JPH0680777B2 - Hybrid integrated circuit device - Google Patents
Hybrid integrated circuit deviceInfo
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- JPH0680777B2 JPH0680777B2 JP1120907A JP12090789A JPH0680777B2 JP H0680777 B2 JPH0680777 B2 JP H0680777B2 JP 1120907 A JP1120907 A JP 1120907A JP 12090789 A JP12090789 A JP 12090789A JP H0680777 B2 JPH0680777 B2 JP H0680777B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は集積回路基板にチップ型の不揮発性メモリ、例
えばEPROM(紫外線消去形プログラマブル・リード・オ
ンリ・メモリー)を実装してなるEPROM内蔵型の混成集
積回路装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention has a built-in EPROM in which a chip-type non-volatile memory, for example, EPROM (ultraviolet ray erasable programmable read only memory) is mounted on an integrated circuit substrate. Type hybrid integrated circuit device.
(ロ)従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEPRO
M素子は、各種電子機器に好んで用いられている。このE
PROM素子は、制御用或は駆動用集積回路と共に現在、そ
の殆んどがプリント配線板に実装されており、一旦書込
んだ情報をその後書き直すために通常、着脱容易なプリ
ント配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量
化が要求されている機器は、チップ・オン・ボードと称
される技法によってプリント配線板に半導体集積回路
(IC)チップが直接搭載され、所要の配線が施された後
この配線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって
被覆され、極めて小形軽量化が達成されている。(B) Conventional technology EPRO with a UV irradiation window that can erase and rewrite memory information that has already been written by UV irradiation.
The M element is preferably used in various electronic devices. This E
Most of PROM elements are currently mounted on a printed wiring board together with an integrated circuit for control or driving. In order to rewrite information once written, it is usually mounted on a printed wiring board that is easily removable. ing. For various electronic devices that are required to be small and lightweight, after a semiconductor integrated circuit (IC) chip is directly mounted on a printed wiring board by a technique called chip-on-board and required wiring is performed. The IC chip including the wiring portion is covered with a synthetic resin, and the size and weight are extremely reduced.
一方紫外線照射窓を必要とするEPROMチップは、この照
射窓がネックとなり未だサーディック型パッケージに組
込まれて製造され、プリント配線板に実装されているた
め小型軽量化が図れない。On the other hand, EPROM chips that require an ultraviolet irradiation window cannot be reduced in size and weight because the irradiation window becomes a neck and is still manufactured by being assembled in a sardic type package and mounted on a printed wiring board.
かかる従来のEPROM素子の実装構造を第10図に従って説
明すると、第10図は従来のEPROM素子の一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導電性配線パターン(4
1)が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板(42)のスルーホール(43)にサーディ
ップ型パッケージに組込まれEPROM素子(44)が搭載さ
れている。このEPROM素子(44)はヘッダー(45)およ
びキャップ(46)を有し、前記ヘッダー(45)はセラミ
ック基材(47)に外部導出リード(48)か低融点ガラス
材で接着されている。又このヘッダー(45)はガラスに
金粉が多量に混入したいわゆる金ペーストを焼結した素
子搭載部(50)が前記低融点ガラス材上或はセラミック
基材(47)上に接着されており、この素子搭載部(50)
にEPROMチップ(51)が紫外線照射面を上にして装着さ
れ、このチップ(51)の電極と前記外部導出リード(4
8)とが金属細線(52)によって接続されている。前記
キャップ(46)は蓄部材であって、前記EPROMチップ(5
1)の紫外線照射面と対向する部分に窓(53)を有する
セラミック基材(54)を含み、このキャップ(46)は低
融点ガラスによってヘッダー(45)に配置されたEPROM
チップ(51)を密封している。この様にEPROMチップ(5
1)を密封したEPROM素子(44)は、前記絶縁性基板(4
2)のスルーホール(43)に外部導出リード(48)を挿
通させ半田によって固定される。このスルーホール(4
3)は導電性配線パターン(41)によって所要の配線引
回しが施され、前記絶縁性基板の端部に設けられた雄型
コネクタ端子部(55)から図示しない雌型コネクタへと
接続される。A conventional EPROM device mounting structure will be described with reference to FIG. 10. FIG. 10 is a perspective view showing a partial cross section of a conventional EPROM device, in which a conductive wiring pattern (4
An EPROM element (44) is mounted in a sardip type package in a through hole (43) of an insulating substrate (42) made of glass epoxy resin or the like on which 1) is formed. The EPROM element (44) has a header (45) and a cap (46), and the header (45) is bonded to a ceramic base material (47) with an external lead (48) or a low melting point glass material. Further, in this header (45), an element mounting portion (50) obtained by sintering a so-called gold paste in which a large amount of gold powder is mixed with glass is adhered onto the low melting point glass material or the ceramic base material (47), This element mounting part (50)
An EPROM chip (51) is mounted on the surface of the chip (51) with the UV irradiation surface facing upward, and the electrodes of the chip (51) and the external leads (4) are attached.
8) and are connected by a thin metal wire (52). The cap (46) is a storage member, and the EPROM chip (5
An EPROM that includes a ceramic substrate (54) having a window (53) in a portion facing the ultraviolet irradiation surface of 1), and this cap (46) is placed on a header (45) by a low melting point glass.
The tip (51) is sealed. In this way EPROM chip (5
The EPROM device (44) with the sealed 1) is the insulating substrate (4).
An external lead (48) is inserted through the through hole (43) of 2) and fixed by soldering. This through hole (4
3) has a required wiring arrangement by the conductive wiring pattern (41) and is connected from the male connector terminal portion (55) provided at the end of the insulating substrate to a female connector (not shown). .
さて、かかる従来のEPROM素子の実装構造は、EPROMチッ
プ(51)に比べパッケージ外形が極めて大きく、平面占
有率もさることながら三次元、つまり高さもチップの高
さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。更にスル
ーホール(43)に外部導出リードを挿通した後、半田な
どで固定する必要も生ずる。更に特筆すべき大きな欠点
は、絶縁性基板への実装に先立ってEPROM素子を一旦パ
ッケージに組立てることである。EPROM素子は紫外線照
射用の窓を有するが故、そのパッケージは、セラミック
スを基材としたサーディップ型パッケージに組立てられ
るが、このパッケージは低融点ガラスにより封止される
為、高温(400〜500℃)シールとなり、EPROMチップの
電極(アルミニウム)と外部導出リードとを接続する金
属細線を同種材料で構成しないとアロイ化が起り配線抵
抗の増加を来したり、断線を生じたりする。この様な事
態を回避する目的で通常アルミニウム細線が用いられる
が、このEPROMチップはサブストレートを接地電位にす
る必要上、EPROMチップの接地電極を金ペーストで形成
されたチップ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金
ペースト中の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウ
ムとで二次或は多元合金反応が進むことから、グランド
ダイスと呼ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリ
コン小片をEPROMチップと別個に前記金ペーストより成
るチップ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部と
EPROMチップの接地電極とを接続するという極めて煩雑
な作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量、低価
格のいずれも不満足なものである。Now, the packaging structure of such a conventional EPROM element has an extremely large package outer shape as compared with the EPROM chip (51), and is three-dimensional, that is, the height is several times as high as the height of the chip as well as the plane occupancy rate. It is extremely disadvantageous. Furthermore, it is necessary to fix the lead-out lead through the through-hole (43) with solder or the like. A further major drawback to be noted is that the EPROM device is once assembled into a package prior to mounting on an insulating substrate. Since the EPROM element has a window for UV irradiation, the package is assembled into a cerdip type package that uses ceramics as a base material. However, this package is sealed with a low melting point glass, so it can be used at high temperatures (400 to 500). If the metal thin wire that connects the electrode (aluminum) of the EPROM chip and the external lead is not made of the same kind of material, alloying occurs and wiring resistance increases or disconnection occurs. In order to avoid such a situation, aluminum thin wires are usually used, but this EPROM chip requires a substrate to be at ground potential, so the ground electrode of the EPROM chip is wire-connected to the chip mounting part made of gold paste. . Even in this case, since the secondary or multi-component alloy reaction proceeds between the metal such as gold or foil in the gold paste and the aluminum, a silicon piece having aluminum coated on the head called a ground die is used. Separately from the EPROM chip, fix it to the chip mounting part made of the gold paste, and
The conventional mounting structure is unsatisfactory in terms of small size, light weight, and low price, such as the extremely complicated work of connecting to the ground electrode of the EPROM chip.
