「SILICON-ON-INSULATOR」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING SILICON-ON-INSULATOR (SOI) DEVICE例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）デバイスの製作法 - 特許庁

EDGE REMOVAL OF SILICON-ON-INSULATOR TRANSFER WAFER例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハのエッジ除去 - 特許庁

The pressure switch side substrate 1001 can be easily formed from an SOI(Silicon On Insulator) substrate.例文帳に追加

圧力スイッチ側基板１００１は、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板から容易に形成することができる。 - 特許庁

SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ構造およびその製造方法 - 特許庁

DEPOSITION OF SILICON GERMANIUM ON SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES AND BULK SUBSTRATES例文帳に追加

シリコン−オン−インシュレーター構造及びバルク基板に対するＳｉＧｅの堆積 - 特許庁

SILICON ON INSULATOR NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレ—タ不揮発性ランダム・アクセス・メモリ・デバイス - 特許庁

SILICON ON INSULATOR LATCH UP PULSE RADIATION DETECTOR例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ・ラッチアップ・パルス放射線検出器 - 特許庁

STRUCTURE OF OPTICAL SWITCH ON SUBSTRATE OF SILICON ON INSULATOR例文帳に追加

絶縁体上シリコンの基板上の光スイッチの構造体 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE OF SOI (SILICON-ON-INSULATOR) STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造の半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

MULTISTAGE LOCAL DRY ETCHING METHOD FOR SOI (SILICON ON INSULATOR) WAFER例文帳に追加

ＳＯＩウェハーのための多段局所ドライエッチング方法 - 特許庁

A CMOS memory element comprises silicon-on-insulator MOSFET transistors.例文帳に追加

シリコン−オン−絶縁物MOSFETトランジスタを有するCMOSメモリ素子。 - 特許庁

MESA SEPARATED SILICON ON INSULATOR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

メサ分離ＳＯＩトランジスタおよびそれの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING ON-INSULATOR SILICON AND POLYSILICON WAFER例文帳に追加

絶縁体上シリコン及びポリシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SWITCH ON SILICON SUBSTRATE ON INSULATOR例文帳に追加

絶縁体上シリコンの基板上に光スイッチを製造する方法 - 特許庁

A MOSFET is manufactured as an SOI(silicon on insulator) having the intermediate layer of oxide and a comparatively thin active layer overlapped on the layer of a substrate.例文帳に追加

MOSFETを、酸化物の中間層及び基板の層上に重なる比較的薄い活性層を有するSOI（silicon on insulator）素子として製造する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR OF DEEP JUNCTION例文帳に追加

深い接合のシリコン・オン・インシュレータ・トランジスタの形成方法 - 特許庁

SILICON-ON-INSULATOR CHANNEL ARCHITECTURE FOR AUTOMATIC TESTING EQUIPMENT例文帳に追加

自動試験装置のためのシリコン・オン・インシュレータ・チャネルアーキテクチャ - 特許庁

METHOD OF ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF SILICON ON INSULATOR (SOI) WAFER例文帳に追加

シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウエハの電気特性決定方法 - 特許庁

SILICON ON INSULATOR STRUCTURE FROM LOW DEFECT DENSITY SINGLE CRYSTAL SILICON例文帳に追加

欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体 - 特許庁

In the semiconductor device 1, an LDMOSFET (lateral double-diffused MOSFET) 3a is formed on an SOI (silicon-on-insulator) substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板２にＬＤＭＯＳＦＥＴ（Lateral DoubleDiffused MOSFET：横型２重拡散ＭＯＳＦＥＴ）３ａが形成されている。 - 特許庁

The second silicon-containing gate insulator 122 is formed on the first gate insulator 110.例文帳に追加

シリコン含有第２ゲート絶縁膜１２２は、第１ゲート絶縁膜１１０上に形成されている。 - 特許庁

To provide a processing system suitable for manufacturing an SOI (silicon on insulator) substrate, etc.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の製造等に好適な処理システムを提供する。 - 特許庁

SILICON ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTIVE DEVICE ON INSULATOR PROVIDED WITH HEAT SINK例文帳に追加

ヒートシンクを有する絶縁体上シリコン静電気放電保護デバイス - 特許庁

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED IN SILICON-ON-INSULATOR例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ内に形成された金属酸化膜半導体デバイス - 特許庁

Each pixel is a semiconductor island such as N-type silicon on a silicon on insulator (SOI) wafer.例文帳に追加

各ピクセルは、例えば、シリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）ウェハ上のＮ型シリコンなどの半導体アイランドである。 - 特許庁

