「P-N junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

TRANSPARENT OXIDE P-N JUNCTION DIODE例文帳に追加

透明酸化物ｐ−ｎ接合ダイオード - 特許庁

P-N JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSISTOR USING P-N JUNCTION ELEMENT例文帳に追加

Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法、Ｐ−Ｎ接合素子を利用するトランジスタ - 特許庁

The collector junction consists of hetero-junction (P^+-SiGe/N^--Si).例文帳に追加

コレクタ接合はヘテロ接合（Ｐ^+−ＳｉＧｅ／Ｎ^-−Ｓｉ）より成る。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH p-n JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板 - 特許庁

The electron source 9 can use a p-n junction or p-i-n junction 9a and the like, and a p-layer 6a or an n-layer 6b of the p-n junction 9a may have a protruded form.例文帳に追加

電子源９は、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合９ａ等を用いることができ、ｐｎ接合９ａｐ層６ａ又はｎ層６ｂが突起形状を有していてもよい。 - 特許庁

P-N JUNCTION ORGANIC DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｐｎ接合型有機ダイオードとその製造方法 - 特許庁

The photoelectric converting element 1 includes a p-n junction.例文帳に追加

光電変換素子１は、ｐ−ｎ接合を含む。 - 特許庁

At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

第一のＰＮ接合素子、第二のＰＮ接合素子、第三のＰＮ接合素子、および第四のＰＮ接合素子のうちの少なくとも２つのＰＮ接合素子を、異なる２つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁

DIAMOND P-N JUNCTION DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードおよびその作製方法 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR VERY SHALLOW P-N JUNCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の極浅ｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

SCHOTTKY, P-N JUNCTION DIODE, AND PIN JUNCTION DIODE AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキーダイオード、ｐｎ接合ダイオード、ｐｉｎ接合ダイオード、および製造方法 - 特許庁

A P-N junction, between a deep N well 114 and a P type silicon substrate 126, is responsive to red light and the P-N junction between the deep N well and a P well 116 is responsive to the red light.例文帳に追加

深いＮウェル１１４とＰ型シリコン基板１２６の間のＰＮ接合が赤色光に反応し、深いＮウェルとＰウェル１１６の間のＰＮ接合が赤色光に反応する。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

To provide a P-N junction element and its manufacturing method, especially the P-N junction element including an organic composite material, to provide its manufacturing method, and to provide an organic transistor using the P-N junction.例文帳に追加

本発明は、Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法に係り、特に有機複合材料を含むＰ—Ｎ接合素子及びその製造方法、該Ｐ−Ｎ接合を利用する有機トランジスタに関する。 - 特許庁

THIN-FILM CRYSTAL WAFER HAVING P-N JUNCTION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

A N^+ diffusion layer 8 forms a P/N junction having a junction plane 50 facing the sensing area 6 between it and the P pocket 7.例文帳に追加

Ｎ^+拡散層８は、センシング領域６と対向する接合面５０を有するＰ／Ｎ接合を、Ｐポケット７との間で形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises at least one n/p or p/n first junction adjoining a first terminal and at least one another p/n or n/p second junction adjoining a second terminal.例文帳に追加

この半導体装置は、第一の端子に隣接した少なくとも一つのｎ／ｐまたはｐ／ｎの第一接合と、第二端子に隣接した少なくとも一つのもう一方のｐ／ｎまたはｎ／ｐの第二接合を含む。 - 特許庁

The P-N junction between the P well and a N+ region 118, 120 which is not covered by polysilicon and the P-N junction formed by the N well and a P+ region 124 are responsive to green or blue light.例文帳に追加

ＰウェルとＮ^+領域１１８、１２０の間の、多結晶シリコンで覆われていないＰＮ接合、およびＮウェルとＰ^+領域１２４によって形成されるＰＮ接合が、緑色光または青色光に反応する。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

A P-N junction element concerning the present invention is provided with a P-type organic composite layer and an N-type organic composite layer.例文帳に追加

本発明に係るＰ−Ｎ結合素子は、Ｐ型有機複合層と、Ｎ型有機複合層と、を備える。 - 特許庁

The P-N junction, formed by the junction between the P well and the N+ region which is covered by polysilicon, is responsive to green light.例文帳に追加

また、ＰウェルとＮ^+領域の間の接合によって形成される、多結晶シリコンで覆われたＰＮ接合は、緑色光に反応する。 - 特許庁

To provide an organic photocatalyst the production process of which can be simplified and to provide a p-n junction particle and a method for producing the p-n junction particle.例文帳に追加

