JPH0680792B2 - Hybrid integrated circuit device - Google Patents
Hybrid integrated circuit deviceInfo
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- JPH0680792B2 JPH0680792B2 JP15736789A JP15736789A JPH0680792B2 JP H0680792 B2 JPH0680792 B2 JP H0680792B2 JP 15736789 A JP15736789 A JP 15736789A JP 15736789 A JP15736789 A JP 15736789A JP H0680792 B2 JPH0680792 B2 JP H0680792B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/22—Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は集積回路基板にチップ型の不揮発性メモリ、例
えばEPROM(紫外線消去形プログラマブル・リード・オ
ンリ・メモリー)を実装してなる消去、書込み及び再書
込み可能なEPROM内蔵型の混成集積回路装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to erasing by mounting a chip type nonvolatile memory on an integrated circuit substrate, for example, EPROM (ultraviolet ray erasable programmable read only memory). The present invention relates to a writable and rewritable EPROM built-in hybrid integrated circuit device.
(ロ) 従来の技術 最近マイクロコンピュータを使用して電子機器はエレク
トロニクス、航空、機械及び自動車等の多分野に使用さ
れている。その背景はマイクロコンピュータを用いるこ
とで多機能の動作を容易に実現することができるからで
ある。その動作を決めるプログラム・データは電子機器
の多機能化に伴って年々大容量化になる傾向がある。更
にマイクロコンピュータを動作させるプログラム・デー
タは電子機器の設計から必ずしも一定でなく、電子機器
が完成するまでに数回あるいは数十回におよぶプログラ
ム設計変更が実際にはありうる。(B) Conventional Technology Recently, electronic devices using microcomputers have been used in various fields such as electronics, aviation, machinery and automobiles. The background is that a multifunctional operation can be easily realized by using a microcomputer. The amount of program data that determines its operation tends to increase year by year as electronic devices become multifunctional. Furthermore, the program data for operating the microcomputer is not always constant from the design of the electronic device, and there may actually be several or tens of program design changes until the electronic device is completed.
上述の如き、電子機器分野において、ますますEPROM搭
載の集積回路が必要とされる傾向にある。As described above, in the electronic equipment field, there is a tendency that integrated circuits with EPROMs are increasingly required.
紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEPRO
M素子は、各種電子機器に好んで用いられている。このE
PROM素子は、制御用域は駆動用集積回路と共に現在、そ
の殆んどがプリント配線板に実装されており、一旦書込
んだ情報をその後書き直すために通常、着脱容易なプリ
ント配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量
化が要求される機器は、チップ・オンリ・ボードと称さ
れる技法によってプリント配線板に半導体集積回路(I
C)チップが直接搭載され、所要の配線が施された後こ
の配線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって被
覆され、極めて小形軽量化が達成されている。EPRO with a UV irradiation window that can erase and rewrite the stored information by irradiating it with UV light
The M element is preferably used in various electronic devices. This E
Most of the PROM elements are currently mounted on the printed wiring board in the control area together with the driving integrated circuit, and are usually mounted on the printed wiring board which is easy to attach and detach to rewrite the information once written. ing. For various electronic devices that are required to be small and lightweight, a semiconductor integrated circuit (I
C) The chip is directly mounted, and after the required wiring is provided, the IC chip including this wiring portion is covered with a synthetic resin, and the size and weight are extremely reduced.
一方紫外線照射窓を必要とするEPROMチップは、この照
射窓がネックとなり未だサーディップ型パッケージに組
込まれて製造され、プリント配線板に実装されているた
め小形軽量化が図れない。On the other hand, EPROM chips that require an ultraviolet irradiation window cannot be made smaller and lighter because the irradiation window becomes a neck and is still manufactured by being assembled in a sardip type package and mounted on a printed wiring board.
かかる従来のEPROM素子の実装構造を第14図に従って説
明すると、第14図は従来のEPROM素子の一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導電性配線パターン(4
1)が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板(42)のスルーホール(43)にサーディ
ップ型パッケージに組込まれEPROM素子(44)が搭載さ
れている。このEPROM素子(44)はヘッダー(45)およ
びキャップ(46)を有し、前記ヘッダー(45)はセラミ
ック基材(47)に外部導出リード(48)か低融点ガラス
材で接着されている。又このヘッダー(45)はガラスに
金粉が多量に混入したいわゆる金ペーストを焼結した素
子搭載部(50)が前記低融点ガラス材上或はセラミック
基板(47)上に接着されており、この素子搭載部(50)
にEPROMチップ(51)が紫外線照射面を上にして装着さ
れ、このチップ(51)の電極と前記外部導出リード(4
8)とが金属細線(52)によって接続されている。前記
キャップ(46)は蓄部材であって、前記EPROMチップ(5
1)の紫外線照射面と対向する部分に窓(53)を有する
セラミック基材(54)を含み、このキャップ(46)は低
融点ガラスによってヘッダー(45)に配置されたEPROM
チップ(51)を密封している。この様にEPROMチップ(5
1)を密封したEPROM素子(44)は、前記絶縁性基板(4
2)のスルーホール(43)に外部導出リード(48)を挿
通させ半田によって固定される。スルーホール(43)は
導電性配線パターン(41)によって所要の配線引回しが
施され、前記絶縁性基板の端部に設けられた雄型コネク
タ端子部(55)から図示しない雌型コネクタへと接続さ
れる。A mounting structure of such a conventional EPROM element will be described with reference to FIG. 14. FIG. 14 is a perspective view having a partial cross section of the conventional EPROM element, in which a conductive wiring pattern (4
An EPROM element (44) is mounted in a sardip type package in a through hole (43) of an insulating substrate (42) made of glass epoxy resin or the like on which 1) is formed. The EPROM element (44) has a header (45) and a cap (46), and the header (45) is bonded to a ceramic base material (47) with an external lead (48) or a low melting point glass material. Further, in this header (45), an element mounting portion (50) obtained by sintering a so-called gold paste in which a large amount of gold powder is mixed with glass is adhered onto the low melting point glass material or the ceramic substrate (47). Element mounting part (50)
An EPROM chip (51) is mounted on the surface of the chip (51) with the UV irradiation surface facing upward, and the electrodes of the chip (51) and the external leads (4) are attached.
8) and are connected by a thin metal wire (52). The cap (46) is a storage member, and the EPROM chip (5
An EPROM that includes a ceramic substrate (54) having a window (53) in a portion facing the ultraviolet irradiation surface of 1), and this cap (46) is placed on a header (45) by a low melting point glass.
The tip (51) is sealed. In this way EPROM chip (5
The EPROM device (44) with the sealed 1) is the insulating substrate (4).
An external lead (48) is inserted through the through hole (43) of 2) and fixed by soldering. The through hole (43) is routed by the conductive wiring pattern (41) as required, and the male connector terminal portion (55) provided at the end of the insulating substrate is transferred to a female connector (not shown). Connected.
さて、かかる従来のEPROM素子の実装構造は、EPROMチッ
プ(51)に比べパッケージ外形が極めて大きく、平面占
有率もさることながら三次元、つまり高さもチップの高
さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。更にスル
ーホール(43)に外部導出リードを挿通した後、半田な
どで固定する必要も生ずる。更に特筆すべき大きな欠点
は、絶縁性基板への実装に先立ってEPROM素子を一旦パ
ッケージに組立てることである。EPROM素子は紫外線照
射用の窓を有するが故、そのパッケージは、セラミック
を基材としたサーディップ型パッケージに組立てられる
が、このパッケージは低融点ガラスにより封止される
為、高温(400〜500℃)シールとなり、EPROMチップの
電極(アルミニウム)と外部導出リードと接続する金属
細線を同種材料で構成しないとアロイ化が起り配線抵抗
の増加を来したり、断線を生じたりする。この様な事態
を回避する目的で通常アルミニウム細線が用いられる
が、このEPROMチップはサブストレートを接地電位にす
る必要上、EPROMチップの接地電極を金ペーストで形成
されたチップ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金
ペースト中の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウ
ムとで二次或は多元合金反応が進むことから、グランド
ダイスと呼ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリ
コン小片をEPROMチップと別個に前記金ペーストより成
るチップ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部と
EPROMチップの接地電極とを接続するという極めて煩雑
な作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量、低価
格のいずれも不満足なものである。Now, the packaging structure of such a conventional EPROM element has an extremely large package outer shape as compared with the EPROM chip (51), and is three-dimensional, that is, the height is several times as high as the height of the chip as well as the plane occupancy rate. It is extremely disadvantageous. Furthermore, it is necessary to fix the lead-out lead through the through-hole (43) with solder or the like. A further major drawback to be noted is that the EPROM device is once assembled into a package prior to mounting on an insulating substrate. Since the EPROM device has a window for UV irradiation, the package is assembled into a cerdip type package based on ceramics, but this package is sealed with a low melting point glass, so it can be used at high temperatures (400-500). If the metal wires connecting the EPROM chip electrodes (aluminum) and the external leads are not made of the same material, alloying will occur, increasing wiring resistance and causing wire breakage. In order to avoid such a situation, aluminum thin wires are usually used, but this EPROM chip requires a substrate to be at ground potential, so the ground electrode of the EPROM chip is wire-connected to the chip mounting part made of gold paste. . Even in this case, since the secondary or multi-component alloy reaction proceeds between the metal such as gold or foil in the gold paste and the aluminum, a silicon piece having aluminum coated on the head called a ground die is used. Separately from the EPROM chip, fix it to the chip mounting part made of the gold paste, and
The conventional mounting structure is unsatisfactory in terms of small size, light weight, and low price, such as the extremely complicated work of connecting to the ground electrode of the EPROM chip.
斯る問題を解決するために第15図に示したEPROM実装構
造がある。There is an EPROM mounting structure shown in FIG. 15 to solve such a problem.
以下に第15図に示したEPROM実装構造について説明す
る。The EPROM mounting structure shown in FIG. 15 will be described below.
主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形成され
たガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(60)は、
EPROMチップ(61)を載置するチップ搭載エリヤ(60c)
を有し、前記配線パターン(60b)は、このエリヤ近傍
から主表面(60a)上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリヤ(60c)に
は、EPROMチップ(61)が搭載され、このチップ(61)
の表面電極と前記配線パターン(60b)とが金属細線(6
2)により接続されている。勿論金属細線(62)の1本
は前記チップ(61)のサブストレートと接続する為に、
このチップ(61)の搭載された配線パターン(60b)と
ワイヤリングされている。前記EPROMチップ(61)の紫
外線照射面(61a)上には紫外線透過性樹脂(63)(例
えば東レ社製、型名TX−978)を介して、紫外線透過性
窓材(64)が固着されている。この窓材(64)は、石
英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性材料である。
そして、前記窓材(64)の頂部面(64a)は、EPROMチッ
プ(61)の紫外線照射面に光を導入する面であるから、
この頂部面(64a)を除いた残余の窓材(64)部分と、
金属細線(62)と、この金属細線(62)と前記配線パタ
ーン(60b)との接続部分とが合成樹脂(65)(例えば
日東電工社製、型名MP−10)で被覆されている。もし、
絶縁性基板(60)と、EPROMチップ(61)と窓材(64)
とを加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれば、
前記基板(60)のチップ搭載エリヤ(60c)をザグリ穴
としてこの基板(60)の厚さの半分程度掘れば良い。又
この様なザグリ穴としておけば、合成樹脂(65)の流れ
止めダムが形成され湿気などの浸入に対して有効に作用
する。An insulating substrate (60) such as a glass / epoxy resin plate with a conductive wiring pattern (60b) formed on the main surface (60a)
Area with chip (60c) to mount EPROM chip (61)
The wiring pattern (60b) is routed from near the area on the main surface (60a) and is connected to a male connector terminal portion (not shown). An EPROM chip (61) is mounted on the area (60c), and this chip (61)
The surface electrode and the wiring pattern (60b) of the metal thin wire (6
Connected by 2). Of course, one of the thin metal wires (62) is connected to the substrate of the chip (61),
It is wired with the wiring pattern (60b) on which the chip (61) is mounted. On the ultraviolet irradiation surface (61a) of the EPROM chip (61), an ultraviolet transparent window material (64) is fixed via an ultraviolet transparent resin (63) (for example, Toray Co., model name TX-978). ing. The window material (64) is a known ultraviolet ray transmissive material such as quartz or transparent alumina.
Since the top surface (64a) of the window material (64) is a surface for introducing light to the ultraviolet irradiation surface of the EPROM chip (61),
The remaining window material (64) excluding this top surface (64a),
The thin metal wire (62) and the connecting portion between the thin metal wire (62) and the wiring pattern (60b) are covered with a synthetic resin (65) (for example, model name MP-10 manufactured by Nitto Denko Corporation). if,
Insulating substrate (60), EPROM chip (61) and window material (64)
If it is necessary to further reduce the total thickness dimension including
The chip mounting area (60c) of the substrate (60) may be used as a countersunk hole to dig about half the thickness of the substrate (60). Further, if such counterbore holes are formed, a flow stop dam of the synthetic resin (65) is formed, which effectively acts on ingress of moisture and the like.
