「SILICON-ON-INSULATOR」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The buried layer of the SOI substrate (Silicon On Insulator) used for forming a thermal flowrate sensor is not only constituted with one layer of SiO_2 but also a silicon nitride membrane 11 arranged on the surface 10b of the silicon substrate 10.例文帳に追加

熱式流量センサを形成するために用いるＳＯＩ基板の埋め込み層をＳｉＯ_2の一層のみによって構成せずに、シリコン基板１０の表面１０ｂに配置したシリコン窒化膜１１も備えた構成とする。 - 特許庁

The single-crystal silicon layer is stuck on the top surface, consisting of the 1st inter-layer insulating film 12 formed of the 1st insulator layer 12A and 2nd insulator layer 12B and this single-crystal silicon layer is used to form a transistor element.例文帳に追加

第１の絶縁体層１２Ａと第２の絶縁体層１２Ｂとからなる第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層を用いてトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁

To provide an SOI (silicon on insulator) substrate having an SOI layer excellent in film thickness uniformity, crystallinity and various electric characteristics.例文帳に追加

膜厚均一性、結晶性、電気的諸特性に優れたＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a "non-collector" silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistor not provided with an impurity doped collector.例文帳に追加

不純物ドープ・コレクタを備えない「コレクタ無し」シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for polishing a silicon-on-insulator conveyance wafer with a front surface having a peripheral lip around a circular groove.例文帳に追加

円形溝の周りに外周リップをもつ前面を有するシリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハを研磨する方法の提供。 - 特許庁

The FETs can be used in a SRAM circuit or any other type of circuit having the silicon on insulator(SOI) structure.例文帳に追加

ＦＥＴがＳＲＡＭ回路や、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）構造を有する他のタイプの回路で使用可能になる。 - 特許庁

The first gate electrode is formed on the second silicon-containing gate insulator 122 and has a metal nitride film 124.例文帳に追加

第１ゲート電極はシリコン含有第２ゲート絶縁膜１２２上に形成されており、窒化金属層１２４を有している。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEPARATION REGION IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR FORMING SILICON ON INSULATOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

半導体基板内に分離領域を形成する方法および絶縁体集積回路上にシリコンを形成する方法 - 特許庁

Though not yet used in a product, IBM's amalgamation of SOI (silicon-on-insulator) and 0.15 um copper process makes embedded DRAMs feasible. 例文帳に追加

まだ製品には使われていないとはいえ, IBM社のSOIと0.15ミクロン銅配線技術の融合は, 埋め込み型DRAMを可能にする. - コンピューター用語辞典

To more easily form a metallic film having a desired shape on both faces of a mirror structure manufactured by using an SOI ( silicon-on-insulator) substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いて作製されるミラー構造体の両面に、より容易に所望とする形状の金属膜が形成できるようにする。 - 特許庁

THIN-FILM PHASE-CHANGE MEMORY CELL FORMED ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING ONE OR MORE MEMORY CELL例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ基板上に形成された薄膜相変化メモリ・セル、その形成方法、および１つ以上のメモリ・セルを含む集積回路 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an SOI (silicon on insulator) wafer which has a relatively thinner silicon oxide film and an SOI layer, and is difficult of curvature generation at a heat treatment performed in a device process.例文帳に追加

比較的薄いシリコン酸化膜とＳＯＩ層とを有し、デバイス工程で実施される熱処理時に反りを発生しにくいＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To incorporate a decap trench capacitor (DCT) in a silicon-on-insulator (SOI) to decrease a silicon area to be used and also to perform designing of a low-noise and desirable circuit.例文帳に追加

使用されるシリコン領域を減少させると共に、低ノイズで良好な回路設計を行うためにＳＯＩ上にデキャップ・トレンチ・キャパシタ（ＤＴＣ）を組み込む。 - 特許庁

By removing the insulator layer on the rear surface side, a light receiving part of the silicon layer is exposed, to form a low-profile solid state image pickup device comprising a silicon substrate.例文帳に追加

そして、裏面側の絶縁体層を除去することにより、シリコン層の受光部を露出させ、薄型のシリコン基板よりなる固体撮像装置を形成できる。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon (SCS) micromechanical resonator formed using a two-wafer process including either a Silicon-on-insulator (SOI) or an insulating base and resonator wafers.例文帳に追加

絶縁物上シリコン（ＳＯＩ）又は絶縁ベース及び共振器ウエハを含む、２ウエハ・プロセスにより形成した単結晶シリコン（ＳＣＳ）微細機械加工共振器を提供する。 - 特許庁

(ii) The technology (excluding programs) pertaining to the design or manufacture of substrates of integrated circuits whose insulators are made of silicon dioxide and that have silicon-on-insulator structure. 例文帳に追加

二　絶縁体が二酸化けい素からなる集積回路の基板であって、シリコンオンインシュレータ構造を有するものの設計又は製造に係る技術（プログラムを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

The first gate insulator 110 is formed on the semiconductor substrate 100 and is composed of a material having a relative dielectric constant higher than oxide silicon or silicon oxynitride.例文帳に追加

