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「"ion injection"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "ion injection"に関連した英語例文

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"ion injection"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 202



例文

ION INJECTION APPARATUS例文帳に追加

イオン注入装置 - 特許庁

ION INJECTION SYSTEM例文帳に追加

イオン注入システム - 特許庁

ION INJECTION METHOD AND ION INJECTION APPARATUS例文帳に追加

イオン注入方法及びイオン注入装置 - 特許庁

ION INJECTION DEVICE AND ION INJECTION METHOD例文帳に追加

イオン注入装置およびイオン注入方法 - 特許庁

例文

DISC FOR ION INJECTION DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置用ディスク - 特許庁


例文

ION INJECTION SIMULATION METHOD例文帳に追加

イオン注入シミュレーション方法 - 特許庁

METHOD FOR ION INJECTION TO DIAMOND例文帳に追加

ダイヤモンドへのイオン注入法 - 特許庁

ION INJECTION DEVICE AND TREATMENT CHAMBER例文帳に追加

イオン注入装置および処理室 - 特許庁

ION INJECTION METHOD AND ITS DEVICE例文帳に追加

イオン注入方法およびその装置 - 特許庁

例文

GASEOUS ION SOURCE FOR OXYGEN ION INJECTION例文帳に追加

酸素イオン注入のためのガス状イオンソース - 特許庁

例文

ION INJECTION APPARATUS AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

イオン注入装置およびその運転方法 - 特許庁

To provide an ion injection system that equalizes characteristics within the surface of a wafer 20, in an ion injection system provided with an ion injection device and injected characteristic measuring part.例文帳に追加

イオン注入装置と注入された特性測定部とを備えるイオン注入システムにおいて、ウェハ20面内の特性を均一にする。 - 特許庁

CHARGE UP RESTRAINT AND ION INJECTION DEVICE例文帳に追加

チャージアップ抑制装置およびイオン注入装置 - 特許庁

The ion injection device 10 has an ion beam generating mechanism 15, a scanner part 16, and an ion injection chamber 20.例文帳に追加

イオン注入装置10は、イオンビーム発生機構15、スキャナ部16、イオン注入室20を有する。 - 特許庁

ELECTROMAGNET FOR MASS SEPARATION, AND ION INJECTION DEVICE例文帳に追加

質量分離用電磁石及びイオン注入装置 - 特許庁

In the ion injection step, ions are injected into a substrate.例文帳に追加

イオン注入工程では、基板にイオンを注入する。 - 特許庁

The amorphous metal is prepared by ion injection to the metal.例文帳に追加

アモルファスは、金属へのイオン注入により形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ION INJECTION MASK AND SILICON CARBIDE DEVICE例文帳に追加

イオン注入マスクの形成方法及び炭化珪素デバイス - 特許庁

INHOMOGENOUS ION INJECTION DEVICE AND METHOD例文帳に追加

不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法 - 特許庁

The ion injection device 1 is provided with the drawing electrode 20.例文帳に追加

イオン注入装置1は、引出電極20を備えている。 - 特許庁

MEASURING METHOD OF CURRENT DENSITY DISTRIBUTION OF ION BEAM, ION INJECTION METHOD USING THE SAME AND ION INJECTION DEVICE例文帳に追加

イオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置 - 特許庁

ION BEAM ADVANCING ANGLE CORRECTION METHOD, AND ION INJECTION DEVICE例文帳に追加

イオンビームの進行角修正方法およびイオン注入装置 - 特許庁

ANGLE MEASURING APPARATUS AND RELATED APPARATUS FOR ION INJECTION DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置用の角度計測装置および関連装置 - 特許庁

ION INJECTION SIMULATION METHOD, ION INJECTION SIMULATION DEVICE, METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入シミュレーション方法及びイオン注入シミュレーション装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の設計方法 - 特許庁

In this case, after performing the ion-injection by an ordinary accelerating voltage, an additional ion-injection with an accelerating voltage lower than it is performed.例文帳に追加

その際、通常の加速電圧でイオン注入を行った後、それよりも低い加速電圧で追加のイオン注入を行う。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING COLORED DIAMOND BY ION INJECTION AND HEAT TREATMENT例文帳に追加

イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法 - 特許庁

To provide a measuring method of current density distribution of ion beam in which the ion injection quantity can be nearly uniformed throughout the whole face of a semiconductor board when carrying out ion injection on the semiconductor board, and an ion injection method using this measuring method, and an ion injection device.例文帳に追加

半導体基板にイオン注入を行なう場合に、イオン注入量を半導体基板全面にわたって略均一化できるイオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

ION INJECTION DEVICE HAVING ARC CHAMBER FOR IMPROVING ION CURRENT DENSITY例文帳に追加

イオン電流密度を向上させるアークチャンバを持つイオン注入装置 - 特許庁

ELECTRODE ASSEMBLY AND ELECTROSTATIC TETRODE LENS ASSEMBLY FOR ION INJECTION DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置用の電極アセンブリおよび静電四極レンズアセンブリ - 特許庁

WAFER HOLDING DEVICE, ION INJECTION DEVICE PROVIDED THEREWITH AND WAFER HOLDING METHOD例文帳に追加

ウエハ保持装置、これを備えたイオン注入装置およびウエハ保持方法 - 特許庁

To provide a particle removing method/device of an ion injection device which can easily remove the particles in the ion injection device.例文帳に追加