第14図および第15図で示したEPROM実装構造は特開昭60
−83393号公報(H05K 1/18)に記載されている。The EPROM mounting structure shown in FIG. 14 and FIG.
-83393 (H05K 1/18).
(ハ) 発明が解決しようとする課題 第15図で示したEPROM実装構造ではEPROMのチップをプリ
ント基板上にダイボンディングしているため、小型化と
なることはいうまでもない。しかしながら、ここでいう
小型化はあくまでもEPROM自体の小型化である。即ち、
第15図からは明らかにされていないがEPROMの周辺に固
着されているマイクロコンピュータおよびその周辺回路
素子はディスクリート等の電子部品で構成されているた
めに、EPROMを搭載したプリント基板用の集積回路とし
てのシステム全体を見た場合なんら小型化とはならず従
来通りプリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型
化になる問題がある。(C) Problems to be Solved by the Invention Needless to say, the EPROM mounting structure shown in FIG. 15 is miniaturized because the EPROM chip is die-bonded onto the printed circuit board. However, the miniaturization referred to here is only miniaturization of the EPROM itself. That is,
Although it is not clear from FIG. 15, the microcomputer and its peripheral circuit elements fixed around the EPROM are composed of electronic components such as discretes, so that an integrated circuit for a printed circuit board equipped with the EPROM is used. As a whole, there is a problem that the size of the printed circuit board does not decrease and the size of the entire system increases as before.
更に第15図で示したEPROM実装構造ではEPROMチップがダ
イボンディングされているのでEPROMチップのプログラ
ム・データの消去は容易に行えるが、消去後に再書込み
する場合の書込みが非常に困難であるため、例えば、EP
ROMチップ及びマイクロコンピュータを搭載した多機能
の集積回路を完成するまでには、上述した様に数回ある
いは、数十回の設計変更、即ち、プログラム・データの
変更があり、その都度に消去・書込みの作業があるため
に設計変更時、即ち、プログラム・データ変更時に容易
に対応することができない大きな問題がある。Further, in the EPROM mounting structure shown in FIG. 15, since the EPROM chip is die-bonded, the program data of the EPROM chip can be easily erased, but it is very difficult to write when rewriting after erasing. For example, EP
As described above, there are several or tens of design changes, that is, program and data changes until the multi-functional integrated circuit equipped with the ROM chip and the microcomputer is completed. Due to the writing work, there is a big problem that it cannot be easily dealt with at the time of design change, that is, at the time of program / data change.
更に、第14図に示した実装構造においても第15図と同様
にEPROMの周辺の回路、即ち、マイクロコンピュータや
その周辺LSI,IC等の回路素子がディスクリート等の電子
部品で構成されているため、プリント基板の大型化、即
ちシステム全体が大型化となりユーザが要求される軽薄
短小のEPROM搭載の集積回路を提供することができない
大きな問題がある。Further, in the mounting structure shown in FIG. 14 as well, as in FIG. 15, the circuits around the EPROM, that is, the circuit elements such as the microcomputer and its peripheral LSI, IC are composed of discrete electronic components. However, there is a big problem that the printed circuit board becomes large in size, that is, the entire system becomes large in size, and it is impossible to provide a light, thin, short and small EPROM mounted integrated circuit which is required by the user.
更に第14図および第15図で示したEPROM実装構造では、
上述した様にシステム全体が大型化となると共にEPROM
およびその周辺の回路素子を互いに接続する導電パター
ンが露出されているため信頼性が低下する問題がある。Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIGS. 14 and 15,
As mentioned above, the whole system becomes larger and EPROM
Also, since the conductive patterns that connect the circuit elements in the surroundings to each other are exposed, there is a problem that reliability is reduced.
更に第14図および第15図で示したEPROM実装構造ではEPR
OMと、その周辺のマイクロコンピュータおよびIC,LSI等
の回路素子が露出されているため、基板上面に凹凸が生
じて取扱いにくく作業性が低下する問題がある。Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIG. 14 and FIG.
Since the OM and the circuit elements such as the microcomputer and ICs, LSIs and the like around the OM are exposed, there is a problem that unevenness is generated on the upper surface of the substrate, which makes it difficult to handle and reduces workability.
(ニ) 課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板上にチップ型のEPROMを搭載すると共にそのEPROMチッ
プと接続されるマイクロコンピュータおよびその周辺の
回路素子を搭載し、且つ、ケース材によってマイクロコ
ンピュータおよびその周辺の回路素子全てが密封封止さ
れてEPROMチップだけがケース材に設けられた孔によっ
て露出された基板上に搭載された構造を有し、且つ、EP
ROMチップに所定のプログラム・データを書込みする書
込み動作時に用いる書込みモードとEPROMチップからデ
ータを読出し通常動作時に用いる通常モードとを任意に
変換する複数のスイッチ及びスイッチ素子を各モードに
変換させる信号をスイッチ素子に入力するモード判定回
路を導電路に接続したことを特徴とする。(D) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and includes a chip-type EPROM mounted on a substrate and a microcomputer connected to the EPROM chip and its surroundings. It has a structure in which the circuit elements are mounted, and the microcomputer and all the circuit elements around it are hermetically sealed by the case material, and only the EPROM chip is mounted on the substrate exposed by the holes provided in the case material. And EP
A signal for converting a plurality of switches and switch elements into various modes for arbitrarily converting a write mode used for writing predetermined program data to the ROM chip and a normal mode used for reading data from the EPROM chip during normal operation A feature is that a mode determination circuit for inputting to the switch element is connected to the conductive path.
従ってEPROMチップを搭載した混成集積回路を極めて小
形化にでき且つEPROMチップの消去が容易に行えるEPROM
チップ内蔵の混成集積回路装置を提供することができ
る。Therefore, the EPROM chip can be extremely miniaturized and the EPROM chip can be easily erased.
A hybrid integrated circuit device with a built-in chip can be provided.
また、書込み・通常の各モードに変換するスイッチが設
けられているので、そのスイッチの変換で各モードの設
定ができ、書込みモード時に基板に固着されている外部
リードを兼用してプログラム・データを書込みすること
ができる。In addition, since there is a switch that converts each mode to writing and normal mode, each mode can be set by converting the switch, and the program data can also be used by using the external lead that is fixed to the substrate in the writing mode. Can be written.
更にスイッチ素子を制御するモード判定回路を有してい
ることにより、複数の組合せ信号からなる測定の信号を
入力すれば書込みモードに変換されるためにプログラム
・データの機密保持が行える。Further, by having a mode determination circuit for controlling the switch element, the program / data can be kept confidential because the mode is converted to the write mode when a measurement signal composed of a plurality of combination signals is input.
(ホ) 作 用 この様に本発明に依れば、基板上の導電路にEPROMチッ
プを接続し、隣接する導電路とワイヤ線で接続している
のでEPROMチップの載置位置を任意に設定できるので、
内蔵するマイクロコンピュータとの電気的接続を考慮し
て、効率良くEPROMとマイクロコンピュータとを接続す
ることができ、信号線即ち導電路の引回し線を不要にす
ることができる。更にEPROMチップの隣接する位置に最
も関連の深いマイクロコンピュータを配置でき、EPROM
チップとマイクロコンピュータ間のデータのやりとりを
行うデータ線を最短距離あるいは最小距離で実現でき、
データ線の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制
することになり、高密度の実装が行える。(E) Operation As described above, according to the present invention, the EPROM chip is connected to the conductive path on the substrate and is connected to the adjacent conductive path by the wire line. Therefore, the EPROM chip mounting position can be arbitrarily set. Because you can
In consideration of electrical connection with the built-in microcomputer, the EPROM and the microcomputer can be efficiently connected, and the signal line, that is, the lead line of the conductive path can be eliminated. Furthermore, the most closely related microcomputer can be placed in the adjacent position of the EPROM chip.
The data line that exchanges data between the chip and the microcomputer can be realized with the shortest distance or the minimum distance,
Since the loss of the mounting density due to the routing of the data lines is suppressed to the minimum, high density mounting can be performed.
更に本発明ではEPROMチップ以外の全ての素子がチップ
状で且つケース材と基板で形成された封止空間内に収納
されるため小形化でしかも取扱い性の優れた混成集積回
路装置を提供することができる。Further, according to the present invention, all elements other than the EPROM chip are chip-shaped and are housed in a sealed space formed by a case material and a substrate, so that it is possible to provide a small-sized hybrid integrated circuit device which is easy to handle. You can
更に本発明では基板上に書込み・通常各モードに変換す
るスイッチが設けられているので、書込みモード時に変
換されたときに外部リードを用いてプログラム・データ
を書込みすることができ且つ、書込み後モードを通常モ
ードに変換して書込みモード時に用いた外部リードを通
常動作時にも兼用して用いることができると共にモード
判定回路によってプログラム・データの機密保持が行え
る。Further, in the present invention, since the switch for converting into the writing / normal mode is provided on the substrate, the program / data can be written by using the external lead when the writing mode is converted, and the post-writing mode can be used. Can be converted to the normal mode and the external read used in the write mode can be used also in the normal operation, and the confidentiality of the program / data can be maintained by the mode determination circuit.
(ヘ) 実施例 以下に第1図乃至第15図に示した実施例に基づいて本発
明の混成集積回路装置を詳細に説明する。(F) Embodiment Hereinafter, the hybrid integrated circuit device of the present invention will be described in detail based on the embodiment shown in FIGS. 1 to 15.
第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられコンピュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。1 and 2 show a hybrid integrated circuit device (1) according to an embodiment of the present invention. This hybrid integrated circuit device (1) is used as an independent electronic component and is used as an integrated circuit having a function independently in a wide range of fields such as computers.
この混成集積回路装置(1)は第1図および第2図に示
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2)上
に形成された所望形状の導電路(3)と、導電路(3)
と接続された不揮発性メモリーチップ(4)と、メモリ
ーチップ(4)からデータを供給され且つ基板(2)上
の導電路(3)と接続されたマイクロコンピュータ
(5)およびその周辺回路素子(6)と、メモリーチッ
プ(4)に所定のプログラム・データを書込みする書込
み動作時に用いる書込みモードとメモリーチップ(4)
からデータを読出し通常動作時に用いる通常モードとを
変換する複数のスイッチ(17)と、スイッチ(17)に所
定の入力信号を供給するモード判定回路(102)と、基
板(2)に一体化され所定の位置に孔(7)が設けられ
たケース材(8)とから構成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the hybrid integrated circuit device (1) includes an integrated circuit board (2), a conductive path (3) having a desired shape formed on the integrated circuit board (2), Conductive path (3)
A non-volatile memory chip (4) connected to the microcomputer, a microcomputer (5) supplied with data from the memory chip (4) and connected to the conductive path (3) on the substrate (2), and peripheral circuit elements thereof ( 6) and a write mode and a memory chip (4) used during a write operation for writing predetermined program data to the memory chip (4)
A plurality of switches (17) for reading data from the device and converting between a normal mode used during normal operation, a mode determination circuit (102) for supplying a predetermined input signal to the switches (17), and a switch (17) integrated with the substrate (2). It is composed of a case member (8) having a hole (7) at a predetermined position.
集積回路基板(2)はセラミックス、ガラスエポキシあ
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。A hard substrate made of ceramics, glass epoxy, metal, or the like is used as the integrated circuit substrate (2), and in this embodiment, a metal substrate excellent in heat dissipation and mechanical strength is used.
金属基板としては例えば0.5〜1.0mm厚のアルミニウム基
板を用いる。その基板(2)の表面には第3図に示す如
く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜(9)
(アルマイト層)が形成され、その一主面側に10〜70μ
厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹脂層(10)
が貼着される。更に絶縁樹脂層(10)上には10〜70μ厚
の銅箔(11)が絶縁樹脂層(10)と同時にローラーある
いはホットプレス等の手段により貼着されている。基板
(2)の一主面上に設けられた銅箔(11)表面上にはス
クリーン印刷によって所望形状の導電路を露出してレジ
ストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メッキ層が
銅箔(11)表面にメッキされる。然る後、レジストを除
去して貴金属メッキ層をマスクとして銅箔(11)のエッ
チングを行い所望の導電路(3)が形成される。ここで
スクリーン印刷による導電路(3)の細さは0.5mmが限
界であるため、極細配線パターンを必要とするときは周
知の写真蝕刻技術に依り約2μまでの極細導電路(3)
の形成が可能となる。As the metal substrate, for example, an aluminum substrate having a thickness of 0.5 to 1.0 mm is used. As shown in FIG. 3, an aluminum oxide film (9) is formed on the surface of the substrate (2) by known anodic oxidation.
