「"ion injection"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then processing using a pattern on the resist film as a mask (e.g. etching processing using the pattern on the resist film as the mask and an ion injection processing using the pattern on the resist film as the mask) is applied to the wafer on which the resist film having the rugged surface is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜の表面に凹凸が形成されたウエハは、レジスト膜のパターンをマスクとした処理（たとえば、レジスト膜のパターンをマスクとするエッチング処理、レジスト膜のパターンをマスクとするイオン注入処理）を受ける。 - 特許庁

An opening part OP1 as a dummy pattern is provided for the photoresist PR4 in a free area other than patterns of elements and circuits in one chip, 1 i.e., in a dummy area DM1 and while the opening part of the photoresist PR4 is made larger, the ion injection is carried out.例文帳に追加

１チップ内の素子および回路のパターン以外の空き領域、すなわち、ダミー領域ＤＭ１においてフォトレジストＰＲ４にダミーパターンたる開口部ＯＰ１を設け、フォトレジストＰＲ４の開口部を増やしてイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing patterned media such as discrete track media to be used for a high-density hard disk (HDD) in an ion injection method, which eliminates deterioration of surface flatness due to a resist residue which remains after removing a resist mask layer.例文帳に追加

高記録密度ハードディスク（ＨＤＤ）等に用いられるディスクリートトラックメディア等のパターンドメディアをイオン注入法において製造する方法において、レジストマスク層除去後に残存するレジスト残りによる表面平坦度の悪化を根絶する。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

After impurities are introduced in the polysilicon layer 3 by ion injection, a heat treatment is carried out for IPO oxidation to form an IPO oxide film 4 on the surface of the polysilicon layer 3, and a second polysilicon layer is further formed on the IPO oxide film 4.例文帳に追加

不純物をイオン注入にてポリシリコン層３に導入した後に、熱処理することによりＩＰＯ酸化を行い、ポリシリコン層３の表面にＩＰＯ酸化膜４を形成し、さらにＩＰＯ酸化膜４の上に第二のポリシリコン層を形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose source region and base region are formed by ion injection by using the same mask and a manufacturing method therefor by improving the tradeoff relation between a channel resistance and a JFET resistance which is a problem arising when an element is made thin.例文帳に追加

素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とＪＦＥＴ抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the property of an element is improved by reducing off current by preventing ion from being injected in the lower portion of a gate electrode at the time of ion injection for forming a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時にゲート電極の下部にイオンが注入することを防止して、オフ電流を減らすことで、素子の特性が向上するようにしたＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, by using ion injection, annealing, and so on, high-concentration P-type guard ring areas 14b are formed on the surfaces of the low-concentration P-type guard ring areas 14a so as to completely cover the low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法及びアニール処理等を用いて、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａの表面部分に、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを完全に被覆する状態で高濃度Ｐ型ガードリング領域１４ｂを形成する。 - 特許庁

A signal based on logic of an output signal A of a signal generating circuit 1 generating an output based on threshold voltage in accordance with ion injection and a POWER-ON signal bar is obtained by a NOR gate 2 and an inverter 3.例文帳に追加

イオン注入に応じたしきい値電圧に基づいた出力を発生する信号発生回路１、その出力信号ＡとＰＯＷＥＲ−ＯＮ信号バーとの論理に基づいた信号をＮＯＲゲート２とインバータ３により得る。 - 特許庁

A halftone film 2 is formed on a quartz substrate 1 and ions 3 are injected by ion injection to the predetermined depth of the halftone film so as to impregnate the halftone phase shift mask with impurities 4 which are to act as the color centers to obtain a photomask blank.例文帳に追加

石英基板１上にハーフトーン膜２を形成して、ハーフトーン膜の予め規定された深さにイオン注入によってイオン３を注入してハーフトーン位相シフト膜に色中心となる不純物４を含ませて、フォトマスクブランクとする。 - 特許庁

A hydrogen ion injection part 151 wherein adjustment is so performed that the peak position of distribution of hydrogen ions is in a BOX layer 152 (buried oxide layer), and a single crystal Si thin film transistor 130 are formed on an SOI substrate 150, and bonding to an insulating substrate 110 is performed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１５０に、水素イオンの分布のピーク位置がＢＯＸ層１５２（埋め込み酸化膜層）内となるように調節した水素イオン注入部１５１と、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１３０とを形成し、絶縁基板１１０に接合させる。 - 特許庁

