「"ion injection"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Ion injection layers for raising a threshold voltage are provided in channel regions of the driving MOS transistors M1, M4 and M7.例文帳に追加

閾値電圧を高くするイオン注入層を各駆動ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ４、Ｍ７のチャネル領域に設ける。 - 特許庁

To provide an ion injection method for extracting electrons from a plasma shower without an influence of the change of the ion beam diameter.例文帳に追加

プラズマシャワーからの電子引出しがイオンビーム径変化の影響を受けずに済むようなイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to remove 11 boron from the ion injection face prior to the lamination with a wafer 20 for a supporting substrate.例文帳に追加

よって、支持基板用ウェーハ２０との貼り合わせ前にイオン注入面から１１ボロンを除去することができる。 - 特許庁

The semiconductor layer 13 is formed by an ion injection process and an activation annealing process in the semiconductor formation process.例文帳に追加

半導体層形成工程では、イオン注入工程と活性化アニール工程とで半導体層１３を形成している。 - 特許庁

Thus, the adjustment of a sheet resistance of the ion injection resistor R3 adjusts the rate of change of the ion injection current Io to the change of Vcc and more reduces Vcc dependence of gm so that the said versatility can be increased.例文帳に追加

こうしてイオン注入抵抗Ｒ３のシート抵抗値を調整することによって、Ｖｃｃの変化に対する基準電流Ｉｏの変化率を調整し、ｇｍのＶｃｃに対する依存性を一層小さくし、汎用性を拡大することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer for extremely efficiently manufacturing an epitaxial wafer where a plurality of epitaxial layers are laminated through an embedded ion injection layer, and for reducing the lateral diffusion of the formed ion injection layer.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion-doping apparatus that can suppress production of particles at ion injection, and a thin-film semiconductor apparatus that has improved productivity and superior switching property by means of this ion- doping apparatus.例文帳に追加

試料にイオン注入する際にパーティクルの発生を抑制することのできるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, ion injection is performed by a second acceleration voltage higher than the first acceleration voltage, thereby to form a second ion layer 320.例文帳に追加

続いて第１の加速電圧より高い第２の加速電圧でイオン注入を行い第２イオン層３２０を形成する。 - 特許庁

Ion injection is performed by a first acceleration voltage with respect to the inter-layer insulating film 140, thereby to form a first ion layer 310.例文帳に追加

層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。 - 特許庁

In a step 31 for the calculation of ion distribution, assumed ion distribution which is generated with a (n+1)th ion injection is calculated.例文帳に追加

イオン分布算出ステップ３１は、第（ｎ＋１）回目のイオン注入によって生じると想定されるイオン分布を算出する。 - 特許庁

In the oxidation step, the treatment of oxidizing the cured layer formed on the surface of the resist film pattern by the ion injection is performed.例文帳に追加

酸化工程では、イオン注入によりレジスト膜パターンの表面部に形成された硬化層を酸化する処理が実施される。 - 特許庁

Cleavage and separation are performed with the hydrogen ion injection part 151 by thermal treatment, and the unnecessary part of the SOI substrate 150 is eliminated.例文帳に追加

そして、熱処理により水素イオン注入部１５１で劈開分離させ、ＳＯＩ基板１５０の不要部分を除去する。 - 特許庁

The termination region is formed by single-step ion injection in which the kind of impurity and injection energy are fixed.例文帳に追加

終端領域は、不純物の種類および注入エネルギーを固定した１段階のイオン注入によって形成される。 - 特許庁

To provide an ion generation device which enables a long-time and stable ion injection, an ion radiation device, and a filament used for the ion radiation device.例文帳に追加

長時間、安定したイオン注入が効能なイオン発生装置、イオン照射装置、それに用いるフィラメントを提供する。 - 特許庁

In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on a surface of the substrate into which the ions are injected in the ion injection step.例文帳に追加

カーボン層形成工程では、イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a photoresist pattern by which the residual film rate can be controlled while securing the doping angle for ion injection.例文帳に追加

イオン注入のためのドーピング角を確保して残膜率を調節できるフォトレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, a p floating region 51 is formed by carrying out ion injection and thermal diffusion processing from the bottom of the trench 21.例文帳に追加

