「NiSi」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

the decree is nisi and not absolute 例文帳に追加

命令は絶対ではなく、仮のものである - 日本語WordNet

In succession, an element to raise heat resistant temperature of the NiSi film 42 is implanted into the NiSi film 42 (element implantation process).例文帳に追加

続いて、ＮｉＳｉ膜４２の耐熱温度を高める元素をＮｉＳｉ膜４２に注入する（元素注入工程）。 - 特許庁

The entire NiSi layer 110 has a thickness not larger than 50 nm.例文帳に追加

ＮｉＳｉ層１１０全体の層厚が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁

Then, an Ni film 33 is deposited on the NiSi film 32b, heat treatment is made, and the NiSi film 32b is converted to an Ni_3Si film 34.例文帳に追加

その後、ＮｉＳｉ膜３２ｂ上にＮｉ膜３３を堆積し、熱処理を行ってＮｉＳｉ膜３２ｂをＮｉ_3Ｓｉ膜３４に変換する。 - 特許庁

To suppress the oxidization of the surface of an NiSi layer and an increase in the layer.例文帳に追加

ＮｉＳｉ層の表面の酸化および抵抗上昇を抑制する。 - 特許庁

Chiimiya Station and Jinzai Station were renamed as Nisi-Izumo Station and Izumotaishaguchi Station, respectively. 例文帳に追加

知井宮駅を西出雲駅に、神西駅を出雲大社口駅に改称。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The NiSi layer 110 is provided to be contacted with the element formation surface; and made up of a NiSi region 111 substantially not containing nitrogen and a nitride region 117 provided to be contacted with the upper part of the NiSi region 111, and containing nitrogen.例文帳に追加

ＮｉＳｉ層１１０は、素子形成面に接して設けられ、窒素を実質的に含まないＮｉＳｉ領域１１１と、ＮｉＳｉ領域１１１の上部に接して設けられ、窒素を含む窒化領域１１７と、からなる。 - 特許庁

Consequently, heat resistance of the NiSi film 42 is improved, and it is possible to restrain the disilicide structure of the NiSi film 42 by a heat treatment in a later process.例文帳に追加

これにより、ＮｉＳｉ膜４２の耐熱性が向上し、後工程における熱処理によりＮｉＳｉ膜４２がダイシリサイド化するのを抑制することができる。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING LAYER CONTAINING NICKEL MONOSILICIDE NiSi ON SUBSTRATE CONTAINING SILICON例文帳に追加

シリコンを含む基板上にニッケルモノシリサイドＮｉＳｉを含む層を調製する方法 - 特許庁

To provide a residue removing liquid capable of effectively removing residue after a dry process in a process for manufacturing a semiconductor device containing NiSi (nickel silicide).例文帳に追加

本発明は、NiSi(ニッケルシリサイド)を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。 - 特許庁

A chemical compound film 8 is composed of ErSi, PtSi and TiSi or NiSi films, for example, and a chemical compound film 9 is composed of NiSi and CoSi or TiSi films, for example.例文帳に追加

化合物膜８は、例えばＥｒＳｉ、ＰｔＳｉ、ＴｉＳｉ又はＮｉＳｉ膜等からなり、化合物膜９は、例えばＮｉＳｉ膜、ＣｏＳｉ膜又はＴｉＳｉ膜等からなる。 - 特許庁

An Ni film 31 deposited on it and is heat-treated, the silicon films 12a, 12b are converted to NiSi films 32a, 32b, and then an insulating film 23 is formed on the NiSi film 32a.例文帳に追加

その上に堆積したＮｉ膜３１を熱処理して、シリコン膜１２ａ、１２ｂをＮｉＳｉ膜３２ａ、３２ｂに変換した後、ＮｉＳｉ膜３２ａ上に絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a nickel silicide (NiSi) film for improving the thermal stability of the NiSi film, and further provide a method of manufacturing a thermally stable semiconductor device using it.例文帳に追加