(Alumite layer) is formed, 10-70μ on one main surface side
Insulating resin layer such as thick epoxy or polyimide (10)
Is attached. Furthermore, a copper foil (11) having a thickness of 10 to 70 μm is adhered to the insulating resin layer (10) at the same time as the insulating resin layer (10) by means such as a roller or a hot press. On the surface of the copper foil (11) provided on one main surface of the substrate (2), a conductive path of a desired shape is exposed by screen printing and masked with a resist, and a noble metal (gold, silver, platinum) plating layer is formed. The surface of the copper foil (11) is plated. Then, the resist is removed and the copper foil (11) is etched using the noble metal plating layer as a mask to form a desired conductive path (3). Here, the fineness of the conductive path (3) by screen printing is limited to 0.5 mm, so when a very fine wiring pattern is required, it is possible to use the well-known photo-etching technique to obtain an ultrafine conductive path (3) of up to about 2 μm.
Can be formed.
導電路(3)上の所定の位置には不揮発性メモリーチッ
プ(4)とメモリーチップ(4)からデータを供給され
るマイクロコンピュータ(5)とその周辺の回路素子
(6)と、メモリーチップ(4)にデータを書込みする
場合に用いる書込みモードとメモリーチップ(4)から
データを読出して通常動作時に用いる通常モードとのモ
ードを切替える複数のスイッチ(17)が搭載され導電路
(3)と接続されている。更に導電路(3)にはスイッ
チ(17)を変換させる信号を供給するモード判定回路
(102)が接続されている。導電路(3)は基板(2)
の略全面に延在形成され、基板(2)の周端部に延在さ
れる導電路(3)の先端部はリード固着パッドが形成さ
れ、そのパッドには外部リード端子(12)が固着されて
いる。その外部リード(12)は取付け基板に取付けるた
めに略直角に折曲げ形成されている。A nonvolatile memory chip (4), a microcomputer (5) to which data is supplied from the memory chip (4), a circuit element (6) around it, and a memory chip ( 4) is equipped with a plurality of switches (17) for switching between a write mode used for writing data to the memory chip (4) and a normal mode used for normal operation by reading data from the memory chip (4) and connected to the conductive path (3) Has been done. Further, a mode determination circuit (102) for supplying a signal for converting the switch (17) is connected to the conductive path (3). Conductive path (3) is substrate (2)
Of the conductive path (3) extending over substantially the entire surface of the substrate and extending to the peripheral edge of the substrate (2) is provided with a lead fixing pad, and the external lead terminal (12) is fixed to the pad. Has been done. The external lead (12) is bent and formed at a substantially right angle for mounting on the mounting substrate.
不揮発性メモリーチップ(4)としてEPROMチップ(Era
sable Programable Read Only Memory)チップが用いら
れる(以下不揮発性メモリーチップ(4)をEPROMチッ
プという)。このEPROMチップ(4)は周知の如く、フ
ローティングゲートに蓄積されている電子(プログラム
・データ)を光を照射して励起させて未記憶状態のペレ
ットに戻し再書込みして利用できる素子である。EPROM
チップ(4)は市販されているものであって、その形状
はチップ型であれば限定されるものではなく、本実施例
ではEPROMチップ(4)の説明を省略する。EPROM chip (Era as a non-volatile memory chip (4)
A sable programmable read only memory) chip is used (hereinafter, the nonvolatile memory chip (4) is referred to as an EPROM chip). As is well known, the EPROM chip (4) is an element that can be used by irradiating electrons (program data) accumulated in the floating gate with light to excite them and restore them to an unstored pellet to rewrite them. EPROM
The chip (4) is commercially available, and its shape is not limited as long as it is a chip type, and the description of the EPROM chip (4) is omitted in this embodiment.
一方、ケース材(8)は絶縁部材としての熱可塑性樹脂
から形成され、基板(2)と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その箱状のケース材
(8)の周端部は基板(2)の略周端部に配置されて接
着性を有したシール剤(Jシート:商品名)によって基
板(2)と強固に固着一体化される。この結果、基板
(2)とケース材(8)間に所定の封止空間部(14)が
形成されることになる。更に本実施例のケース材(8)
の所定位置には孔(7)が設けられている。その孔
(7)はEPROMチップ(4)及びEPROMチップ(4)と導
電路(3)とを接続するボンディングワイヤ線を露出す
る様な大きさで形成されている。即ち、EPROMチップ
(4)よりも大きく形成されることになる。On the other hand, the case member (8) is made of a thermoplastic resin as an insulating member, and is formed in a box shape so that a space is formed when it is fixed to the substrate (2). The peripheral edge of the box-shaped case material (8) is arranged substantially at the peripheral edge of the substrate (2) and firmly fixed to the substrate (2) by an adhesive sealant (J sheet: product name). Be integrated. As a result, a predetermined sealed space (14) is formed between the substrate (2) and the case material (8). Furthermore, the case material (8) of this embodiment
A hole (7) is provided at a predetermined position. The hole (7) is formed in such a size as to expose the EPROM chip (4) and a bonding wire line connecting the EPROM chip (4) and the conductive path (3). That is, it is formed larger than the EPROM chip (4).
ケース材(8)の孔(7)で露出した基板(2)上の導
電路(3)にはEPROMチップ(4)がAgペースト、半田
等のろう材によって固着搭載され、孔(7)で露出した
基板(2)にはEPROMチップ(4)と接続される複数の
導電路(3)の一端が形成される。その導電路(3)の
一端とEPROMチップ(4)とはAlワイヤ等のボンディン
グワイヤ線で超音波ボンディング接続が行われる。EPRO
Mチップ(4)とボンディング接続された導電路(3)
の他端はEPROMチップ(4)に接続して配置されたマイ
クロコンピュータ(5)の近傍に効率よく引回しされチ
ップ状のマイクロコンピュータ(5)とAlボンディング
ワイヤを用いて超音波接続され電気に接続される。The EPROM chip (4) is fixedly mounted on the conductive path (3) on the substrate (2) exposed through the hole (7) of the case material (8) by a brazing material such as Ag paste or solder, and the hole (7) is used. On the exposed substrate (2), one end of a plurality of conductive paths (3) connected to the EPROM chip (4) is formed. An ultrasonic bonding connection is made between one end of the conductive path (3) and the EPROM chip (4) by a bonding wire line such as an Al wire. EPRO
Conductive path (3) bonded to M chip (4)
The other end is efficiently routed in the vicinity of the microcomputer (5) arranged to be connected to the EPROM chip (4) and ultrasonically connected to the chip-shaped microcomputer (5) and an Al bonding wire for electrical connection. Connected.
ここでEPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ
(5)との位置関係について述べる。第1図に示す如
く、EPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ(5)
とは多数本の導電路(3)を介して接続されるため、そ
の導電路(3)の引回しを短くするためEPROMチップ
(4)とマイクロコンピュータ(5)は夫々、隣接する
位置かあるいはできるだけ近傍に位置する様に配置され
る。従ってEPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ
(5)との導電路(3)の引回しは最短距離で形成でき
基板上の実装面積を有効に使用することができる。EPRO
Mチップ(4)とその近傍あるは隣接した位置に配置さ
れたチップ状のマイクロコンピュータ(5)は第1図の
如く、マイクロコンピュータ(5)の近傍に延在された
導電路(3)の先端部とAlワイヤ線によって超音波ボン
ディング接続されEPROMチップ(4)と電気的に接続さ
れる。Here, the positional relationship between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) will be described. As shown in FIG. 1, EPROM chip (4) and microcomputer (5)
Is connected via a large number of conductive paths (3), the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) are located at adjacent positions or in order to shorten the routing of the conductive paths (3). It is arranged so that it is located as close as possible. Therefore, the conductive path (3) between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) can be formed in the shortest distance, and the mounting area on the substrate can be effectively used. EPRO
As shown in FIG. 1, the M-chip (4) and the chip-shaped microcomputer (5) arranged in the vicinity of or adjacent to the M-chip (4) are connected to the conductive path (3) extending in the vicinity of the microcomputer (5). The tip portion and the Al wire wire are ultrasonically bonded and electrically connected to the EPROM chip (4).
EPROMチップ(4)は第1図及び第2図から明らかな如
く、ケース材(8)に設けた孔(7)で露出した基板
(2)上に搭載され、孔(7)を形成する壁体(7a)に
よって周囲を囲まれた構造となる。更に詳述すると壁体
(7a)によって囲まれるのはEPROMチップ(4)とそのE
PROMチップ(4)と近傍の導電路(3)とボンディング
接続するワイヤ線が囲まれることになる。As is clear from FIGS. 1 and 2, the EPROM chip (4) is mounted on the substrate (2) exposed by the hole (7) provided in the case material (8), and the wall forming the hole (7) is formed. The structure is surrounded by the body (7a). More specifically, the EPROM chip (4) and its E are surrounded by the wall (7a).
The wire lines for bonding and connecting the PROM chip (4) and the conductive path (3) in the vicinity are enclosed.
更に壁体(7a)によって囲まれた空間(7b)には1層以
上の樹脂が充填され、EPROMチップ(4)及びワイヤ線
がその樹脂によって完全に樹脂被覆されている。EPROM
チップ(4)上に直接被覆される第1層目の樹脂はEPRO
Mチップ(4)のデータを消去する場合に紫外線を透過
する必要があるため紫外線透過性樹脂(15a)が用いら
れる。紫外線透過性樹脂(15a)は非芳香族系であれば
限定されず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリ
コンゲルが用いられる。Further, the space (7b) surrounded by the wall body (7a) is filled with one or more layers of resin, and the EPROM chip (4) and the wire wire are completely covered with the resin. EPROM
The resin of the first layer directly coated on the chip (4) is EPRO
An ultraviolet ray transmissive resin (15a) is used because it is necessary to transmit ultraviolet rays when erasing the data of the M chip (4). The ultraviolet transparent resin (15a) is not limited as long as it is a non-aromatic resin, and for example, methyl silicon rubber or silicon gel is used.
本実施例では第1層目の紫外線透過性樹脂(15a)上に
第2層目の樹脂層(15b)が充填されている。第2層目
の樹脂層は第1層とは異なりEPROMチップ(4)の誤消
去を防止するために紫外線性不いを遮断する紫外線不透
過性樹脂(15b)が用いられる。この紫外線透過性樹脂
(15b)は芳香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば
限定されず、例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の
樹脂が用いられ、ケース材(8)の上面と略一致するま
で充填されている。In this embodiment, the second layer resin layer (15b) is filled on the first layer ultraviolet-transparent resin (15a). Unlike the first layer, the second resin layer is made of a UV impermeable resin (15b) that blocks UV light in order to prevent erroneous erasure of the EPROM chip (4). The ultraviolet-transparent resin (15b) is not limited as long as it is a resin containing an aromatic ring (benzene ring). For example, an epoxy-based or polyimide-based resin is used, and the ultraviolet-transparent resin (15b) is substantially the same as the upper surface of the case material (8). It is filled.
従ってEPROMチップ(4)だけが壁体(7a)によって囲
まれ且つ樹脂被覆されて、他のマイクロコンピュータ
(5)およびその周辺の回路素子(6)はケース材
(8)と基板(2)とで形成される封止空間(14)内に
配置されることになる。Therefore, only the EPROM chip (4) is surrounded by the wall body (7a) and covered with resin, and the other microcomputer (5) and the circuit elements (6) around it are provided with the case material (8) and the substrate (2). It will be arranged in the sealed space (14) formed by.
上述の如くEPROMチップ(4)と接続されるマイクロコ
ンピュータ(5)と、その周辺の回路素子(6)及び第
1,第2のスイッチ(17a)(17b)は基板(2)とケース
材(8)で形成された封止空間部(14)に配置する様に
設定されている。即ち、チップ状の電子部品および印刷
抵抗、メッキ抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間
部(14)内に設けられている。As described above, the microcomputer (5) connected to the EPROM chip (4), its peripheral circuit elements (6) and
The first and second switches (17a) and (17b) are set to be arranged in the sealed space (14) formed by the substrate (2) and the case material (8). That is, all elements such as chip-shaped electronic components and resistance elements such as printing resistors and plating resistors are provided in the sealing space (14).
ところで、本実施例では壁体(7a)で囲まれた空間(7
b)に紫外線透過性樹脂(15a)及び不透過性樹脂(15
b)の2層の樹脂構造からなるが、不透過性樹脂(15b)
の代りに第4図に示す如く、遮光用のシール材(16)を
ケース材(8)の孔(7)上に接着しても不透過性樹脂
(15b)と同様に紫外線を完全に遮断することができ
る。By the way, in the present embodiment, the space (7
b) to the ultraviolet transparent resin (15a) and the non-transparent resin (15a)
Impermeable resin (15b) consisting of a two-layer resin structure of b)
As shown in FIG. 4, instead of the non-transparent resin (15b), even if the sealing material (16) for shading is adhered to the hole (7) of the case material (8), the ultraviolet rays are completely blocked. can do.