斯る問題を解決するために第11図に示したEPROM実装構
造がある。There is an EPROM mounting structure shown in FIG. 11 to solve such a problem.
以下に第11図に示したEPROM実装構造について説明す
る。The EPROM mounting structure shown in FIG. 11 will be described below.
主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形成され
たガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(60)は、
EPROMチップ(61)を載置するチップ搭載エリヤ(60c)
を有し、前記配線パターン(60b)は、このエリヤ近傍
から主表面(60a)上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリヤ(60c)に
は、EPROMチップ(61)が搭載され、このチップ(61)
の表面電極と前記配線パターン(60b)とが金属細線(6
2)により接続されている。勿論金属細線(62)の1本
は前記チップ(61)のサブストレートと接続する為に、
このチップ(61)が搭載された配線パターン(60b)と
ワイヤリングされている。前記EPROMチップ(61)の紫
外線照射面(61a)上には紫外線透過性樹脂(63)(例
えば東レ社製、型名TX−978)を介して、紫外線透過性
窓材(64)が固着されている。この窓材(64)は、石
英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性材料である。
そして、前記窓材(64)の頂部面(64a)は、EPROMチッ
プ(61)の紫外線照射面に光を導入する面であるから、
この頂部面(64a)を除いた残余の窓材(64)部分と、
金属細線(62)と、この金属細線(62)と前記配線パタ
ーン(60b)との接続部分とが合成樹脂(65)(例えば
日東電工社製、型名MP−10)で被覆されている。もし、
絶縁性基板(60)と、EPROMチップ(61)と窓材(64)
とを加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれば、
前記基板(60)のチップ搭載エリヤ(60c)をザグリ穴
としてこの基板(60)の厚さの半分程度握れば良い。又
この様なザグリ穴としておけば、合成樹脂(65)の流れ
止めダムが形成され湿気などの浸入に対して有効に作用
する。An insulating substrate (60) such as a glass / epoxy resin plate with a conductive wiring pattern (60b) formed on the main surface (60a)
Area with chip (60c) to mount EPROM chip (61)
The wiring pattern (60b) is routed from near the area on the main surface (60a) and is connected to a male connector terminal portion (not shown). An EPROM chip (61) is mounted on the area (60c), and this chip (61)
The surface electrode and the wiring pattern (60b) of the metal thin wire (6
Connected by 2). Of course, one of the thin metal wires (62) is connected to the substrate of the chip (61),
The chip (61) is wired with the wiring pattern (60b) mounted thereon. On the ultraviolet irradiation surface (61a) of the EPROM chip (61), an ultraviolet transparent window material (64) is fixed via an ultraviolet transparent resin (63) (for example, Toray Co., model name TX-978). ing. The window material (64) is a known ultraviolet ray transmissive material such as quartz or transparent alumina.
Since the top surface (64a) of the window material (64) is a surface for introducing light to the ultraviolet irradiation surface of the EPROM chip (61),
The remaining window material (64) excluding this top surface (64a),
The thin metal wire (62) and the connecting portion between the thin metal wire (62) and the wiring pattern (60b) are covered with a synthetic resin (65) (for example, model name MP-10 manufactured by Nitto Denko Corporation). if,
Insulating substrate (60), EPROM chip (61) and window material (64)
If it is necessary to further reduce the total thickness dimension including
The chip mounting area (60c) of the substrate (60) may be used as a countersunk hole to grip about half the thickness of the substrate (60). Further, if such counterbore holes are formed, a flow stop dam of the synthetic resin (65) is formed, which effectively acts on ingress of moisture and the like.
第10図および第11図で示したEPROM実装構造は特開昭60
−83393号公報(H05K 1/18)に記載されている。The EPROM mounting structure shown in FIG. 10 and FIG.
-83393 (H05K 1/18).
(ハ)発明が解決しようとする課題 第11図で示したEPROM実装構造ではEPROMのチップをプリ
ント基板上にダイボンディングしているため、小型化と
なることはいうまでもない。しかしながら、ここでいう
小型化はあくまでEPROM自体の小型化である。即ち、第1
1図からは明らかにされていないがEPROMの周辺に固着さ
れているマイクロコンピュータおよびその周辺回路素子
はディスクリート等の電子部品で構成されているため
に、EPROMを搭載したプリント基板用の集積回路のして
のシステム全体を見た場合なんら小型化とはならず従来
通りプリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型化
になる問題がある。(C) Problems to be Solved by the Invention It goes without saying that the EPROM mounting structure shown in FIG. 11 is miniaturized because the EPROM chip is die-bonded onto the printed circuit board. However, the miniaturization referred to here is only miniaturization of the EPROM itself. That is, the first
Although it is not clear from Fig. 1, the microcomputer and its peripheral circuit elements fixed around the EPROM are composed of electronic components such as discretes. However, when the entire system is viewed, the size of the printed circuit board is not reduced and the printed circuit board is increased in size, that is, the size of the entire system is increased.
また、第10図に示した実装構造においても第10図と同様
にEPROMの周辺の回路、即ち、マイクロコンピュータや
その周辺LSI,IC等の回路素子がディスクリート等の電子
部品で構成されているため、プリント基板の大型化、即
ちシステム全体が大型化となりユーザが要求される軽薄
短小のEPROM搭載の集積回路を提供することができない
大きな問題がある。Further, in the mounting structure shown in FIG. 10 as well, as in FIG. 10, peripheral circuits of the EPROM, that is, the circuit elements such as the microcomputer and its peripheral LSI, IC are composed of discrete electronic components. However, there is a big problem that the printed circuit board becomes large in size, that is, the entire system becomes large in size, and it is impossible to provide a light, thin, short and small EPROM mounted integrated circuit which is required by the user.
更に第10図および第11図で示したEPROM実装構造では、
上述した様にシステム全体が大型化になると共にEPROM
およびその周辺の回路素子を互いに接続する導電パター
ンが露出されているため信頼性が低下する問題がある。Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIGS. 10 and 11,
As mentioned above, the whole system becomes larger and EPROM
Also, since the conductive patterns that connect the circuit elements in the surroundings to each other are exposed, there is a problem that reliability is reduced.
更に第10図および第11図で示したEPROM実装構造ではEPR
OMと、その周辺のマイクロコンピュータおよびIC,LSI等
の回路素子が露出されているため、基板上面に凹凸が生
じて取扱いにくく作業性が低下する問題がある。Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIGS. 10 and 11, the EPR
Since the OM and the circuit elements such as the microcomputer and ICs, LSIs and the like around the OM are exposed, there is a problem that unevenness is generated on the upper surface of the substrate, which makes it difficult to handle and reduces workability.
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板上にチップ型のEPROMを搭載すると共にそのEPROMチッ
プと接続されるマイクロコンピュータおよびその周辺の
回路素子を搭載し、且つ、ケース材によってマイクロコ
ンピュータおよびその周辺の回路素子全てが密封封止さ
れてEPROMチップだけがケース材の周端辺の所望位置に
設けられたくぼみによって露出された基板上に搭載され
た構造を有することを特徴とする。(D) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above-described problems, and includes a microcomputer equipped with a chip-type EPROM on a substrate and connected to the EPROM chip, and a peripheral thereof. On a board on which circuit elements are mounted, and where the case material seals and seals the microcomputer and all the circuit elements around it, and only the EPROM chip is exposed by a recess provided at a desired position on the peripheral edge of the case material. It is characterized by having a structure mounted on.
