「"ion injection"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a static deflector of an ion planter in which the instability of uniformity of an ion injection is solved that is incurred with or without space electric charge effect principally by a simple constitution.例文帳に追加

主として、簡単な構成で空間電荷効果の有無によるイオン注入の均一性の不安定さを解消したイオン注入装置の静電偏向器を提供する。 - 特許庁

To provide an inspection device and inspection method capable of inspecting whether or not ions are injected to a desired position in an ion injection process by use of a stencil mask.例文帳に追加

ステンシルマスクを用いたイオン注入工程においても、所望の位置にイオンが注入されたか否かを検査できる検査装置および検査方法を提供する。 - 特許庁

Source and drain regions are formed, by injecting arsenic into a gate 15 of a low-breakdown-voltage N-channel MOS transistor M1 through arsenic ion injection.例文帳に追加

また、ヒ素のイオン注入により、低耐圧のＮチャネルＭＯＳトランジスタＭ１のゲート１５にヒ素を注入すると共に、ソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same in which the same ion injection process is performed on silicon layers embedded in trenches and on silicon layers formed on a semiconductor substrate between multiple trenches to form conductive layers.例文帳に追加

トレンチ内に埋め込まれたシリコン層と複数のトレンチ間の半導体基板上に形成されたシリコン層とを同じイオン注入を行ない導電層とすること。 - 特許庁

A projection range measured from a surface at the side of the silicon nitride film 2 of the hydrogen introduced through the ion injection to the base material is present in the silicon substrate 1.例文帳に追加

窒化膜付き基材へのイオン注入により導入される水素の窒化シリコン膜２側の表面から測定した投影飛程はシリコン基板１中に存在する。 - 特許庁

The bearing needing no lubricating oil is manufactured by performing hard coating having excellent close adhesion property on a surface of the bearing rolling element using a plasma ion injection method.例文帳に追加

プラズマイオン注入法を用いて、ベアリング転動体の表面に密着性の優れた硬質コーティングを行うことによって、潤滑剤を必要としないベアリングを作製する。 - 特許庁

The radiation energy generated by the ion injection into the disk 9 is absorbed by the black electrode body 10, and as a result, temperature increase in the disk 9 is suppressed.例文帳に追加

ディスク９へのイオン注入により生じた放射エネルギーは、黒色の電極体１０によって吸収され、その結果ディスク９の温度上昇が抑制される。 - 特許庁

Then the rear of the substrate is ground to the separate layer (step S5) and a collector layer is formed by second conductive impurity ion injection and annealing (step S6).例文帳に追加

その後は分離層に達するまで基板裏面を研削し（ステップＳ５）、第２導電型不純物のイオン注入とアニールによりコレクタ層を形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

To provide a technique capable of securely removing any metal-based contaminant adhering to a semiconductor substrate in impurity ion injection process into the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中への不純物イオンの注入工程時において半導体基板に付着した金属系汚染物を確実に除去できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide an ion injection device injecting ions while controlling an affection resulting from channeling for each substrate to be treated by measuring a surface direction for each substrate.例文帳に追加

被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion injection device capable of measuring and calibrating acceleration energy of an ion beam more effectively, simply, and safely, and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

より実効的、簡便、かつ安全にイオンビームの加速エネルギーを測定・校正することのできるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加

素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

After growing GaAs in which Sn is doped by a liquid phase growth method, Ni is doped into the GaAs by an ion injection method, then, a heat processing is applied to the GaAs to remove the damage caused by the ion injection method, thereby producing Ni-Sn doped GaAs phosphor having the good light-emitting property of donor-acceptor pair.例文帳に追加

ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 - 特許庁

To provide a method for producing an intrinsic Josephson tunnel device which produces the intrinsic Josephson tunnel device without necessitating high grade and complicated technologies such as ion injection, ion beam etching, and lithography.例文帳に追加

