「Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(310ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing an optical device by which the optical device is molded with the minimum steps without causing optical defects such as cloudiness or crack and without causing the fusion of glass or the deposition of produced material on the surface of a mold in press molding.例文帳に追加

曇りやクラックなどによる光学的な不具合が発生してしまうことなく、また、加圧成形に伴って成形型の表面にガラスの融着や生成物の析出が生じてしまうことがなく、最小限の工程で光学素子を成形することが可能な光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the method can employ the organometallic complex having the ligand of β-diketone, which has been difficult to employ in a conventional method for forming the atomic layer with vapor deposition, and can remove an organic material which has been a problem in employing the organometallic complex, with the oxygen free radicals generated in plasma.例文帳に追加

従来の原子層蒸着方法では使用が困難であったβ−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を使用することができ、しかもこの有機金属錯体の使用時に問題となっていた有機物をプラズマで生成された酸素ラジカルで除去することができる。 - 特許庁

To provide a thick and thin combustion burner capable of avoiding the adhesion and deposition of dust and dirt possibly included in air forming a thick air-fuel mixture to improve anti-linting performance to promote improvement in combustion stability when supplying the thick air-fuel mixture to a thick burner port via a communication hole.例文帳に追加

濃混合気を連通孔を通して濃炎孔に供給する際に、濃混合気を構成する空気に含まれているかもしれない塵埃の付着・堆積の発生を回避して耐リンティング性能を向上させ、これにより、燃焼安定性の向上を図り得る濃淡燃焼バーナを提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of efficiently forming a tungsten film of low resistance free from any pollution of impurity elements by activating reducing gas by a catalyst body in which a coating film formed of the same material as a thin film to be deposited is formed on a surface of a base material.例文帳に追加

成膜すべき薄膜と同じ材料のコーティング膜を母材の表面に形成した触媒体により還元ガスを活性化することにより、不純物元素の汚染がない低抵抗のタングステン膜を効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide methods and equipment for the sustained, high-volume production of a Group III-V compound semiconductor material suitable for fabrication of optic and electronic components, for use as substrates for epitaxial deposition, for wafers and so forth, in relation to the field of semiconductor processing equipment and methods.例文帳に追加

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。 - 特許庁

A drive unit 13 continuously moves the position of a substrate 1 along a track 5 so that the film thickness determined based on the film thickness distribution of a thin film manufactured with the constant optical path of laser beams 4 during the film deposition, and the fixed position of the substrate 1 is uniform.例文帳に追加

成膜時に於けるレーザ・ビーム４の光路を一定とし且つ基板１の位置を固定した状態で作製した薄膜の膜厚分布を基礎として定められた膜厚が均一になる軌道５に倣って基板１の位置を連続的に移動させる駆動装置１３を備える。 - 特許庁

A raw material monomer 21 and a photosensitizer 22 are fed to a film deposition chamber 11 whose pressure is reduced to a prescribed vacuum degree, and the polymerization reaction of the raw material monomer 21 is caused via the photosensitizer 22 excited by the light of a light source 15, thus the polymerized film is deposited on a substrate W.例文帳に追加

所定の真空度に減圧されている成膜室１１に原料モノマー２１と光増感剤２２を供給し、光源１５の光で励起された光増感剤２２を介して原料モノマー２１の重合反応を引き起こし、その重合膜を基板Ｗ上に堆積させる。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide member with excellent productivity where, as a base material for CVD (Chemical Vapor Deposition)-SiC, a repeatedly usable base material which is easily removable from the CVD-SiC, and does not generate cracks, fractures and impurity contamination on the CVD-SiC is adopted.例文帳に追加

本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。 - 特許庁

When the measured values Vs-k, Vs-c outputted from the sensor for detecting the amount of toner deposition exceed the allowable limit of the output value Vs-k0, Vs-c0, a voltage Vbr for moving is increased to the side of a polarity which can form an electric field to make the movement of the toner to the photosensitive drum side difficult.例文帳に追加