次に，トレンチ２１の底部からイオン注入および熱拡散処理を行うことでＰフローティング領域５１を形成する。 - 特許庁

Then, mask processing and ion injection are sequentially repeated to form the N-type and P-type gate electrodes 10, 12 (ST17).例文帳に追加

その後、マスク処理とイオン注入を順に繰り返し、Ｎ型及びＰ型のゲート電極１０、１２を形成する（ＳＴ１７）。 - 特許庁

To realize a process of ion injection into a high-density diamond, which has been impossible substantially.例文帳に追加

従来の手法は、イオン注入による不純物元素添加によりダイヤモンドに電気伝導性を付与する手法としてある程度有効である。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises an ion injection step, a carbon layer formation step, an ion activation step, and a removal step.例文帳に追加

半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、除去工程と、を含む。 - 特許庁

To provide an ion injection method of injecting ions at an arbitrary infiltration depth without reducing an amount of ions per unit area.例文帳に追加

単位面積当たりのイオン量が減少することなく、任意の浸透深さでイオンを注入できるイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

Resistances of the epitaxial layer 2 and the semiconductor substrate 1 are heightened, and the crystal defect is removed, by performing ion injection into the opening part.例文帳に追加

その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。 - 特許庁

The resist film pattern that has been used as an ion injection mask is removed by going through the steps of oxidation, swelling, and removal.例文帳に追加

イオン注入マスクとして使用されたレジスト膜パターンが酸化工程、膨潤化工程、除去工程を順に経ることにより除去される。 - 特許庁

Impurity ions 42 are injected to form an impurity ion injection area 52 on the semiconductor substrate 12, which is the outside of a lower end 32ba.例文帳に追加

不純物イオン４２を注入して、下端部３２ｂａ外である半導体基板に、不純物イオン注入領域５２を形成する。 - 特許庁

Arsenic and antimony are ion-injected to the laminated side face of a wafer 10 for an active layer, and then the ion injection face is etched by 5 to 20 nm.例文帳に追加

ヒ素、アンチモンを活性層用ウェーハ１０の貼り合わせ側の面にイオン注入後、このイオン注入面を５〜２０ｎｍエッチングする。 - 特許庁

To sufficiently increase a bit line voltage value in reading data without adding an ion injection process for adjusting a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧調整のためのイオン注入工程の追加を行うことなく、データ読み出し時のビット線電圧値を十分大きくする。 - 特許庁

A resist pattern 54 used for patterning at the 1st stage is used as it is for ion injection in the base region 35.例文帳に追加

そしてこの第１段階目のパターニングに使用したレジストパターン５４をそのまま用いて、ベース領域３５のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

Energy is given to ions 2 (B+ beams) having plus charges from the ion generation source of the ion injection device 1, and a wafer 3 is irradiated with the beam.例文帳に追加

イオン注入装置１のイオン発生源よりプラスの電荷を持ったイオン２（Ｂ^+ ビーム）にエネルギーを与え、ウエハ３に照射する。 - 特許庁

At this moment, correspondence relation between the size of the gate electrode 102 and an ion injection condition which can set the threshold voltage of a transistor to a prescribed value is previously found out, and the ion injection condition is set on the basis of the correspondence relation and the measured size of the gate electrode 102.例文帳に追加

ここで、トランジスタのしきい値電圧を所定値に設定できる、ゲート電極１０２の寸法とイオン注入条件との対応関係を予め求めておき、当該対応関係とゲート電極１０２の測定寸法とに基づいてイオン注入条件の設定を行なう。 - 特許庁

To solve the problem, wherein when an organic SOG film, used as an interlayer insulating film of a semiconductor device, is to be reformed through ion injection, the film cracks occur.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜を、イオン注入により改質する際、クラックが発生する。 - 特許庁

In the plasma ion injection method, a pulse bias voltage of -15 to -3 kV is preferably applied to a high-frequency power source.例文帳に追加

プラズマイオン注入法においては、高周波電源に対しマイナス１５ｋＶ以上マイナス３ｋＶ以下のパルスバイアス電圧を印加して行なうと、より好ましい。 - 特許庁

In this case, the ion injection is carried out under a condition that the low density source region 1b, 95 and the low density drain region 1c, 93 are able to reach a base insulating film 12.例文帳に追加