本実施例でEPROMチップ(4)のデータ消去を行う場合
は紫外線不透過性樹脂(15b)あるいはシール材(16)
を剥して紫外線を所定の時間照射して消去する。紫外線
透過性樹脂(15a)を剥す場合、樹脂(15a)は弱い接着
力のためにワイヤ線が切断することはない。In the case of erasing the data of the EPROM chip (4) in this embodiment, the UV impermeable resin (15b) or the sealing material (16)
Then, it is erased by irradiating it with ultraviolet rays for a predetermined time. When peeling off the ultraviolet permeable resin (15a), the resin (15a) does not break the wire due to its weak adhesion.
次にEPROMチップ(4)のデータ消去後の再書込みにつ
いて説明する。Next, rewriting after erasing the data of the EPROM chip (4) will be described.
第5図は上述した混成集積回路を示すブロック図であ
る。FIG. 5 is a block diagram showing the hybrid integrated circuit described above.
(1)〜(34)は外部リード(12)が接続されている入
出力端子、(5)はマイクロコンピュータ、(4)はEP
ROM、(18)は周辺回路、(19)は書込み用電源回路、
(17a)(17b)は第1及び第2のスイッチ(102)はモ
ード判定回路である。(1) to (34) are input / output terminals to which the external leads (12) are connected, (5) is a microcomputer, (4) is EP
ROM, (18) peripheral circuit, (19) power supply circuit for writing,
Reference numerals (17a) and (17b) denote first and second switches (102), which are mode determination circuits.
第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)は第6図に示す
如く、1回路2接点を有する素子で構成され、本実施例
ではモトローラ社のCMOS MC14053のマルチプレクサーが
使用される。As shown in FIG. 6, the first and second switches (17a) and (17b) are composed of elements having one circuit and two contacts. In this embodiment, a multiplexer of CMOS MC14053 manufactured by Motorola is used.
第1のスイッチ(17a)はEPROM(4)とマイクロコンピ
ュータ(5)との間に接続され、EPROM(4)が通常動
作を行う時にマイクロコンピュータ(5)と電気的に接
続し、EPROM(4)にデータを書込む時にはマイクロコ
ンピュータ(5)とは電気的に切り離なされる。The first switch (17a) is connected between the EPROM (4) and the microcomputer (5), and is electrically connected to the microcomputer (5) when the EPROM (4) performs a normal operation. When writing the data to (), it is electrically separated from the microcomputer (5).
第2のスイッチ(17b)は入出力端子と周辺回路(18)
間に接続され、通常動作時には周辺回路(18)と接続
し、EPROM(4)のデータ書込み動作時には入出力端子
とEPROM(4)とを接続する。第1及び第2のスイッチ
(17a)(17b)の一端は入力端子とEPROM(4)とを接
続するために夫々接続されている。The second switch (17b) is an input / output terminal and a peripheral circuit (18).
It is connected to the peripheral circuit (18) during normal operation, and connects the input / output terminal and the EPROM (4) during data writing operation of the EPROM (4). One ends of the first and second switches (17a) and (17b) are respectively connected to connect the input terminal and the EPROM (4).
第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)はEPROM(4)
にプログラム・データを書込みする際に必要な数だけを
有しており、例えば、128KビットEPROMの場合、アドレ
スAφ〜A13(14本)、データDφ〜D7(8本)の書込
み・読出しのための制御と電源のVPP,PGM,OE,CE(4
本)の合計51個の第1及び第2のスイッチ(17a)(17
b)が必要となるが、ここでは、既製のMC 14053を使用
しているために基板上に実装されるスイッチ素子は実際
には17石となる。また実装するスイッチ素子の素子数を
減らす必要がある場合にはCMOSゲートアレー又はスタン
ダードセルの如きASIC ICを利用した方が基板の小型化
を図れる。The first and second switches (17a) (17b) are EPROM (4)
In the case of 128K-bit EPROM, for example, in the case of 128K-bit EPROM, writing / reading of addresses Aφ to A 13 (14 lines) and data Dφ to D 7 (8 lines) Control and power supply for V PP , PGM, OE, CE (4
A total of 51 first and second switches (17a) (17)
b) is required, but here, since the off-the-shelf MC 14053 is used, the number of switch elements mounted on the board is actually 17 stones. When it is necessary to reduce the number of switch elements to be mounted, it is possible to downsize the board by using an ASIC IC such as a CMOS gate array or standard cell.
本実施例では入出力端子(5)〜(29)周辺回路(18)
間に25個の第2のスイッチ(17b)が接続され、EPROM
(4)とマイクロコンピュータ(5)間には26個の第1
のスイッチ(17a)が接続されている。In this embodiment, input / output terminals (5) to (29) peripheral circuits (18)
25 second switches (17b) are connected between and EPROM
Between the (4) and the microcomputer (5) there are 26 first
Switch (17a) is connected.
第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)の数はいうまで
もないがEPROMのデータ容量あるいは書込み方法によっ
て多くなったり少なくなったりする。Needless to say, the number of the first and second switches (17a) and (17b) increases or decreases depending on the data capacity of the EPROM or the writing method.
モード判定回路(102)は書込みモードと通常モードと
を任意に選択できるものであり、夫々のスイッチ素子
(17a)(17b)に所定の入力信号を供給するものであ
る。The mode determination circuit (102) can arbitrarily select the write mode and the normal mode, and supplies a predetermined input signal to each of the switch elements (17a) (17b).
本実施例ではモード判定回路(102)はAND回路(102b)
とフリップフロップ(102a)とから構成されている。AN
D回路(102b)及びフリップフロップ(102a)に周知す
るものであり、ここでは説明を省略する。In this embodiment, the mode determination circuit (102) is an AND circuit (102b).
And a flip-flop (102a). AN
This is well known to the D circuit (102b) and the flip-flop (102a), and a description thereof will be omitted here.
書込み・通常モードを任意に選択する場合は、モード判
定回路(102)に複数の論理組合せあるいはタイミング
信号をモード判定回路(102)に入力することで行う。
即ち、ハイブリッドICが通常モード時でう通常動作を行
っているタイミング中に通常動作ではあり得ない入力論
理組合せ信号をモード判定回路(102)に入力する。When the writing / normal mode is arbitrarily selected, a plurality of logic combinations or timing signals are input to the mode determination circuit (102).
That is, during the timing when the hybrid IC is performing the normal operation in the normal mode, the input logic combination signal which cannot be the normal operation is input to the mode determination circuit (102).
上述した論理組合せ信号をモード判定回路(102)に入
力すると、ハイブリッドICモードは通常モードから書込
みモードに変換される。When the logic combination signal described above is input to the mode determination circuit (102), the hybrid IC mode is converted from the normal mode to the write mode.
本実施例では入力端子(30)(31)(32)に「L」
「H」「L」の状態が通常動作では有り得ない論理組合
せとなるため、書込み動作にする場合は、入力端子(3
0)(31)(32)「L」「H」「L」の信号を加えてや
るとモード判定回路(102)のAND回路(102b)から出力
信号が出力されFF,フリップフロップ回路(102a)を反
転し、モード切換出力が出力される。その出力信号はEP
ROM書きかえモードでは「H」レベルとなり、ハイブリ
ッド入出力端子側第2のスイッチ(17b)25個の接続を
書込みモード側に接続する。また、EPROM側第1のスイ
ッチ(17a)26個も同時に書込みモード側に接続する。
さらに同時にEPROMのデータ書込時に必要となるVPP入力
へはトランジスタスタQ1入力へ「H」入力が入ることに
よりQ1はON状態になりQ2のベース入力も接地されQ2がON
となり+21Vが通電され、電子スイッチを径由してVPP入
力に+21Vが供給される。In this embodiment, "L" is applied to the input terminals (30) (31) (32).
Since the state of “H” and “L” is a logical combination that is not possible in normal operation, the input terminal (3
0) (31) (32) When signals of "L", "H" and "L" are added, an output signal is output from the AND circuit (102b) of the mode determination circuit (102), FF, flip-flop circuit (102a). Is inverted and the mode switching output is output. The output signal is EP
In the ROM rewrite mode, the level becomes "H", and the connection of 25 hybrid input / output terminal side second switches (17b) is connected to the write mode side. Also, 26 EPROM side first switches (17a) are simultaneously connected to the write mode side.
Moreover transistor Star Q 1 Q 1 by an input to the "H" input enters the base also input Q 2 turns ON state is grounded Q 2 is turned ON to V PP input required for data writing of EPROM at the same time
Then + 21V is energized and + 21V is supplied to the V PP input via the electronic switch.
ここでハイブリッドの(30)(31)(32)入力端子のよ
うに、通常動作では有り得ない入力の論理組合せが見つ
からない時には、通常動作モードと書込み動作モードを
区別する専用の入力端子を設け、その端子信号をFF回路
に直接入れる方法で動作的にはなんら問題ない。When a logical combination of inputs that is impossible in normal operation cannot be found, such as the hybrid (30) (31) (32) input terminals, a dedicated input terminal that distinguishes between normal operation mode and write operation mode is provided. There is no problem in operation by putting the terminal signal directly into the FF circuit.
次に実際の書込み方を説明する。Next, the actual writing method will be described.
EPROM(4)の電源VCCとGNDを除いた端子のアドレス端
子Aφ〜A13データ端子Dφ〜D7、書込み、読出し制御
端子CE,OE,PGM,VPP合計26端子は例えば1回路2接点の
第1のスイッチ(17a)の26個に接続されている。EPROM (4) power supply terminals except for V CC and GND Address terminals Aφ to A 13 Data terminals Dφ to D 7 , write / read control terminals CE, OE, PGM, V PP Total 26 terminals are 1 circuit 2 contacts Are connected to 26 of the first switches (17a).
Aφ〜A13,Dφ〜D7,CE,OEの24個の第1のスイッチ(17
a)の通常モード側端子はマイクロコンピュータ(5)
からの、EPROMデータ読出し動作に必要な信号線の24本
と接続差れている。Aφ to A 13 , Dφ to D 7 , CE, OE 24 first switches (17
The normal mode side terminal of a) is a microcomputer (5)
It is connected to the 24 signal lines required for EPROM data read operation.
EPROM(4)のPGM,VPPに接続されている2個の第1のス
イッチ(17a)の通常動作モード側端子のPGMは「H」、
VPPは「5V」側に接続され、通常モードではEPROM(4)
動作が読出し動作だけに限られ、書込みによる事故を防
ぐようにしている。PGM of the normal operation mode side terminal of the two first switches (17a) connected to PGM, V PP of EPROM (4) is “H”,
V PP is connected to the "5V" side and EPROM (4) in normal mode
The operation is limited to the read operation, and the accident due to the writing is prevented.
26個の第1のスイッチ(17a)の書込みモード側端子の
うちEPROM(4)のVPPに接続している第1のスイッチ
(17a)以外の25個の第1のスイッチ(17a)の書込みモ
ード端子は、ハイブリッド入出力端子の(5)〜(29)
端子と周辺回路(18)間に接続された第2のスイッチ素
子(17b)の書込みモード側端子に接続され、書込みモ
ード時にハイブリッドICの入出力端子(5)(29)に電
気的に接続さていれる。Writing of 25 first switches (17a) other than the first switch (17a) connected to the V PP of the EPROM (4) among the write mode side terminals of the 26 first switches (17a) Mode terminals are hybrid input / output terminals (5) to (29)
It is connected to the write mode side terminal of the second switch element (17b) connected between the terminal and the peripheral circuit (18) and electrically connected to the input / output terminals (5) (29) of the hybrid IC in the write mode. Put
通常動作モードでは、入出力端子はハイブリッドIC内部
周辺回路に接続されている。In the normal operation mode, the input / output terminals are connected to the hybrid IC internal peripheral circuits.
ハイブリッドICを通常動作モードにするか、書込みモー
ドにするかの切りかえは、周辺回路の入力端子と兼用に
使用されるモード変換専用の入力端子(30)(31)(3
2)に上述した様に「L」「H」「L」の複数の通常動
作ではあり得ない組合せの信号をモード判定回路(10
2)に入れることで行う。To switch between the normal operation mode and the write mode of the hybrid IC, input terminals (30) (31) (3) dedicated to mode conversion that are also used as input terminals of peripheral circuits
As described above in 2), a plurality of signals of “L”, “H”, and “L” that cannot be combined in the normal operation are input to the mode determination circuit (10).
2) Put it in.
