)から送
信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してNCU部
に送信する。また反対にNCU部から送信されたアナログ
信号をデジタル信号に変換してマイクロコンピュータ
(7)へ送信するものであり、低速および中速夫々のタ
イプの回路を備えている。第1の変復調回路(32)は30
0bpsの低速変復調回路であり、第2の変復調回路(33)
は1200bpsの中速変復調回路である。夫々の第1および
第2の変復調回路(32)(33)はマイクロコンピュータ
(7)により、いずれか一方の変復調回路が選択され
る。
The modulation / demodulation circuit (38) converts the digital signal transmitted from the microcomputer (7) into an analog signal and transmits it to the NCU unit. On the contrary, it converts an analog signal transmitted from the NCU unit into a digital signal and transmits it to the microcomputer (7), and includes low-speed and medium-speed circuits. The first modulation / demodulation circuit (32) is 30
This is a low-speed modulation / demodulation circuit of 0 bps, and the second modulation / demodulation circuit (33)
Is a 1200bps medium speed modulation / demodulation circuit. One of the first and second modulation / demodulation circuits (32, 33) is selected by the microcomputer (7).

DTMF発生器(34)はマイクロコンピュータ(7)のコマ
ンド実行部より出力されたデータをCOL,ROW夫々の入力
端子に入力することで所定のDTMF信号を発生し送信AMP
(39)に出力して電話回線へ信号を供給する。
The DTMF generator (34) generates a predetermined DTMF signal by inputting the data output from the command execution unit of the microcomputer (7) to the input terminals of each of COL and ROW, and transmits AMP.
Output to (39) and supply signal to telephone line.

EPROM(6)内にはモデムの各種のモードを設定するた
めのプログラムデータがメモリーされており、マイクロ
コンピュータ(7)のアドレスに基づいてマイクロコン
ピュータ(7)に供給される。
Program data for setting various modes of the modem is stored in the EPROM (6) and is supplied to the microcomputer (7) based on the address of the microcomputer (7).

次にモデムの動作について簡単に説明する。Next, the operation of the modem will be briefly described.

先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ(38)からの読出し信号に基づいて制御スイッチ
(40)が動作し、所定のアドレスデータがEPROM(7)
に供給され、そのアドレスに基づいたEPROM(6)のプ
ログラム・データがマイクロコンピュータ(7)に供給
され、通信を行う夫々のモデムの通信規格(BELL/CCITT
規格)、通信速度(300/1200bps)、データファーマッ
トの一致、デップスイッチモードの切替等の各種のモー
ドが一致しているかが確認される。
First, when the personal computer communication is started, the control switch (40) operates based on the read signal from the microcomputer (38), and the predetermined address data is transferred to the EPROM (7).
Is supplied to the microcomputer (7), and the program data of the EPROM (6) based on the address is supplied to the microcomputer (7), and the communication standard (BELL / CCITT) of each modem is used for communication.
Standard), communication speed (300 / 1200bps), matching of data format, switching of DIP switch mode, etc. are checked to see if they match.

各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー入力する。その電話番号は
パソコンとのインターフェース用のDTEインターフェー
ス(31)に入力され、電話番号を解読する為にマイクロ
コンピュータ(7)に転送される。その解読した結果を
DTMF発生器(34)に送信し、DTMF発生器(34)からDTMF
信号が発信されその信号は送信AMP(39)、ライントラ
ンス(41)を介して一般電話回線へ転送される。
Assuming that the various modes are the same, enter the telephone number of the answering modem into the personal computer. The telephone number is input to the DTE interface (31) for interfacing with a personal computer and transferred to the microcomputer (7) for decoding the telephone number. The decrypted result
Send to DTMF generator (34) and DTMF from DTMF generator (34)
A signal is transmitted and the signal is transferred to a general telephone line via a transmission AMP (39) and a line transformer (41).

転送されたDTMF信号は応答側のモデムに対して呼出し信
号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信して自
動着信する。すると応答側のモデムは接続手順の為のア
ンサートーンを起呼側のモデムに対して送出する。
The transferred DTMF signal sends a calling signal to the answering modem, and the answering modem receives the calling signal and automatically receives the incoming call. Then, the answering modem sends an answer tone for the connection procedure to the calling modem.