イオン注入やイオンビームエッチングおよびリソグラフィーなど高度で複雑な技術を要することなく、固有ジョセフソントンネルデバイスを作製する固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for reducing the unevenness of the opening part size of a mask for code ion injection and reducing the unevenness of the threshold value of a transistor as the result.例文帳に追加

本発明の目的は、コードイオン注入用マスクの開口部寸法のばらつきを低減し、その結果としてトランジスタの閾値のばらつきを低減させる製造方法を提供することである。 - 特許庁

A thick insulator region, which is formed by an oxygen-ion injection process, is formed on a surface of a semiconductor substrate under a winding-shaped strip of conductive film configuring an inductance element.例文帳に追加

インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。 - 特許庁

On an n^+ substrate as an n^+ drain region 11; an n^- drift region 12, a p^- body region 41, and an n^+ source region 31 are formed by epitaxial growth and ion injection.例文帳に追加

まず，Ｎ^+ ドレイン領域１１となるＮ^+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりＮ^- ドリフト領域１２，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^+ ソース領域３１を形成する。 - 特許庁

The upper layer resistors 7a and 7b and the lower layer resistors 9a, 9b and 9c are formed simultaneously by impurity ion injection to the semiconductor layer 3 and have the same resistivity.例文帳に追加

上層抵抗体７ａ，７ｂと下層抵抗体９ａ，９ｂ，９ｃは、半導体層３への不純物イオン注入によって同時に形成されたものであり、かつ、同じ抵抗率をもつ。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has a high-density impurity layer formed by ion injection at an element separation region end so that the element separation region does not come into contact with a depletion layer, pixel portions being downscaled.例文帳に追加

素子分離領域に空乏層が接しないように、イオン注入により高濃度不純物層を素子分離領域端に形成した固体撮像素子において、画素部の微細化を図る。 - 特許庁

To provide a gate electrode for controlling generation of crystal defects due to the stress in the heat treatment while break of the gate electrode by ion injection is prevented, and also to provide a method of manufacturing the gate electrode.例文帳に追加

イオン注入によるゲート電極の突き抜けを防止しながら、熱処理時の応力発生による結晶欠陥の発生をも抑制するゲート電極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By moving the first link 115 and the second link 120 by a predetermined distance by the actuation of an end effector 140, ion injection is conducted while the substrate is linearly moved relative to the base 105 (not illustrated).例文帳に追加

エンドエフェクタ１４０の作動により、第１リンク１１５及び第２リンク１２０に所定の移動をさせ、基部１０５に関して（図示されない）基板の直線移動をしながら、イオン注入がなされる。 - 特許庁

Then, based on the detected quantity of the secondary electrons detected by the secondary-electron detecting sensor, irradiation control of the ion beam is carried out, and at the same time, ion injection into the semiconductor board by ion beam is carried out.例文帳に追加

また、２次電子検出センサで検出した２次電子の検出量に基づいてイオンビームの照射制御を行ないながら半導体基板へのイオンビームによるイオン注入を行なう。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer including an electron capture dissociation reactor low in efficiencies of electron injection and ion injection and capable of obtaining an electron capture dissociation spectrum at high speed.例文帳に追加

電子の導入効率およびイオンの導入効率が低く、高速の電子捕獲解離スペクトルを取得することが可能な電子捕獲解離反応装置を備えた質量分析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a multivalent ion irradiation device capable of controlling spatially precisely and accurately ion injection amount or the like using low-speed multivalent ions, and a manufacturing method of a fine structure using the same.例文帳に追加

低速の多価イオンを用いて空間的に正確で、かつ、イオン注入量などを精密に制御できる多価イオン照射装置及びそれを用いた微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electromagnet for mass separation having an electromagnet, in which a sufficient mass separating function is displayed in response to a wide range of energy and ion mass, and to provide an ion injection device.例文帳に追加

