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「-ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(568ページ目) - Weblio英語例文検索
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-ionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 30833



例文

The lithium-ion secondary battery is structured by a positive electrode and a negative electrode capable of electrochemically storing and releasing lithium and a nonaqueous electrolyte, the negative electrode having a negative electrode active material at least including crystalline substances Ta_2O_5 has a charging potential of 0.5 V or more to a lithium standard pole.例文帳に追加

リチウムを電気化学的に吸蔵および放出可能な正極、負極および非水電解質から構成されるリチウムイオン二次電池において、少なくとも結晶質のTa_2O_5を含む負極活物質を有する負極において、前記負極の充電電位をリチウム基準極に対して0.5V以上とする。 - 特許庁

After forming a groove 12 in the insulating layer 11 formed on a semiconductor substrate 10, a barrier metal layer 13 is formed on the insulating layer 11 by an ALD method to cover the side faces and the bottom face of the groove 12, and impurity layers 14, 17 are formed on the surface thereof according to an ion implantation method or ALD method.例文帳に追加

半導体基板10上に形成された絶縁層11内に溝12を形成した後、溝12の側面及び底面を覆うように、絶縁層11上にALD法でバリアメタル層13を形成し、その表面に、イオン注入法またはALD法により不純物層14、17を形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing the field-effect transistor comprises a step of forming an oxide film 14 on a silicon substrate 12, a step of forming a polysilicon electrode film 16 on the oxide film 14, and a step of supplying deuterium ions to the interface between the oxide film 14 and silicon substrate 12 through the polysilicon electrode film 16 by means of an ion implanter.例文帳に追加

本発明は、シリコン基盤12上に酸化膜14を形成するステップと、酸化膜14の上にポリシリコン電極膜16を形成するステップと、ポリシリコン電極膜16を介して、酸化膜14とシリコン基盤12との界面に、イオン注入機により重水素イオンを供給するステップとにより構成される。 - 特許庁

Further, the positive electrode active substance for the lithium ion secondary battery can be manufactured by a method of baking a raw material mixture in an atmosphere of oxygen density 0.5 to 5 vol.% or by a method of baking the raw material mixture at 700°C or less and of carrying out a process of baking and crushing twice or more.例文帳に追加

また本発明のリチウムイオン二次電池用正極活物質は、原料混合物を酸素濃度0.5〜5体積%の雰囲気中にて焼成する方法、又は原料混合物を700℃以下で焼成しかつ焼成と粉砕の工程を2回以上行う方法によって製造することができる。 - 特許庁

例文

The resist mask Re1 is used as an etching mask, the Al film 22x is patterned, an Al mask 22 as an intermediate mask is formed, the resist mask Re1 and the Al mask 22 are used as an etching mask; and the silicon dioxide film 21x is patterned so that a silicon dioxide mask 21 can be formed as an ion implantation mask.例文帳に追加

レジストマスクRe1をエッチングマスクとして用い、Al膜22xをパターニングして中間マスクであるAlマスク22を形成し、レジストマスクRe1及びAlマスク22をエッチングマスクとして用いて、二酸化珪素膜21xをパターニングしてイオン注入マスクである二酸化珪素マスク21を形成する。 - 特許庁


例文

To provide a single crystal for a scintillator sufficiently excellent in fluorescence property, which uses a single crystal of a specific cerium-activated silicate compound, particularly uses, as Ln, at least one element having a smaller ion radius than that of Tb being selected from a group consisting of Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y and Sc.例文帳に追加

特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にLnとしてイオン半径がTbよりも小さいDy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y及びScからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。 - 特許庁

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof.例文帳に追加

ソース領域9とドレイン領域10の少なくとも一部では、ゲート電極7の形成前にトレンチ部3の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部3の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。 - 特許庁

Then, it calculates a degree of displacement again with the view magnification when registering the mark while comparing the position of the mark detected with the view magnification when registering the mark with the position of the mark when registered, and executes the processing of the processed pattern after shifting a processing ion beam irradiation position the degree of displacement from the registration position of the processed pattern.例文帳に追加

その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 - 特許庁

Lithium and others (that is to say, any one or both of lithium 20 and a lithium compound 30) are composed to be coated on the surface with a coat material (a high polymer material and an organic material) which emits electrons from the lithium and others when charging voltage in a prescribed range higher than a maximum charging voltage of a lithium ion secondary battery is applied.例文帳に追加