起呼側のモデムではライントランス(41)、受信アンプ
(42)を通り低速変復調回路(32)でそのアンサートー
ンが起呼側のモデムに対して所定のアンサートーンであ
るか否かを検出する。所定のアンサートーンであれば通
信状態に入る。
The modem on the calling side passes through the line transformer (41) and the receiving amplifier (42), and the low speed modulation / demodulation circuit (32) detects whether or not the answer tone is a predetermined answer tone for the modem on the calling side. . If it is a predetermined answer tone, the communication state is entered.

通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー入力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルデータをDTEインターフェース(31)に入力し、その
データをマイクロコンピュータ(7)に転送する。ここ
でパラレルデータをシリアルデータに変換する。シリア
ルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調回路
(32)に送信される。ここでデジタル信号はアナログ信
号に変換され、それに対応した通信規格に基づいて周波
数変調FSKされ、送信AMP(39)、ライントランス(41)
を介して応答側のモデムに送信される。
In the communication state, parallel data from the personal computer is input to the DTE interface (31) based on a predetermined key input signal from the keyboard of the calling personal computer, and the data is transferred to the microcomputer (7). Here, the parallel data is converted into serial data. The digital signal converted into serial data is transmitted to the low speed modulation / demodulation circuit (32). Here, the digital signal is converted into an analog signal, frequency modulation FSK is performed based on the communication standard corresponding to it, transmission AMP (39), line transformer (41)
To the modem on the answering side.

一方、応答側のパソコンのキー入力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス(41)、受信AMP(42)を介して低
速変復調回路(32)に入力される。ここでアナログ信号
はデジタル信号に変換されDTEインターフェース(31)
に入力され、シリアルデジタル信号からパラレルデジタ
ル信号に変換されて起呼側のパソコンに入力される。そ
の結果起呼側へパソコンと応答側のパソコンは全二重通
信ができる様になりパソコン通信が実現する。
On the other hand, the frequency-modulated analog signal sent by the key input signal of the responding personal computer is sent to the calling modem and input to the low speed modulation / demodulation circuit (32) via the line transformer (41) and receiving AMP (42). To be done. Here analog signals are converted to digital signals and DTE interface (31)
The serial digital signal is converted to a parallel digital signal and input to the calling personal computer. As a result, the personal computer for the calling side and the personal computer for the answering side can perform full-duplex communication, thus realizing personal computer communication.

第11図は第8図に示したモデム回路を本実施例で用いた
他方の基板(3)上に実装した場合の平面図であり、実
装される回路素子の図符号は同一符号とする。SIP型EPR
OM(6)とマイクロコンピュータ(7)との接続はバス
ラインで示す。尚、複数の回路素子を接続する導電路は
煩雑のため省略する。
FIG. 11 is a plan view of the modem circuit shown in FIG. 8 mounted on the other substrate (3) used in this embodiment, and the same reference numerals are used for the circuit elements to be mounted. SIP type EPR
The connection between the OM (6) and the microcomputer (7) is shown by a bus line. The conductive paths connecting the plurality of circuit elements are omitted because they are complicated.

第11図に示す如く、他方の基板(3)の対向する周端部
には外部リード端子(13)が固着される複数の固着用パ
ッド(5a)が設けられている。固着パッド(5a)から延
在される導電路(5)上所定位置には複数の回路素子
(8)およびSIP型EPROM(6)を搭載するソケット(1
6)が固着される。両基板(2)(3)上にはSIP型EPRO
M(6)以外のマイクロンコンピュータ(7)を含む複
数の回路素子(8)が固着されており、(31)はDTEイ
ンターフェース、(32)((33)第1および第2の変復
調回路、(34)はDTMF発生回路、(40)はEPROM(6)
を制御する制御スイッチ、(7)はマイクロコンピュー
タ、(8)はコンデンサー等のチップ部品である。両基
板(2)(3)間の接続は絶縁樹脂層(10)上を延在さ
せた導電路(5)により実現している。
As shown in FIG. 11, a plurality of fixing pads (5a) to which external lead terminals (13) are fixed are provided on the opposite peripheral edges of the other substrate (3). A socket (1) equipped with a plurality of circuit elements (8) and a SIP type EPROM (6) at a predetermined position on a conductive path (5) extending from the fixing pad (5a).
6) is stuck. SIP type EPRO on both boards (2) (3)
A plurality of circuit elements (8) including a microcomputer (7) other than M (6) are fixed, (31) is a DTE interface, (32) ((33) first and second modulation / demodulation circuits, ( 34) is a DTMF generation circuit, (40) is EPROM (6)
Is a control switch, (7) is a microcomputer, and (8) is a chip component such as a capacitor. The connection between the two substrates (2) and (3) is realized by a conductive path (5) extending on the insulating resin layer (10).