第１ゲート絶縁膜１１０は半導体基板１００上に形成されており、酸化シリコン又は酸窒化シリコンよりも比誘電率が高い材料から構成されている。 - 特許庁

INKJET RECORDING HEAD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SILICON-ON-INSULATOR BASE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SUBSTRATE FOR INKJET RECORDING HEAD例文帳に追加

インクジェット記録ヘッドとその作製方法、シリコンオンインシュレータ基板とその作製方法及びインクジェット記録ヘッド用基体 - 特許庁

Then an insulator layer 205 and a single crystal silicon layer 206 are successively formed on the light-transmitting substrate 202.例文帳に追加

そして、この光透過性基板２０２上に絶縁体層２０５及び単結晶シリコン層２０６が順次形成されている。 - 特許庁

To provide a method of growing a lattice-relaxed germanium film or silicon germanium film having only a few defects and a good crystallinity on an insulator substrate or on a monocrystalline silicon film formed on an insulation film.例文帳に追加

欠陥が少なく、結晶性のよい格子緩和したゲルマニウム膜及びシリコンゲルマニウム膜を、絶縁体基板、或いは絶縁膜上に形成された単結晶シリコン膜上に成長させる方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor memory, a pair of memory transistor MTr and writing transistor WTr formed on an SOI(silicon on insulator) substrate 27 is a memory cell MC.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、ＳＯＩ基板２７に形成された一組の記憶トランジスタＭＴｒ及び書込トランジスタＷＴｒがメモリセルＭＣとなる。 - 特許庁

A transistor 7 is formed on a surface region of a SOI (silicon on insulator) substrate 1 which has an oxide film layer 3 in a depth direction and is isolated by an element isolating region 5.例文帳に追加

深さ方向に酸化膜層３を有し、素子分離領域５で分離されたＳＯＩ基板１の表面領域にトランジスタ７を形成する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device which is formed on a SOI(silicon-on-insulator) substrate, which can realize highest performance of a specific device and has different crystal orientations.例文帳に追加

特定のデバイスの最高性能を実現できる異なる結晶方位を有するＳＯＩ基板に形成された集積回路デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a high performance NMOS transistor and a high- performance PMOS transistor, using a distortion Si/SiGe layer on a silicon substrate on an insulator.例文帳に追加

絶縁体上シリコン基板上に歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ層を用いた高性能ＮＭＯＳトランジスタおよび高性能ＰＭＯＳトランジスタを提供すること - 特許庁

To provide an SOI (silicon-on-insulator) substrate on which electrical charge countermeasure is applied, and the method of electrically charged particle line exposure employing the SOI substrate, in the electrically charged particle exposure.例文帳に追加

荷電粒子線露光において、帯電対策がなされたＳＯＩ基板と、これを用いた荷電粒子線露光方法を提供するものである。 - 特許庁

An SOI(semiconductor-on-insulator) substrate 10 has an embedded oxide film 31 formed on a silicon substrate 2 and an SOI layer 4 formed on the embedded oxide film 31.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０は、シリコン基板２上に形成された埋め込み酸化膜３１と、埋め込み酸化膜３１上に形成されたＳＯＩ層４とを有している。 - 特許庁

The display device includes: a silicone oxide film 13 and a silicon nitride film 14 that become base films formed on an insulating substrate 11; a polycrystalline silicon electrode 18 formed on the base film; a gate insulator 16 formed on the polycrystalline silicon electrode 18; and a gate metal electrode 17 formed at a position opposite to the polycrystalline silicon electrode 18 on the gate insulator 16.例文帳に追加

本発明にかかる表示装置は、絶縁基板１１上に形成された下地膜となるシリコン酸化膜１３及びシリコン窒化膜１４と、この下地膜上に形成された多結晶シリコン電極１８と、多結晶シリコン電極１８上に形成されたゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６上に多結晶シリコン電極１８と対向する位置に形成されたゲートメタル電極１７とを有している。 - 特許庁

To provide a method for selecting a wafer to be used, in a manufacturing process for a composite material wafer, especially a silicon-on insulator type wafer.例文帳に追加

複合材料ウエハ、特にシリコンオンインシュレータタイプのウエハを製造プロセスにおいて、使用するウエハを選択するための方法を提供する。 - 特許庁

To enable formation of a resistive element, while suppressing increase in the layout surface area caused by a minimum layout modification, when a layout property of bulk silicon use is used for an SOI (silicon-on-insulator) device.例文帳に追加

バルクシリコン使用のレイアウト資産をＳＯＩデバイスへ使用する際に最小限のレイアウト変更により、レイアウト面積の増加を抑制しつつ抵抗素子を形成することを可能とする。 - 特許庁

To provide an MEMS (Micro-Electro Mechanical Systems, hereinafter referred to as "MEMS") device employing such an SOI (Silicon on Insulator) wafer as the ground hole of the device and a handle wafer are coupled electrically through a simple process without requiring any extra step, and also to provide its fabrication process and grounding method.例文帳に追加