The hydrogen isotope of mass number 2, physical behavior of which resembles closely with that of hydrogen isotope of mass number 1, of very little abundance in the atmosphere as an elemental substances or a compound is introduced into a solid sample or an analytical object through ion injection.例文帳に追加

質量数１の水素同位体と物理的な挙動が酷似し、単体または化合物として大気中での存在量が極めて少ない質量数２の水素同位体をイオン注入によって分析対象とする固体試料中に導入する。 - 特許庁

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

Then, a thermal oxide 4 and an insulating film 5 are formed on the major surface of the semiconductor substrate 1 and are flattened (S14, S15) and hydrogen ions are injected from the surface of the insulating film 5 to form an ion injection layer 6 (S16) and a base substrate 7 is bonded onto the surface of the insulating film 5.例文帳に追加

次に、半導体基板１主面に熱酸化膜４，絶縁膜５を形成し平坦化し（Ｓ１４，Ｓ１５）、その絶縁膜５の表面から水素イオン注入してイオン注入層６を形成した後（Ｓ１６）、前記絶縁膜５表面にベース基板７を接合する（Ｓ１７）。 - 特許庁

To reduce a leakage current in a silicon substrate by forming holes by a thin nitride film having an oxide film surface nitrided without difficulty in processing nor deterioration in light collection efficiency as compared with conventional constitution and capturing interstitial Si atoms generated by ion injection into the holes.例文帳に追加

酸化膜表面が窒化された薄い窒化膜により、従来の構成に比べて加工の困難性もなく集光効率の悪化もなく、空孔を発生させ、イオン注入によって発生した格子間Ｓｉ原子を空孔に捕獲させることによりシリコン基板内のリーク電流を低減させる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor substrate, the SiGe layer is formed on the substrate with a surface composed of a silicon (a), a semiconductor layer is further formed thereon (b) and heat treatment is performed by applying ion injection into the SiGe layer in a wafer region to be an element isolation forming region (c).例文帳に追加

（ａ）表面がシリコンからなる基板上にＳｉＧｅ層を形成し、（ｂ）さらにその上に半導体層を形成し、（ｃ）素子分離形成領域となる基板上の領域におけるＳｉＧｅ層内にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is stable and reduces the fluctuation or dispersion of characteristics, by suppressing the diffusion of an impurity inside a silicone substrate after compensation ion injection, and preventing the fluctuation of transistor characteristics or element separation characteristics.例文帳に追加

補償イオン注入後の不純物のシリコン基板内での拡散を押さえ、トランジスタ特性や素子分離特性の変動を防止することができ、安定で特性の変動やばらつきの少ない半導体装置を実現することができる半導体装置のコンタクト形成方法の提供を課題とする。 - 特許庁

The primary reforming processing is carried out successively, on the preliminary reforming process; second ion implantation is performed with energy higher than that of the first ion injection to reform the organic SOG film to the target depth; and thus a lower reformed SOG film 52d is formed below the upper reformed SOG film 52u.例文帳に追加

予備改質工程に続いて本改質工程が行われ、第１のイオン注入より高いエネルギーで第２のイオン注入を行い、目的深さまでの有機ＳＯＧ膜を改質して、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕの下に下部改質ＳＯＧ膜５２ｄを形成する。 - 特許庁

A trench is formed in an n^- type drift layer (1) and embedded by crystal growth, by forming a p-type surf layer (4) by ion injection from oblique direction, and thus a 2nd n^- drift layer (5) is formed to form a longitudinal resurf structure, thereby forming a power MOSFET having low ON- resistance.例文帳に追加

ｎ^−型ドリフト層（１）にトレンチを形成し、斜め方向からのイオン注入によりｐ型リサーフ層（４）を形成し、トレンチを結晶成長により埋め込むことで第２のｎ^−ドリフト層（５）を形成することにより縦型リサーフ構造を形成し、低オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

