「SILICON-ON-INSULATOR」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a patterned silicon-on-insulator (SOI)/silicon-on-nothing (SON) composite structure by a porous Si technique.例文帳に追加

パターン付けされたシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）／シリコン・オン・ナッシング（ＳＯＮ）複合構造体を多孔性Ｓｉ技術によって形成すること。 - 特許庁

An SOI (silicon-on-insulator) substrate is prepared, which includes a silicon base 101, a lower cladding layer 102 comprising an embedded oxide layer, and a surface silicon layer (SOI layer) 201.例文帳に追加

シリコン基部１０１，埋め込み酸化層からなる下部クラッド層１０２，および表面シリコン層（ＳＯＩ層）２０１を備えるＳＯＩ基板を用意する。 - 特許庁

To provide an evaluating method that can both easily and accurately evaluate the quality of an SOI (Semiconductor On Insulator or Silicon On Insulator) wafer, particularly an insulating layer, and a semiconductor layer indirectly.例文帳に追加

ＳＯＩウエーハ、特に、絶縁層および間接的に半導体層のの品質を簡便に、精度良く評価できる評価方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING LOCAL "SILICON-ON-NOTHING" WAFER HAVING TENSILE STRAIN OR "SILICON-ON-INSULATOR"例文帳に追加

テンシル歪み有する局所「Ｓｉｌｉｃｏｎ—Ｏｎ—Ｎｏｔｈｉｎｇ」ウエーハもしくは「Ｓｉｌｉｃｏｎ—Ｏｎ—Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ」を形成する方法 - 特許庁

To provide a planar silicon-on-insulator(SOI) structure and a method for manufacturing the structure.例文帳に追加

平面シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）の構造およびその構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for manufacturing a semiconductor substrate, especially a Silicon on Insulator (SOI) substrate.例文帳に追加

半導体基板、特に半導体・オン・インシュレータ基板を製造する新規な方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MITIGATING AFTEREFFECT IN SILICON-ON-INSULATOR (SOI)-BASED CIRCUIT例文帳に追加

絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ベースの回路における履歴効果を緩和するための方法及び装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an MEMS device from a single silicon-on-insulator (SOI) wafer.例文帳に追加

単一のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハからＭＥＭＳ装置を製造する方法の提供。 - 特許庁

SILICON ON INSULATOR WAFER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ＳＯＩウェハとその製造方法およびそのＳＯＩウェハを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming a low-defect germanium film on an insulator or a silicon substrate.例文帳に追加

絶縁体またはシリコン基板上に低欠陥のゲルマニウム膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method, a cavity is formed in a silicon-on- insulator(SOI) part 23 on an SOI wafer (a first silicon substrate) which is composed of a silicon support part 21, an oxide film 22 and the SOI part 23, and a second silicon substrate 30 is then pasted.例文帳に追加

シリコン支持部２１と酸化膜２２とＳＯＩ部２３からなるＳＯＩウェハ（第１のシリコン基板）のＳＯＩ部２３にキャビティを形成し、この後、第２のシリコン基板３０と貼り合わせを行う。 - 特許庁

In the piezoelectric device 1 which is an MEMS (MicroElectro Mechanical System) device, a whole of silicon layer 14 of SOI (Silicon On Insulator) substrate 11 is made as a p type region.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスである圧電デバイス１において、ＳＯＩ基板１１のシリコン層１４全体をｐ型領域とする。 - 特許庁

The method of forming a single-crystal silicon-on-insulator (SOI) structure on a silicon substrate comprises a process in which an amorphous silicon layer is formed on an insulating layer and a process in which the amorphous silicon layer is brought into contact with the substrate via the insulating layer.例文帳に追加

シリコン基板の上に単結晶シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造を形成する方法が、絶縁層の上にアモルファス・シリコン層を形成すること、および絶縁層を介して基板に接触させることを含む。 - 特許庁

To provide a method and a structure for forming a modular silicon-on- insulator island on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にモジュラ・シリコン・オン・インシュレータアイランドを形成するための方法および構造を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH PERFORMANCE SiGe HETERO- JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR BiCMOS ON SILICON WAFER ON INSULATOR例文帳に追加