従ってEPROMチップを搭載した混成集積回路を極めて小
型化にでき且つEPROMチップの消去が容易に行えるEPROM
チップ内蔵の混成集積回路装置を提供することができ
る。Therefore, the EPROM chip can be extremely miniaturized and the EPROM chip can be easily erased.
A hybrid integrated circuit device with a built-in chip can be provided.
(ホ)作 用 この様に本発明に依れば、ケース材の周端辺の所定位置
にくぼみを設け、くぼみで露出した基板上の導電路にEP
ROMチップを接続し、隣接する導電路とワイヤ線で接続
しているのでEPROMチップの載置位置を任意に設定でき
るので、内蔵するマイクロコンピュータとの電気的接続
を考慮して、効率良くEPROMとマイクロコンピュータと
を接続することができ、信号線即ち導電路の引回し線を
不要にすることができる。更にEPROMチップの隣接する
位置に最も関連の深いマイクロコンピュータを配置で
き、EPROMチップとマイクロコンピュータ間のデータの
やりとりを行うデータ線を最短距離あるいは最小距離で
実現でき、データ線の引回しによる実装密度のロスを最
小限に抑制することになり、高密度の実装が行える。(E) Operation As described above, according to the present invention, an indentation is provided at a predetermined position on the peripheral edge of the case material, and an EP is formed on the conductive path on the substrate exposed by the indentation.
Since the ROM chip is connected and connected to the adjacent conductive path by a wire line, the EPROM chip mounting position can be set arbitrarily, so that the EPROM can be efficiently connected to the built-in microcomputer in consideration of electrical connection. A microcomputer can be connected, and a signal line, that is, a wiring line for a conductive path can be eliminated. Furthermore, the most closely related microcomputer can be placed in the adjacent position of the EPROM chip, the data line for exchanging data between the EPROM chip and the microcomputer can be realized with the shortest distance or the minimum distance, and the packaging density by arranging the data lines can be increased. Therefore, the loss can be minimized, and high-density mounting can be performed.
更に本発明ではEPROMチップ以外の全ての素子がチップ
状で且つケース材と基板で形成された封止空間内に収納
されるため小型化でしかも取扱い性の優れた混成集積回
路装置を提供することができる。Further, in the present invention, all elements other than the EPROM chip are housed in a chip-like shape and housed in a sealed space formed by a case material and a substrate. You can
(ヘ)実施例 以下に第1図乃至第9図に示した実施例に基づいて本発
明の混成集積回路装置を詳細に説明する。(F) Embodiment Hereinafter, the hybrid integrated circuit device of the present invention will be described in detail based on the embodiment shown in FIGS. 1 to 9.
第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられコンピュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。1 and 2 show a hybrid integrated circuit device (1) according to an embodiment of the present invention. This hybrid integrated circuit device (1) is used as an independent electronic component and is used as an integrated circuit having a function independently in a wide range of fields such as computers.
この混成集積回路装置(1)は第1図および第2図に示
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2)上
に形成された所望形状の導電路(3)と、導電路(3)
と接続された不揮発性メモリーチップ(4)と、メモリ
ーチップ(4)からデータを供給され且つ基板(2)上
の導電路(3)と接続されたマイクロコンピュータ
(5)およびその周辺回路素子(6)と、基板(2)に
一体化され周端辺の所定の位置にくぼみ(7)が設けら
れたケース材(8)とをから構成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the hybrid integrated circuit device (1) includes an integrated circuit board (2), a conductive path (3) having a desired shape formed on the integrated circuit board (2), Conductive path (3)
A non-volatile memory chip (4) connected to the microcomputer, a microcomputer (5) supplied with data from the memory chip (4) and connected to the conductive path (3) on the substrate (2), and peripheral circuit elements thereof ( 6) and a case member (8) which is integrated with the substrate (2) and is provided with a recess (7) at a predetermined position on the peripheral edge.
集積回路基板(2)はセラミックス、ガラスエポキシあ
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。A hard substrate made of ceramics, glass epoxy, metal, or the like is used as the integrated circuit substrate (2), and in this embodiment, a metal substrate excellent in heat dissipation and mechanical strength is used.
金属基板としては例えば0.5〜1.0mm厚のアルミニウム基
板を用いる。その基板(2)の表面には第3図に示す如
く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜(9)
(アルマイト層)が形成され、その一主面側に10〜70μ
厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹脂層(10)
が貼着される。更に絶縁樹脂層(10)上には10〜70μ厚
の銅箔(11)が絶縁樹脂層(10)と同時にローラーある
いはホットプレス等の手段により貼着されている。As the metal substrate, for example, an aluminum substrate having a thickness of 0.5 to 1.0 mm is used. As shown in FIG. 3, an aluminum oxide film (9) is formed on the surface of the substrate (2) by known anodic oxidation.
(Alumite layer) is formed, 10-70μ on one main surface side
Insulating resin layer such as thick epoxy or polyimide (10)
Is attached. Furthermore, a copper foil (11) having a thickness of 10 to 70 μm is adhered to the insulating resin layer (10) at the same time as the insulating resin layer (10) by means such as a roller or a hot press.
基板(2)の一主面上に設けられた銅箔(11)表面上に
はスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出して
レジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メッキ
層が銅箔(11)表面にメッキされる。然る後、レジスト
を除去して貴金属メッキ層をマスクとして銅箔(11)の
エッチングを行い所望の導電路(3)が形成される。こ
こでスクリーン印刷による導電路(3)の細さは0.5mm
が限界であるため、極細配線パターンを必要とするとき
は周知の写真蝕刻技術に依り約2μまでの極細導電路
(3)の形成が可能となる。On the surface of the copper foil (11) provided on one main surface of the substrate (2), a conductive path of a desired shape is exposed by screen printing and masked with a resist, and a noble metal (gold, silver, platinum) plating layer is formed. The surface of the copper foil (11) is plated. Then, the resist is removed and the copper foil (11) is etched using the noble metal plating layer as a mask to form a desired conductive path (3). Here, the fineness of the conductive path (3) by screen printing is 0.5 mm.
Therefore, when a very fine wiring pattern is required, it is possible to form a very fine conductive path (3) of up to about 2 μ by the well-known photo-etching technique.
導電路(3)上の所定の位置には不揮発性メモリーチッ
プ(4)とメモリーチップ(4)からデータを供給され
るマイクロコンピュータ(5)とその周辺の回路素子
(6)が搭載され導電路(3)と接続されている。導電
路(3)は基板(2)の略全面に延在形成され、基板
(2)の周端部に延在される導電路(3)の先端部はリ
ード固着パッドが形成され、そのパッドには外部リード
端子(12)が固着されている。その外部リード(12)は
取付け基板に取付けるために略直角に折曲げ形成されて
いる。A non-volatile memory chip (4), a microcomputer (5) to which data is supplied from the memory chip (4) and a circuit element (6) around the non-volatile memory chip (4) are mounted at predetermined positions on the conductive path (3). It is connected to (3). The conductive path (3) is formed to extend over substantially the entire surface of the substrate (2), and a lead fixing pad is formed at the tip of the conductive path (3) extending to the peripheral end of the substrate (2). An external lead terminal (12) is fixed to the. The external lead (12) is bent and formed at a substantially right angle for mounting on the mounting substrate.