リチウム等(すなわちリチウム20およびリチウム化合物30のうちで一方または双方)は、リチウムイオン二次電池の最大充電電圧よりも高い所定範囲の充電電圧が印加されるとリチウム等から電子を放出するコート材料(高分子材料や有機材料)で表面がコーティングされる構成とした。 - 特許庁

例文

In this deterioration diagnosis device of a polymer electrolyte fuel cell having a structure composed by catching a fuel electrode, an air electrode and a polymer electrolyte membrane (ion exchange membrane) arranged between them by a separator, the deterioration of a cell located at an end part of a supply passage for a fuel gas to the fuel electrode is intensively diagnosed.例文帳に追加

燃料極と空気極とこれらの間に配設された高分子電解質膜(イオン交換膜)とがセパレータによって狭持された構造をもつ固体高分子形燃料電池の劣化診断方法において、燃料極への燃料ガスの供給路の末端部に位置するセルを集中して劣化診断する。 - 特許庁

例文

In an SIMOX substrate where an oxide ion is implanted to a silicon mono-crystal substrate, and high temperature heat treatment is carried out to form an embedded oxide layer and a surface silicon layer, the density of the through-displacement failure of an SOI layer is set so as to be 100 pieces/cm^2.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入し、その後高温熱処理を施すことにより、埋め込み酸化層および表面シリコン層を形成するSIMOX基板において、SOI層の貫通転位欠陥の密度が100個/cm^2 未満であることを特徴とするSIMOX基板である。 - 特許庁

Afterwards, a determination is made on whether or not a present operation area falls within a fuel cut permission area (102), and when falling within the fuel cut permission area, the existence of combustion abnormality (a misfire or incomplete combustion) is determined by whether or not the ion current peak value Ib is a combustion abnormality determining threshold value Io or less (103).例文帳に追加

この後、現在の運転領域が燃料カット許可領域内であるか否かを判定し(102)、燃料カット許可領域内であれば、イオン電流ピーク値Ib が燃焼異常判定しきい値Io 以下であるか否かで、燃焼異常(失火又は不完全燃焼)の有無を判定する(103)。 - 特許庁

The soil improving fertilizer comprises: a carbon material wherein a carbonized material 9 obtained by carrying out a carbonizing treatment of a raw material plant 5 is made to contact with an acid solution 12 so that the carbon material is made to combine anions that enable ion-exchange with anions to be adsorbed and is given an anionic adsorption character; or including the carbon material.例文帳に追加

原料植物5を炭化処理して得られる炭化物9に酸溶液12を接触させることにより、吸着対象の陰イオンとイオン交換が可能な陰イオンを結合させて陰イオン吸着特性を持たせた炭素材料からなるか、または前記炭素材料を含んで構成されている。 - 特許庁

In the heat exchanger 1 for a fuel cell powered vehicle with tank members 6 respectively provided on both ends of a core part 5 with alternately laminated tubes 2 introduced with pure water as a refrigerant, and cooling fins, each tank member 6 is formed by a resin material, and an ion elution preventing layer 9 is formed in an inner face.例文帳に追加

冷媒として純水が導入されるチューブ2と冷却フィンとを交互に積層したコア部5の両端にタンク部材6をそれぞれ設けた燃料電池自動車用の熱交換器1であって、各タンク部材6を樹脂材にて形成し、この内面にイオン溶出防止層9を形成した。 - 特許庁

Hydrogen storage alloy particles (C) subjected to catalyzing treatment are subjected to electroless composite plating treatment in a dispersed solution obtained by dispersing a titanium based compound (B) into an electroless plating solution (A) comprising a nickel ion source, thus a nickel metal-coated layer in which the titanium based compound (B) is dispersed is formed on each surface of the particles (C).例文帳に追加

ニッケルイオン源を含む無電解めっき液(A)中にチタン系化合物(B)を分散させてなる分散液中で、触媒化処理した水素吸蔵合金粒子(C)を無電解複合めっき処理することにより、チタン系化合物(B)が分散したニッケル金属被覆層を該粒子(C)の表面に形成させる。 - 特許庁

Hydrogen ion concentration in the soil or in the ditch is kept at a pH of 8.5 or higher so that the sulfate-reducing bacteria cannot become active, when the cable is embedded directly in the soil, in which the sulfate reducing bacteria exist or even when the soil or water in which the sulfate- reducing bacteria exist accumulates or pours into the ditch.例文帳に追加