高性能ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラトランジスタＢｉＣＭＯＳを絶縁体上シリコン基板に製造する方法 - 特許庁

To provide a surface micromachining process for directly fabricating a three-dimensional micro hinge on a silicon on insulator wafer.例文帳に追加

シリコンオンインシュレータウェハ上に３次元マイクロヒンジを直接作製する表面マイクロマシニングプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck for attracting and firmly holding insulating objects, such as liquid glass, SOS (silicon on sapphire), or SOI (silicon on insulator).例文帳に追加

液晶ガラス、ＳＯＳ（シリコンオンサファイア）、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）等の絶縁性をもつ被吸着物を高い吸着力で保持できる静電チャックを提供する。 - 特許庁

To provide a silicon-on-insulator driver circuit that has a body voltage control stage and a voltage clamp stage.例文帳に追加

ボディ電圧制御段と電圧クランプ段とを有するシリコン・オン・インシュレータ・ドライバ回路を提供すること。 - 特許庁

The selection device may be implemented in silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology.例文帳に追加

選択デバイスは、シリコン−オン−絶縁物（SOI）相補型金属酸化物半導体（CMOS）技術で実装される。 - 特許庁

To form an SOI(silicon-on-insulator) structure substrate, having a body contact (a base-body contact) under a gate conductor.例文帳に追加

ゲート導体下にボディコンタクト（基体接点）を有するＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）構造基板を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STRAIN-RELAXED SILICON-GERMANIUM ON INSULATOR VIA DISLOCATED LAYER BY REDUCING STRESS例文帳に追加

応力を低減して層転位を介して緩和シリコン−ゲルマニウムを絶縁体上に作製する方法 - 特許庁

To provide a method of repolishing a silicon-on-insulator transfer wafer having a front side, a rear side, and edges.例文帳に追加

前面と、裏面と、エッジとを有するシリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハを再研磨する方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a semiconductor chip 2 with a silicon-on-insulator (SOI) substrate 31 as a base, for example.例文帳に追加

半導体装置１は、たとえば、ＳＯＩ基板３１を基体とする半導体チップ２を備えている。 - 特許庁

The radio IC tag 6 can be formed of a semiconductor having a SOI (silicon-on-insulator) structure.例文帳に追加

さらに、この無線ＩＣタグ６は、ＳＯＩ構造を有する半導体により形成することができる。 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE FOR HIGH-K AND LOW-K EMBEDDED OXIDE FOR SILICON-ON-INSULATOR(SOI) TECHNOLOGY例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）技術の高Ｋおよび低Ｋ埋込酸化物のための方法および構造 - 特許庁

A strained silicon layer may be epitaxially deposited on the relaxed SiGe structure which has been finally produced on the insulator.例文帳に追加

歪みシリコン層は、絶縁体上に結果として生じる緩和したＳｉＧｅの構造上に、エピタキシャルに堆積され得る。 - 特許庁

To provide a method for forming a shallow trench isolation (STI) on a thin silicon-on-insulator (SOI) substrate.例文帳に追加

薄いシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板上に浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）を形成するための方法を提供すること。 - 特許庁

The buried oxide of silicon on insulator (SOI) wafers plays an important role in the operation of electronic devices made on such materials. 例文帳に追加

SOIウエハーに埋め込まれた酸化物は, この材料上に作られる電子デバイスの動作にとって重要な役割を果たす. - コンピューター用語辞典

With respect to a semiconductor device 1 in the complete depletion-type SOI(Silicon On Insulator) transistor, impurities are implanted in a channel formation portion 10 with nonuniform concentrations in the direction of the length of a gate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置１は、完全空乏型のＳＯＩ（Silicon on Insulator）トランジスタにおいて、チャネル形成部１０における不純物濃度が、ゲート２の長さ方向に沿って不均一に注入されているものである。 - 特許庁

To reliably join bumps to each other by low pressure without application of excessive pressure when laminating an SOI (silicon on insulator) substrate having TSV (through silicon via).例文帳に追加