広いエネルギー、及び、広いイオン質量の範囲に対応して十分な質量分離機能を発揮できる電磁石を備えた質量分離用電磁石とイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The heat radiation structure constituted of a recess or a convex part which is independent of crystal orientation can be formed by carrying out dry etching, wet etching, impurity ion injection and wet etching in this order.例文帳に追加

放熱構造は、ドライエッチング、ウエットエッチング、不純物イオンを注入した後ウエットエッチングを行うことで、結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部からなる放熱構造を形成することができる。 - 特許庁

To realize an ion injection device which is easy to handle and can reduce power consumption with a simple structure by an assembly which can adjust uniformity of the current density of a ribbon form continuous ion beam.例文帳に追加

リボン状連続イオンビームの電流密度の均一性を調整可能とする組立体で操作が簡単で、単純な構造の電力消費量を削減できるイオン注入装置が望ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method remarkably improving cost performance of the semiconductor device by applying an oxygen ion injection process and an annealing process to the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

酸素イオン注入工程とアニール工程を半導体装置の製造方法に応用し、半導体装置のコストパフォーマンスを著しく向上させた半導体装置とその製造方法の提供。 - 特許庁

A sacrifice oxide layer is caused to grow on the surface of a semiconductor, a first subset of line elements is exposed to ion injection beams including dopant seeds, the first subset it doped, and its etching rate is varied.例文帳に追加

半導体表面上で犠牲酸化物層を成長させ、ライン要素の第１サブセットを、ドーパント種を含むイオン注入ビームに露出させて、この第１サブセットをドープし、そのエッチング速度を変化させる。 - 特許庁

Consequently, heavy metal contamination (c) can be eliminated not only in the oxygen ion injection and its heat treatment for forming a buried silicon oxide film, but also in the heat treatment in the device process.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜を形成するための酸素イオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、重金属汚染ｃをなくすことができる。 - 特許庁

In manufacturing the circuit substrate having: the semiconductor circuit on the semiconductor substrate; and an ion injection layer under the semiconductor circuit on the semiconductor substrate into which the ion for cleavage separating the semiconductor substrate is injected, the ion for the cleavage separation existing in the semiconductor circuit is removed from the semiconductor circuit while keeping the ion in the ion injection layer.例文帳に追加

半導体基板上に半導体回路を有し、上記半導体基板内における上記半導体回路の下に、上記半導体基板を劈開分離するイオンが注入されたイオン注入層を有する回路基板を製造するに際し、上記イオン注入層中のイオンを保持したまま上記半導体回路から該半導体回路中に存在する上記劈開分離のためのイオンを脱イオンする。 - 特許庁

To promote high speed operation by optimizing an ion injection angle in the case of forming a pocket region in a logic part concerning a semiconductor integrated circuit device having a memory part and the logic part on the same wafer.例文帳に追加

同一半導体基板上にメモリ部とロジック部とを有する半導体集積回路装置において、ロジック部にポケット領域を形成する際のイオン注入角度を最適化することによって、高速動作を推進する。 - 特許庁

In addition, after the inside of the contact hole is filled with a metal 28 such as tungsten, an impurity area 32 is formed only on the lower part of the gate electrode 16 by ion injection over the whole active area.例文帳に追加

また、コンタクトホール内をタングステンのような金属２８で充填した後、活性領域の全体に亙ってイオン注入工程を実施することにより、ゲート電極１６の下部にのみ不純物領域３２を形成する。 - 特許庁

The irradiation damage generated with this is serially and continuously annealed by irradiating with laser beams simultaneously with ion injection.例文帳に追加

本願発明においては、試料を低温に保ちながらイオン注入を行い、それに伴って生成される照射損傷をイオン注入と同時にレーザー光を照射することにより逐次連続的にアニールする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide MOS semiconductor device whose pressure-resistant non-defectiveness rate is hardly deteriorated even when a high impurity density surface is formed by ion injection of high doze quantity necessary for satisfactory ohmic contact.例文帳に追加