不揮発性メモリーチップ(4)としてEPROM(Erasable
Programable Read Only Memory)チップが用いられる
(以下不揮発性メモリーチップ(4)をEPROMチップと
いう)。このEPROMチップ(4)は周知の如く、フロー
ティングゲートに蓄積されている電子(プログラム・デ
ータ)を光を照射して励起させて未記憶状態のペレット
に戻し再書込みして利用できる素子である。EPROMチッ
プ(4)は市販されているもので、その形状はチップ型
であれば限定されるものではなく、本実施例ではEPROM
チップ(4)の説明を省略する。EPROM (Erasable as a non-volatile memory chip (4)
A programmable read only memory) chip is used (hereinafter, the nonvolatile memory chip (4) is referred to as an EPROM chip). As is well known, the EPROM chip (4) is an element that can be used by irradiating electrons (program data) accumulated in the floating gate with light to excite them and restore them to an unstored pellet to rewrite them. The EPROM chip (4) is commercially available, and its shape is not limited as long as it is a chip type. In this embodiment, the EPROM chip (4) is used.
The description of the chip (4) is omitted.
一方、ケース材(8)は絶縁部材としての熱可塑性樹脂
から形成され、基板(2)と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その箱状のケース材
(8)の周端部は基板(2)の略周端部に配置されて接
着性を有したシール剤(Jシート:商品名)によって基
板(2)と強固に固着一体化される。この結果、基板
(2)とケース材(8)間に所定の封止空間部(14)が
形成されることになる。更に本実施例のケース材(8)
の周端辺の所定位置にはくぼみ(7)が設けられてい
る。そのくぼみ(7)はEPROMチップ(4)及びEPROMチ
ップ(4)と導電路(3)とを接続するボンディングワ
イヤ線を露出する様な大きさで形成されている。即ち、
EPROMチップ(4)よりも大きく形成されることにな
る。On the other hand, the case member (8) is made of a thermoplastic resin as an insulating member, and is formed in a box shape so that a space is formed when it is fixed to the substrate (2). The peripheral edge of the box-shaped case material (8) is arranged substantially at the peripheral edge of the substrate (2) and firmly fixed to the substrate (2) by an adhesive sealant (J sheet: product name). Be integrated. As a result, a predetermined sealed space (14) is formed between the substrate (2) and the case material (8). Furthermore, the case material (8) of this embodiment
A recess (7) is provided at a predetermined position on the peripheral edge side of the. The recess (7) is formed in such a size as to expose the EPROM chip (4) and the bonding wire line connecting the EPROM chip (4) and the conductive path (3). That is,
It will be formed larger than the EPROM chip (4).
ケース材(8)の周端辺に設けらたくぼみ(7)で露出
した基板(2)上の導電路(3)にはEPROMチップ
(4)がAgペースト、半田等のろう材によって固着搭載
され、くぼみ(7)で露出した基板(2)にはEPROMチ
ップ(4)と接続される複数の導電路(3)の一端が形
成される。その導電路(3)の一端とEPROMチップ
(4)とはAlワイヤ等のボンディングワイヤ線で超音波
ボンディング接続が行われる。EPROMチップ(4)とボ
ンディング接続された導電路(3)の他端はEPROMチッ
プ(4)に接続して配置されたマイクロコンピュータ
(5)の近傍に効率よく引回しされチップ状のマイクロ
コンピュータ(5)とAlボンディングワイヤを用いて超
音波接続され電気に接続される。The EPROM chip (4) is fixedly mounted on the conductive path (3) on the substrate (2) exposed by the recess (7) provided on the peripheral edge of the case material (8) with a brazing material such as Ag paste or solder. The substrate (2) exposed by the recess (7) has one end of a plurality of conductive paths (3) connected to the EPROM chip (4). An ultrasonic bonding connection is made between one end of the conductive path (3) and the EPROM chip (4) by a bonding wire line such as an Al wire. The other end of the conductive path (3), which is bonded to the EPROM chip (4) by bonding, is efficiently routed to the vicinity of the microcomputer (5) arranged to be connected to the EPROM chip (4) and the chip-shaped microcomputer ( 5) and an Al bonding wire for ultrasonic connection and electrical connection.
ここでEPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ
(5)との位置関係について述べる。第1図に示す如
く、EPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ(5)
とは多数本の導電路(3)を介して接続されるため、そ
の導電路(3)の引回しを短くするためにEPROMチップ
(4)とマイクロコンピュータ(5)は夫々、隣接する
位置かあるいはできるだけ近傍に位置する様に配置され
る。従ってEPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ
(5)との導電路(3)の引回しは最短距離で形成でき
基板上の実装面積を有効に使用することができる。EPRO
Mチップ(4)とその近傍あるいは隣接した位置に配置
されたチップ状のマイクロコンピュータ(5)は第1図
の如く、マイクロコンピュータ(5)の近傍に延在され
た導電路(3)の先端部とAl等のワイヤ線によって超音
波ボンディング接続されEPROMチップ(4)と電気的に
接続される。Here, the positional relationship between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) will be described. As shown in FIG. 1, EPROM chip (4) and microcomputer (5)
Is connected to each other via a large number of conductive paths (3), the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) are respectively located at adjacent positions in order to shorten the routing of the conductive paths (3). Alternatively, they are arranged so that they are located as close to each other as possible. Therefore, the conductive path (3) between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) can be formed in the shortest distance, and the mounting area on the substrate can be effectively used. EPRO
As shown in FIG. 1, the M-chip (4) and the chip-shaped microcomputer (5) arranged in the vicinity of or adjacent to the M-chip (4) are the tips of the conductive paths (3) extending in the vicinity of the microcomputer (5). And the EPROM chip (4) are electrically connected by ultrasonic bonding with a wire of Al or the like.
EPROMチップ(4)は第1図及び第2図から明らかな如
く、ケース材(8)の周端辺に設けたくぼみ(7)で露
出した基板(2)上に搭載され、そのくぼみ(7)を形
成する3方向の壁体(7a)によって周囲を囲まれた構造
となる。更に詳述すると3方向の壁体(7a)によって囲
まれるのはEPROMチップ(4)とそのEPROMチップ(4)
と近傍の導電路(3)とボンディング接続するワイヤ線
とが囲まれることになる。As is apparent from FIGS. 1 and 2, the EPROM chip (4) is mounted on the substrate (2) exposed by the recess (7) provided on the peripheral edge of the case material (8), and the recess (7) is formed. ) Is surrounded by three-direction wall bodies (7a). More specifically, the EPROM chip (4) and its EPROM chip (4) are surrounded by the three-direction wall body (7a).
And the wire line for bonding connection with the conductive path (3) in the vicinity thereof are surrounded.
更に壁体(7a)によって囲まれた空間(7b)には1層以
上の樹脂が充填され、EPROMチップ(4)及びワイヤ線
がその樹脂によって完全に樹脂被覆されている。EPROM
チップ(4)上に直接被覆される第1層目の樹脂はEPRO
Mチップ(4)のデータを消去する場合に紫外線を透過
する必要があるため紫外線透過性樹脂(15a)が用いら
れる。紫外線透過性樹脂(15a)は非芳香族系であれば
限定されず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリ
コンゲルが用いられる。Further, the space (7b) surrounded by the wall body (7a) is filled with one or more layers of resin, and the EPROM chip (4) and the wire wire are completely covered with the resin. EPROM
The resin of the first layer directly coated on the chip (4) is EPRO
An ultraviolet ray transmissive resin (15a) is used because it is necessary to transmit ultraviolet rays when erasing the data of the M chip (4). The ultraviolet transparent resin (15a) is not limited as long as it is a non-aromatic resin, and for example, methyl silicon rubber or silicon gel is used.