この際、低濃度ソース領域１ｂ、９５、および低濃度ドレイン領域１ｃ、９３が下地絶縁膜１２に届く条件でイオン注入する。 - 特許庁

At that time, the energy of the impurity ion injection is set so that the depletion layer of the n+-type semiconductor region 15 can be prevented from reaching an SOI insulation layer 2.例文帳に追加

この時、不純物イオン注入のエネルギーはｎ^+型半導体領域１５の空乏層がＳＯＩ絶縁層２まで達しないように設定する。 - 特許庁

Since the ion injection is performed in the state with crystal defects repaired, the crystal defects of the semiconductor substrate 10 is reduced.例文帳に追加

結晶欠陥が修復された状態でイオン注入を行うことができるので、半導体基板１０の結晶欠陥を低減することができる。 - 特許庁

To provide a charge up restraint device which can irradiate electrons on ion beam irradiation region of a substrate with excellent uniformity, and an ion injection device.例文帳に追加

高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができるチャージアップ抑制装置およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Concretely, after being performed in a manner not to increase the number of processes, ion injection for threshold control is performed, and a positive charge is charged by boron ion.例文帳に追加

具体的には、工程増を招くことのないように、デスカムを行った後に閾値制御のイオン注入を行い、ホウ素イオンにより正電荷に帯電させる。 - 特許庁

In addition, increase in the energy is not required at the ion implantation eliminates the need for providing an ion implantation device, capable of conducting the ion injection with enormous energy.例文帳に追加

また、イオン注入時のエネルギーを高くしなくても済むため、莫大なエネルギーでのイオン注入が行えるイオン注入装置を備える必要も無くなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming a pocket area by using indium and decreasing the increase of leak current by ion injection of indium.例文帳に追加

インジウムを用いてポケット領域を形成し、かつインジウムのイオン注入によるリーク電流の増加を低減することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The ion injection device 1 comprises an ion irradiation part 11 which can irradiate ions under different conditions for each of a plurality of regions on a treatment board.例文帳に追加

イオン注入装置１は、処理基板上の複数の領域のそれぞれに対して異なる条件でイオンを照射可能なイオン照射部１１を含む。 - 特許庁

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR CONTINUOUS SURFACE MODIFICATION OF POLYMER FILM, APPARATUS FOR CONTINUOUS SURFACE MODIFICATION AND POLYMER FILM IN WHICH ION INJECTION LAYER IS FORMED例文帳に追加

高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム - 特許庁

After forming the oxide film 2 on the semiconductor substrate 1, a p^+-type diffused layer 3 is formed on the cortex of the semiconductor substrate 1 by ion injection.例文帳に追加

半導体基板１の上に酸化膜２を形成した後、半導体基板１の表層にＰ^＋型拡散層３をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of restraining electric characteristics from lowering and threshold voltage from varying owing to ion injection.例文帳に追加

イオン注入を行うことに起因する電気的特性の低下およびしきい値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The ion injection system feeds back an injected wafer characteristic data, extracts an area having deterioration tendency within the surface of a wafer 20, compensates a driving speed by an up and down mechanical driving speed controller 17 corresponding to the area and transmits to an ion injection part 2, and drives ion beam 12 to the area having deterioration tendency by changing the driving speed.例文帳に追加

注入されたウェハの特性デ−タをフィ−ドバックし、ウェハ２０面内の悪化傾向のある領域を抽出し、その領域に対応する上下メカニカル駆動速度制御部１７による駆動速度を補正しイオン注入部２に転送し、駆動速度を変えイオンビ−ム１２を悪化傾向の領域に駆動する。 - 特許庁

A low voltage driven n-channel transistor LV-N-LVt of a low threshold value type is formed directly on a p-type silicon substrate 1 without forming a well, and a process is reduced by integrating the ion injection process for the threshold value adjustment with the ion injection process for the threshold value adjustment of other transistor.例文帳に追加

低閾値型の低電圧駆動ＮチャンネルトランジスタＬＶ−Ｎ−ＬＶｔをウェルを形成せず、直接Ｐ型のシリコン基板１に形成するようにし、閾値調整のためのイオン注入工程を他のトランジスタの閾値調整のためのイオン注入工程と統合させることで工程の短縮を図る。 - 特許庁