硫酸塩還元菌が存在する土で直接埋設したり、硫酸塩還元菌が存在する土や水が上記溝内に堆積、流入しても硫酸塩還元菌が活動しないように上記、土や溝内の水素イオン濃度をpH8.5以上にすることを特徴とする電力ケーブルの埋設方法を提供する。 - 特許庁

The aim of the cleaning can be fully achieved, and electric heat generating capacity by the electric cleaning mechanism 79 need not be very high, so that the apparatus can be simplified when the stain adhered to an edged tip part of the electrode 7 contributing to ion generation is selectively removed.例文帳に追加

この場合、イオン発生に寄与する電極7の先鋭な先端部に付着した汚れを選択的に除去するようにすれば、クリーニングの目的は十分に果たすことができ、かつ電気的クリーニング機構による電気的発熱能力をそれほど高くしなくともよいから、装置の簡略化にも寄与する。 - 特許庁

In the storage element 1 laminating a lower electrode 10, a memory layer 20 and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance change layer 22 including a layer containing the most tellurium (Te), and an ion source layer 21 containing aluminum (Al) within the range of 27.7-47.4 atom%.例文帳に追加

下部電極10、記憶層20および上部電極30をこの順に積層した記憶素子1において、記憶層20はテルルを(Te)を最も多く含む層を有する抵抗変化層22と、アルミニウム(Al)を27.7原子%以上47.4原子%以下の範囲内で含有するイオン源層21とを有する。 - 特許庁

The stabilizing solution for a silver halide color photographic sensitive material used in a process of developing the silver halide color photographic sensitive material has a silver ion concentration of 0.4-4.0 g/L and contains a compound represented by general formula (I).例文帳に追加

ハロゲン化銀カラー写真感光材料の現像処理プロセスで用いるハロゲン化銀カラー写真感光材料の安定化処理液において、銀イオン濃度が0.4g/L以上、4.0g/L以下であって、かつ下記一般式(I)で表される化合物を含有することを特徴とするハロゲン化銀カラー写真感光材料の安定化処理液。 - 特許庁

Silicate ions eluted from the water-granulated blast-furnace slag make algae propagate, because the slag is excellent in silicate ion-eluting characteristics, and therefore the denudation of the seashore and the occurrence or the red tide are prevented, and further generation of hydrogen sulfide and eutrophication of sea water which cause an occurrence of a green tide are prevented.例文帳に追加

高炉水砕スラグはケイ酸塩イオンの溶出性に優れているため、高炉水砕スラグから水中に放出されるケイ酸塩イオンが珪藻類を増殖させ、その結果として磯焼けや赤潮の発生が抑えられ、また青潮発生の原因となる硫化水素の発生や海水の富栄養化も抑制される。 - 特許庁

To provide a manufacturing system and manufacturing method for a semiconductor device that can suppress variation in final electric characteristics in a wafer surface by making corrections in an ion implantation step even when a structure obtained in an inspection step of manufacture of the semiconductor device deviates from management specifications to improve the product yield.例文帳に追加

半導体装置の製造の検査工程で得られた構造が管理スペックから離れている場合でも、イオン注入工程において、補正することにより、最終的な電気特性のばらつきをウェハ面内で抑制でき、製品歩留まりを向上することが可能な半導体装置の製造システムと製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitor 10 has a positive electrode 20 containing carbon material, a negative electrode 16 containing lithium transition metal nitride (the transition metal is at least any one of Fe, Co, Ni and Cu), and electrolyte 36 which is interposed between the positive electrode 20 and the negative electrode 16, conducts lithium ion and contains at least propylene carbonate (PC).例文帳に追加

本発明のキャパシタ10は、炭素材料を含む正極20と、リチウム遷移金属窒化物(遷移金属はFe,Co,Ni,Cuのうちいずれか1以上)を含む負極16と、正極20と負極16との間に介在しリチウムイオンを伝導し少なくともプロピレンカーボネート(PC)を含む電解液36と、を備えている。 - 特許庁

This combustion state detecting device of the engine is equipped with a PCM 30 which implements multiple ignition to apply ignition to the combustion chamber 6 of the engine 1 two or more times during one cycle when the engine 1 is in a prescribed operating state, and a current detecting circuit 33 to detect an ion current generated in the combustion chamber 6.例文帳に追加