本実施例では第1層目の紫外線透過性樹脂(15a)上に
第2層目の樹脂層(15b)が充填されている。第2層目
の樹脂層は第1層とは異なりEPROMチップ(4)誤消去
を防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性樹脂
(15b)が用いられる。この紫外線不透過性樹脂(15b)
は芳香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定され
ず、例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用
いられ、ケース材(8)の上面と略一致するまで充填さ
れている。In this embodiment, the second layer resin layer (15b) is filled on the first layer ultraviolet-transparent resin (15a). Unlike the first layer, the second resin layer is made of a UV impermeable resin (15b) that blocks UV rays in order to prevent erroneous erasure of the EPROM chip (4). This UV impermeable resin (15b)
Is not limited as long as it is a resin containing an aromatic ring (benzene ring), and, for example, an epoxy-based or polyimide-based resin is used, and is filled until it substantially matches the upper surface of the case material (8).
従ってEPROMチップ(4)だけが壁体(7a)によって囲
まれ且つ樹脂被覆されて、他のマイクロコンピュータ
(5)およびその周辺の回路素子(6)はケース材
(8)と基板(2)とで形成される封止空間(14)内に
配置されることになる。Therefore, only the EPROM chip (4) is surrounded by the wall body (7a) and covered with resin, and the other microcomputer (5) and the circuit elements (6) around it are provided with the case material (8) and the substrate (2). It will be arranged in the sealed space (14) formed by.
上述の如くEPROMチップ(4)と接続されるマイクロコ
ンピュータ(5)およびその周辺の回路素子(6)は基
板(2)とケース材(8)で形成された封止空間部(1
4)に配置する様に設定されている。即ち、チップ状の
電子部品および印刷抵抗、メッキ抵抗等の抵抗素子の全
ての素子が封止空間部(14)内に設けられている。As described above, the microcomputer (5) connected to the EPROM chip (4) and the circuit elements (6) around it are the sealed space (1) formed by the substrate (2) and the case material (8).
It is set to be placed in 4). That is, all elements such as chip-shaped electronic components and resistance elements such as printing resistors and plating resistors are provided in the sealing space (14).
ところで、本実施例では壁体(7a)で囲まれた空間(7
b)に紫外線透過性樹脂(15a)及び不透過性樹脂(15
b)の2層の樹脂構造からなるが、不透過性樹脂(15b)
の代りに第4図に示す如く、遮光用のシール材(16)を
ケース材(8)のくぼみ(7)上に接着しても不透過性
樹脂(15b)と同様に紫外線を完全に遮断することがで
きる。By the way, in the present embodiment, the space (7
b) to the ultraviolet transparent resin (15a) and the non-transparent resin (15a)
Impermeable resin (15b) consisting of a two-layer resin structure of b)
As shown in Fig. 4, instead of the non-transparent resin (15b), even if the sealing material (16) for shading is adhered to the recess (7) of the case material (8), the ultraviolet rays are completely blocked. can do.
本実施例でEPROMチップ(4)のデータ消去を行う場合
は紫外線不透過性樹脂(15b)あるいはシール材(16)
を剥して紫外線を照射し、再書込みする場合はEPROMチ
ップ(4)上の紫外線透過性樹脂(15a)も剥してボン
ディングされた近傍の導電路(3)にブローブ等の端子
を当接させ、書込み装置よりデータを書込む。紫外線透
過性樹脂(15a)を剥す場合、樹脂(15a)は弱い接着力
のためにワイヤ線が切断することはない。In the case of erasing the data of the EPROM chip (4) in this embodiment, the UV impermeable resin (15b) or the sealing material (16)
When peeling off and irradiating with ultraviolet rays and rewriting, also peel off the ultraviolet ray transmissive resin (15a) on the EPROM chip (4) and bring a terminal such as a probe into contact with the electrically conductive path (3) in the vicinity of the bonding, Write the data from the writing device. When peeling off the ultraviolet permeable resin (15a), the resin (15a) does not break the wire due to its weak adhesion.
以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。A specific example of a hybrid integrated circuit device for a modem using the present invention will be shown below.
先ず、モデム(MODEM)とはパーソナルコンピュータな
どのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電話回
線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行うデ
ータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能はデ
ジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波数を
使って、データによる変調を行いアナログ信号にして電
話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデータ
で変調されるアナログ信号を復調してデジタル化したデ
ータに戻す機能を持つ。First, a modem (MODEM) exists for data communication in which digitized data handled by a data terminal such as a personal computer is transmitted and received at a distance from each other using a telephone line. The function of the modem is to modulate the digitized data by using the frequency that can be used in the telephone line, convert it into an analog signal and put it on the telephone line, and the analog signal modulated with the data sent from the other party. It has the function of demodulating and returning to digitized data.
第5図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。The modem will be briefly described based on the block diagram shown in FIG.
第5図は集積回路基板(2)上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram when a modem is mounted on the integrated circuit board (2).
モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するDTEインターフ
ェース(21)と、DTEインターフェース(21)より出力
されたデータに基づいて所定の出力信号を出力するマイ
クロコンピュータ(5)と、マイクロコンピュータ
(5)からアドレスされる内蔵したEPROM(4)と、マ
イクロコンピュータ(5)からの出力信号を変復調しNC
U(NETWORK CONTROL UNIT)に出力する第1および第
2の変復調回路(22)(23)と、マイクロコンピュータ
(5)からの出力信号に応じて所望のDTMF信号(トーン
信号)を発生するDTMF発生器(24)とをから構成されて
いる。The modem stores a data transmitted from a personal computer in a built-in memory and outputs the data, and a micro that outputs a predetermined output signal based on the data output from the DTE interface (21). The computer (5), the built-in EPROM (4) addressed by the microcomputer (5), and the output signal from the microcomputer (5) are modulated and demodulated to NC.
DTMF generation that generates a desired DTMF signal (tone signal) according to the output signals from the first and second modulation / demodulation circuits (22) and (23) output to the U (NETWORK CONTROL UNIT) and the microcomputer (5) It is composed of a container (24) and.
DTEインターフェースは例えばSTC9610(セイコーエプソ
ン)等のICより成り、第6図の如く、パソコンの出力信
号を供給し、その出力信号を内蔵メモリー内に蓄積して
マイクロコンピュータ(5)へ出力する送信メモリー部
(25)と、マイクロコンピュータ(5)からの出力信号
が供給される信号を内蔵メモリー内に蓄積してパソコン
へ出力する受信メモリー部(26)と、送信メモリー部
(25)および受信メモリー部(26)を介して入出力され
る夫々の信号を切替える制御部(27)とからなり、パソ
コン(28)とマイクロコンピュータ(5)とを接続する
ための所定の機能を有するものである。The DTE interface is composed of an IC such as STC9610 (Seiko Epson), and as shown in FIG. 6, a transmission memory that supplies the output signal of the personal computer, accumulates the output signal in the internal memory, and outputs it to the microcomputer (5). Section (25), a reception memory section (26) for accumulating a signal supplied with an output signal from the microcomputer (5) in a built-in memory and outputting it to a personal computer, a transmission memory section (25) and a reception memory section The control unit (27) switches each signal input and output via the (26) and has a predetermined function for connecting the personal computer (28) and the microcomputer (5).
マイクロコンピュータ(5)は例えばSTC9620(セイコ
ーエプソン)等のICより成り、第7図の如く、DTEイン
ターフェース(21)から出力される出力信号を認識する
コマンド認識部と、コマンド認識部によって認識された
出力信号を解読するコマンド解読部と、コマンド解読部
で解読された信号に基づいてメモリー部のデータと比較
し変復調回路へデータを供給するコマンド実行部と、コ
マンド解読部のデータとメモリー部内のデータとの比較
結果、誤ったデータがコマンド実行部に供給された際に
DTEインターフェース(21)に出力信号を出力する応答
コード生成部とからなる。The microcomputer (5) is composed of an IC such as STC9620 (Seiko Epson), and as shown in FIG. 7, it is recognized by the command recognition unit and the command recognition unit that recognizes the output signal output from the DTE interface (21). The command decoding unit that decodes the output signal, the command execution unit that compares the data in the memory unit based on the signal decoded by the command decoding unit and supplies the data to the modem circuit, the data in the command decoding unit and the data in the memory unit When incorrect data is supplied to the command execution unit as a result of comparison with
The DTE interface (21) includes a response code generation unit that outputs an output signal.