第11図に示す如く、マイクロコンピュータ(7)の近傍
あるいは隣接する位置にSIP型EPROM(6)が搭載される
ソケット(16)が固着される。マイクロコンピュータ
(7)の近傍あるいは隣接する位置にソケット(16)を
固着することで、マイクロコンピュータ(7)とEPROM
(6)とのバスライン、即ち導電路(5)の引回し線の
距離を最短でしかも最小の距離で引回すことができ、他
の実装パターンを有効に使用できると共に高密度実装が
行える。尚、一点鎖線で囲まれた領域は接着シートでケ
ース材(9)が固着される領域を示す。
As shown in FIG. 11, the socket (16) on which the SIP type EPROM (6) is mounted is fixed near or adjacent to the microcomputer (7). By fixing the socket (16) near or adjacent to the microcomputer (7), the microcomputer (7) and EPROM
The distance between the bus line and (6), that is, the routing line of the conductive path (5) can be laid out in the shortest and smallest distance, and other mounting patterns can be effectively used and high-density mounting can be performed. The area surrounded by the alternate long and short dash line shows the area where the case material (9) is fixed with an adhesive sheet.

第12図は第11図で示した他方の基板(3)上にケース材
(9)を介して一方の基板(2)を固着したときのモデ
ム用の混成集積回路装置の完成品の平面図であり、ケー
ス材(9)上面からはSIP型EPROM(6)の上面のみが露
出された状態となる。即ち、SIP型EPROM(6)以外の他
の素子は全てケース材(9)と二枚の基板(2)(3)
とで形成された封止空間(21)内に封止され且つSIP型E
PROM(6)の上面のみがケース材(9)の孔(4)から
露出されるのでSIP型EPROM(6)の挿脱が必要に応じて
自由自在に行うことができる。
FIG. 12 is a plan view of a finished product of a hybrid integrated circuit device for a modem when one substrate (2) is fixed to the other substrate (3) shown in FIG. 11 via a case material (9). Thus, only the upper surface of the SIP type EPROM (6) is exposed from the upper surface of the case material (9). That is, all elements other than the SIP type EPROM (6) are case materials (9) and two substrates (2) (3).
Sealed in the sealed space (21) formed by and SIP type E
Since only the upper surface of the PROM (6) is exposed through the hole (4) of the case material (9), the SIP type EPROM (6) can be freely inserted and removed as needed.

以上に詳述したモデム用の混成集積回路装置のEPROM
(6)には製品仕様の多様化に備え、仕向地、OEM、自
社販売等セットメーカ(ユーザ)が要望する仕様変更に
対して容易に対応することができる。即ち、EPROM
(6)以外の回路構成はあらかじめ各種の仕様変更に対
応する様に設計されていたが、特定のユーザの仕様に基
づいて混成集積回路を設計すると、他のユーザ仕様と一
致しないことがあった場合、従来では混成集積回路自体
の設計を見なおす必要があった。
EPROM for hybrid integrated circuit device for modems detailed above
In (6), in order to prepare for diversification of product specifications, it is possible to easily deal with specification changes required by the set maker (user) such as destination, OEM, and in-house sales. That is, EPROM
Circuit configurations other than (6) were designed in advance to accommodate various specification changes, but when a hybrid integrated circuit was designed based on the specifications of a specific user, it may not match the specifications of other users. In that case, conventionally, it was necessary to review the design of the hybrid integrated circuit itself.