エンジンの燃焼状態検出装置は、エンジン1が所定の運転状態であるときに、1サイクルの間にエンジン1の燃焼室6に対し複数回の点火を行う多重点火を実行するPCM30と、燃焼室6内に発生するイオン電流を検出するイオン電流検出回路33とを備えている。 - 特許庁

To provide a soil conditioner capable of reducing effluence of a nitrogen component caused by nitrate ions (NO_3^-), by effectively utilizing a strongly-basic anion-exchange resin which is discharged from various processes using ion exchange resins and is treated as waste, and capable of supplying crops with the nitrogen component effective for growth thereof.例文帳に追加

イオン交換樹脂を使用した各種のプロセスから排出され、廃棄物として取り扱われている強塩基性アニオン交換樹脂を有効に利用し、硝酸イオン(NO_3^−)によるチッソ成分の流亡を低減すると共に作物の生育に効果的にチッソ成分を供給することの出来る土壌改良剤を提供する。 - 特許庁

The diffused layer can be formed in a high throughput while the advantages of easily controlling the distribution of the impurity of a method for injecting a high energy are utilized by continuously injecting an acceleration energy in an ion implanting step while the acceleration energy is changed steplessly or in multiple steps.例文帳に追加

本発明は上記目的を達成するために、イオン注入工程で加速エネルギーを無段階あるいは多段階で変化させながら連続注入を行うことにより、高エネルギー注入による方法の不純物の分布を制御しやすいという利点を活かしつつ、ハイスループットに拡散層を形成することが可能になる。 - 特許庁

In the method for producing the denatured dry silica dispersed solution from a polar solvent, dry silica and a cationic resin with halogen ions as paired anions, an ion exchange stage where a part of the halogen ions is exchanged with at least one kind of anion selected from the groups consisting of hydroxylic ions and the conjugate bases of a weak acid is included.例文帳に追加

極性溶媒、乾式シリカ及び対アニオンとしてハロゲンイオンを持つカチオン性樹脂より変性乾式シリカ分散液を製造する方法において、該ハロゲンイオンの一部を水酸イオン及び弱酸の共役塩基よりなる群より選ばれる少なくとも一種のアニオンにイオン交換するイオン交換工程を含む。 - 特許庁

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁

At least one junction surface of the tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate is activated by an inert gas or the neutralized beam, ion beam, or plasma of oxygen gas for making into an amorphous form; or an amorphous layer having a desired composition is film-formed in vacuum, at least on one junction surface of the substrates.例文帳に追加

タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させてアモルファス化する、若しくはこれらの基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成する。 - 特許庁

The infrared ray-cutting transparent composition comprises 100 pts.mass of a resin selected from the group consisting of polyvinyl acetal resin, polyvinyl acetate resin, an unsaturated polyester resin, urethane resin, acrylic resin and epoxy resin, 1 to 400 pts.mass of a phthalate compound and 2 to 100 pts.mass of a divalent copper ion-releasing compound.例文帳に追加

ポリビニルアセタール系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、からなる群れより選ばれる1種の樹脂100質量部と、フタレート系化合物1〜400質量部と、2価の銅イオン放出化合物2〜100質量部を含んでなる赤外線カット用透明組成物。 - 特許庁

The amount of ion implanted to the wafer 16 is measured by a beam detection section 20.例文帳に追加

ビーム検出部20によりウェハ16へのイオン注入量が計測されると共に、静電スキャン制御部14Bでは、計測されたイオン注入量をもとにして、図4(C)に示したように、領域a_1 〜d_1 のそれぞれの領域内部ではイオンビームの走査速度が一定になるよう制御する一方、異なる領域a_1 〜d_1 間では走査速度が変化するように制御する。 - 特許庁

As a positive electrode active substance, lithium manganate which has dissolution volume of manganese into nonaqueous electrolyte solution of not less than 5% in a lithium manganate standard at a region where electrode potential against metal lithium is not less than 4.8 V, and as a negative electrode active substance, graphite is used which can store and release lithium ion by charging and discharging.例文帳に追加