変復調回路(28)はマイクロコンピュータ(5)から送
信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してNCU部
に送信する。また反対にNCU部から送信されたアナログ
信号をデジタル信号に変換してマイクロコンピュータ
(5)へ送信するものであり、低速および中速夫々のタ
イプの回路を備えている。第1の変復調回路(22)は30
0bpsの低速変復調回路であり、第2の変復調回路(23)
は1200bpsの中速変復調回路である。夫々の第1および
第2の変変復調回路(22)(23)はマイクロコンピュー
タ(5)により、いずれか一方の変復調回路が選択され
る。The modulation / demodulation circuit (28) converts the digital signal transmitted from the microcomputer (5) into an analog signal and transmits it to the NCU unit. On the contrary, it converts an analog signal transmitted from the NCU unit into a digital signal and transmits it to the microcomputer (5), and has low-speed and medium-speed circuits. The first modulation / demodulation circuit (22) is 30
This is a low-speed modulation / demodulation circuit of 0 bps, and the second modulation / demodulation circuit (23)
Is a 1200bps medium speed modulation / demodulation circuit. One of the first modulation / demodulation circuit (22) and the second modulation / demodulation circuit (23) is selected by the microcomputer (5).
DTMF発生器(24)はマイクロコンピュータ(5)のコマ
ンド実行部より出力されたデータをCOL,ROW夫々の入力
端子に入力することで所定のDTMF信号を発生し送信AMP
(29a)に出力して電話回線へ信号を供給する。The DTMF generator (24) generates a predetermined DTMF signal by inputting the data output from the command execution unit of the microcomputer (5) to the input terminals of each of COL and ROW, and transmits AMP.
Output to (29a) and supply signal to telephone line.
EPROMチップ(4)内にはモデムの各種のモードを設定
するためのプログラムデータがメモリーされており、マ
イクロコンピュータ(5)のアドレスに基づいてマイク
ロコンピュータ(5)に供給される。Program data for setting various modes of the modem is stored in the EPROM chip (4) and is supplied to the microcomputer (5) based on the address of the microcomputer (5).
次にモデムの動作について簡単に説明する。Next, the operation of the modem will be briefly described.
先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ(5)からの読出し信号に基づいて制御スイッチ
(29d)が動作し、所定のアドレスデータがEPROMチップ
(4)に供給され、そのアドレスに基づいたEPROMチッ
プ(4)のプログラム・データがマイクロコンピュータ
(5)に供給され、通信を行う夫々のモデムの通信規格
(BELL/CCITT規格)、通信速度(300/1200bps)、デー
タファーマットの一致、デップスイッチモードの切替等
の各種のモードが一致しているかが確認される。First, when the personal computer communication is started, the control switch (29d) operates based on the read signal from the microcomputer (5), the predetermined address data is supplied to the EPROM chip (4), and based on the address. The program data of the EPROM chip (4) is supplied to the microcomputer (5), and the communication standard (BELL / CCITT standard), communication speed (300 / 1200bps), data format match, and dep of each modem for communication. It is confirmed whether various modes such as switching of the switch mode match.
各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー入力する。その電話番号は
パソコンとのインターフェース用のDTEインターフェー
ス(21)に入力され、電話番号を解読する為にマイクロ
コンピュータ(5)に転送される。その解読した結果を
DTMF発生器(24)に送信し、DTMF発生器(24)からDTMF
信号が発信されその信号は送信AMP(29a)、ライントラ
ンス(29c)を介して一般電話回線へ転送される。Assuming that the various modes are the same, enter the telephone number of the answering modem into the personal computer. The telephone number is input to the DTE interface (21) for interfacing with a personal computer and transferred to the microcomputer (5) for decoding the telephone number. The decrypted result
Send to DTMF generator (24) and DTMF from DTMF generator (24)
A signal is transmitted and the signal is transferred to a general telephone line via a transmission AMP (29a) and a line transformer (29c).
転送されたDTMF信号は応答側のモデムに対して呼出し信
号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信して自
動着信する。すると応答側のモデムは接続手順の為のア
ンサートーン起呼側のモデムに対して送出する。The transferred DTMF signal sends a calling signal to the answering modem, and the answering modem receives the calling signal and automatically receives the incoming call. The answering modem then sends the answer tone to the calling modem for the connection procedure.
起呼側のモデムではライントランス(29c)、受信アン
プ(29b)を通り低速変復調回路(22)でそのアンサー
トーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサートーン
であるか否かを検出する。所定のアンサートーンであれ
ば通信状態に入る。The modem on the calling side passes through the line transformer (29c) and the receiving amplifier (29b), and the low speed modulation / demodulation circuit (22) detects whether or not the answer tone is a predetermined answer tone for the modem on the calling side. . If it is a predetermined answer tone, the communication state is entered.
通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー入力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルゲータをDTEインターフェース(21)に入力し、その
データをマイクロコンピュータ(5)に転送する。ここ
でパラレルデータをシリアルデータに変換する。シリア
ルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調回路
(22)に送信される。ここでデジタル信号はアナログ信
号に変換され、それに対応した通信規格に基づいて周波
数変調FSKされ、送信AMP(29)、ライントランス(32)
を介して応答側のモデムに送信される。In the communication state, the parallel gater from the personal computer is input to the DTE interface (21) based on a predetermined key input signal from the keyboard of the calling personal computer, and the data is transferred to the microcomputer (5). Here, the parallel data is converted into serial data. The digital signal converted into serial data is transmitted to the low speed modulation / demodulation circuit (22). Here, the digital signal is converted into an analog signal, frequency modulation FSK is performed based on the communication standard corresponding to it, transmission AMP (29), line transformer (32)
To the modem on the answering side.
一方、応答側のパソコンのキー入力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス(29c)、受信AMP(29b)を介して
低速変復調回路(22)に入力される。ここでアナログ信
号はデジタル信号に変換されDTEインターフェース(2
1)に入力され、シリアルデジタル信号からのパラレル
デジタル信号に変換されて起呼側のパソコンに入力され
る。その結果起呼側へパソコンと応答側のパソコンは全
二重通信ができる様になりパソコン通信が実現する。On the other hand, the frequency-modulated analog signal sent by the key input signal of the response side personal computer is sent to the calling side modem and input to the low speed modulation / demodulation circuit (22) via the line transformer (29c) and the receiving AMP (29b). To be done. Here, the analog signal is converted into a digital signal and the DTE interface (2
It is input to 1), converted from a serial digital signal to a parallel digital signal, and input to the calling personal computer. As a result, the personal computer for the calling side and the personal computer for the answering side can perform full-duplex communication, thus realizing personal computer communication.
第8図は第4図で示したモデム回路を本実施例で用いた
基板(2)上に実装した場合の平面図であり、実装され
る回路素子の図番号は同一番号とする。EPROMチップ
(4)とマイクロコンピュータ(5)との接続はバスラ
インで示す。尚、複数の回路素子を接続する導電路は煩
雑のため省略する。FIG. 8 is a plan view of the modem circuit shown in FIG. 4 mounted on the substrate (2) used in this embodiment, and the circuit elements to be mounted have the same reference numerals. The connection between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) is shown by a bus line. The conductive paths connecting the plurality of circuit elements are omitted because they are complicated.