At the time of forming the contact hole of an MOS transistor, a nitrided film is used as the stop film of etching so that the over-etching of an Si base can be prevented, and ion injection is carried out by using the contact hole as a mask so that a high concentration diffused area constituting a source/drain area can be formed.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのコンタクトホールを形成する際、チッ化膜をエッチングのストップ膜として使用しＳｉ基盤のオーバーエッチをなくし、そのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域を構成する高濃度拡散領域を形成すことを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, a new oxide film 18 can be formed on the bottom of the active layer 16 with predetermined depth and width of oxygen ion injection (Fig. 2(b)), and an embedded oxide film layer 15 having the protrusions and recesses matching those of the surface of the active layer 16 can be formed (Fig. 2(c)).例文帳に追加

この処理により、酸素イオンを注入した所定の深さ及び幅で活性層１６の底部に新たな酸化膜１８を生成することができ（図２（ｂ））、活性層１６の表面の凹凸と一致する凹凸を持つ埋め込み酸化膜層１５を形成できる（図２（ｃ））。 - 特許庁

An ion injection simulation method includes: calculating a reinjection dose injected into a structure formed on a substrate and reinjected from a side face of the structure to the substrate; and calculating concentration distribution of impurities injected into the substrate from a distribution function and reinjection conditions of the reinjection dose.例文帳に追加

基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。 - 特許庁

The transmittance for light of an optical material is suppressed by laser irradiation at a time of ion irradiation without melting or softening the optical material for a crystal or amorphous transparent optical material in a damaging environment by an ion injection process or ion irradiation.例文帳に追加

イオン注入プロセスもしくはイオン照射損傷環境下における結晶質あるいは非晶質の透明性光学材料に対し、これら光学材料の溶融あるいは軟化を行うことなく、イオン照射と同時にレーザーを照射して光学材料の光透過率の低下を抑える。 - 特許庁

To easily form a hollow area in silicon with good controllability, and to form the hollow area in a hydrogen ion injection area by performing thermal treatment to the hydrogen injection area after injecting hydrogen ion into an area forming the hollow area.例文帳に追加

シリコン中に中空領域を制御性よく容易に形成するという目的を、中空領域を形成する領域に水素イオン注入を行った後、水素イオン注入領域に熱処理を行うことで、水素イオン注入領域に中空領域を形成することを可能とする。 - 特許庁

Unlike conventional techniques wherein ion injection is performed using a resist mask provided at a predetermined distance d from an element separation region end, the resist mask is not misaligned and the distance d from the end of the element separation region 13 is made stable to stably form a p-type impurity region 133.例文帳に追加

素子分離領域端から所定の距離ｄだけ離れるように設けられたレジストマスクを用いてイオン注入ろ行う従来技術のようにレジストマスクの合わせずれが生じることなく、素子分離領域１３の端からの距離ｄを安定化させて、ｐ型不純物領域１３３を安定化して形成することができる。 - 特許庁

A sliding member has, on its sliding surface, a thin coating film having a hydrogen content of less than 30 atomic %, the thin film being composed of a diamond-like carbon film or an amorphous carbon film, that are prepared by the plasma source ion injection process, wherein ions are injected by forming a plasma around a base material 3 and applying a negative pulse voltage to the base material.例文帳に追加

基材３の周囲にプラズマを形成し、基材に負のパルス電圧を印加することによってイオン注入を行うプラズマソースイオン注入法により作製したダイヤモンドライクカーボン膜あるいは非晶質カーボン膜であって、水素含有量が３０原子％未満である薄膜を摺動面に被覆した。 - 特許庁

In this light-receiving circuit and method of manufacturing the same, since the p-type light-absorbing layer of a single running carrier photodiode is formed in the undoped InGaAs layer corresponding to the collector of the heterojunction bipolar transistor, Be is doped into the p-type light- absorbing layer with the Be ion injection method having superior controllability of the doping profile in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、単一走行キャリアフォトダイオードのｐ形光吸収層をヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタに相当するアンドープＩｎＧａＡｓ層中に形成するため深さ方向ドーピングプロファイルの制御性に優れたＢｅイオン注入法を用い、ｐ形光吸収層にＢｅドープすることを特徴とする。 - 特許庁

Respective programmable elements are constituted of depletion type transistors D100, D101 being same as memory cells of a mask ROM apparatus, the depletion type transistors are programmed in a first program state of a conduction state in an ion injection process for memory cells of the mask ROM apparatus or in a second program state of a non-conduction state.例文帳に追加