簡単にイオン注入装置のパーティクルを除去することができるイオン注入装置のパーティクル除去方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion source having a cathode and a counter cathode suitable for ion injection.例文帳に追加

カソード、カウンタカソードを備え、イオン注入に適したイオン源を提供する。 - 特許庁

With a photoresist layer 7 as a mask, the ion injection of boron (11B+) (first implantation) and the ion injection of phosphorus (31P+) are continuously performed.例文帳に追加

このホトレジスト層7をマスクとして、ボロン(^11B^+)のイオン注入(第1のイオン注入)、リン(^31P^+)のイオン注入(第2のイオン注入)を連続して行う。 - 特許庁

Then, the ion injection layer 6 is inflated by heat treatment and the semiconductor substrate 1 is detached from the position of the ion injection layer 6 (S18).例文帳に追加

その後、前記のようにベース基板7を接合してから熱処理してイオン注入層6を膨張させ、半導体基板1をイオン注入層6の位置から剥離する(S18)。 - 特許庁

To provide an inhomogenous ion injection device and an inhomogenous ion injection method in which dopant ions are injected with different doses into different regions of a wafer.例文帳に追加

ウエハの異なる領域に異なるドーズで不純物イオンが注入されるようにする不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam drawing electrode and an ion injection device which have a long life.例文帳に追加

寿命の長いイオンビーム引出電極およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compact ion injection device realizing a uniform ion injection on a wafer and capable of accurately measuring charge potential volume on the surface of the wafer.例文帳に追加

ウェハに対して均一なイオン注入を実現するとともに、ウェハ表面部のチャージ電位量を正確に測定することが可能な小型のイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, the ionizer is arranged in which the ion injection part is integrally built in this kind of rotation device.例文帳に追加

また、このような回転装置にイオン噴射部を一体に組み込んだイオナイザとした。 - 特許庁

A secondary-electron detecting sensor for detecting the secondary electrons is provided on an ion injection device.例文帳に追加

イオン注入装置には2次電子を検出する2次電子検出センサを設ける。 - 特許庁

The resist pattern 5 is cured by a plasma irradiation or the ion injection method, and this mold 1 is obtained.例文帳に追加

レジストパターン5をプラズマ照射またはイオン注入法により硬化し、モールド1を得る。 - 特許庁

To provide a wafer scanning device in which ion injection time of a wafer is reduced to improve productivity and uniformity of ion injection is improved, by not only suppressing unevenness of ion injection due to diffusion effect of the ion beams but also enabling high speed of scanning speed and high resolution of the wafer.例文帳に追加

イオンビームの拡散影響によるイオン注入のむらを抑制するだけでなく、ウエハのスキャン速度を高速化及び高分解能化可能にして、ウエハのイオン注入時間を短縮して生産性を向上させるとともに、イオン注入の均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide an ion injection device by which a semiconductor device having little variation in property can be manufactured.例文帳に追加

特性のばらつきの少ない半導体装置を製造可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The electrode formation region is implanted with ion such as phosphorus as impurity ion injection regions 22 to 25.例文帳に追加

電極形成領域にリン等をイオン注入し、不純物イオン注入領域22〜25とする。 - 特許庁

After completion of ion injection treatment, a resist pattern is subjected to fluorine treatment before the resist pattern is ashed.例文帳に追加

イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。 - 特許庁

Though ions are injected by the ion injection device so as to neutralize the electric charges of each liquid droplet, the polarity of the ions injected by the ion injection device is decided by the electric field direction immediately under a recording nozzle.例文帳に追加

各液滴の電荷を中和するためにイオン噴射装置よりイオンを噴射するが、イオン噴射装置より噴射するイオンの極性は記録ノズルの直下の電界の方向により決定する。 - 特許庁

To provide an effective structure for a movement through connection in a vacuum process as an ion injection or the like.例文帳に追加

イオン注入等の真空プロセスへの動作貫通接続に特に有効である構造体の提供。 - 特許庁

To improve precision of Fe (iron) contamination quantity evaluation by an SPC (Surface Photo Voltage) method in an ion injection stage.例文帳に追加

イオン注入工程において、SPV法によるFe(鉄)汚染量評価の精度を向上させる。 - 特許庁

Then, ion injection into the n--type region 11 is carried out, so that a p-type well layer 12 can be formed.例文帳に追加

そして、n^-型領域11にイオン注入等を行うことで、p型ウェル層12を形成する。 - 特許庁

USE OF ION INJECTION FOR PREPARING NORMAL LAYER IN SUPERCONDUCTIVE-NORMAL-SUPERCONDUCTIVE JOSEPHSON JUNCTION例文帳に追加

超伝導−通常−超伝導ジョセフソン接合中に通常層を作製するためのイオン注入の使用 - 特許庁

例文

As a result, in this method for manufacturing an epitaxial wafer having embedded ion injection layers 71' and 72', the saving of the pre-injection oxidization treatment and ion injection using only a photo-resist film as a mask 64 are enabled.例文帳に追加

その結果、埋込イオン注入層71’,72’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク64として用いたイオン注入が実現される。 - 特許庁




  
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