しかし本発明の混成集積回路装置ではEPROM(6)がい
ずれかの基板(2)(3)上に設けられたソケット
(9)を介していずれかの基板(2)(3)上に搭載さ
れ且つその表面がケース材(9)の孔(4)から露出さ
れた状態であるため、SIP型EPROM(6)の離脱が行える
のでユーザ側でEPROMを選択して実装するだけで1つの
混成集積回路装置で多機種の混成集積回路装置の実現が
行える。
However, in the hybrid integrated circuit device of the present invention, the EPROM (6) is mounted on any of the substrates (2) and (3) through the socket (9) provided on the one of the substrates (2) and (3). Moreover, since the surface is exposed from the hole (4) of the case material (9), the SIP type EPROM (6) can be detached, so the user only needs to select and mount the EPROM to mount it as one hybrid integration. Circuit devices can realize multi-model hybrid integrated circuit devices.

斯る本発明に依れば、ケース材(9)の側面に孔(4)
を設け、その孔(4)で露出したいずれかの基板(2)
(3)上の導電路(5)にソケット(16)を介してEPRO
M(6)を接続し、両基板(2)(3)とケース材
(9)とで形成された封止空間(21)にマイクロコンピ
ュータ(7)および他の回路素子(8)を固着すること
により、混成集積回路とEPROMとの一体化した装置がで
き且つ必要性に応じて容易にEPROMの挿脱が行える大き
な特徴を有する。
According to the present invention, the hole (4) is formed on the side surface of the case material (9).
Any substrate (2) exposed in the hole (4)
EPRO through the socket (16) to the conductive path (5) above (3)
The M (6) is connected and the microcomputer (7) and other circuit elements (8) are fixed to the sealed space (21) formed by both the substrates (2) and (3) and the case material (9). As a result, a device in which the hybrid integrated circuit and the EPROM are integrated can be formed, and the EPROM can be easily inserted and removed as necessary.

(ト)発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1にケース材
(9)の一側面に孔(4)を設け、その孔(4)で露出
したいずれかの基板(2)(3)上の導電路(5)にSI
P型EPROMを接続しているので、SIP型EPROM(6)の載置
位置を任意に選定できる利点を有する。このため内蔵す
るマイクロコンピュータ(7)との電気的接続を考慮し
て、効率良くSIP型EPROM(6)とマイクロコンピュータ
(7)とを接続でき信号線の引回しを不要にできる。更
に詳述すると、SIP型EPROM(6)の隣接する位置に最も
関連の深いマイクロコンピュータ(7)を配置でき、そ
の結果SIP型EPROM(6)とマイクロコンピュータ(7)
間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離あるい
は最も設計容易なレイアウトで実現でき、データ線の引
回しによる実装密度のロスを最小限に抑制できる。更に
二枚の基板(2)(3)より形成されているため高密度
で且つ小型化の混成集積回路装置を提供することができ
る。
(G) Effect of the Invention As described in detail above, according to the present invention, first, the hole (4) is provided on one side surface of the case material (9), and one of the holes exposed through the hole (4). SI on the conductive path (5) on the substrate (2) (3)
Since the P-type EPROM is connected, there is an advantage that the mounting position of the SIP-type EPROM (6) can be arbitrarily selected. Therefore, in consideration of the electrical connection with the built-in microcomputer (7), the SIP type EPROM (6) and the microcomputer (7) can be efficiently connected, and the wiring of the signal line can be eliminated. More specifically, the most closely related microcomputer (7) can be placed in the adjacent position of the SIP type EPROM (6), and as a result, the SIP type EPROM (6) and the microcomputer (7).
The data lines for exchanging data between them can be realized with the shortest distance or the layout with the easiest design, and the loss of the mounting density due to the routing of the data lines can be suppressed to the minimum. Further, since it is formed of two substrates (2) and (3), it is possible to provide a high-density and downsized hybrid integrated circuit device.