THIN SILICON-ON-INSULATOR DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜シリコン・オン・インシュレータ二重拡散金属酸化物半導体トランジスタ - 特許庁

FORMING METHOD OF SILICON-ON-INSULATOR BODY CONTACT AND BODY CONTACT STRUCTURE例文帳に追加

シリコンオンインシュレータ・ボディコンタクトを形成する方法およびボディコンタクト構造 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR-ON-SILICON WAFER WITH THERMALLY SOFTENED INSULATOR例文帳に追加

熱軟化性絶縁体と共に化合物半導体が形成されたシリコンウェハ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SILICON ON INSULATOR (SOI) SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 - 特許庁

The silicon mold is obtained by etching a silicon active layer and a silicon oxide layer of a Silicon On Insulator (SOI) substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン活性層及び酸化シリコン層を所望の形状にエッチングして得られたことを特徴とするシリコン型とした。 - 特許庁

ON-CHIP DECOUPLING TRENCH CAPACITOR OF SILICON-ON-INSULATOR DEVICE AND METHOD OF ITS MANUFACTURING SAME例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ・デバイスのオン・チップ・デカップリング・トレンチ・キャパシタおよびその形成方法 - 特許庁

An SOI (silicon on insulator) substrate where a silicon oxide film 20 and a single crystal silicon film 30 are deposited on a semiconductor substrate 10 is prepared (Fig. (a)).例文帳に追加

半導体基板１０上に、シリコン酸化膜２０、単結晶シリコン膜３０が積層されたＳＯＩ基板を用意する（図８（ａ））。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION FOR THIN SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE例文帳に追加

薄いシリコン・オン・インシュレータ基板用の浅いトレンチ分離を形成する方法 - 特許庁

SWITCHED BODY SOI (SILICON-ON-INSULATOR) CIRCUIT AND FABRICATION METHOD THEREFOR例文帳に追加

本体スイッチ式ＳＯＩ（絶縁体上シリコン）回路及びその形成方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR IN PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE例文帳に追加

プログラマブルロジックデバイス内のシリコンオンインシュレータートランジスターのための装置と方法 - 特許庁

A metal oxide semiconductor transistor comprises a silicon substrate on an insulator having a substrate silicon layer therein, a silicon germanium layer disposed on the substrate silicon layer, and an upper silicon layer disposed on the silicon germanium layer.例文帳に追加

本発明の金属酸化物半導体トランジスタは、内部に基板シリコン層を含む絶縁体上シリコン基板と、基板シリコン層上に位置するシリコンゲルマニウム層と、シリコンゲルマニウム層上に位置する上部シリコン層とを備える。 - 特許庁

QUALITY EVALUATING METHOD OF EPITAXIAL LAYER, QUALITY EVALUATING METHOD OF SOI (SILICON ON INSULATOR) LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON WAFER例文帳に追加

エピタキシャル層の品質評価方法、ＳＯＩ層の品質評価方法、シリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MAKING RELAXED SILICON GERMANIUM ON INSULATOR THROUGH LAYER DISPLACEMENT例文帳に追加

層転位を介して絶縁体上に緩和したシリコンゲルマニウムを作製する方法 - 特許庁

To provide a gettering layer and to inhibit a contamination on metal films in a semiconductor device of an SOI(Silicon-On-Insulator) structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置において、ゲッタリング層を設け、金属汚染を抑えること。 - 特許庁

To provide a method for substantially suppressing undercut of a silicon-on-insulator interface.例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ界面のアンダカットを実質的に抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI (silicon-on-insulator) substrate which can prevent overhang of an element substrate.例文帳に追加

素子基板におけるオーバーハングを防ぐことができるＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

ETCHING PROCESS FOR PRODUCING SILICON HAVING SUBSTANTIALLY NO UNDERCUT ON INSULATOR STRUCTURE例文帳に追加

実質的にアンダカットのないシリコンを絶縁体構造上に作製するエッチング工程 - 特許庁

SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE WITH PATTERN HAVING SELF- MATCHED TRENCH AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

自己整合トレンチを有するパタ—ン付きシリコン・オン・インシュレ—タ基板および製造方法 - 特許庁

STRAINED SILICON ON INSULATOR PRODUCED BY FILM MOVEMENT AND RELAXATION CAUSED BY HYDROGEN IMPLANTATION例文帳に追加

水素注入による膜移動および緩和による絶縁体上の歪みシリコン - 特許庁

CYLINDRICAL TRANSISTOR OF VERTICAL SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

垂直シリコン−オン−インシュレータ構造の円筒形トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