ＮｉＳｉ膜の熱的安定性を向上させるニッケルシリサイド膜の形成方法及びそれを使用して熱的に安定的な半導体素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of restraining the disilicide structure of an NiSi film.例文帳に追加

ＮｉＳｉ膜のダイシリサイド化を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an nMOSFET 10, a gate electrode 13 is formed of a silicide layer composed of NiSi.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ１０では、ゲート電極１３がＮｉＳｉで構成されたシリサイド層で形成されている。 - 特許庁

To provide a technique capable of cleanly depositing films such as NS, Pt, NiPt, NiSi, and PtSi, namely, with satisfactory step coverage property or film deposition property.例文帳に追加

Ｎｉ，Ｐｔ，ＮｉＰｔ，ＮｉＳｉ，ＰｔＳｉ等の膜を綺麗に、即ち、段差被覆性良く形成できる技術を提供することである。 - 特許庁

In 1879, (After relocation to the Nisi Ogawa-Machi in Kanda Ward and then Fujimi in Kojimachi Ward) Imperial Prince Fushimi Sadanaru moved into this house address, at Kioi-cho 4, Kojimachi, Tokyo. 例文帳に追加

明治12年（1879年）（神田区西小川町、麹町区富士見を経て）麹町紀尾井町4番地に転居 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, a direct nitride film 44 is formed on the entire surface including the NiSi film 42 (nitride film formation process).例文帳に追加

次に、ＮｉＳｉ膜４２を含めた表面全体にダイレクト窒化膜４４を形成する（窒化膜形成工程）。 - 特許庁

In the Ni silicide films 12s, 15s, 22s and 25s, Ni and Si are used as main ingredients, and stoichiometric composition is NiSi or NiSi_2.例文帳に追加

Ｎｉシリサイド膜１２ｓ，１５ｓ，２２ｓ，２５ｓは、ＮｉおよびＳｉを主成分とし、化学量論組成がＮｉＳｉあるいはＮｉＳｉ_2である。 - 特許庁

To improve quality of a semiconductor device by preventing abnormal oxidizing of NiSi, and further preventing the occurrence of particles.例文帳に追加

ＮｉＳｉの異常酸化を抑制し、さらにパーティクルの発生を抑制して、半導体装置の品質の向上を図る。 - 特許庁

A Ni film 23 is formed on the whole surface of the substrate 10, and NiSi layers 24, 25 are formed on the source/drain regions 21, 22 by carrying out heat treatment and the whole polysilicon gate electrode is transformed into silicified NiSi gate electrodes 26, 27.例文帳に追加

基板１０全面にＮｉ膜２３を形成し、熱処理を行うことにより、ソース／ドレイン領域２１，２２上層にＮｉＳｉ層２４，２５を形成すると共に、ポリシリコンゲート電極全体がシリサイド化されたＮｉＳｉゲート電極２６，２７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which simultaneously form a polysilicon gate electrode and an NiSi full-silicide gate electrode on a high permittivity gate insulating film.例文帳に追加

ポリシリコン・ゲート電極とＮｉＳｉフルシリサイド・ゲート電極とを高誘電率ゲート絶縁膜上に同時に形成する。 - 特許庁

This enables flatness to be obtained at the interface between the (100) Si substrate and NiSi polycrystalline film with (111) orientation.例文帳に追加

これによって、（１００）Ｓｉ基板と（１１１）配向のＮｉＳｉ多結晶膜との界面平坦性を確保することができる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING NiSi FILM, METHOD OF FORMING SILICIDE FILM, METHOD OF FORMING METAL FILM FOR SILICIDE ANNEAL, VACUUM PROCESSING APPARATUS, AND DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加

ＮｉＳｉ膜の形成方法、シリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、及び成膜装置 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a silicon substrate 101, and an NiSi layer 110 provided on the element formation surface of the silicon substrate 101.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１およびシリコン基板１０１の素子形成面に設けられたＮｉＳｉ層１１０を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing the submerged growth of NiSi and an increase of off-leakage current.例文帳に追加