モード判定回路(102)に「L」「H」「L」の組合せ
信号を入力するために、本実施例では+5V,+21Vの電源
をONにしてハイブリッドICに通電後、入力端子(30)
(32)は(34)と接続し5V定電圧電源のGNDに接続す
る。端子(31)は端子(1)の電源端子と接続され5V定
電圧電源の+5V端子へ接続する。各接続終了後、ハイブ
リッド入力端子(30)(31)(32)は「L」「H」
「L」の入力信号となり、AND回路(102b)には「H」
レベルの出力が出力されFF回路(102a)の出力も「H」
レベルの出力となる。この出力信号はハイブリッドICの
入出力端子側の第2のスイッチ(17b)25個とEPROM側の
第1のスイッチ(17a)26個、合計51個の電子スイッチ
をROM書込みモード側に接続する。In order to input a combination signal of "L", "H", and "L" to the mode determination circuit (102), in the present embodiment, the + 5V and + 21V power supplies are turned on and the hybrid IC is energized, and then the input terminal (30).
Connect (32) to (34) and connect to the GND of 5V constant voltage power supply. Terminal (31) is connected to the power supply terminal of terminal (1) and connected to the + 5V terminal of the 5V constant voltage power supply. After each connection, the hybrid input terminals (30), (31) and (32) are "L" and "H".
It becomes the input signal of "L" and "H" is input to the AND circuit (102b).
The output of the level is output and the output of the FF circuit (102a) is also "H".
The output of the level. This output signal connects 25 second switches (17b) on the input / output terminal side of the hybrid IC and 26 first switches (17a) on the EPROM side, a total of 51 electronic switches to the ROM write mode side.
さらに同時に、EPROM(4)のデータ書込み時に必要と
なるVPP入力へはトランジスタQ1ベースに「H」レベル
の入力信号が供給されることによりトランジスタQ1はON
状態になり、トランジスタQ2のベースが接地されトラン
ジスタQ2がON状態となり、入出力端子(33)から+21V
が通電され、第1のスイッチ(17a)を径由してVPP入力
に書込み用の+21Vが供給され書込み状態がリセットさ
れる。At the same time, the "H" level input signal is supplied to the base of the transistor Q 1 to the V PP input required when writing data to the EPROM (4), so that the transistor Q 1 is turned on.
, The base of the transistor Q 2 is grounded, the transistor Q 2 is turned on, and + 21V is applied from the input / output terminal (33).
Is energized, + 21V for writing is supplied to the V PP input via the first switch (17a), and the writing state is reset.
EPROM(4)へのプログラム・データの書込み操作はま
ず第1にハイブリッドICに内蔵されている、EPROMチッ
プのデータ消去から行う。The operation of writing program data to the EPROM (4) is first performed by erasing the data of the EPROM chip built into the hybrid IC.
データの消去は紫外線発生機、通常EPROMイレサーを準
備しハイブリッドICのパッケージにつけている紫外線照
射孔(7)に向って、紫外線の照射を30分程度行うこと
でEPROM(4)に書込まれたデータは全て「1」のレベ
ルとなる。普通データの消去もれが無いように照射時間
は十分余裕をもって行われる。Data was erased by writing an ultraviolet ray generator, usually an EPROM eraser, and irradiating it with ultraviolet rays for about 30 minutes toward the ultraviolet ray irradiation hole (7) attached to the hybrid IC package, and it was written in the EPROM (4). All data will be at level "1". Normally, the irradiation time is set with a sufficient margin so that the data will not be erased.
次に、通称EPROM WRITERを準備し、EPROM(4)に記憶
させたいプログラム・データを入力する。EPROM WRITER
へデータを入力するのはEPROMのアドレスに対しデータ
を1つづつ手操作で入力することも可能であるが時間的
にまた操作の信頼性から、普通はプログラムを開発する
ホストコンピュータとROM WRITERを電気的に接続して、
コンピュータから直接ROM WRITER内部のメモリにデータ
を転送しデータを蓄える。ハイブリッドICとROM WRITER
の接続は、第7図に示す如く、ROM WRITER(20a)に接
続されているハイブリッド接続用ソケット(20)との間
で行う。Next, a so-called EPROM WRITER is prepared, and the program data to be stored in the EPROM (4) is input. EPROM WRITER
It is possible to input data to the EPROM address manually one by one, but in terms of time and operation reliability, normally a host computer that develops the program and ROM WRITER Electrically connected,
Transfers data directly from the computer to the internal memory of ROM WRITER and stores the data. Hybrid IC and ROM WRITER
7 is connected to the hybrid connection socket (20) connected to the ROM WRITER (20a) as shown in FIG.
通常、ハイブリッドICではなくEPROM単体の書込みであ
れば書込みたいEPROMをROM WRITERのソケットに挿入し
て、即時データ書込み動作に入れる。しかし、ハイブリ
ッドICの場合、ROM WRITERについているEPROMソケット
と、アドレスAφ〜A13の14本、データDφ〜D7の8
本、制御信号CE,OE,PGMの3本、合計25の信号、制御線
を、ROM WRITER(20a)のソケット(20)にハイブリッ
ドICの入出力端子(5)〜(29)を挿入してそれぞれ接
続する。Normally, if you want to write EPROM alone instead of hybrid IC, insert the EPROM you want to write into the socket of ROM WRITER and put into immediate data writing operation. However, in the case of hybrid IC, EPROM socket attached to ROM WRITER, 14 lines of address Aφ to A 13 and 8 of data Dφ to D 7
Insert the input / output terminals (5) to (29) of the hybrid IC into the socket (20) of the ROM WRITER (20a), and the control line CE, three control signals CE, OE, and PGM, totaling 25 signals and control lines. Connect each.
次に、ROM WRITER(20a)側の操作として、既にROM WRI
TER(20a)内のメモリ内にはEPROMに書込みたいデータ
は準備されていることからデータ書込みをスタートす
る。Next, as the operation on the ROM WRITER (20a) side, the ROM WRI
Since the data to be written to the EPROM is prepared in the memory inside the TER (20a), data writing is started.
実際のROM WRITERの書込み動作は、次の手順で自動的に
行なわれる。The actual write operation of ROM WRITER is automatically performed by the following procedure.
(i) EPROMを読出し状態(PGM端子は「H」のままO
E,CEをACTIVE「L」にしてAφ〜A13へアドレスデータ
を入れる)にしてEPROMの全メモリが、完全に消去され
ているかどうかの確認。もし、消去不完全なところがあ
るとROM WRITERは警告音を発し、次のデータ書込みのス
テップには入らない。(I) EPROM read status (PGM pin remains high)
E, or check whether all memory of EPROM and CE to the put the address data to Aφ~A 13 in the ACTIVE "L") has been completely erased. If there is incomplete erasure, ROM WRITER emits a warning sound and does not enter the next data writing step.
(ii) EPROMのアドレスの若い順(OEは「H」、CEは
「L」)からデータの書込みを開始する。ROM WRITERか
らアドレスAφ〜A13、データDφ〜D7をEPROMへ印加し
たまま約1msec幅のPGMパルスをEPROMに一回印加EPROMに
DATAを書込む。(Ii) Start writing data in ascending order of EPROM address (OE is "H", CE is "L"). Applying a PGM pulse of about 1 msec width to the EPROM once while applying the addresses Aφ to A 13 and data Dφ to D 7 from the ROM WRITER to the EPROM
Write the data.
(iii) (ii)と同一アドレスで、EPROMを読出し状態
((i)と同じ状態)にして、(ii)で書込まれたデー
タの読出しを行い、読出されたデータが(ii)で書込ん
だものと同じになったかどうか比較する。(Iii) At the same address as (ii), put the EPROM in the read state (the same state as (i)), read the data written in (ii), and write the read data in (ii). Compare if it is the same as the complicated one.
同じデータになっていない時は(ii)の動作にもどり同
一のアドレスとデータで書込みを行う。書込んだデータ
と書込まれたデータが同一になると、EPROMのデータ保
持の安定性、信頼性向上のためのマージン確保のために
さらに(ii)の書込み動作を何回か自動的に行ない、一
つのアドレスの書込みを終了する。If the data is not the same, the operation returns to (ii) and writing is performed with the same address and data. When the written data becomes the same as the written data, the writing operation of (ii) is automatically performed several times to secure the margin for EPROM data retention stability and reliability improvement. Writing of one address is completed.
(iv) アドレスを1カウントアップし、そのデータの
書込みを(ii)の手順から繰り返す。(Iv) The address is incremented by 1, and the writing of the data is repeated from the procedure of (ii).
(i)〜(iv)の書込み動作はROM WRITERが自動的に進
行し、EPROMの全アドレスデータ書込みが終了確認出来
ると自動的にROM WRITERの動作は停止する。The ROM WRITER automatically advances the writing operation of (i) to (iv), and the operation of the ROM WRITER automatically stops when the completion of writing of all address data of the EPROM can be confirmed.
以上の動作でハイブリッドICの中のEPROMに新らたなデ
ータを書込むことが出来、ROM WRITER(20a)のソケッ
ト(20)から各端子(5)(34)に接続され外部リード
(12)を取りはずせばハイブリッドICの内に搭載された
EPROM(4)のデータ書込みは終了する。With the above operation, new data can be written to the EPROM in the hybrid IC, and it is connected from the socket (20) of ROM WRITER (20a) to each terminal (5) (34) and external lead (12). It was installed in the hybrid IC by removing the
Data writing to EPROM (4) ends.
以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。A specific example of a hybrid integrated circuit device for a modem using the present invention will be shown below.
先ず、モデム(MODEM)とはパーソナルコンピュータな
どのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電話回
線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行うデ
ータ通信のためにモデムが存在する。モデルの機能はデ
ジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波数を
使って、データによる変調を行いアナログ信号にして電
話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデータ
で変調されるアナログ信号を復調してデジタル化したデ
ータに戻す機能を持つ。First, a modem (MODEM) exists for data communication in which digitized data handled by a data terminal such as a personal computer is transmitted and received at a distance from each other using a telephone line. The function of the model is to modulate the digitized data by using the frequency that can be used in the telephone line, convert it into an analog signal and put it on the telephone line, and the analog signal modulated with the data sent from the other party. It has the function of demodulating and returning to digitized data.
第8図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。The modem will be briefly described based on the block diagram shown in FIG.
第8図は集積回路基板(2)上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。FIG. 8 is a block diagram when a modem is mounted on the integrated circuit board (2).
モデルはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するDTEインターフ
ェース(21)と、DTEインターフェース(21)より出力
されたデータに基づいて所定の出力信号を出力するマイ
クロコンピュータ(5)と、マイクロコンピュータ
(5)からアドレスされるデータを内蔵したEPROMチッ
プ(4)と、マイクロコンピュータ(5)からの出力信
号を変復調しNCU(NETWORK CONTROL UNIT)に出力す
る第1および第2の変復調回路(22)(23)と、マイク
ロコンピュータ(5)からの出力信号に応じて所望のDT
MF信号(トーン信号)を発生するDTMF発生器(24)とを
から構成されている。更に本実施例のモデム回路内には
EPROM(4)のデータを読出して通常動作時に用いる通
常動作モードとEPROM(4)にプログラム・データを書
込みする際に用いる書込みモードとを変換する第1及び
第2のスイッチ(17a)(17b)と、第1及び第2のスイ
ッチ(17a)(17b)に組合せ信号を入力するモード判定
回路(102)と、通常動作モードと書込みモード時の各
電圧を変換する電圧切替回路(17c)を有している。The model is a DTE interface (21) that stores the data sent from the personal computer in the built-in memory and outputs the data, and a micro that outputs a predetermined output signal based on the data output from the DTE interface (21). A computer (5), an EPROM chip (4) containing data addressed by a microcomputer (5), and a first and a second that modulate and demodulate an output signal from the microcomputer (5) and output to an NCU (NETWORK CONTROL UNIT). A desired DT according to the output signals from the second modulation / demodulation circuits (22) (23) and the microcomputer (5).
And a DTMF generator (24) for generating an MF signal (tone signal). Further, in the modem circuit of this embodiment
First and second switches (17a) (17b) for converting the normal operation mode used for reading the data of the EPROM (4) and normal operation and the write mode used for writing the program data to the EPROM (4) And a mode determination circuit (102) for inputting a combination signal to the first and second switches (17a, 17b) and a voltage switching circuit (17c) for converting each voltage in the normal operation mode and the write mode. is doing.