第8図に示す如く、基板(2)の対向する周端部には外
部リード端子(12)が固着される複数の固着用パッド
(3a)が設けられている。固着パッド(3a)から延在さ
れる導電路(3)上所定位置には複数の回路素子および
EPROMチップ(4)が固着される。上述した如き、斯る
基板(2)上にはEPROMチップ(4)およびマイクロコ
ンピュータ(5)を含む複数の回路素子が固着されてお
り、(21)はDTEインターフェース、(22)(23)は第
1および第2の変復調回路、(24)はDTMF発生回路、
(29a)はEPROM(4)を制御する制御スイッチ、(5)
はマイクロコンピュータ、(6)はコンデンサー等のチ
ップ部品である。As shown in FIG. 8, a plurality of fixing pads (3a) to which the external lead terminals (12) are fixed are provided on the opposing peripheral ends of the substrate (2). A plurality of circuit elements and a plurality of circuit elements are provided at predetermined positions on the conductive path (3) extending from the fixing pad (3a).
The EPROM chip (4) is fixed. As described above, a plurality of circuit elements including an EPROM chip (4) and a microcomputer (5) are fixed on the substrate (2), (21) is a DTE interface, and (22) (23) are First and second modulation / demodulation circuits, (24) a DTMF generation circuit,
(29a) is a control switch for controlling the EPROM (4), (5)
Is a microcomputer, and (6) is a chip component such as a capacitor.
第8図に示す如く、マイクロコンピュータ(5)の近傍
あるいは隣接する位置にEPROMチップ(4)が固着され
る。マイクロコンピュータ(5)の近傍あるいは隣接す
る位置にEPROMチップ(4)を固着することで、マイク
ロコンピュータ(5)とEPROMチップ(4)とのバスラ
イン、即ち導電路(3)の引回し線の距離を最短でしか
も最小の距離で引回すことができ、他の実装パターンを
有効に使用できると共に高密度実装が行える。尚、一点
鎖線で囲まれた領域は接着シートでケース材(8)が固
着される領域を示す。As shown in FIG. 8, the EPROM chip (4) is fixed near or adjacent to the microcomputer (5). By fixing the EPROM chip (4) near or adjacent to the microcomputer (5), the bus line between the microcomputer (5) and the EPROM chip (4), that is, the routing line of the conductive path (3) The distance can be set at the shortest distance and the shortest distance, and other mounting patterns can be effectively used and high-density mounting can be performed. The area surrounded by the alternate long and short dash line shows the area where the case material (8) is fixed with an adhesive sheet.
第9図は第8図で示した基板(2)上にケース材(8)
を固着したときのモデム用の混成集積回路装置の完成品
の平面図であり、ケース材(8)の上面からはEPROMチ
ップ(4)上に被覆された第2の樹脂層(15b)の上面
のみが露出された状態となる。即ち、EPROM(4)以外
の他の素子は全てケース材(8)と基板(2)とで形成
された封止空間(14)内に封止される。FIG. 9 shows a case material (8) on the substrate (2) shown in FIG.
FIG. 9 is a plan view of a finished product of the hybrid integrated circuit device for the modem when the IC chip is fixed, and shows the upper surface of the second resin layer (15b) coated on the EPROM chip (4) from the upper surface of the case material (8). Only the state is exposed. That is, all the elements other than the EPROM (4) are sealed in the sealing space (14) formed by the case material (8) and the substrate (2).
斯る本発明に依れば、ケース材(8)の周端辺の所望位
置にくぼみ(7)を設け、そのくぼみ(7)で露出した
基板(2)上の導電路(3)にEPROMチップ(4)を接
続し隣接する導電路(3)とワイヤ線で接続し、基板
(2)とケース材(8)とで形成された封止空間(14)
にマイクロコンピュータ(5)および他の回路素子
(6)を固着することにより、混成集積回路とEPROMチ
ップ(4)との一体化した装置が極めて小型化に行える
大きな特徴を有する。According to the present invention, the recess (7) is provided at a desired position on the peripheral edge of the case material (8), and the EPROM is formed in the conductive path (3) on the substrate (2) exposed by the recess (7). A sealed space (14) formed by the substrate (2) and the case material (8), which connects the chip (4) and the adjacent conductive path (3) by a wire line.
By fixing the microcomputer (5) and the other circuit element (6) to the device, the integrated device of the hybrid integrated circuit and the EPROM chip (4) has a great feature that it can be made extremely small.
(ト)発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1にケース材
(8)の周端辺の所望位置にくぼみ(7)を設け、その
くぼみ(7)で露出した基板(2)上の導電路(3)に
EPROMチップ(4)を接続しているので、EPROM(4)の
載置位置を任意に選定できる利点を有する。このため内
蔵するマイクロコンピュータとの電気的接続を考慮し
て、効率良くEPROMチップ(4)とマイクロコンピュー
タ(5)とを接続でき信号線の引回しを不要にできる。
更に詳述すると、EPROMチップ(4)の隣接する位置に
最も関連の深いマイクロコンピュータ(5)を配置で
き、その結果EPROMチップ(4)とマイクロコンピュー
タ(5)間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距
離あるいは最も設計容易なレイアウトで実現でき、デー
タ線の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制でき
る。(G) Effect of the Invention As described above in detail, according to the present invention, firstly, the recess (7) is provided at a desired position on the peripheral edge of the case member (8), and the recess (7) exposes the recess. On the conductive path (3) on the finished substrate (2)
Since the EPROM chip (4) is connected, there is an advantage that the mounting position of the EPROM (4) can be arbitrarily selected. Therefore, in consideration of the electrical connection with the built-in microcomputer, the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) can be efficiently connected, and the wiring of the signal line can be eliminated.
More specifically, the most closely related microcomputer (5) can be arranged at a position adjacent to the EPROM chip (4), and as a result, a data line for exchanging data between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5). Can be realized with the shortest distance or the layout that can be easily designed, and the loss of the mounting density due to the routing of the data lines can be minimized.
第2にケース材(8)の周端辺の所望位置のくぼみ
(7)にEPROMチップ(4)を配置している共に、集積
回路基板(2)上の組込むマイクロコンピュータおよび
その周辺回路素子の実装密度を向上することにより、従
来必要とされたプリント基板を廃止でき、極めて小型化
のEPROMチップ(4)を内蔵する混成集積回路装置を実
現できる。Second, the EPROM chip (4) is placed in the recess (7) at the desired position on the peripheral edge of the case material (8), and the microcomputer and its peripheral circuit elements to be incorporated on the integrated circuit board (2) By improving the packaging density, it is possible to eliminate the conventionally required printed circuit board and realize a hybrid integrated circuit device incorporating an extremely small EPROM chip (4).
第3に集積回路基板(2)として金属基板を用いること
により、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に向
上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電路
(3)として銅箔(11)を用いることにより、導電路
(3)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき、実
装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる。Thirdly, by using a metal substrate as the integrated circuit board (2), the heat radiation effect thereof can be greatly improved compared with the printed circuit board, which can contribute to further improvement of the mounting density. Further, by using the copper foil (11) as the conductive path (3), the resistance value of the conductive path (3) can be significantly reduced as compared with the conductive paste, and the mounted circuit can be expanded to a level equal to or larger than that of the printed circuit board.
第4にEPROMチップ(4)と接続されるマイクロコンピ
ュータ(5)およびその周辺回路素子(6)はケース材
(8)と集積回路基板(2)とで形成される封止空間
(14)にダイ形状あるいはチップ形状で組み込まれるの
で、従来のプリント基板の様に樹脂モールドしたものに
比較して極めて占有面積が小さくなり、実装密度の大幅
に向上できる利点を有する。Fourth, the microcomputer (5) connected to the EPROM chip (4) and its peripheral circuit element (6) are placed in the sealed space (14) formed by the case material (8) and the integrated circuit board (2). Since it is incorporated in a die shape or a chip shape, it has an advantage that the occupied area becomes extremely smaller than that of a conventional printed circuit board that is resin-molded, and the packaging density can be greatly improved.