製造プロセスの簡便化を実現可能な有機光触媒、並びにｐ−ｎ接合型粒子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A multijunction photovoltaic structure includes: a first subcell including a p-n or p-i-n junction with elongated structures; and a second subcell, arranged in tandem with the first subcell, and including a planar p-n or p-i-n junction.例文帳に追加

マルチ接合光電池構造は、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルと、上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルとを含む。 - 特許庁

To increase speed of signal processing and improve S/N ratio by reducing P-N junction capacitance.例文帳に追加

Ｐ−Ｎ接合容量の低減で信号処理速度の高速化とＳ／Ｎ比改善を図る。 - 特許庁

Moreover, the present invention provides a manufacturing method of the P-N junction element.例文帳に追加

さらに、本発明は、Ｐ−Ｎ結合素子の製造方法も提供する。 - 特許庁

The trench GRV is made, after p-n junction of the photodiodes PD1, PD2 is formed so as to traverse the p-n junction in the thickness direction.例文帳に追加

トレンチ溝ＧＲＶは、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２におけるｐｎ接合の形成後に、このｐｎ接合を厚み方向に横断するように形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

The N- diffusion layer 17b does not cover the N+ diffusion layer 17a at a junction part (2), and the N+ diffusion layer 17a is joined to the P+- well 9 at the junction part (2).例文帳に追加

Ｎ^-拡散層１７ｂは接合部分 でＮ^+拡散層１７ａを覆っておらず、Ｎ^+拡散層１７ａは接合部分 でＰ^+-ウエル９と接合している。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

Moreover, the present invention provides an organic transistor using the P-N junction element.例文帳に追加

また、本発明は、Ｐ−Ｎ結合素子を利用する有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device can be also applied to ohmic electrode, such as a p-n junction diode.例文帳に追加

本発明はｐｎ接合ダイオードなどのオーミック電極にも応用できる。 - 特許庁

SCANNING PROBE MICROSCOPE AND DETECTION METHOD FOR p-n JUNCTION POSITION BY USING THE SAME例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡とそれを用いたｐ−ｎ接合位置検出方法 - 特許庁

FABRICATION OF DRIFT TYPE SILICON RADIATION DETECTOR HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ＰＮ接合部分を有するドリフト型シリコン放射線検出器の製造方法 - 特許庁

The reduced capacity at the p-n junction part accelerates the switching sped of the transistor.例文帳に追加

減少したｐｎ接合部容量は、トランジスタのスイッチング速度を加速する。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

The optical semiconductor element has the p-n junction structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated.例文帳に追加

この光半導体素子は、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されたｐｎ接合構造を有している。 - 特許庁

The p-type organic layer forms an NP junction between the n-type organic layer and the p-type organic layer.例文帳に追加

ｐ型有機物層は、ｎ型有機物層とｐ型有機物層との間でＮＰ接合を形成する。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

Ｎ型ＺｎＯとしてはＡｌをドープしたものを用いてＰＮ接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

Since carbon which functions with respect to the isoelectronics is diffused in the P-N junction, in addition, the luminous efficacy of the P-N junction is improved.例文帳に追加

また、少なくとも上記ＰＮ接合部には、アイソエレクトロニクス中心として機能する炭素が拡散されており、これにより、ＰＮ接合部での発光効率が高められている。 - 特許庁

Therefore, the terminal resistor and the p-n junction structure are connected wirelessly.例文帳に追加

このため、終端抵抗器とｐｎ接合構造とをワイヤを用いずに接続できる。 - 特許庁

diode such that light emitted at a p-n junction is proportional to the bias current 例文帳に追加

バイアス電流と比例するそのようなその光がPN接合で放射されたダイオード - 日本語WordNet

A pn junction diode includes an n^- region 1 and a p^+ region 2.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とによりｐｎ接合ダイオードが構成されている。 - 特許庁

A photoelectric conversion element having an ideal p/n junction interface profile, i.e., graded-junction structure, can be manufactured by employing such a micelle electrolysis method.例文帳に追加

このようなミセル電解法を採用することによって、理想的なp/n接合界面プロファイル、すなわち、傾斜接合の構造を有する光電変換素子を製造できる。 - 特許庁

In a diode, having a function of a P-type layer and an N-type layer, the P-type layer has a main junction part a, and a junction part having density different from that at the main junction part a.例文帳に追加

Ｐ型層とＮ型層が接合されたダイオードにおいて、Ｐ型層は、メイン接合部ａ、及びメイン接合部ａとは濃度が異なる接合部を有する。 - 特許庁