そして、トナー付着量検知センサからの測定出力値Ｖｓ＿ｋ、Ｖｓ＿ｃが、許容限界出力値Ｖｓ＿ｋ０、Ｖｓ＿ｃ０を超える場合には、感光ドラム側にトナーをより移動させ難くする電界を形成し得る極性側に移動用電圧値Ｖｂｒを大きくする。 - 特許庁

After the formation of the CVD layer 8 to serve as a wiring material, an additional wiring material layer 9, which is as thick as a wiring trench is deep, is formed by ECD (electrochemical deposition), and the additional wiring material layer 9 and the CVD layer 8 are removed by CMP for the formation of a wiring layer 40.例文帳に追加

配線材となるＣＶＤ層８の成膜の後、ＥＣＤによってほぼ配線溝深さと同等の配線材追加成膜層９の成膜を行い、配線材追加成膜層９とＣＶＤ層８６とをＣＭＰによって除去し、配線層４０を形成する。 - 特許庁

At least a peeling layer 5 comprising an ink coating or a pattern layer 4 is laminated on the front face of a transparent substrate 2, a front low reflection layer 6 formed by vapor deposition is further laminated on the layer 5 or 4 and a rear low reflection layer 8 comprising a low reflection film is disposed on the rear face of the substrate 2.例文帳に追加

透明基板２の表面にインキ皮膜からなる剥離層５または図柄層４が少なくとも積層され、その上に蒸着法により形成された表面低反射層６が積層され、透明基板２の裏面に低反射フィルムからなる裏面低反射層８が積層される。 - 特許庁

In this film deposition method, gaseous organometallic compound containing a carbonyl group and a gaseous silicon starting material are mixed in an introduction tube 20, this mixture is thereafter charged into a vacuum tank 2, and a metallic silicide thin film is vapor-phase-grown on the surface of a preheated silicon substrate 12.例文帳に追加

本発明の成膜方法では、カルボニル基を含む有機金属化合物ガスと、シリコン原料ガスとを導入管２０内で混合させた後、真空槽２内に注入し、予め加熱したシリコン基板１２の表面に金属シリサイド薄膜を気相成長させている。 - 特許庁

In the manufacturing process of pulp and paper, the deposition degree of the foreign substance in the process is measured, by using a microbalance having a quartz oscillator, preferably a microbalance capable of measuring frequency change (Δf) and dissipation value (ΔD) due to the adherence of the foreign substances on the quartz oscillator surface.例文帳に追加

パルプ及び紙の製造工程において、水晶振動子を有する微量天秤、望ましくは該微量天秤が、異物が水晶振動子表面に付着することによる振動数変化（Δf）及び消散値（ΔＤ）を測定できるものを用いて工程中の異物の沈積度合を測定する。 - 特許庁

An optically opaque silicon film 2 is deposited on an optically transparent base substrate 1 using a sputter deposition apparatus or the like, and then a portion of the silicon film 2 serving as a passage of light is removed with the specified slit width using a photolithography technique and an etching technique so as to produce the slit 3.例文帳に追加

光学的に透明な基台１上にスパッタ成膜装置等により光学的に不透明なＳｉ膜２を成膜した後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、所定の幅で光の通路となる部分のＳｉ膜２の一部を取り除き、スリット３を作製する。 - 特許庁

The sputtering apparatus has a cylindrical target 123 equipped with a magnetron magnetic field forming means 122 and an anode 125 provided so as to plug one opening part of the target at the inside of a film deposition chamber, and deposits the thin film on a substrate opposing to the cylindrical target 123.例文帳に追加

成膜室の内部にマグネトロン磁場形成手段１２２を備えた円筒状ターゲット１２３と、該ターゲットの一方の開口部を塞ぐように設置されたアノード１２５と、を有し、前記円筒状ターゲットと対向する基板上に薄膜を堆積させるスパッタ装置を、つぎのように構成する。 - 特許庁

To provide a method for developing a photosensitive resin composition by which the deposition of a dissolved component is prevented even under low replenishment, the consumption of an alkali component is suppressed, the amount of waste liquor discharged is reduced and development quality is stably retained.例文帳に追加