ＴＳＶを有するＳＯＩ基板を積層する場合に余分な圧力を加えることなく、少ない圧力で確実にバンプ間を接合する。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator device includes silicon active layers 30a to 30d with a <100> crystal orientation located on an insulating layer 40.例文帳に追加

半導体・オン・インシュレータデバイスは、絶縁層４０上に位置する結晶方位が＜100＞のシリコン活性層３０ａ〜３０ｄを含む。 - 特許庁

NMOS AND PMOS TRANSISTORS HAVING PROPER MOBILITY USING DISTORTION Si/SiGe LAYER ON SILICON SUBSTRATE ON INSULATOR例文帳に追加

絶縁体上シリコン基板上に歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ層を用いた良好な移動度を有するＮＭＯＳおよびＰＭＯＳトランジスタ - 特許庁

To improve the yield of a peeling step in fabricating an SOQ (silicon on quartz) substrate, and to improve the surface state of an SOI (silicon on insulator) substrate to be acquired in peeling.例文帳に追加

ＳＯＱ基板の作製時における剥離工程での歩留まりを向上させるとともに、剥離により得られるＳＯＩ層の表面状態を良好なものとすること。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor substrate comprises a first process of forming the SiGe layer 1 on a silicon substrate 3, and a second process of forming the insulator layer 2 on the silicon substrate 3.例文帳に追加

シリコン基板３上にＳｉＧｅ層１を形成する第１の工程と、前記シリコン基板３中に絶縁体層２を形成する第２の工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for mitigating an aftereffect in silicon-on-insulator (SOI)-based circuitry.例文帳に追加

絶縁体上シリコン（SOI)ベースの回路における履歴効果を緩和するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon-on-insulator (SOI) substrate structure and a manufacturing method thereof which are simple and cost-efficient.例文帳に追加

簡単でコスト効率のよいシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板構造およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enable substrate potential of a SOI(silicon-on-insulator) MOS transistor to be extracted, without using a metal wiring of large area.例文帳に追加

ＳＯＩ構造のＭＯＳトランジスタの基板電位を大面積の金属配線を用いることなしに引き抜く。 - 特許庁

To provide a novel semiconductor device provided with a plurality of field effect transistors (FET) in a silicon-on-insulator (SOI) structure.例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ構造において複数電界効果トランジスタを備える新規な半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory which can suppress variations in characteristics and can reduce an S-factor by using a polysilicon SOI (silicon on insulator).例文帳に追加

特性ばらつきを抑制し、S-factorの低減を図れるポリシリコンＳＯＩを用いた不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

The transmission and reception n-channel MOS field-effect transistors are formed in a silicon-on-insulator (SOI) structure.例文帳に追加

送信と受信とのｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタは、シリコンオンインシュレータ(ＳＯＩ)構造で形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced.例文帳に追加

単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供する。 - 特許庁

A variable delay circuit is formed by a plurality of silicon-on-insulator (SOI) logic gates.例文帳に追加

発明の一態様は、複数のシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）論理ゲートによって形成された回路から構成される。 - 特許庁

In a substrate forming step, a hole for passing an electrode portion therethrough is formed on a substrate 1, made of an insulator such as silicon.例文帳に追加

基板作成工程では、シリコンなどの絶縁物から成る基板１に、電極部を通す穴を作成する。 - 特許庁

To provide a switch circuit for high frequency signals, which is formed on an SOI (Silicon On Insulator) substrate, has high ON/OFF characteristics and has little distortion of the high frequency signals.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成され、オン／オフ特性が高く、高周波信号の歪が少ない高周波信号用スイッチ回路を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating the semiconductor device comprises the steps of forming an amorphous silicon film on the surface of an insulator, heating the amorphous silicon film, and thereby setting the hydrogen concentration in the amorphous silicon film to 5 atomic % or less.例文帳に追加

絶縁表面上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜を加熱することによって、前記アモルファスシリコン膜中の水素濃度を５原子％以下とする。 - 特許庁