第5にケース材(8)と集積回路基板(2)の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)のほ
ぼ全面を封止空間(14)として利用でき、実装密度の向
上と相まって極めてコンパクトの混成集積回路装置を実
現できる。Fifth, by substantially matching the peripheral edges of the case material (8) and the integrated circuit board (2), almost the entire surface of the integrated circuit board (2) can be used as the sealing space (14), and the packaging density Combined with the improvement, an extremely compact hybrid integrated circuit device can be realized.
第6にEPROMチップ(4)上には遮光用の樹脂層(15b)
が設けられているため、EPROMチップ(4)を保護する
ことができると共に遮光ができ且つEPROMチップ(4)
とくぼみ(7)のすき間も封止できる利点を有する。Sixth, a resin layer (15b) for shading on the EPROM chip (4)
Is provided, the EPROM chip (4) can be protected and can be shielded from light, and the EPROM chip (4) can be protected.
It has the advantage that the gap of the depression (7) can also be sealed.
第7に集積回路基板(2)の一辺あるいは相対向する辺
から外部リード(12)を導出でき、極めて多ピンの混成
集積回路装置を実現できる利点を有する。Seventh, the external leads (12) can be led out from one side of the integrated circuit board (2) or the opposite sides, which has an advantage that an extremely multi-pin hybrid integrated circuit device can be realized.
第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は実施例で用いる基板の断面図、第4
図は他の実施例を示す断面図、第5図は本実施例で用い
たモデムを示すブロック図、第6図は第5図で示したモ
デムのDTEインターフェースを示すブロック図、第7図
は第5図で示したモデムのマイクロコンピュータを示す
ブロック図、第8図は第5図で示したブロック図を基板
上に実装したときの平面図、第9図は第8図に示した基
板上にケース材を固着したときの平面図、第10図および
第11図は従来のEPROM実装構造を示す断面図である。 (1)……混成集積回路装置、(2)……集積回路基
板、(3)……導電路、(4)……EPROMチップ、
(5)……マイクロコンピュータ、(6)……回路素
子、(7)……くぼみ、(7a)……壁体、(8)……ケ
ース材、(15a)……紫外線透過性樹脂、(15b)……紫
外線不透過性樹脂。FIG. 1 is a perspective view showing this embodiment, and FIG. 2 is I- in FIG.
I sectional view, FIG. 3 is a sectional view of the substrate used in the embodiment, FIG.
FIG. 7 is a sectional view showing another embodiment, FIG. 5 is a block diagram showing a modem used in this embodiment, FIG. 6 is a block diagram showing a DTE interface of the modem shown in FIG. 5, and FIG. FIG. 5 is a block diagram showing a microcomputer of the modem shown in FIG. 5, FIG. 8 is a plan view when the block diagram shown in FIG. 5 is mounted on a substrate, and FIG. 9 is a substrate shown in FIG. FIGS. 10 and 11 are cross-sectional views showing a conventional EPROM mounting structure when a case member is fixedly attached thereto. (1) ... hybrid integrated circuit device, (2) ... integrated circuit board, (3) ... conductive path, (4) ... EPROM chip,
(5) ... Microcomputer, (6) ... Circuit element, (7) ... Dimple, (7a) ... Wall, (8) ... Case material, (15a) ... UV transparent resin, ( 15b) ... UV impermeable resin.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中本 修 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 大川 克実 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 小池 保広 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 金子 正雄 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 上野 聖和 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 斎藤 保雄 群馬県山田郡大間々町大間々414―1 東 京アイシー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Osamu Nakamoto 2-18 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Katsumi Okawa 2-18 Keiyo Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhiro Koike, 2-18 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Masao Kaneko 2-18, Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Seiwa Ueno 2-18, Keihanhondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yasuo Saito 41-1, Omama-cho, Yamama-gun, Gunma Prefecture Tokyo IC
Claims (11)
と、 前記導電路に接続された不揮発性メモリーチップと、 前記メモリーからデータを供給され且つ前記基板上の導
電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその周辺
回路素子と、 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、 前記ケース材の周端辺の所望位置にくぼみを設け、前記
くぼみで露出した前記基板上の前記導電路に前記不揮発
性メモリーチップを固着し、前記不揮発性メモリーチッ
プの電極と所望の前記導電路をボンディングワイヤで接
続し、前記基板と前記ケース材で形成された封止空間に
前記マイクロコンピュータおよびその周辺回路素子を配
置したことを特徴とする混成集積回路装置。1. An integrated circuit substrate, a conductive path having a desired pattern formed on the substrate, a nonvolatile memory chip connected to the conductive path, and data supplied from the memory and on the substrate. A microcomputer connected to the conductive path and its peripheral circuit element, and a case member integrated with the substrate, a recess is provided at a desired position on the peripheral edge of the case member, and exposed at the recess. The non-volatile memory chip is fixed to the conductive path on the substrate, the electrode of the non-volatile memory chip and the desired conductive path are connected by a bonding wire, and a sealing space formed by the substrate and the case material. 2. A hybrid integrated circuit device characterized in that the microcomputer and its peripheral circuit elements are arranged in the.
属基板を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集
積回路装置。2. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a metal substrate whose surface is insulated is used as the integrated circuit substrate.
とする請求項1記載の混成集積回路装置。3. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a copper foil is used as the conductive path.
した封止樹脂層で前記不揮発性メモリーチップを封止す
ることを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。4. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the nonvolatile memory chip is sealed with a sealing resin layer in which a resin that transmits ultraviolet rays is injected into the recess.
断するシール樹脂層を設けたことを特徴とする請求項4
記載の混成集積回路装置。5. A sealing resin layer for blocking ultraviolet rays is provided on the sealing resin layer in the recess.
A hybrid integrated circuit device as described.
上面とを実質的に一致させたことを特徴とする請求項5
記載の混成集積回路装置。6. The upper surface of the sealing resin layer and the upper surface of the case member are substantially aligned with each other.
A hybrid integrated circuit device as described.
にシール材を接着することを特徴とする請求項4記載の
混成集積回路装置。7. The hybrid integrated circuit device according to claim 4, wherein a sealing material is adhered to the upper surface of the case material so as to cover the recess.
にダイ形状で組み込まれることを特徴とする請求項1記
載の混成集積回路装置。8. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the microcomputer is mounted on the conductive path in a die shape.
プコンデンサーを用いることを特徴とする請求項1記載
の混成集積回路装置。9. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a chip resistor and a chip capacitor are used as the peripheral circuit element.
部と前記くぼみを除いてほぼ一致させたことを特徴とす
る請求項1記載の混成集積回路装置。10. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a peripheral end portion of the case material is substantially aligned with a peripheral end portion of the substrate except the recess.
部リードを導出することを特徴とする請求項1記載の混
成集積回路装置。11. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the external lead is led out from one side except the side where the recess is provided.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120907A JPH0680777B2 (en) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | Hybrid integrated circuit device |
| US07/510,468 US5159433A (en) | 1989-04-20 | 1990-04-18 | Hybrid integrated circuit device having a particular casing structure |
| DE69031142T DE69031142T2 (en) | 1989-04-20 | 1990-04-19 | Integrated hybrid circuit arrangement |
| EP90107445A EP0393671B1 (en) | 1989-04-20 | 1990-04-19 | Hybrid integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120907A JPH0680777B2 (en) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | Hybrid integrated circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02299258A JPH02299258A (en) | 1990-12-11 |
| JPH0680777B2 true JPH0680777B2 (en) | 1994-10-12 |
Family
ID=14797951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1120907A Expired - Fee Related JPH0680777B2 (en) | 1989-04-20 | 1989-05-15 | Hybrid integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680777B2 (en) |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP1120907A patent/JPH0680777B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02299258A (en) | 1990-12-11 |
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