現像処理装置を用いて、低補充量でも、溶解成分の析出がなく、アルカリ成分の消耗が少なく、廃液の排出量を抑制できて、しかも現像品質も損なわずに安定に維持できる感光性樹脂組成物の現像処理方法を提供することである。 - 特許庁

In the vacuum vapor deposition apparatus having a print roller having projecting parts with a masking agent adhered thereto and a backup roller to press a traveling film against the print roller, the projecting parts are provided on both ends of the print roller in the direction of the axis of rotation.例文帳に追加

マスキング剤を付着させた凸部を有する印刷ローラと、走行するフィルムを該印刷ローラに押し当てるバックアップローラを有するマスクパターン形成機を設けた真空蒸着機において、前記印刷ローラの回転軸方向の両端に凸部を有することを特徴とした真空蒸着装置。 - 特許庁

The reflection parts 9a and 9c are made of a metal such as silver having high reflectivity, and formed by a method for applying paste containing fine metal powder or by a method for forming a thin metal plate integrally with the first and second frames 7a and 8a in addition to general deposition.例文帳に追加

反射部９ａ、９ｃは銀等の高反射率の金属からなり、一般的な蒸着の他、微細な金属粉末を含むペーストを塗布する方法、または薄い金属板を第１及び第２のフレーム７ａ、８ａと一体成形する方法等により形成される。 - 特許庁

After a tile 2 is heated in a heating zone 3, TiO2 generated by hydrolysis of TiCl4 vapor is deposited on the tile surface, in a vapor deposition chamber 4 where TiCl4 vapor generated in a TiCl4 vapor generating furnace 5 is introduced, to form a TiO2 film on the tile surface.例文帳に追加

タイル２を加熱ゾーン３で加熱した後、ＴｉＣｌ_4蒸気発生炉５で発生させたＴｉＣｌ_4蒸気が導入される蒸着室４にて、ＴｉＣｌ_4蒸気の加水分解で生じたＴｉＯ_2をタイル表面に蒸着させることにより、タイル表面にＴｉＯ_2被膜を形成する。 - 特許庁

A processing chamber (100) for performing atomic layer deposition (ALD), a substrate holder (120) provided within the process chamber, and a gas injection system (140) configured to supply a first process gas and a second process gas to the process chamber (100) are included in the subject apparatus.例文帳に追加

処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。 - 特許庁

To provide a color filter conversion device and in particular, an organic electroluminescent display device applying the same in which vapor deposition frequency of the organic light emitting unit is effectively reduced, and transmittance of color light source generated by the organic light emitting unit to a photoresist and conversion efficiency of the color conversion layer are improved.例文帳に追加

カラーフィルタ変換装置、特にそれを応用した有機電界発光表示装置において、有機発光ユニットの蒸着回数を有効に低減しかつ有機発光ユニットが発生する色光源のフォトレジストに対する透過率及びカラー変換層の変換効率を向上させる。 - 特許庁

To provide film deposition equipment by laser in which a substrate is irradiated with defocused laser light and a reflector subjected to total reflection coating and having a curved surface profile on the back of the substrate in a vacuum chamber is provided in order to irradiate the substrate with laser light leaked from the substrate and reflected on the reflector.例文帳に追加

基板に照射するレーザ光をデフォーカス光とし、基板から漏れたレーザ光を反射し基板に照射するために、真空チャンバ内で基板の背後に曲面形状を有する全反射コーティングしたリフレクターを設けた、レーザによる成膜装置を提供する。 - 特許庁

The chemical vapor deposition equipment in which a film 13 is formed on the surface of a substrate 11 by using a treatment gas, is provided with the reaction chamber 1, a gas supply pipe 4, a gas supply valve 5, a gas disposal pipe 6, a gas disposal valve 7, and a gas flowmeter 9.例文帳に追加