プログラム可能な素子の各々はマスクＲＯＭ装置のメモリセルと同一の空乏型トランジスタＤ１００，Ｄ１０１で構成され、空乏型トランジスタはマスクＲＯＭ装置のメモリセルに対するイオン注入工程で導通状態の第１プログラム状態又は非導通状態の第２プログラム状態にプログラムされる。 - 特許庁

An SiGe film is formed on the top surface of a substrate which is composed of a silicon single-crystal layer with a surface azimuth (111) or (110), a buried crystal defect is introduced into the substrate by ion injection and annealing, and a semiconductor film is formed on the SiGe film.例文帳に追加

表面が（１１１）又は（１１０）の面方位のシリコン単結晶層からなる基板上面にＳｉＧｅ膜を形成し、イオン注入及びアニール処理を行って前記基板内に埋め込み結晶欠陥を導入し、前記ＳｉＧｅ膜上に半導体膜を形成することからなる半導体基板の製造方法。 - 特許庁

To provide an ion source and a method capable of using for a new source material (especially, a thermosensitive material such as new deca-borane and hydride, and a dimer containing compound) which is worthy of production, and to attain a new range of performance in a commercial ion injection of a semiconductor wafer.例文帳に追加

新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。 - 特許庁

To improve a barrier property for ion implantation, to avoid the ion implanting to an unwanted part and to prevent the peeling of a film, even when a heating process is present thereafter in the case of performing the ion injection, after forming high melting point metal silicide.例文帳に追加

高融点金属シリサイドの形成後に、イオン注入した場合に、そのイオン注入に対するバリア性が優れており、不要な部分へのイオン注入を回避できると共に、その後に加熱工程が存在しても膜の剥離を防止できる高融点金属ポリサイド構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic head which has a floating surface protective film made of only a thin carbon film maintaining a stable adhesion property without using a thin silicon film in order to thin the floating surface protective layer while reducing the dead layer as much as possible on the ion injection read/write element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁気ヘッド浮上面保護膜の薄膜化を推進するため、珪素薄膜を使用しないで、密着性を保ち、かつ、イオン入射によるリード/ライト素子へのデッドレーヤ形成を極力排除した炭素薄膜のみからなる浮上面保護膜をもつ磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The ion injection method enables an ion beam 52 to go through a plasma shower at the transportation area in front of a wafer 55 when the ion beam 52 extracted from an ion source is transported and injected to the wafer 55, and a plasma shower consisting of an arc chamber 10 and a shower tube 11 is placed near a resolving aperture body 54 at the downstream.例文帳に追加

イオン源から引き出されたイオンビーム５２を輸送してウエハ５５に注入するに際し、該イオンビームをウエハの手前の輸送区間においてプラズマシャワーを経由させるようにしたイオン注入方法であり、アークチャンバー１０とシャワーチューブ１１とによるプラズマシャワーをリゾルビングアパチャー体５４の下流側の直近位置に配置した。 - 特許庁

The spray plate 1 is one of main components of a spray nozzle 10 and includes a spray plate substrate 2 having a conically recessed portion 4A formed so as to be recessed upward from the bottom surface 3 and a through spray port 5 formed in the top of the conically recessed portion 4A and a diamond-like carbon film 6 formed on the surface of the spray plate substrate 2 by a plasma ion injection method.例文帳に追加

噴板１は噴霧ノズル１０の主要部品のひとつであって、底面部３から上向きに陥入して形成された錐陥部４Ａと、錐陥部４Ａの頂部に貫通形成された噴霧口５とを有して成る噴板基体２の表面に、プラズマイオン注入法によりダイヤモンドライクカーボン膜６を形成したものである。 - 特許庁

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed.例文帳に追加

シリコン基板１上に素子分離領域２を形成した後、Ｐウェル層３を形成し、これにしきい値電圧Ｖｔｈ調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度１Ｅ１４〔ｃｍ^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層６のエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

To provide a method of producing a magnetic recording medium having excellent smoothness of the surface, which reduces the risk of contamination, by significantly simplifying the manufacturing process compared with conventional magnetic layer working type or ion injection type production methods, in the method of producing the magnetic recording medium by depositing a magnetic layer on a base substrate and subsequently forming a magnetic pattern.例文帳に追加