正極活物質には金属リチウムに対する電極電位が4.8V以上の領域で、非水電解液中へのマンガンの溶出量がマンガン酸リチウムを基準として5%以上のマンガン酸リチウムが用いられており、負極活物質には充放電によりリチウムイオンを吸蔵、放出可能な黒鉛が用いられている。 - 特許庁

Unlike conventional techniques wherein ion injection is performed using a resist mask provided at a predetermined distance d from an element separation region end, the resist mask is not misaligned and the distance d from the end of the element separation region 13 is made stable to stably form a p-type impurity region 133.例文帳に追加

素子分離領域端から所定の距離dだけ離れるように設けられたレジストマスクを用いてイオン注入ろ行う従来技術のようにレジストマスクの合わせずれが生じることなく、素子分離領域13の端からの距離dを安定化させて、p型不純物領域133を安定化して形成することができる。 - 特許庁

In the lithium ion secondary battery equipped with a positive electrode comprising a composite lithium oxide, a negative electrode, a separator, and a nonaqueous electrolyte, at least one of the positive electrode and the negative electrode has a porous film containing inorganic oxide fillers and a binder on the surface facing the other electrode, and the surface of the electrode partially has a projecting part.例文帳に追加

複合リチウム酸化物からなる正極、負極、セパレータ、および非水電解液を具備するリチウムイオン二次電池において、正極および負極の少なくとも一方が、他方の電極と対向する面に、無機酸化物フィラーと結着剤を含む多孔膜を有し、当該電極表面が部分的に凸部を有している。 - 特許庁

To provide a dioxins emission inhibitor that does not give an adverse effect on a heavy metal fixing treatment that does not require use of a special reaction vessel, can be used for performing treatment at a relatively low temperature with a high decomposition efficiency and has an excellent handling property without forming a complex ion together with a heavy metal.例文帳に追加

特殊な反応容器を用いる必要がなく、比較的低温にて高い分解効率で処理することが可能であり、また、取り扱い性にも優れる上に、重金属と錯イオンを形成することがなく、重金属固定処理に悪影響を及ぼすことのないダイオキシン類の放出防止剤を提供する。 - 特許庁

This iron removal device 10 is provided with an iron powder removing means 12 adsorbing and removing iron powders in the oil-dispersed aqueous solution 11, and a positive ion removing means 13 adsorbing iron ions in the oil-dispersed aqueous solution 11, to remove iron powders and iron ions in the oil-dispersed aqueous solution 11.例文帳に追加

油分散水溶液11中の鉄粉を吸着して除去する鉄粉除去手段12を備えた鉄除去装置10において、更に、油分散水溶液11中の鉄イオンを吸着可能な陽イオン除去手段13を設け、油分散水溶液11中の鉄粉及び鉄イオンを除去する。 - 特許庁

To prevent scale formation due to insolubilization of polyvalent inorganic ions in a membrane separator and deterioration of quantity and quality of water treated with the membrane separator due to the scale formation when nitrite/nitrate nitrogen and multiply-charged inorganic ion-containing wastewater is concentrated by the membrane separator and the concentrate is denitrified by a biological denitrification device.例文帳に追加

(亜)硝酸性窒素と多価無機イオンとを含有する排水を膜分離装置で濃縮し、濃縮水を生物学的脱窒装置で脱窒処理するに当たり、膜分離装置における多価無機イオンの不溶化によるスケール化及びそれによる膜分離装置の処理水量及び処理水質が低下を防止する。 - 特許庁

Also, the seed layer 6 having the high strength of adhesion is formed by using the same gaseous raw material as that for the shielding film and changing the scanning method and stagnation time of the ion beam 5, probe current and the gaseous raw material for FIB-CVD and the shielding film 7 of the small halo component is formed by FIB-CVD on the formed seed layer 6.例文帳に追加

または遮蔽膜と同じ原料ガスを用いて、イオンビーム5の走査方法・滞在時間やプローブ電流やFIB-CVD原料ガスを変えて接着強度の強い種層6を形成し、形成した種層6の上にハロー成分の小さい遮蔽膜7をFIB-CVDで形成することでハーフトーン欠陥を修正する。 - 特許庁

The polishing composition is obtained by mixing a colloidal silica 30 nm in a mean particle size, a cocondensate of PMMA of 40 nm in mean particle size and divinylbenzene, glycine, benzotriazole, and hydrogen peroxide into an ion-exchanged water filtered through a 0.5 μm cartridge filter so that their concentrations come to a specified value, and by homogeneously dispersing the mixture by agitation in a high-speed homogenizer.例文帳に追加