第2にケース材(9)の一側面に設けた孔(4)にSIP
型EPROM(6)を配置しているので、一体化した小型の
混成集積回路装置として取り扱える利点を有する。更に
二枚の集積回路基板(2)(3)上の組込むマイクロコ
ンピュータおよびその周辺回路素子の実装密度を向上す
ることにより、従来必要とされたプリント基板を廃止で
き、1つの小型化されたSIP型EPROM(6)を着脱自在に
内蔵する混成集積回路装置を実現できる。
Secondly, SIP is installed in the hole (4) provided on one side of the case material (9).
Since the type EPROM (6) is arranged, there is an advantage that it can be handled as an integrated and small hybrid integrated circuit device. Further, by improving the packaging density of the microcomputer and its peripheral circuit elements to be incorporated on the two integrated circuit boards (2) and (3), the conventionally required printed circuit board can be eliminated and one miniaturized SIP It is possible to realize a hybrid integrated circuit device in which the type EPROM (6) is detachably incorporated.

第3に集積回路基板(2)(3)として金属基板を用い
ることにより、その放熱効果をプリント基板に比べて大
幅に向上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また
導電路(5)として銅箔(11)を用いることにより、導
電路(3)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減で
き、実装される回路をプリント基板と同等以上に拡張で
きる。
Thirdly, by using a metal substrate as the integrated circuit boards (2) and (3), the heat radiation effect thereof can be significantly improved as compared with the printed circuit board, which can contribute to further improvement of the mounting density. Further, by using the copper foil (11) as the conductive path (5), the resistance value of the conductive path (3) can be significantly reduced as compared with the conductive paste, and the mounted circuit can be expanded to a level equal to or larger than that of the printed circuit board.

第4にEPROM(6)としてシングルインライン型を用い
ることができるので、混成集積回路装置へのEPROM
(6)の実装が極めて容易に実現でき且つEPROM(6)
の透過部材(15)を挿入するので遮光できる利点を有す
る。更にケース材(9)の孔(4)とSIP型EPROM(6)
の外形を同形状にすることによりケース材(9)内にぴ
ったり埋設でき、極めてすっきりした形状のEPROM内蔵
型の混成集積回路装置を実現できる。
Fourthly, since the EPROM (6) can be a single in-line type, it can be used as an EPROM for a hybrid integrated circuit device.
Implementation of (6) is extremely easy and EPROM (6)
Since the transparent member (15) is inserted, there is an advantage that light can be shielded. Furthermore, the hole (4) of the case material (9) and the SIP type EPROM (6)
By making the outer shapes the same, it can be embedded exactly in the case material (9), and an EPROM built-in type hybrid integrated circuit device having an extremely neat shape can be realized.

第5にSIP型EPROM(6)と接続されるマイクロコンピュ
ータ(7)およびその周辺回路素子(8)はケース材
(9)と二枚の集積回路基板(2)(3)とで形成され
る封止空間(21)にダイ形状あるいはチップ形状で組み
込まれるので、従来のプリント基板の様に樹脂モールド
したものに比較して極めて占有面積が小さくなり、実装
密度の大幅に向上できる利点を有する。
Fifthly, the microcomputer (7) and its peripheral circuit element (8) connected to the SIP type EPROM (6) are formed of a case material (9) and two integrated circuit boards (2) and (3). Since it is incorporated in the sealing space (21) in a die shape or a chip shape, it has an advantage that the occupied area is much smaller than that of a conventional printed circuit board that is resin-molded, and the packaging density can be greatly improved.

第6にケース材(9)と二枚の集積回路基板(2)
(3)の周端を実質的に一致させることにより、集積回
路基板(2)(3)のほぼ全面を封止空間(21)として
利用でき、実装密度の向上と相まって極めてコンパクト
な混成集積回路装置を実現できる。
Sixth, case material (9) and two integrated circuit boards (2)
By making the peripheral edges of (3) substantially coincide with each other, almost the entire surface of the integrated circuit board (2) (3) can be used as a sealing space (21), and an extremely compact hybrid integrated circuit combined with an improvement in mounting density. The device can be realized.