本基板上に磁性層を成膜したのちに磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法において、従来の磁性層加工型やイオン注入型と比較して格段に製造工程を簡略化し、汚染リスクがすくなく、表面の平滑性に優れた磁気記録媒体が製造可能な方法を提供する。 - 特許庁

Further, the crystal defect generated nearby the silicon wafer surface due to the injection energy in the silicon injection stage S2 can be removed by removing a surface layer portion where the defect is generated owing to the ion injection energy.例文帳に追加

また、洗浄・熱処理（工程Ｓ３）により評価対象元素であるＦｅもウェハ中へ均一に拡散させた後、イオン注入エネルギーにより欠陥が生じた表層部分を除去する（工程Ｓ４）ことにより、イオン注入工程Ｓ２において注入エネルギーによりシリコンウェハ表面近傍に生じた結晶欠陥を除去することができる。 - 特許庁

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

The ion injection device further has: an ion source 7 ionizing an impure gas; a mass analyzer 8 extracting the impure ions to be injected into the wafer 2 among ionized impure ions; an acceleration tube 9 accelerating the extracted impure ions; and a lens 10 forming the accelerated impure ions in a desired beam shape.例文帳に追加

前記イオン注入装置は、不純物ガスをイオン化するイオン源７と、イオン化された不純物のうちウェーハ２に打ち込む不純物イオンを抽出する質量分析器８と、抽出された不純物イオンを加速させる加速管９と、加速された不純物イオンを所望のビーム形状に成形するレンズ１０とを更に具備する。 - 特許庁

The plasma processing method is used to form a silicon nitride film for a substrate 21 to be subjected to plasma processing by applying plasma of raw material gas containing silicon and hydrogen and a nitrogen containing gas, wherein a bias power for ion injection onto the substrate 21 is set higher than a threshold level, so that the increased Si-H coupling can reduce the compression stress.例文帳に追加

シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 - 特許庁

The inhomogenous ion injection device includes a wide ion beam generator which forms wide ion beams composed of a plurality of wide ion beams overlapping respectively on a plurality of regions of at least two places or more out of the total regions of a wafer, and a wafer rotating device which rotates the wafer in a fixed direction while the wide ion beams formed by the wide ion generator are irradiated.例文帳に追加

本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも２箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal plating material using a polymer material is characterized in that a polymer electrolytic material is used as the polymer material, ion injection is carried out onto the surface of the polymer electrolytic material via a mask having a predetermined pattern, and thereafter the polymer electrolytic material is subjected to nonelectrolytic plating.例文帳に追加

高分子材料を用いて金属メッキ材料を製造する方法であって、前記高分子材料として高分子電解質材料を用い、所定のパターンを有するマスクを介して当該高分子電解質材料の表面にイオン注入を行なった後、当該高分子電解質材料に無電解メッキを施すことを特徴とする金属メッキ材料の製造方法。 - 特許庁

Two-dimensional distribution previously specified for energy imparted depending on a distance from a primary ion injection point in a region where it exceeds the desorption energy of sample molecules is used as a blurring function for restoring an image to reduce the image blur of the mass spectrometry microscopic image which is formed by two-dimensionally displaying signal intensity with respect to each mass/charge ratio from an obtained two-dimensional mass spectrum.例文帳に追加

得られた二次元の質量スペクトルから質量/電荷比ごとに信号強度を二次元表示した質量分析顕微鏡像の像ボケを、一次イオンの入射点からの距離に応じた付与エネルギーについて試料分子の脱離エネルギーを超える領域で予め規定した二次元分布をボケ関数として用いて、画像復元により像ボケを低減する。 - 特許庁

On a surface of a fitting main body 10 made of aluminum alloy, a color alumite 11 formed by color alumite treatment, an inclined layer 12 inclinatorily formed with a specific element on the surface of the color alumite layer 11 by a plasma ion injection treatment, and a DLC (Diamond Like Carbon) layer 13 formed by a plasma ion filming treatment on the surface of the inclined layer 12, are formed.例文帳に追加

アルミニウム合金製の部品本体１０表面には、着色アルマイト処理により形成されたカラーアルマイト１１と、カラーアルマイト１１の表層側にプラズマイオン注入処理により特定の元素が傾斜状に形成された傾斜層１２と、傾斜層１２の表層側にプラズマイオン成膜処理により形成されたＤＬＣ層１３とが形成されている。 - 特許庁

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