平均粒径30nmのコロイダルシリカ、平均粒径40nmのPMMAとジビニルベンゼンの共縮合物、グリシン、ベンゾトリアゾール及び過酸化水素を特定濃度になるように0.5μmのカートリッジフィルターで濾過されたイオン交換水に混合し、高速ホモジナイザーで攪拌して均一に分散させた研磨用組成物である。 - 特許庁

On the whole surface approximately of one anode 54 having a rectangular shape viewed on the plan, a phosphor layer A having the same shape and a size some smaller than it is attached fast, and to the surface thereof a plurality of phosphor layers B in circular shape with the installing position fixed is attached fast ion such a way as covering part of the phosphor layer A.例文帳に追加

平面形状が矩形を成す1個の陽極54の略全面に、同様な形状であるがそれよりも僅かに小さい蛍光体層Aが固着されると共に、その表面に蛍光体層Aの一部を覆うように配設位置が定められた円形状の複数個の蛍光体層Bが固着されている。 - 特許庁

That is, the n+a-Si:H layer 5 is etched by a pure chemical etching depending upon the chemical reaction substantially only by the radical species 24 with no physical reaction to the n+a-Si:H layer 5 and an a-Si:H layer 4 by ion species, and the a-Si:H layer 4 is exposed in the channel forming region.例文帳に追加

つまり、イオン種によるn+a−Si:H層5及びa−Si:H層4に対する物理的反応を伴わない、実質的にラジカル種24のみによる化学的反応に依拠する純化学的エッチングによって、n+a−Si:H層5がエッチングされ、チャネル形成領域のa−Si:H層4が露出されることになる。 - 特許庁

The water treatment system 70 includes a water tank 42, a container 74 for housing ion exchange resin 72, a supply passage 76 connected to the upper end of the container 74, a main discharge passage 78 connected to the lower end of the container 74, a sub discharge passage 80 connected to the upper end of the container 74 and a first pump 82.例文帳に追加

水処理システム70は、貯水タンク42、イオン交換樹脂72が収納された容器74、容器74の上端に接続された供給路76、容器74の下端に接続された主排出路78、容器74の上端に接続された副排出路80、および、第1ポンプ82を備えている。 - 特許庁

In the formula, R_1 and R_2 respectively indicate at least a kind of fluorine-containing organic alkyl group, independently selected from a group consisting of CF_3, CHF_2CF_2, and CF_3CHFCF_2, wherein the case is excluded in which both R_1 and R_2 are CF_3, and Y indicates onium ion containing a nitrogen atom.例文帳に追加

(R_1SO_2)(R_2SO_2)NY (1)(R_1およびR_2は、それぞれ独立にCF_3、CHF_2CF_2、及びCF_3CHFCF_2からなる群から選ばれた少なくとも1種の含フッ素有機アルキル基を表わす。但し、R_1およびR_2がともにCF_3の場合を除く。また、Yは窒素原子を含むオニウムイオンを表わす。) - 特許庁

The plasma display device, having a high luminance and hardly undergoing luminance degradation in a panel production process, is obtained by using a blue phosphor represented by Ba_(1-x)MgAl_10O_17:Eu_x wherein x (the content of Eu ion) is 0.2-0.8 and 15-75% of divalent Eu ions are substituted by trivalent Eu ions.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置において、Ba_(1-x)MgAl_10O_17:Eu_x青色蛍光体中のEuの量xが0.2〜0.8でかつ、2価のEuイオンのうち、15%〜75%を3価のEuイオンで置換した蛍光体を用いることにより、パネル製造工程での輝度劣化の少ない高輝度なプラズマディスプレイ装置が得られる。 - 特許庁

A sliding member has, on its sliding surface, a thin coating film having a hydrogen content of less than 30 atomic %, the thin film being composed of a diamond-like carbon film or an amorphous carbon film, that are prepared by the plasma source ion injection process, wherein ions are injected by forming a plasma around a base material 3 and applying a negative pulse voltage to the base material.例文帳に追加

基材3の周囲にプラズマを形成し、基材に負のパルス電圧を印加することによってイオン注入を行うプラズマソースイオン注入法により作製したダイヤモンドライクカーボン膜あるいは非晶質カーボン膜であって、水素含有量が30原子%未満である薄膜を摺動面に被覆した。 - 特許庁