第7にケース材(9)に孔(4)に対応する他方の集積
回路基板(3)上にソケット(16)を設けることによ
り、SIP型EPROM(6)の着脱を自在に行え、SIP型EPROM
(6)の交換や消去および再書込みを自由に行える利点
を有する。
Seventh, by providing the socket (16) on the other integrated circuit board (3) corresponding to the hole (4) in the case material (9), the SIP type EPROM (6) can be freely attached and detached, and the SIP type EPROM
There is an advantage that the exchange, erasure and rewriting of (6) can be freely performed.

第8にケース材(9)の側面とSIP型EPROM(6)の上面
を一致させることにより、平坦な上面を有する混成集積
回路装置を実現できる利点を有する。
Eighth, there is an advantage that a hybrid integrated circuit device having a flat upper surface can be realized by aligning the side surface of the case member (9) with the upper surface of the SIP type EPROM (6).

第9に二枚の集積回路基板(2)(3)の一辺あるいは
相対向する辺から外部リード(12)(13)を導出でき、
極めて多ピンの混成集積回路装置を実現できる利点を有
する。
Ninth, the external leads (12) (13) can be derived from one side of the two integrated circuit boards (2) (3) or the opposite sides,
There is an advantage that a hybrid integrated circuit device having an extremely large number of pins can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は本実施例で用いたケース材を示す斜
視図、第4図は本実施例で用いる基板の断面図、第5図
は本実施例で用いるEPROMの斜視図、第6図は第5図の
断面図、第7図は基板上のEPROM周辺を示す要部拡大斜
視図、第8図は本実施例で用いたモデムを示すブロック
図、第9図は第8図で示したモデムのDTEインターフェ
ースを示すブロック図、第10図は第8図で示したモデム
のマイクロコンピュータを示すブロック図、第11図は第
8図で示したブロック図を基板上に実装したときの平面
図、第12図は第11図に示した基板上にケース材を固着し
たときの平面図、第13図および第14図は従来のEPROM実
装構造を示す断面図である。 (1)……混成集積回路装置、(2)(3)……集積回
路基板、(5)……導電路、(6)……SIP型EPROM、
(7)……マイクロコンピュータ、(8)……回路素
子、(4)……孔、(9)……ケース材、(16)……ソ
ケット。
FIG. 1 is a perspective view showing this embodiment, and FIG. 2 is I- in FIG.
I sectional view, FIG. 3 is a perspective view showing a case member used in this embodiment, FIG. 4 is a sectional view of a substrate used in this embodiment, and FIG. 5 is a perspective view of an EPROM used in this embodiment. 6 is a sectional view of FIG. 5, FIG. 7 is an enlarged perspective view of an essential part showing the EPROM periphery on the substrate, FIG. 8 is a block diagram showing a modem used in this embodiment, and FIG. 9 is FIG. Block diagram showing the DTE interface of the modem shown in Fig. 10, Fig. 10 is a block diagram showing the microcomputer of the modem shown in Fig. 8, and Fig. 11 is a block diagram showing the block diagram shown in Fig. 8 when mounted on a substrate. FIG. 12 is a plan view when the case member is fixed on the substrate shown in FIG. 11, and FIGS. 13 and 14 are sectional views showing a conventional EPROM mounting structure. (1) ... hybrid integrated circuit device, (2) (3) ... integrated circuit board, (5) ... conductive path, (6) ... SIP type EPROM,
(7) …… Microcomputer, (8) …… Circuit element, (4) …… Hole, (9) …… Case material, (16) …… Socket.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中本 修 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 大川 克実 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 小池 保広 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 金子 正雄 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 上野 聖和 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 斎藤 保雄 群馬県山田郡大間々町大間々414―1 東 京アイシー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Osamu Nakamoto 2-18 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Katsumi Okawa 2-18 Keiyo Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhiro Koike, 2-18 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Masao Kaneko 2-18, Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Seiwa Ueno 2-18, Keihanhondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yasuo Saito 41-1, Omama-cho, Yamama-gun, Gunma Prefecture Tokyo IC