本発明の化学気相成長装置は、処理用ガスを用いて基板１１表面に薄膜１３を形成する化学気相成長装置であって、反応室１と、ガス供給管４と、ガス供給バルブ５と、ガス廃棄管６と、ガス廃棄バルブ７と、ガス流量計９とを備えている。 - 特許庁

The radiation image conversion panel, having at least a stimulable phosphor layer and a protective layer on a support body, is produced through a process using the gas phase deposition method, and each of the support body and the protection layer has flexibility.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも輝尽性蛍光体層、保護層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層が気相堆積法を用いる工程を経て作製され、且つ、該支持体及び該保護層が、各々可撓性を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

The method for manufacturing acoustic matching layers used for an ultrasonic sensor includes a process in which a plurality of recesses (11a) are formed on the surface of a resin layer (11), and a hard layer (12) made of ceramic or metal is formed with an aerosol deposition method so as to fill the recesses (11a).例文帳に追加

超音波センサ用音響整合層の製造方法は、樹脂層（１１）の表面に複数の凹部（１１ａ）を形成し、それらの凹部（１１ａ）を埋めるようにセラミックまたは金属からなる硬質層（１２）をエアロゾルデポジション法で形成する工程を含むことを特徴としている。 - 特許庁

This light guide plate 2 with a reflection function is provided with: a light guide part 2a for entering light emitted from a light source 1 into its incident surface; and the reflecting layer 2b formed of a metal directly deposited on a deposition surface connected to the incident surface for reflecting light propagated through the inside of the light guide plate.例文帳に追加

反射機能付き導光板２は、光源１からの出射光が入射面に入射される導光部２ａと、入射面に接続する蒸着面に直接蒸着された金属から形成され、当該導光板内を伝播する光を反射する反射層２ｂとを備える。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which has good wear resistance, flaw resistance and deposition resistance, is extremely little in the change and deterioration of photoreceptor characteristics, such as an increase of residual potential in repetitive use and can exhibit stable performance even in the repetitive use.例文帳に追加

耐磨耗性、耐傷性、かつ耐析出性が良好な電子写真感光体であって、且つ、繰り返し使用時における残留電位の上昇などの感光体特性の変化や劣化が非常に少なく、繰り返し使用時にも安定した性能を発揮することができる電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

An NN model regulating the causal relation of the particle size distribution of the solid particle, the bottom compression pressure and average porosity of the sedimentation deposition layer, and the partial porosity in the case with the product of partial specific resistance and grain density in the case is constructed by use of the acquired measurement data.例文帳に追加

取得した実測データを用いて、固体粒子の粒度分布、沈降堆積層の底部圧縮圧力および平均空隙率、ならびにケーク内の部分空隙率と、ケーク内の部分比抵抗および粒子密度の積との間の因果関係を規定するＮＮモデルを構築する。 - 特許庁

The aluminum metal vapor deposition layer 13 of the aluminum metal transfer foil film 11 is pressurized on a surface of the color glossy layer 3 of the transferrable sheet 1 and partial transfer is carried out by embossing process at an embossing transfer speed of 10 m-20 m per min at a temperature of an embossing roller of 120°C-140°C.例文帳に追加

前記被転写シート１の各色光沢層３の面に前記アルミ金属転写箔フィルム１１のアルミ金属蒸着層１３を加圧し、エムボス転写速度：毎分１０ｍ〜２０ｍ、エムボスローラの温度：１２０℃〜１４０℃の条件でエムボス加工により部分転写を行なう。 - 特許庁

It is characterized that a piezoelectric element 33 is cut out of a base material 75 as a tabular piezoelectric material, end faces 67, 69, 71 and 73 on the outer periphery of the piezoelectric element 33 are formed by the cutting-out, and a coating is formed by vapor deposition polymerization of a polymeric compound on the end faces 71 and 73 of the piezoelectric element 33.例文帳に追加

板状の圧電材料の母材７５から圧電素子３３を切り出し該切り出しによって圧電素子３３外周の端面６７，６９，７１，７３を形成し、圧電素子３３の端面７１，７３に高分子化合物を蒸着重合してコーティングを形成することを特徴とする。 - 特許庁