In this method for producing 1,6-hexanediol by hydrogenating adipic acid in the presence of a catalyst containing at least one kind of element selected from the platinum group in a liquid phase, 0.05-2,000 ppm based on adipic acid of at least one kind of alkaline earth metal ion is made to exist in the liquid phase.例文帳に追加

アジピン酸を白金族から選ばれる少なくとも1種の元素を含む触媒の存在下、液相中で水素化反応させて1,6−ヘキサンジオールを製造させるに際し、液相中に、少なくとも1種のアルカリ土類金属イオンを、アジピン酸に対して0.05〜2000ppm存在させることを特徴とする。 - 特許庁

The amphoteric ion compound is one or more compounds selected from 3-(cyclohexylamino)-1-propanesulfonic acid (CAPS), 3-[(3-cholamidopropyl)dimethylammonio]-1-propanesulfonic acid (CHAPS), 3-(cyclohexylamino)-2-hydroxy-1-propanesulfonic acid (CAPSO) and 2-(cyclohexylamino)ethanesulfonic acid (CHES).例文帳に追加

両性イオン化合物が、3−(シクロヘキシルアミノ)−1−プロパンスルホン酸(CAPS)、3−[(3−コールアミドプロピル)ジメチルアンモニオ]−1−プロパンスルホン酸(CHAPS)、3−(シクロヘキシルアミノ)−2−ヒドロキシ−1−プロパンスルホン酸(CAPSO)、及び2−(シクロヘキシルアミノ)エタンスルホン酸(CHES)からなる群から選択される1種以上である前記方法。 - 特許庁

A Langmuir-Blodgett's film having a laminated structure of a molecular layer comprising a chain fatty acid and a molecular layer comprising a tetrathiafulvalene derivative having no long chain alkyl group is used and the detection of metal ions is performed on the basis of a change in the light absorbing spectrum chataritically shown by the metal ion kind reacted with the Langmuir-Blodgett's film.例文帳に追加

鎖脂肪酸からなる分子層と、長鎖アルキル基を持たないテトラチアフルバレン誘導体からなる分子層との積層構造を有するラングミュア・プロジェット膜を用い、このラングミュア・プロジェット膜が反応する金属イオン種により特徴的に示される光吸収スペクトルの変化に基づき、金属イオンの検出を行う。 - 特許庁

The ion implanting apparatus comprises a discharge chamber 7, a waveguide 2 for introducing microwaves into the discharge chamber to form plasma, and a matching tube 4, that is provided between the waveguide 2 and the discharge chamber 7 and is capable of making gradual impedance matching of the microwave and the plasma between the waveguide 2 and the discharge chamber 7.例文帳に追加

放電室7と、この放電室7にプラズマ成形するためのマイクロ波を導入する導波管2と、この導波管2と放電室7間に介設し且つその導波管2と放電室7間におけるマイクロ波とプラズマとを段階的にインピーダンス整合し得る整合管4とを備えること。 - 特許庁

Because of the tunnel magnetoresisitive elements 34 and 35, a part of the first magnetic layer 29 can be left as the upper shield layer 50, and the protection layer 28 can be effectively protected from the ion milling so that a plurality of thin film magnetic head whose electric characteristic variation is suppressed can be formed simultaneously.例文帳に追加

トンネル型磁気抵抗効果素子34,35であるから、前記第1磁性層29を上部シールド層50して一部残すことが可能であり且つ、前記保護層28をイオンミリングからより効果的に保護でき、電気特性のばらつきが抑制された薄膜磁気ヘッドを複数個同時に形成できる。 - 特許庁

例文

To provide a method for efficiently producing arsenious acid at a low cost by preventing the lowering of reaction rate by controlling sulfuric acid concentration when solid arsenious acid extracted from an arsenic sulfied- containing material is oxidized and dissolved, and by generating a copper ion necessary as a catalyst instead of adding a copper sulfate solution in a system.例文帳に追加

硫化砒素含有物から抽出して固形分とした亜砒酸を、酸化して溶解させる際に、硫酸濃度を制御して反応速度の低下を防ぐと共に、触媒として必要な銅イオンを硫酸銅溶液に代えて系内で生成させ、効率的で低コストの亜砒酸の製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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