本発明は、ＮｉＳｉの潜り込み成長を抑え、オフリーク電流の増加を抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a NiSi thin film with a low surface resistance and superior thermal stability, and to provide its manufacture method.例文帳に追加

低い面抵抗と優秀な熱的安定性とを有するＮｉＳｉ薄膜を有する半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, Si and Ni in the gate electrode and the source/drain region are reacted through the heat treatment process of a treatment S105 to form an NiSi layer.例文帳に追加

次に、処理Ｓ１０５の熱処理工程でゲート電極及びソース／ドレイン領域におけるＳｉとＮｉとを反応させＮｉＳｉ層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laminated film is configured, that comprises a (100) Si substrate, and an NiSi polycrystalline film with (111) orientation formed on the (100) Si substrate.例文帳に追加

（１００）Ｓｉ基板と、この（１００）Ｓｉ基板上に形成された、（１１１）配向のＮｉＳｉ多結晶膜とからなる半導体積層膜を構成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device in which heat resistance is enhanced by suppressing nickel silicide aggregation reaction in a nickel silicide (NiSi) region, and to obtain its fabrication process.例文帳に追加

ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）領域でのニッケルシリサイド凝集反応を抑制し、耐熱性を向上させた半導体装置及びその製造方法を実現する。 - 特許庁

To provide a residual removing liquid capable of effectively removing a residual after a dry process during a manufacturing process of a semiconductor device containing NiSi (nickel silicide).例文帳に追加

ＮｉＳｉ（ニッケルシリサイド）を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。 - 特許庁

The metals here include Cu, Ta, Co, Ti, W, Mo, Ni or V, etc., and the high-melting point metal silicide includes Wsi, MoSi, NiSi or VSi, etc.例文帳に追加

前記金属は、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ又はＶ等であり、前記高融点金属シリサイドは、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ又はＶＳｉ等である。 - 特許庁

for though culture without freedom never made a large and liberal mind, it can make a clever nisi prius advocate of a cause. 例文帳に追加

というのは、自由のない文化は雄大で自由な精神を決して作りだすことはないとはいえ、主義主張の有能な一審裁判所弁護士を作ることはできるのです。 - John Stuart Mill『自由について』

To provide a technology for forming an NiSi film having excellent characteristics which can not be achieved by conventional TiSi_2 and CoSi_2 films, without damaging a substrate.例文帳に追加

これまでのＴｉＳｉ_２やＣｏＳｉ_２では奏することが出来ない優れた特長を奏するＮｉＳｉ膜を基板に損傷を与えることなく形成できる技術を提供することである。 - 特許庁

It further includes steps of: totally removing the first oxide film while leaving the oxide film 16 alone; forming an Ni film 17; and forming an NiSi film 18 by the first annealing.例文帳に追加

酸化膜１６を残しつつ、第１の酸化膜を完全に除去する工程と、Ｎｉ膜１７を成膜する工程と、第１のアニールによりＮｉＳｉ膜１８を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The NiSi film 42 is formed on gate electrodes 12, 22 and source-drain regions 14, 24 of both a p-MOS transistor 10 and an n-MOS transistor 20 (silicide film forming process).例文帳に追加

Ｐ−ＭＯＳトランジスタ１０およびＮ−ＭＯＳトランジスタ２０双方のゲート電極１２，２２およびソース・ドレイン領域１４，２４上にＮｉＳｉ膜４２を形成する（シリサイド膜形成工程）。 - 特許庁

While an NiSi film 110A is formed as a gate electrode in an n-type MIS transistor formation region, an Ni_3Si film 110B is formed as a gate electrode in a p-type MIS transistor formation region.例文帳に追加

Ｎ型ＭＩＳトランジスタ形成領域のゲート電極となるＮｉＳｉ膜１１０Ａを形成すると共にＰ型ＭＩＳトランジスタ形成領域のゲート電極となるＮｉ_3 Ｓｉ膜１１０Ｂを形成する。 - 特許庁

To stably produce a NiSi layer which is a low resistance layer and to reduce a silicon-silicide interface resistance when forming a Ni silicide layer required for a semiconductor device capable of miniaturization and high speed.例文帳に追加