A magnetic layer, made of a Co metal magnetic thin film, is formed by vacuum deposition on one main surface of a layer containing no carbon black which constitutes a base film of multi-layer structure comprising a nonmagnetic base material, and a protective film comprising a carbon film, is formed on the surface of the magnetic layer through a plasma CVD method.例文帳に追加

非磁性支持体からなる多層構造のベースフィルムを構成するカーボンブラックを含有しない層の一主面に真空蒸着によりＣｏ金属磁性薄膜からなる磁性層を形成し、該磁性層の表面にプラズマＣＶＤ法によりカーボン膜からなる保護膜を形成する。 - 特許庁

For example, in a seeding step, N_2 gas is used as the seal gas to increase the yield of the glass fine particles to shorten the seeding time, and in a manufacturing step of a valid part, the seal gas is switched into Ar gas to increase the deposition speed of the glass fine particles to efficiently manufacture the porous glass preform.例文帳に追加

例えば、種付け工程においては、Ｎ_２ガスをシールガスとして使用し、ガラス微粒子の収率を上げて種付け時間の短縮を図り、有効部作製工程ではＡｒガスに切り替えて、ガラス微粒子の堆積速度を上げることによって効率的に多孔質ガラス母材を製造する。 - 特許庁

The pasting device in one embodiment includes: the paste sheet deposited with the paste on one surface side and drawn around while maintaining tension along a predetermined route; and a paper movement member for moving the paper toward the paste sheet and transferring the paste by contacting the paper with a paste deposition surface of the paste sheet.例文帳に追加

ある態様の糊付け装置は、片面側に糊が付着され、所定の経路に沿って張力を維持しつつ引き回された糊シートと、糊シートに向けて用紙を移動させ、その用紙を糊シートの糊付着面に接触させることにより糊を転写させる用紙移動部材と、を備える。 - 特許庁

In this artificial tooth structure 10, hard resin 103 is banked on the surface of a frame 102 made of metal material or resin material to form the shape of a tooth, and an alumina film 104 is formed on the surface of the hard resin 103 as the front side of the tooth by an aerosol deposition method.例文帳に追加

人工歯構造物１０は、金属材質や樹脂材質などのフレーム１０２の表面に硬質レジン１０３を盛り付けて歯の形状が形成され、この歯の前面側に当たる硬質レジン１０３の表面にアルミナ膜１０４がエアロゾルデポジション法によって形成されている。 - 特許庁

The multilayer electrodeposition coating film forming method uses the cation electrodeposition coating material which contains a plurality of emulsions and in which the difference in an electric quantity (a) necessary for starting the deposition between 2 kinds of the coating compositions consisting of respective emulsions selected from a plurality of the emulsions is 50-400 C/m^2.例文帳に追加

カチオン電着塗料が複数のエマルションを含有し、該複数のエマルションから選ばれる２種のそれぞれのエマルションよりなる塗料の析出開始に必要な電気量(ａ）の差が５０〜４００Ｃ／ｍ^2であるカチオン電着塗料を用いた複層電着塗膜形成方法。 - 特許庁

The metal material member, that has improved anchor effects on the deposition silicon and corrosion resistance to the halogen etching gas, by machining the surface of a metal material to appropriate surface roughness, and the film-forming device is composed by selecting an optimum material according to the temperature environment of the film-forming device.例文帳に追加

金属材料の表面を適正な表面粗さに加工することにより、析出シリコンに対する良好なアンカー効果とハロゲンエッチングガスに対する耐食性を兼ね備えた金属材料部材とし、成膜装置の温度環境に応じて最適な材質を選択して成膜装置を構成する。 - 特許庁

A method of improving throughput in a semiconductor wafer deposition process in a high-density plasma processing chamber, comprises a step of processing a first wafer within the high-density plasma processing chamber using a process including high output sufficient for burning out fluorosilicate glass residue in the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマ処理室内の半導体ウエハ堆積工程の処理量を改善する方法は、処理室内のフオロ珪酸塩ガラス残留物を焼き尽くすのに十分な高出力を含む工程を用いて、高密度プラズマ処理室内で第１のウエハを処理する工程を含む。 - 特許庁