DTEインターフェースは例えばSTC9610(セイコーエプソ
ン)等のICより成り、第9図の如く、パソコンの出力信
号を供給し、その出力信号を内蔵メモリー内に蓄積して
マイクロコンピュータ(5)へ出力する送信メモリー部
(25)と、マイクロコンピュータ(5)からの出力信号
が供給される信号を内蔵メモリー内に蓄積してパソコン
へ出力する受信メモリー部(26)と、送信メモリー部
(25)および受信メモリー部(26)を介して入出力され
る夫々の信号を切替える制御部(27)とからなり、パソ
コン(28)とマイクロコンピュータ(5)とを接続する
ための所定の機能を有するものである。The DTE interface is composed of an IC such as STC9610 (Seiko Epson), and as shown in FIG. 9, a transmission memory that supplies the output signal of the personal computer, accumulates the output signal in the internal memory, and outputs it to the microcomputer (5). Section (25), a reception memory section (26) for accumulating a signal supplied with an output signal from the microcomputer (5) in a built-in memory and outputting it to a personal computer, a transmission memory section (25) and a reception memory section The control unit (27) switches each signal input and output via the (26) and has a predetermined function for connecting the personal computer (28) and the microcomputer (5).
マイクロコンピュータ(5)は例えばSTC9620(セイコ
ーエプソン)等のICより成り、第10図の如く、DTEイン
ターフェース(21)から出力される出力信号を認識する
コマンド認識部と、コマンド認識部によって認識された
出力信号を解読するコマンド解読部と、コマンド解読部
で解読された信号に基づいてメモリー部のデータと比較
し変復調回路へデータを供給するコマンド実行部と、コ
マンド解読部のデータとメモリー部内のデータとの比較
結果、誤ったデータがコマンド実行部に供給された際に
DTEインターフェース(21)に出力信号を出力する応答
コード生成部とからなる。The microcomputer (5) is composed of, for example, an IC such as STC9620 (Seiko Epson), and as shown in FIG. 10, it is recognized by the command recognition unit and the command recognition unit that recognizes the output signal output from the DTE interface (21). The command decoding unit that decodes the output signal, the command execution unit that compares the data in the memory unit based on the signal decoded by the command decoding unit and supplies the data to the modem circuit, the data in the command decoding unit and the data in the memory unit When incorrect data is supplied to the command execution unit as a result of comparison with
The DTE interface (21) includes a response code generation unit that outputs an output signal.
変復調回路(28)はマイクロコンピュータ(5)から送
信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してNCU部
に送信する。また反対にNCU部から送信されたアナログ
信号をデジタル信号に変換してマイクロコンピュータ
(5)へ送信するものであり、低速および中速夫々のタ
イプの回路を備えている。第1の変復調回路(22)は30
0bpsの低速変復調回路であり、第2の変復調回路(23)
は1200bpsの中速変復調回路である。夫々の第1および
第2の変復調回路(22)(23)はマイクロコンピュータ
(5)により、いずれか一方の変復調回路が選択され
る。The modulation / demodulation circuit (28) converts the digital signal transmitted from the microcomputer (5) into an analog signal and transmits it to the NCU unit. On the contrary, it converts an analog signal transmitted from the NCU unit into a digital signal and transmits it to the microcomputer (5), and has low-speed and medium-speed circuits. The first modulation / demodulation circuit (22) is 30
This is a low-speed modulation / demodulation circuit of 0 bps, and the second modulation / demodulation circuit (23)
Is a 1200bps medium speed modulation / demodulation circuit. One of the first and second modulation / demodulation circuits (22, 23) is selected by the microcomputer (5).
DTMF発生器(24)はマイクロコンピュータ(5)のコマ
ンド実行部より出力されたデータをCOL,ROW夫々の入力
端子に入力することで所定のDTMF信号を発生して送信AM
P(29a)に出力して電話回線へ信号を供給する。The DTMF generator (24) generates a predetermined DTMF signal by inputting the data output from the command execution unit of the microcomputer (5) to the input terminals of each of COL and ROW, and transmits AM.
Output to P (29a) and supply signal to telephone line.
第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)は例えば上述し
た様にモトローラ社のマルチプレクサーCMOS MC 1405
3が用いられる。第1のスイッチ(17a)はマイクロコン
ピュータ(5)とEPROM(4)間に接続され、第2のス
イッチ(17b)はリード端子とDTEインターフェース(2
1)間に接続されている。The first and second switches (17a) and (17b) are, for example, the multiplexer CMOS MC 1405 manufactured by Motorola as described above.
3 is used. The first switch (17a) is connected between the microcomputer (5) and the EPROM (4), and the second switch (17b) is connected to the lead terminal and the DTE interface (2).
1) is connected between.
EPROMチップ(4)内にはモデムの各種のモードを設定
するためのプログラムデータがメモリーされており、マ
イクロコンピュータ(5)のアドレスに基づいてマイク
ロコンピュータ(5)に供給される。Program data for setting various modes of the modem is stored in the EPROM chip (4) and is supplied to the microcomputer (5) based on the address of the microcomputer (5).
次にモデムの動作について簡単に説明する。モデムの動
作を説明するにあたり通常・書込みの各モードを変換す
る第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)は夫々通常動
作を行う通常モード側に選択されている。Next, the operation of the modem will be briefly described. In explaining the operation of the modem, the first and second switches (17a) and (17b) for converting the normal mode and the write mode are selected to the normal mode side for performing the normal operation, respectively.
先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ(5)からの読出し信号に基づいて第1のスイッ
チ(17a)を介して、所定のアドレスデータがEPROMチッ
プ(4)に供給され、そのアドレスに基づいたEPROMチ
ップ(4)のプログラム・データが第1のスイッチ(17
a)を介してマイクロコンピュータ(5)に供給され、
通信を行う夫々のモデムの通信規格(BELL/CCITT規
格)、通信速度(300/1200bps)、データファーマット
の一致、デップスイッチモードの切替等の各種のモード
が一致しているかが確認される。First, when starting personal computer communication, predetermined address data is supplied to the EPROM chip (4) through the first switch (17a) based on a read signal from the microcomputer (5), and the address is supplied to the EPROM chip (4). The program data of the EPROM chip (4) based on the first switch (17
is supplied to the microcomputer (5) via a),
It is confirmed that the various communication modes (BELL / CCITT standard), communication speed (300 / 1200bps), matching of data format, switching of DIP switch mode, etc. of each modem are matched.
各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー入力する。Assuming that the various modes are the same, enter the telephone number of the answering modem into the personal computer.
その電話番号はパソコンとのインターフェース用のDTE
インターフェース(21)に入力され、電話番号を解読す
る為にマイクロコンピュータ(5)に転送される。その
解読した結果をDTMF発生器(24)に送信し、DTMF発生器
(24)からDTMF信号が発信されその信号は送信AMP(29
a)、ライントランス(29c)を介して一般電話回線へ転
送される。The phone number is DTE for interface with a PC
It is input to the interface (21) and transferred to the microcomputer (5) for decoding the telephone number. The decoded result is transmitted to the DTMF generator (24), the DTMF signal is transmitted from the DTMF generator (24), and the signal is transmitted by the transmission AMP (29
a), transferred to a general telephone line via the line transformer (29c).
転送されたDTMF信号は応答側のモデムに対して呼出し信
号を送出し、応答側のモデムは呼出信号を受信して自動
着信する。すると応答側のモデムは接続手順の為のアン
サートーン起呼側のモデムに対して送出する。The transferred DTMF signal sends a calling signal to the answering modem, and the answering modem receives the calling signal and automatically receives the incoming call. The answering modem then sends the answer tone to the calling modem for the connection procedure.
起呼側のモデムはライントランス(29c)、受信アンプ
(29b)を通り低速変復調回路(22)でそのアンサート
ーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサートーンで
あるか否かを検出する。所定のアンサートーンであれば
通信状態に入る。The calling modem passes through the line transformer (29c) and the receiving amplifier (29b), and the low speed modulation / demodulation circuit (22) detects whether or not the answer tone is a predetermined answer tone for the calling modem. . If it is a predetermined answer tone, the communication state is entered.
通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー入力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルデータをDTEインターフェース(21)に入力し、その
データをマイクロコンピュータ(5)に転送する。ここ
でパラレルデータをシリアルデータに変換する。シリア
ルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調回路
(22)に送信させる。ここでデジタル信号はアナログ信
号に変換され、これに対応した通信規格に基づいて周波
数変調FSKされ、送信AMP(29)、ライントランス(32)
を介して応答側のモデムに送信される。In the communication state, parallel data from the personal computer is input to the DTE interface (21) based on a predetermined key input signal from the keyboard of the calling personal computer, and the data is transferred to the microcomputer (5). Here, the parallel data is converted into serial data. The digital signal converted into serial data is transmitted to the low speed modulation / demodulation circuit (22). Here, the digital signal is converted into an analog signal, frequency modulation FSK is performed based on the communication standard corresponding to this, transmission AMP (29), line transformer (32)
To the modem on the answering side.
一方、応答側のパソコンのキー入力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス(29c)、受信AMP(29b)を介して
低速変復調回路(22)に入力される。ここでアナログ信
号はデジタル信号に変換されDTEインターフェース(2
1)に入力され、シリアルデジタル信号からパラレルデ
ジタル信号に変換されて第2のスイッチ(17b)を介し
て起呼側のパソコンに入力される。その結果起呼側へパ
ソコンと応答側のパソコンは全二重通信ができる様にな
りパソコン通信が実現する。On the other hand, the frequency-modulated analog signal sent by the key input signal of the response side personal computer is sent to the calling side modem and input to the low speed modulation / demodulation circuit (22) via the line transformer (29c) and the receiving AMP (29b). To be done. Here, the analog signal is converted into a digital signal and the DTE interface (2
1), the serial digital signal is converted into a parallel digital signal and is input to the calling personal computer through the second switch (17b). As a result, the personal computer for the calling side and the personal computer for the answering side can perform full-duplex communication, thus realizing personal computer communication.
第11図は第8図で示したモデム回路を本実施例で用いた
基板(2)上に実装した場合の平面図であり、実装され
る回路素子の図番号は同一番号とする。EPROMチップ
(4)とマイクロコンピュータ(5)との接続はバスラ
インで示す。尚、複数の回路素子を接続する導電路は煩
雑のため省略する。FIG. 11 is a plan view of the modem circuit shown in FIG. 8 mounted on the substrate (2) used in this embodiment, and the circuit elements to be mounted have the same reference numerals. The connection between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) is shown by a bus line. The conductive paths connecting the plurality of circuit elements are omitted because they are complicated.
第11図に示す如く、基板(2)の対向する周端部には外
部リード端子(12)が固着される複数の固着用パッド
(3a)が設けられている。固着パッド(3a)から延在さ
れる導電路(3)上所定位置には複数の回路素子および
EPROMチップ(4)が固着される。上述した如き、斯る
基板(2)上にはEPROMチップ(4)およびマイクロコ
ンピュータ(5)を含む複数の回路素子と読出し・書込
みの各モードを変換する第1及び第2のスイッチ(17
a)(17b)及びAND回路(102b)とFF回路(102a)とか
らなるモード判定回路(102)が固着されており、(2
1)はDTEインターフェース、(22)(23)は第1および
第2の変復調回路、(24)はDTMF発生回路、(17a)(1
7b)は第1及び第2のスイッチ、(17c)は電圧変換素
子、(5)はマイクロコンピュータ、(6)はコンデン
サー等のチップ部品である。As shown in FIG. 11, a plurality of fixing pads (3a) to which the external lead terminals (12) are fixed are provided on the opposing peripheral ends of the substrate (2). A plurality of circuit elements and a plurality of circuit elements are provided at predetermined positions on the conductive path (3) extending from the fixing pad (3a).
The EPROM chip (4) is fixed. As described above, a plurality of circuit elements including the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) and the first and second switches (17) for converting the read / write modes are provided on the substrate (2).
a) (17b) and the mode determination circuit (102) consisting of the AND circuit (102b) and the FF circuit (102a) are fixed, and (2
1) is a DTE interface, (22) and (23) are first and second modulation / demodulation circuits, (24) is a DTMF generation circuit, and (17a) (1
7b) is a first and second switch, (17c) is a voltage conversion element, (5) is a microcomputer, and (6) is a chip component such as a capacitor.
第11図に示す如く、マイクロコンピュータ(5)の近傍
あるいは隣接する位置にEPROMチップ(4)が固着され
る。マイクロコンピュータ(5)の近傍あるいは隣接す
る位置にEPROMチップ(4)を固着することで、マイク
ロコンピュータ(5)とEPROMチップ(4)とのバスラ
イン、即ち導電路(3)の引回し線の距離を最短でしか
も最小の距離で引回すことができ、他の実装パターンを
有効に使用できると共に高密度実装が行える。尚、一点
鎖線で囲まれた領域は接着シートでケース材(8)が固
着される領域を示す。As shown in FIG. 11, the EPROM chip (4) is fixed near or adjacent to the microcomputer (5). By fixing the EPROM chip (4) near or adjacent to the microcomputer (5), the bus line between the microcomputer (5) and the EPROM chip (4), that is, the routing line of the conductive path (3) The distance can be set at the shortest distance and the shortest distance, and other mounting patterns can be effectively used and high-density mounting can be performed. The area surrounded by the alternate long and short dash line shows the area where the case material (8) is fixed with an adhesive sheet.
更にEPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ(5)
間に第1のスイッチ(17a)を接続し、DTEインターフェ
ース(21)と外部リード固着パッド(3a)間に第2のス
イッチ(17b)を設けることで通常モードと書込みモー
ドの各モードの切替を第1及び第2のスイッチ素子(17
a)(17b)で容易に行える。この結果、外部リード(1
2)は通常モードと書込みモードで兼用して用いられる
ことになり、書込み専用のリードを必要とせずEPROMチ
ップ(4)内蔵のハイブリッドでは極めて少ないリード
端数のハイブリッドを実現できる。また、各モードの切
替は固着パッド(3X)に固着されるリード(12X)に特
定の組合せた通常動作であり得ない複数の入力信号をモ
ード判定回路(102)に印加すればモード変換が行え
る。第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)は第8図に
示されていないがEPROMの大きさによってその数は異な
り複数設けられている。EPROM chip (4) and microcomputer (5)
The first switch (17a) is connected between them, and the second switch (17b) is provided between the DTE interface (21) and the external lead fixing pad (3a) to switch between the normal mode and the write mode. First and second switch elements (17
This can be easily done with a) (17b). As a result, external leads (1
2) will be used in both the normal mode and the write mode, and a hybrid with an EPROM chip (4) with a very small lead fraction can be realized without the need for a write-only lead. In addition, mode switching can be performed by applying a plurality of input signals, which cannot be the normal operation, which is a specific combination of the leads (12X) fixed to the fixing pad (3X), to the mode determination circuit (102). . Although not shown in FIG. 8, the first and second switches (17a) and (17b) are different in number depending on the size of the EPROM, and a plurality of switches are provided.
第12図は第11図で示した基板(2)上にケース材(8)
を固着したときのモデム用の混成集積回路装置の完成品
の平面図であり、ケース材(8)の上面からはEPROMチ
ップ(4)上に被覆された第2の樹脂層(15b)の上面
のみが露出された状態となる。即ち、EPROMチップ
(4)以外の他の素子は全てケース材(8)と基板
(2)とで形成された封止空間(14)内に封止される。FIG. 12 shows the case material (8) on the substrate (2) shown in FIG.
FIG. 9 is a plan view of a finished product of the hybrid integrated circuit device for the modem when the IC chip is fixed, and shows the upper surface of the second resin layer (15b) coated on the EPROM chip (4) from the upper surface of the case material (8). Only the state is exposed. That is, all the elements other than the EPROM chip (4) are sealed in the sealing space (14) formed by the case material (8) and the substrate (2).
ケース材(8)より露出されている多数の外部リード
(12)の一部はEPROMチップ(4)の通常動作時及び書
込み動作時の各モードにおいて兼用して用いられるリー
ドであり、外部リード(12X)は各モードを変換させる
複数の入力信号を印加する専用の端子である。A part of the large number of external leads (12) exposed from the case material (8) is a lead that is commonly used in each mode of the EPROM chip (4) during normal operation and write operation. 12X) is a dedicated terminal for applying a plurality of input signals for converting each mode.
以上に詳述したモデム用の混成集積回路装置のEPROMに
は製品仕様の多様化に備え、仕向地、OEM、自社販売等
セットメーカ(ユーザ)が要望する仕様変更に対して容
易に対応することができる。即ち、EPROM以外の回路構
成はあらかじめ各種の仕様変更に対応する様に設計され
ていたが、特定のユーザの仕様に基づいて混成集積回路
を設計すると、他のユーザ仕様と一致しないことがあっ
た場合、従来では混成集積回路自体の設計を見なおす必
要があった。The EPROM of the hybrid integrated circuit device for modems described in detail above should be ready for the diversification of product specifications, and to easily respond to the specification changes required by the set manufacturer (user) such as the destination, OEM, and in-house sales. You can That is, the circuit configurations other than EPROM were designed in advance to support various specification changes, but when a hybrid integrated circuit was designed based on the specifications of a specific user, it may not match the specifications of other users. In that case, conventionally, it was necessary to review the design of the hybrid integrated circuit itself.
しかし本発明の混成集積回路装置では、EPROMチップ
(4)のデータを読出す場合に用いる通常動作モードと
EPROMチップ(4)にデータを書込む場合に書込みモー
ドとを切替える第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)
を備えており、EPROMチップ(4)を搭載したままの状
態でEPROMチップ(4)に所定のプログラム・データを
書込むことができるため、設計変更等の変更でEPROMチ
ップ(4)内のプログラム・データに変更が生じた場合
でもEPROMチップ(4)に容易にプログラム・データを
書込みすることができる。However, in the hybrid integrated circuit device of the present invention, the normal operation mode used when reading data from the EPROM chip (4) is used.
First and second switches (17a) (17b) for switching between write mode when writing data to the EPROM chip (4)
Since the specified program data can be written to the EPROM chip (4) while the EPROM chip (4) is still mounted, the program in the EPROM chip (4) can be changed by design change or the like. -Even if the data is changed, the program data can be easily written to the EPROM chip (4).
更に本発明では書込みモード及び通常モードの各モード
を特定の複数の入力信号を同時に入力することで必要に
応じて任意に切替えられることができ、プログラム・デ
ータの気密保持を行える利点を有する。Further, in the present invention, each mode of the write mode and the normal mode can be arbitrarily switched as needed by simultaneously inputting a plurality of specific input signals, and there is an advantage that the program and data can be kept airtight.
以上に詳述した実施例ではEPROMとマイクロコンピュー
タとは夫々分離した個別のICであるが、不揮発性メモリ
ーの中にはEPROM内蔵のマイクロコンピュータも含まれ
る。EPROM内蔵マイクロコンピュータにおいても上述し
た如き、同様の動作を行うことができる。In the embodiments described in detail above, the EPROM and the microcomputer are separate ICs, but the nonvolatile memory also includes a microcomputer with an EPROM. The same operation as described above can be performed in the EPROM built-in microcomputer.
第13図はEPROM内蔵マイクロコンピュータを用いた場合
のブロック図を示すものである。第13図から明らかな如
く、第1のスイッチ(17a)はEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータと周辺回路(18)に接続され、第2のスイッチ
(17b)は周辺回路(18)と入出力端子(5)〜(29)
間に接続されている。当然のことながら、第13図に示し
たEPROM内蔵マイクロコンピュータを基板上にハイブリ
ット化した場合、EPROM内蔵マイクロコンピュータが搭
載される真上のケース材には孔が設けられている。従っ
てEPROMのデータの消去・書込みが上述した同様の動作
で行える。FIG. 13 is a block diagram when an EPROM built-in microcomputer is used. As is apparent from FIG. 13, the first switch (17a) is connected to the microcomputer with built-in EPROM and the peripheral circuit (18), and the second switch (17b) is connected to the peripheral circuit (18) and the input / output terminal (5). ~ (29)
Is connected in between. As a matter of course, when the microcomputer with built-in EPROM shown in FIG. 13 is hybridized on the substrate, the case material just above the microcomputer with built-in EPROM is provided with holes. Therefore, erasing / writing of EPROM data can be performed by the same operation as described above.
斯る本発明に依れば、ケース材(8)の所望位置に孔
(7)を設け、その孔(7)で露出した基板(2)上の
導電路(3)にEPROMチップ(4)を接続し隣接する導
電路(3)とワイヤ線で接続し、基板(2)とケース材
(8)とで形成された封止空間(14)にマイクロコンピ
ュータ(5)および他の回路素子(6)を固着すること
により、混成集積回路とEPROMチップ(4)との一体化
した装置が極めて小型化に行える大きな特徴を有する。According to the present invention, the hole (7) is provided at a desired position of the case material (8), and the EPROM chip (4) is provided in the conductive path (3) on the substrate (2) exposed in the hole (7). And the adjacent conductive paths (3) are connected by wire wires, and the microcomputer (5) and other circuit elements (in the sealed space (14) formed by the substrate (2) and the case member (8) ( By fixing 6), the integrated device of the hybrid integrated circuit and the EPROM chip (4) has a great feature that it can be made extremely small.
更に本発明では第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)
を設けることにより、EPROMチップ(4)を搭載した状
態のままでEPROMチップ(4)に所定のプログラム・デ
ータを書込むことができる。しかも本発明ではEPROMチ
ップ(4)にデータの書込みを行う場合にデータ書込む
専用の端子を必要とせず通常動作で使用する端子を兼用
して行うことができるのでリード端数を増加させること
なく、EPROMチップ内蔵の混成集積回路装置を提供する
ことができる。Further, according to the present invention, the first and second switches (17a) (17b)
By providing the above, predetermined program data can be written in the EPROM chip (4) with the EPROM chip (4) still mounted. Moreover, according to the present invention, when writing data to the EPROM chip (4), a dedicated terminal for writing the data is not required and the terminal used in the normal operation can also be used, so that the number of leads is not increased. A hybrid integrated circuit device containing an EPROM chip can be provided.
更に本発明ではモード判定回路を備えており、そのモー
ド判定回路に複数の特定の入力信号を入力することで各
モードの選択が行えユーザ側において気密保持が行え
る。Further, in the present invention, a mode judging circuit is provided, and by inputting a plurality of specific input signals to the mode judging circuit, each mode can be selected and the airtightness can be maintained on the user side.
(ト) 発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1にケース材
(8)の所望位置に孔(7)を設け、孔(7)で露出し
た基板(2)上の導電路(3)にEPROMチップ(4)を
接続しているので、EPROMチップ(4)の載置位置を任
意に選定できる利点を有する。このため内蔵するマイク
ロコンピュータとの電気的接続を考慮して、効率良くEP
ROMチップ(4)とマイクロコンピュータ(5)とを接
続でき信号線を引回しを不要にできる。更に詳述する
と、EPROMチップ(4)の隣接する位置に最も関連の深
いマイクロコンピュータ(5)を配置でき、その結果EP
ROMチップ(4)とマイクロコンピュータ(5)間のデ
ータのやりとりを行うデータ線を最短距離あるいは最も
設計容易なレイアウトで実現でき、データ線の引回しに
よる実装密度のロスを最小限に抑制できる。(G) Effect of the Invention As described in detail above, according to the present invention, first, the hole (7) is provided at a desired position of the case material (8), and the substrate (2) exposed through the hole (7). Since the EPROM chip (4) is connected to the upper conductive path (3), there is an advantage that the mounting position of the EPROM chip (4) can be arbitrarily selected. Therefore, considering the electrical connection with the built-in microcomputer, the EP
The ROM chip (4) and the microcomputer (5) can be connected to each other, and the signal line can be eliminated. More specifically, the most closely related microcomputer (5) can be placed adjacent to the EPROM chip (4), resulting in EP
The data lines for exchanging data between the ROM chip (4) and the microcomputer (5) can be realized with the shortest distance or the layout that is the easiest to design, and the loss of the packaging density due to the routing of the data lines can be minimized.
第2にケース材(8)の所望位置の孔(7)にEPROMチ
ップ(4)を配置していると共に、集積回路基板(2)
上の組込むマイクロコンピュータおよびその周辺回路素
子の実装密度を向上することにより、従来必要とされた
プリント基板を廃止でき、極めて小型化のEPROMチップ
(4)を内蔵する混成集積回路装置を実現できる。Secondly, the EPROM chip (4) is arranged in the hole (7) at a desired position of the case material (8), and the integrated circuit board (2) is formed.
By increasing the packaging density of the microcomputer and the peripheral circuit elements incorporated therein, the conventionally required printed circuit board can be eliminated, and a hybrid integrated circuit device having an extremely miniaturized EPROM chip (4) can be realized.
第3に第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)をEPROM
チップ(4)とマイクロコンピュータ(5)間及び周辺
回路(18)端子間に接続することで、EPROMのデータを
読出して通常動作時用いる通常モードとEPROMにデータ
の書込み時に用いる書込みモードとの各モードを第1及
び第2のスイッチ(17a)(17b)によって切替えられる
ことにより、EPROMチップ(4)のデータを消去した後
にEPROMチップ(4)を搭載したままの状態でEPROMチッ
プ(4)内に所定のプログラム・データを書込むことが
できる。その結果、EPROMチップ(4)を内蔵した混成
集積回路装置をユーザに納入する直前にEPROMチップ
(4)のデータの仕様の変更が発生したとしても極めて
容易に対応することができる大きなメリットを有する。Third, the first and second switches (17a) (17b) are EPROM
By connecting between the chip (4) and the microcomputer (5) and between the terminals of the peripheral circuit (18), the normal mode used for reading the EPROM data and the normal operation and the write mode used for writing the data to the EPROM. By switching the mode by the first and second switches (17a) and (17b), the data in the EPROM chip (4) is erased and then the EPROM chip (4) is mounted in the EPROM chip (4). Predetermined program data can be written in. As a result, even if the specification of the data of the EPROM chip (4) is changed immediately before the hybrid integrated circuit device containing the EPROM chip (4) is delivered to the user, there is a great merit that it can be coped with very easily. .