良好なオーミック接触に必要な程度の高ドーズ量のイオン注入によって、高不純物密度表面を形成しても、耐圧良品率が低下し難い炭化珪素ＭＯＳ型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce the number of ion injection times and masks and simplify a step in order to create a path for connecting a green photosensitive layer and a red photosensitive layer with an active pixel sensor circuit formed on a silicon surface.例文帳に追加

緑色感光層と赤色感光層をシリコン表面に形成されるアクティブピクセルセンサ回路に連結するための経路を作るために、イオン注入及びマスクの数を低減し、工程を単純化するようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus and its manufacturing method which does not require an ion injection for a threshold value adjustment corresponding to each individual in a low voltage driven transistor with a different threshold value to form the same conductive type channel.例文帳に追加

同じ導電型のチャンネルを形成する閾値の異なる低電圧駆動トランジスタで、閾値調整のためのイオン注入を個別に対応させて行う必要のない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which ions can be injected into a deep region without performing ion injection with high energy, the number of processes can be reduced and a breakdown voltage close to an ideal withstand voltage can be obtained.例文帳に追加

高エネルギーでイオン注入することなく深い領域までイオン注入することができ、工程数を抑えるとともに、理想耐圧に近い降伏電圧を得ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

This is the mass spectrometer having an ion source (11), an ion injection device (12), an electric field generation means restricted by specially shaped electrodes (14, 16), and a detector (18) for detecting ions.例文帳に追加

イオン源（１１）と、イオン注入装置（１２）と、特殊形付きの電極（１４，１６）によって限定される電場発生手段と、イオンを検出するための検出器（１８）とを有する質量分析計が提供される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can improve resist removability by reducing the setting area of resist and its size precision and prevent the photoresist from being charged up during ion injection.例文帳に追加

イオン注入の際に、フォトレジストの硬化する面積を減少させてレジスト除去性を改善し、かつ、その寸法精度の向上が図れ、フォトレジストのチャージアップをも防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a material having the same range of ion injection with SiC is used for the mask 9 in the tapered shape, the taper angle of the mask 9 is 30 to 60° and when SiO^2 is used, the taper angle is 20 to 45°.例文帳に追加

また、テーパ形状の同一マスク９の材料として、イオン注入の飛程がＳｉＣと同じ材料を用いた場合、マスク９のテーパ角度を３０°〜６０°とし、ＳｉＯ_２を用いた場合、２０°〜４５°とする。 - 特許庁

A longitudinal MOSFET which uses SiC has its source region 4 and base region 5 formed by ion injection by using the same mask 9 in a tapered shape and then the base region 5 is formed in the tapered shape.例文帳に追加

ＳｉＣを用いた縦型のＭＯＳＦＥＴにおいて、ソース領域４とベース領域５とを、テーパ形状の同一マスク９を用いてイオン注入を行うことにより形成し、ベース領域５の形状をテーパ形状とする。 - 特許庁

To provide a forming method of a dual gate oxide film, in which twice thermal processes or ion injection which may cause the complexity of processes and damages to a semiconductor substrate are not required, and a manufacturing method of a semiconductor element utilizing the forming method.例文帳に追加

工程の複雑性及び半導体基板の損傷を引き起こす、２回の熱工程やイオン注入を行わないデュアルゲート酸化膜を形成する方法及びそれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 2 and a polysilicon film 3 for an electrode whose thickness is 200 nm are formed on a semiconductor substrate 1, and ion injection 4 is carried out with a polysilicon film 3 for an electrode as a mask so that an impurity diffusion layer 5 can be formed.例文帳に追加

半導体基板１上に、ゲート絶縁膜２と厚さ２００ｎｍの電極用ポリシリコン膜３とを形成した後、電極用ポリシリコン膜３をマスクとしてイオン注入４を行ない、不純物拡散層５を形成する。 - 特許庁