The front substrate and the rear substrate both with the composing elements for functioning as the plasma display panel are faced each other and the peripheries of the substrates are sealed mutually, while keeping them at the temperature at which the moisture deposition on the substrates and the composing elements is prevented.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素を形成した前面側と背面側の基板を、これらの基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持し、保持した前面側と背面側の基板を対向させて周辺を封着する。 - 特許庁

To prevent the short circuit between an electrically conductive first film 22 deposited on the surface of a base and a similarly electrically conductive second film deposited on a mask in sputter film deposition, to evade the ignition of arc discharge by heat generation in the short-circuited part and to evade the damage of the films attendant thereon.例文帳に追加

スパッタ成膜において、下地表面に形成される導電性の第１被膜２２と、マスク上に形成される同じく導電性の第２被膜３２の短絡を防止し、該短絡部が発熱してアーク放電を点孤すること、およびそれに伴なう被膜の損傷を回避する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional structure having a conductive layer, wherein the conductive layer can be formed without undergoing a complicating, expensive vapor deposition method and a part of the conductive layer can be efficiently removed while preventing product failure, and a manufacturing method of a three-dimensional metal structure.例文帳に追加

複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Using a vacuum flow rate control valve dealing with ALD composed of the main valve 1 for operating the opening and closing of a valve member 15 via a valve shaft 20 by a valve driving mechanism part 4 and a butterfly valve 2 fitted to the main port 11 of the main valve, a film deposition operation by ALD is performed.例文帳に追加

弁駆動機構部４により弁シャフト２０を介して弁部材１５を開閉操作する主弁１と、主弁のメインポート１１に付設したバタフライ弁２によって構成されたＡＬＤ対応真空流量調整バルブを用いて、ＡＬＤによる成膜操作を行う。 - 特許庁

This chemical vapor deposition apparatus is provided with a reaction chamber 11, in which thin films are formed on the surfaces of silicon substrates 51 placed in the chamber 11, and a substrate heating source equipped with an electromagnetic wave generator 12 which supplies electromagnetic waves into the chamber 11 and is connected to the chamber 11.例文帳に追加

内部にシリコン基板５１が載置されるものでシリコン基板５１表面に薄膜が成膜される反応室１１と、反応室１１内に電磁波を供給するもので反応室１１に接続した電磁波発生器１２を備えた基板加熱源とを備えたものである。 - 特許庁

As the stress relaxation layer 312b having transparency and hygroscopicity, a film composed of the same material as a layer 310 containing an organic compound pinched between the negative electrode and a positive electrode, a film capable of being formed by a vapor-deposition method, or a film capable of being formed by a coating method is used.例文帳に追加

透明性、且つ吸湿性を有する応力緩和層３１２ｂは、陰極と陽極との間に挟まれている有機化合物を含む層３１０と同じ材料からなる膜、あるいは蒸着法で形成可能な膜、或いは塗布法で形成可能な膜を用いる。 - 特許庁

For example, either electrode 20 is divided into a plurality of electrode elements 21 to 24, the voltage to be applied to each electrode element 21 to 24 is suitably changed, and the electric field intensity between the confronted electrodes is made weak almost stepwise as it goes to the latter-half position 29 where the deposition of a film 4 progresses.例文帳に追加

例えば、一方の電極２０を複数の電極要素２１〜２４に分割し、各電極要素２１〜２４に印加する電圧を適宜に変え、対向する電極間の電界強度が、膜４の成膜が進行する成膜後半位置２９ほど、略階段状に弱くなるようにする。 - 特許庁

The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and applying negative voltage to the target is characterized in that the method is implemented while feeding electrons to the surface of the target with the use of an electron gun.例文帳に追加

比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、電子銃を用いて該ターゲット表面に電子を供給しつつ行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