第4に第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)を設ける
ことにより、上述した如き、読出し・書込みの各モード
を切替えすることができると共にEPROMチップ(4)に
データを書込みする場合に書込み専用のリード端子を設
ける必要がなく、読出しモード時に使用しているリード
端子の一部を兼用して書込みすることができ、リード端
子数の増加を防止することができる。その結果、EPROM
チップ(4)を搭載した集積回路基板(2)を最小限の
大きさで設計でき、消去・書込みが可能なEPROMチップ
内蔵の混成集積回路装置を極めて小型化に提供できる。Fourthly, by providing the first and second switches (17a) and (17b), the read / write modes can be switched as described above, and at the time of writing data to the EPROM chip (4). It is not necessary to provide a read-only lead terminal, and a part of the lead terminals used in the read mode can also be used for writing, and an increase in the number of lead terminals can be prevented. As a result, EPROM
The integrated circuit board (2) on which the chip (4) is mounted can be designed in a minimum size, and a hybrid integrated circuit device with a built-in erasable / writable EPROM chip can be provided in extremely small size.
第5に第1及び第2のスイッチ(17a)(17b)を切替え
るモード判定回路(102)を導電路(3)に接続してい
ることにより、モード判定回路(102)に複数の特定入
力信号を入れることで各スイッチ(17a)(17b)を切替
えられることができるためユーザにおいてEPROMチップ
(4)内のプログラム・データの気密保持が行える。Fifth, by connecting the mode determining circuit (102) for switching the first and second switches (17a) and (17b) to the conductive path (3), the mode determining circuit (102) receives a plurality of specific input signals. Since the switches (17a) and (17b) can be switched by inserting the switch, the user can keep the program data in the EPROM chip (4) airtight.
第6に集積回路基板(2)として金属基板を用いること
により、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に向
上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電路
(3)として銅箔(11)を用いることにより、導電路
(3)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき、実
装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる。Sixth, by using a metal substrate as the integrated circuit board (2), its heat dissipation effect can be greatly improved compared to the printed circuit board, and it can contribute to the improvement of packaging density. Further, by using the copper foil (11) as the conductive path (3), the resistance value of the conductive path (3) can be significantly reduced as compared with the conductive paste, and the mounted circuit can be expanded to a level equal to or larger than that of the printed circuit board.
第7にEPROMチップ(4)と接続されるマイクロコンピ
ュータ(5)およびその周辺回路素子(6)はケース材
(8)と集積回路基板(2)とで形成される封止空間
(14)にダイ形状あるいはチップ形状で組み込まれるの
で、従来のプリント基板の様に樹脂モールドしたものに
比較して極めて占有面積が小さくなり、実装密度の大幅
に向上できる利点を有する。Seventh, the microcomputer (5) connected to the EPROM chip (4) and its peripheral circuit element (6) are placed in the sealed space (14) formed by the case material (8) and the integrated circuit board (2). Since it is incorporated in a die shape or a chip shape, it has an advantage that the occupied area becomes extremely smaller than that of a conventional printed circuit board that is resin-molded, and the packaging density can be greatly improved.
第8にケース材(8)と集積回路基板(2)の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)のほ
ぼ全面を封止空間(14)として利用でき、実装密度の向
上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を実
現できる。Eighth, by substantially matching the peripheral edges of the case material (8) and the integrated circuit board (2), almost the entire surface of the integrated circuit board (2) can be used as the sealing space (14), and the packaging density Combined with the improvement, an extremely compact hybrid integrated circuit device can be realized.
第9にEPROMチップ(4)上には遮光用の樹脂層(15b)
が設けられているため、EPROMチップ(4)を保護する
ことができると共に遮光ができ且つEPROMチップ(4)
と孔(7)のすき間も封止できる利点を有する。Ninth, resin layer (15b) for shading on EPROM chip (4)
Is provided, the EPROM chip (4) can be protected and can be shielded from light, and the EPROM chip (4) can be protected.
This has the advantage that the gap between the hole and the hole (7) can be sealed.
第10に集積回路基板(2)の一辺あるいは相対向する辺
から外部リード(12)を導出でき、極めて多ピンの混成
集積回路装置を実現できる利点を有する。Tenth, the external leads (12) can be led out from one side of the integrated circuit board (2) or the opposite sides, which has an advantage that an extremely multi-pin hybrid integrated circuit device can be realized.
第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は実施例で用いる基板の断面図、第4
図は他の実施例を示す断面図、第5図は本実施例を示す
ブロック図、第6図は本実施例で用いられるスイッチ素
子を示すブロック図、第7図は混成集積回路装置のEPRO
Mにデータを書込みする場合を示す斜視図、第8図は本
実施例で用いたモデムを示すブロック図、第9図は第8
図で示したモデムのDTEインターフェースを示すブロッ
ク図、第10図は第8図で示したモデムのマイクロコンピ
ュータを示すブロック図、第11図は第8図で示したブロ
ック図を基板上に実装したときの平面図、第12図は第11
図に示した基板上にケース材を固着したときの平面図、
第13図は他実施例を示すブロック図、第14図および第15
図は従来のEPROM実装構造を示す断面図である。 (1)……混成集積回路装置、(2)……集積回路基
板、(3)……導電路、(4)……EPROMチップ、
(5)……マイクロコンピュータ、(6)……回路素
子、(7)……孔、(7a)……壁体、(8)……ケース
材、(15a)……紫外線透過性樹脂、(15b)……紫外線
不透過性樹脂、(17a)……第1のスイッチ、(17b)…
…第2のスイッチ。FIG. 1 is a perspective view showing this embodiment, and FIG. 2 is I- in FIG.
I sectional view, FIG. 3 is a sectional view of the substrate used in the embodiment, FIG.
FIG. 7 is a sectional view showing another embodiment, FIG. 5 is a block diagram showing this embodiment, FIG. 6 is a block diagram showing a switch element used in this embodiment, and FIG. 7 is an EPRO of a hybrid integrated circuit device.
FIG. 8 is a perspective view showing a case of writing data in M, FIG. 8 is a block diagram showing a modem used in this embodiment, and FIG.
A block diagram showing the DTE interface of the modem shown in the figure, FIG. 10 is a block diagram showing the microcomputer of the modem shown in FIG. 8, and FIG. 11 is a block diagram showing the block diagram shown in FIG. 8 mounted on a substrate. Fig. 12 is the plan view of Fig. 11
A plan view of the case material fixed on the substrate shown in the figure,
FIG. 13 is a block diagram showing another embodiment, FIGS. 14 and 15
FIG. 1 is a sectional view showing a conventional EPROM mounting structure. (1) ... hybrid integrated circuit device, (2) ... integrated circuit board, (3) ... conductive path, (4) ... EPROM chip,
(5) …… Microcomputer, (6) …… Circuit element, (7) …… Hole, (7a) …… Wall, (8) …… Case material, (15a) …… UV transparent resin, ( 15b) ... UV opaque resin, (17a) ... first switch, (17b) ...
… Second switch.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中本 修 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 大川 克実 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 小池 保広 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 金子 正雄 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 上野 聖和 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 斎藤 保雄 群馬県山田郡大間々町大間々414―1 東 京アイシー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Osamu Nakamoto 2-18 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Katsumi Okawa 2-18 Keiyo Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhiro Koike, 2-18 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Masao Kaneko 2-18, Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Seiwa Ueno 2-18, Keihanhondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yasuo Saito 41-1, Omama-cho, Yamama-gun, Gunma Prefecture Tokyo IC
Claims (13)
と、 前記導電路に接続された不揮発性メモリーチップと、 前記メモリーチップからデータを読出し且つ前記基板上
の導電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその
周辺回路素子と、 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、 前記不揮発性メモリーチップの電極と所望の前記導電路
をボンディングワイヤで接続し、前記基板と前記ケース
材で形成された封止空間に少なくとも前記マイクロコン
ピュータおよびその周辺回路素子を配置し、 前記メモリーチップに所定のプログラム・データを書込
み読出しする書込み動作時に用いる書込みモードと前記
メモリーチップからデータの読出しのみを行う通常動作
時に用いる通常モードとを任意に変換する複数のスイッ
チ素子を前記基板上の導電路に接続し、 前記両モードを選択する前記スイッチ素子に所定の判定
信号を供給するモード判定回路が前記導電路に接続され
ていることを特徴とする混成集積回路装置。1. An integrated circuit substrate, a conductive path having a desired pattern formed on the substrate, a nonvolatile memory chip connected to the conductive path, data read from the memory chip and on the substrate. A microcomputer connected to the conductive path and its peripheral circuit element, and a case material integrated with the substrate, the electrodes of the nonvolatile memory chip and the desired conductive path are connected by a bonding wire, At least the microcomputer and its peripheral circuit elements are arranged in a sealed space formed by the substrate and the case material, and a write mode used during a write operation for writing and reading predetermined program data to and from the memory chip, and the memory chip. Arbitrarily convert the normal mode used during normal operation that only reads data from the A plurality of switch elements connected to the conductive path on the substrate, and a mode determination circuit that supplies a predetermined determination signal to the switch element that selects the two modes is connected to the conductive path. Hybrid integrated circuit device.
あるいはタイミング信号が入力され、その入力信号に基
づいて、前記スイッチ素子を所定のモードに変換させる
ことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。2. The hybrid circuit according to claim 1, wherein a plurality of logical combinations or timing signals are input to the mode determination circuit, and the switch element is converted into a predetermined mode based on the input signals. Integrated circuit device.
記入力信号に基づいて、前記EPROMチップに所定の電源
を供給することを特徴とする請求項2記載の混成集積回
路装置。3. The hybrid integrated circuit device according to claim 2, wherein predetermined power is supplied to the EPROM chip based on a plurality of the input signals input to the mode determination circuit.
プフロップ回路から構成されていることを特徴とする請
求項1記載の混成集積回路装置。4. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the mode determination circuit includes an AND circuit and a flip-flop circuit.
前記マイクロコンピュータ間及び前記周辺回路素子より
成る周辺回路と外部回路と接続するために設けられた外
部リード間の2経路に配置接続されていることを特徴と
する請求項1記載の混成集積回路装置。5. The switch element is arranged and connected in two paths between the memory chip and the microcomputer and between a peripheral circuit composed of the peripheral circuit element and an external lead provided for connecting to an external circuit. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein:
記基板上に形成された所定の導電路の一部分を兼用して
用いられていることを特徴とする請求項1記載の混成集
積回路装置。6. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the write mode and the normal mode are also used as a part of a predetermined conductive path formed on the substrate.
相対向する辺から導出され前記書込みモード及び通常モ
ード時に兼用して用いられることを特徴とする請求項2
記載の混成集積回路装置。7. The external lead is derived from one side or opposite sides of the substrate and is used in common in the write mode and the normal mode.
A hybrid integrated circuit device as described.
その一端が接続され書込みあるいは読出しモードの変換
時に用いられる変換専用の導電路を有し、前記導電路が
延在される他端に変換専用の外部リードを接続している
ことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。8. A conversion-dedicated conductive path which is connected to the memory chip and the switch element at one end thereof and is used during conversion of a write or read mode, and a conversion-dedicated conductive path at the other end to which the conductive path extends. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein external leads are connected.
記スイッチ素子は前記書込みモード時に用いる書込み専
用の複数の導電路で接続されていることを特徴とする請
求項2記載の混成集積回路装置。9. The hybrid integrated circuit according to claim 2, wherein the corresponding switch elements arranged in the two paths are connected by a plurality of write-only conductive paths used in the write mode. apparatus.
金属基板を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成
集積回路装置。10. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a metal substrate whose surface is insulated is used as the integrated circuit substrate.
徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。11. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a copper foil is used as the conductive path.
上にダイ形状で組み込まれることを特徴とする請求項1
記載の混成集積回路装置。12. The microcomputer is mounted on the conductive path in a die shape.
A hybrid integrated circuit device as described.
部と実質的に一致させたことを特徴とする請求項1記載
の混成集積回路装置。13. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a peripheral end portion of the case member is substantially aligned with a peripheral end portion of the substrate.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15736789A JPH0680792B2 (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Hybrid integrated circuit device |
| DE69030406T DE69030406T2 (en) | 1989-06-15 | 1990-06-08 | Integrated hybrid circuit arrangement |
| EP90110908A EP0402793B1 (en) | 1989-06-15 | 1990-06-08 | Hybrid integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15736789A JPH0680792B2 (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Hybrid integrated circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322558A JPH0322558A (en) | 1991-01-30 |
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Family
ID=15648107
Family Applications (1)
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1989
- 1989-06-20 JP JP15736789A patent/JPH0680792B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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