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】二枚の相対向して配置された集積回路基板
と、 前記基板の対向する主面に形成された所望パターンを有
する導電路と、 前記導電路に接続された樹脂モールドされたシングルイ
ンライン型の不揮発性メモリーと、 前記メモリーからデータを供給され且つ前記基板上の導
電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその周辺
回路素子と、 前記基板間に一体化されたケース材とを具備し、 前記不揮発性メモリーを前記ケース材の一辺に配置し且
つ前記導電路と接続し、前記両基板と前記ケース材で形
成された封止空間に前記マイクロコンピュータおよびそ
の周辺回路素子を配置したことを特徴とする混成集積回
路装置。
1. An integrated circuit board arranged opposite to each other, a conductive path having a desired pattern formed on the main surfaces of the board facing each other, and a resin mold connected to the conductive path. A single in-line type non-volatile memory, a microcomputer supplied with data from the memory and connected to a conductive path on the substrate and its peripheral circuit element, and a case member integrated between the substrates. The non-volatile memory is arranged on one side of the case member and connected to the conductive path, and the microcomputer and its peripheral circuit elements are arranged in a sealed space formed by the both substrates and the case member. Characteristic hybrid integrated circuit device.
【請求項2】前記集積回路基板として表面を絶縁した金
属基板を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集
積回路装置。
2. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a metal substrate whose surface is insulated is used as the integrated circuit substrate.
【請求項3】前記両基板の形状を実質的に同一形状とす
ることを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
3. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the substrates have substantially the same shape.
【請求項4】前記導電路として銅箔を用いたことを特徴
とする請求項1記載の混成集積回路装置。
4. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a copper foil is used as the conductive path.
【請求項5】前記マイクロコンピュータは前記導電路上
にダイ形状で組み込まれることを特徴とする請求項1記
載の混成集積回路装置。
5. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the microcomputer is mounted on the conductive path in a die shape.
【請求項6】前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チッ
プコンデンサーを用いることを特徴とする請求項1記載
の混成集積回路装置。
6. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a chip resistor and a chip capacitor are used as the peripheral circuit element.
【請求項7】前記ケース材を前記両基板の周端部とほぼ
一致させた一定の厚みを有する枠体とすることを特徴と
する請求項1記載の混成集積回路装置。
7. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the case member is a frame body having a constant thickness which substantially coincides with the peripheral end portions of the both substrates.
【請求項8】前記不揮発性メモリーを前記枠体に設けた
孔に埋め込んで配置したことを特徴とする請求項7記載
の混成集積回路装置。
8. The hybrid integrated circuit device according to claim 7, wherein the nonvolatile memory is embedded in a hole provided in the frame body and arranged.
【請求項9】請求項7において、前記枠体に前記一方の
基板の前記導電路と接続されたソケットを設け、前記ソ
ケットに前記不揮発性メモリーを挿入し、前記不揮発性
メモリーの消去用窓を前記ケース材に当接させたことを
特徴とする混成集積回路装置。
9. The socket according to claim 7, wherein the frame is provided with a socket connected to the conductive path of the one substrate, the nonvolatile memory is inserted into the socket, and a window for erasing the nonvolatile memory is provided. A hybrid integrated circuit device, which is brought into contact with the case material.
【請求項10】請求項8において、前記不揮発性メモリ
ーの上面と前記ケース材の上面とを実質的に一致させた
ことを特徴とする混成集積回路装置。
10. The hybrid integrated circuit device according to claim 8, wherein an upper surface of the non-volatile memory and an upper surface of the case member are substantially aligned with each other.
【請求項11】請求項1において、前記両基板の接続体
を前記不揮発性メモリーを設けた辺と異なる辺に設けた
ことを特徴とする混成集積回路装置。
11. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the connection body of the both substrates is provided on a side different from the side on which the nonvolatile memory is provided.
JP1119113A 1989-04-20 1989-05-12 Hybrid integrated circuit device Expired - Lifetime JPH0680770B2 (en)

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JP1119113A JPH0680770B2 (en) 1989-05-12 1989-05-12 Hybrid integrated circuit device
US07/510,467 US5285107A (en) 1989-04-20 1990-04-18 Hybrid integrated circuit device
EP90107414A EP0393657B1 (en) 1989-04-20 1990-04-19 Hybrid integrated circuit device
DE69031141T DE69031141T2 (en) 1989-04-20 1990-04-19 Integrated hybrid circuit arrangement

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