微細化・高速化可能な半導体装置に必要なＮｉシリサイド層を形成する際に、低抵抗層であるＮｉＳｉ層を安定して形成すると共にシリコン−シリサイド界面抵抗を低減する。 - 特許庁

An NiSi layer 102 is formed on the upper surface of a semiconductor substrate 101, then, an interlayer insulating film 103 is deposited on the semiconductor substrate 101, and the contact hole 104 is formed on the interlayer insulating film 103 thereafter.例文帳に追加

半導体基板１０１の上面にＮｉＳｉ層１０２を形成し、半導体基板１０１の上に層間絶縁膜１０３を堆積した後、層間絶縁膜１０３にコンタクトホール１０４を形成する。 - 特許庁

While the train operates on the 98.7 km Kyoto-Nisi-Akashi Section in a narrow sense, it is actually operated on the 144.7 km Yasu-Kakogawa section since the section of its operation was extended to the Kakogawa Station and Kusatsu Station (Shiga Prefecture) at the end of the JNR era. 例文帳に追加

狭義の区間は上記のとおり京都～西明石間98.7kmであるが、国鉄末期の加古川駅、草津駅(滋賀県)への延長を皮切りに、現在では野洲駅～加古川間144.7kmが主な運行区間になっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

While centering on the Kyoto- Nisi-Akashi section, this article also discusses the Yasu-Kyoto and Nishi-akashi-Kakogawa sections as well as other lines on which direct trains run, including The Kosei Line, the Fukuchiyama Line, and the JR Tozai Line etc. when needed. 例文帳に追加

本項では京都～西明石間を中心に記述し、関係する項目に関して、野洲～京都間、西明石～加古川間をはじめ、湖西線・福知山線・JR東西線などの直通運転区間も含めて記述するものとする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method of forming an NiSi film capable of forming a silicide film of good coverage on the bottom face or the side surface of a trench and a hole pattern, and to provide a method of forming a silicide film, a method of forming a metal film for silicide anneal, a vacuum processing apparatus, and a deposition apparatus.例文帳に追加

トレンチ及びホールパターンの底面や、側面に被覆カバレッジ性の良好なシリサイド膜を形成できるＮｉＳｉ膜の形成方法及びシリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、並びに成膜装置の提供。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device and the semiconductor device, wherein an Ni silicide having a lower resistance and preventing junction leak is formed, even when a phase transition temperature of NiSi into NiSi_2 is raised and a heat treatment condition higher than 600°C is experienced.例文帳に追加

ＮｉＳｉがＮｉＳｉ_２に相転移する温度をより高くし、６００℃以上の熱処理条件を経たとしても、より低抵抗、かつ接合リークを防ぐＮｉシリサイド形成が可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

On an element isolation region 101, that is, under a silicide formation preventing film 106, a nonreactive n-type polycrystalline silicon film 103A remains as a conductive diffusion preventing region which prevents an interdiffusion between the NiSi film 110A and the Ni_3Si film 110B.例文帳に追加

素子分離領域１０１上つまりシリサイド化防止膜１０６の下には、未反応のＮ型多結晶シリコン膜１０３Ａが、ＮｉＳｉ膜１１０ＡとＮｉ_3 Ｓｉ膜１１０Ｂとの間の相互拡散を防止する導電性拡散防止領域として残存する。 - 特許庁

As a specific method to align the crystal lattice in the vicinity of interface between a metal silicide (NiSi film 8) and silicon, a metal element constituting a metal silicide and impurities of a single or a plurality of elements except silicon are incorporated into a metal (Ni film 11) in which a metal silicide can be formed, or into silicon.例文帳に追加

金属シリサイド（ＮｉＳｉ膜８）とシリコンとの界面近傍における両者の結晶格子を整合させる具体的手法として、金属シリサイドを構成する金属元素及びシリコン以外の単一又は複数の元素の不純物を、金属シリサイドを形成し得る金属（Ｎｉ膜１１）内又はシリコン内に導入する。 - 特許庁