ＳＯＩ(Silicon on Insulator)ウェーハを用いるＭＥＭＳ(Micro-Electro Mechanical Systems, 以下「ＭＥＭＳ」と略す)デバイスにおいて、特別な工程を追加せずとも簡単な工程によりデバイスの接地孔とハンドルウェーハ(handle wafer)とを電気的に連結させるＳＯＩウェーハを用いたＭＥＭＳデバイス, その製造及び接地方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate having an SOI(silicon-on-insulator) layer with few crystal defects, small thickness, and small dispersion in thickness.例文帳に追加

結晶欠陥が少なく、厚さが薄く、しかも厚さばらつきの小さいＳＯＩ層を有する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gauge unit 31 is formed employing an SOI (silicon on insulator) substrate formed of a supporting substrate, an embedded insulating film and a semiconductor layer which are laminated sequentially.例文帳に追加

このゲージ部３１は、支持基板、埋め込み絶縁膜、及び半導体層が順次積層されているＳＯＩ基板を用いて形成されている。 - 特許庁

A flat silicon-on-insulator(SOI) substrate having no transition defect containing an SOI region with a pattern and a bulk area is formed.例文帳に追加

パターン付きのＳＯＩ領域およびバルク領域を含み、遷移欠陥のない平坦なシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板を形成する方法。 - 特許庁

To make it possible to obtain a highly reliable SOI device so that a favorable SOI(silicon on insulator) layer can be element-isolated.例文帳に追加

良好なＳＯＩ層の素子分離が行え、信頼性の高いＳＯＩデバイスを得ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first region 108 is formed on an SOI (Silicon On Insulator) wafer to constitute a two-dimensional optical scanning part 100 wherein a torsional vibration system with three degrees of freedom is excited by comb teeth to cause resonance.例文帳に追加

ＳＯＩウエハに第１領域１０８を形成し、３自由度捻り振動系を櫛歯で加振して共振させる二次元光走査部１００を構成する。 - 特許庁

To provide a solid-state image pick-up device of a back irradiation type, which solves problem points of a smart cut method due to foreign matter, without depending on an SOI (Silicon On Insulator) substrate.例文帳に追加

本発明は、ＳＯＩ基板に依存せず、スマートカット法の異物による問題点を解決した裏面照射型の固体撮像装置を提供することを可能にする。 - 特許庁

To provide a silicon-on-insulator(SOI) element having both an element which is completely depleted and an element which is partially depleted on a common substrate.例文帳に追加

完全に空乏化された要素、及び部分的に空乏化された要素の両方を共通基板上に有する、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）素子を提供すること。 - 特許庁

To provide methods for producing SiGe-on-insulator structures and for forming strain-relaxed SiGe layers on silicon while minimizing defects.例文帳に追加

欠陥を最小限としながら、ＳｉＧｅ−オン−インシュレーター構造を製造するため及びシリコン上に歪み緩和ＳｉＧｅ層を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

FINFET is formed over an SOI (Silicon On Insulator) substrate composed of a substrate layer 1S, a buried insulating layer BOX (Buried Oxide) formed over the substrate layer 1S, and a silicon layer formed over the buried insulating layer BOX.例文帳に追加

基板層１Ｓと、基板層１Ｓ上に形成された埋め込み絶縁層ＢＯＸと、埋め込み絶縁層ＢＯＸ上に形成されたシリコン層からなるＳＯＩ基板上にＦＩＮＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus with a body contact type SOI (silicon on insulator) device which operates at a higher speed and is improved in threshold stability.例文帳に追加

動作高速性、しきい値安定性がより向上するボディーコンタクト型のＳＯＩデバイスを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, an insulator layer 104 is formed on a silicon substrate 102, equipped with Si-nanowires 106 each tip end of which is exposed, to cover the substrate 102.例文帳に追加

この方法では、絶縁体層１０４は、先端が露出したＳｉナノワイヤ１０６と共に、Ｓｉ基板１０２に覆い被さって形成される。 - 特許庁

To provide a suggestion for manufacturing method of a Silicon on Insulator (SOI) substrate, capable of sufficiently suppressing a defect such as air void caused in lamination of substrates.例文帳に追加

エアボイドなどの貼り合わせに起因する欠陥を十分に抑制できるＳＯＩ基板の作製方法を提案することを目的の一とする。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor device having an SOI (Silicon On Insulator) structure capable of suppressing diffusion of impurities from source/drain regions.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域からの不純物の拡散を抑制することができるＳＯＩ構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The epitaxial growth channel is formed, and then a damascene gate is formed, thus forming a silicon-on-insulator(SOI) MOSFET of a dual gate.例文帳に追加

エピタキシャル成長チャネルを形成し、その後にダマシン・ゲートを形成することによって二重ゲートのシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ＭＯＳＦＥＴを作成する。 - 特許庁

To contrive the increase of effect of strain application technique which contrives the improvement of performance of a transistor, in a fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) transistor having thin buried oxide (BOX) film.例文帳に追加

埋め込み絶縁（BOX）膜の薄い完全空乏型シリコンオンインシュレータ(FDSOI)型トランジスタで、トランジスタの性能向上を図る歪印加手法の効果の増大を図る。 - 特許庁