Depositionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 17021件
In this method of manufacturing the radiation image conversion panel having at least one photostimulable phosphor layer formed on a support by a vapor phase deposition method, at least one photostimulable phosphor layer is formed through a process for heating one face of the support while cooling the other face of the support, in applying the vapor flow including the photostimulable phosphor material to the support.例文帳に追加
支持体上に、気相堆積法により形成された、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの作製方法において、輝尽性蛍光体原料を含む蒸気流を該支持体に入射する時に、前記支持体の一方の面を加熱しながら、且つ、前記支持体のもう一方の面を冷却する工程を経て、該輝尽性蛍光体層の少なくとも1層が形成されることを特徴とする放射線画像変換パネルの作製方法。 - 特許庁
The polluted soil cleaning method has a process for treating polluted soil while using water containing no nutrient composition for pollution source cleaning microorganisms as water subjected to disintegration to disintegrate soil lumps, a process for dehydrating a part of moisture in polluted soil and a process for accumulating partially dehydrated soil at a predetermined deposition position and adding the nutrient composition for polluted source cleaning microorganisms to soil.例文帳に追加
本発明による汚染土壌の浄化方法は、汚染源浄化微生物向け栄養組成物を含まない水を解砕に供する水として使用しつつ汚染土壌を処理して土壌塊を解砕する工程と、その後、上記汚染土壌中の水分の一部を脱水する工程と、その一部の水分が脱水された土壌を所定の堆積位置に堆積させると同時にその土壌に汚染源浄化微生物向け栄養組成物を添加する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
A magnetic layer 3 of a film thickness of ≤ 55 nm is formed on one main surface of a long non-magnetic base material 1 by a vacuum thin film deposition technique.例文帳に追加
長尺状の非磁性支持体1の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された膜厚55nm以下の磁性層3を有し、磁性層3の長手方向断面カラム構造における磁性微粒子3aの成長方向の、非磁性支持体1の長手方向に対する法線との為す角度をθとし、磁性層初期成長部分における平均角度をθiとし、磁性層成長終端部分における平均角度をθfとしたとき、下記の関係を有する磁気記録媒体10を提供する。 - 特許庁
The fans 21, 28 and the intermediate damper 23 are controlled such that the pressure difference between the image recording section 7 and the conveyance section 6 is made to be the minimum to eliminate the deviation of deposition due to the air flow or the like, thereby recording a high quality image.例文帳に追加
本発明は目的を達成するために、記録媒体2に画像記録する画像記録部7と、画像記録部7に対向配置し、記録媒体2を吸着搬送する搬送部6と、画像記録部7と搬送部6を接続し、中間エアーダンパ23を有するバイパス37と、ファン21,28と、を設け、画像記録部7と搬送部6の圧力差が最小限になるようファン21,28、中間エアーダンパ23を制御してエアーフロー等による着弾ずれがなく、高品質な画像を記録する画像記録装置を提供する。 - 特許庁
An integrated composite structure with the graded coefficient of thermal expansion (CTE) is formed by selecting a plurality of layers of materials with the graded CTE and using build-up (bottom-up) fabrication approaches such as metal deposition or powder metallurgy to produce a CTE-graded layered composite preform, which is then consolidated and heat treated to create the CTE-graded integrated composite billet or near net shape.例文帳に追加
傾斜分布熱膨張係数(CTE)を有する一体化された複合構造は傾斜分布CTEを有する材料の複数の層を選択し、CTEの傾斜分布された層化された複合プレフォームを生成するために金属付着または粉末治金のような積み重ね(上昇型の)製造方法を使用し、その後CTEの傾斜分布で一体化された複合ビレット又はニアネットシェイプを生成するために強化され熱処理されることにより形成される。 - 特許庁
To provide an apparatus and a method for depositing a film in which deposition of a film on a dielectric window is prevented, a homogeneous plasma is formed by transmitting relatively large microwave power into a discharge space of large area consistently for a long time, and a film of high quality and excellent uniformity can be deposited when depositing the film by the plasma CVD method by introducing a microwave via the dielectric window.例文帳に追加
誘電体窓を介しマイクロ波を導入してプラズマCVD法により堆積膜を形成するに際し、誘電体窓に堆積膜が付着することを防止し、比較的大きなマイクロ波投入電力を、大面積において、長時間、安定的に放電空間に伝送して均質なプラズマを形成し、高品質で優れた均一性を有する堆積膜を形成することが可能となる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁
The invention provides a method for generating, revealing decomposing and eliminating degradative bacteria and enzyme to radioactivity/radioactive material hardly decomposed by using compound fermentation technology in compound microogranism kinetics system analysis of compound microogranism system, terminating oxidation/deterioration/decay in a process tank, suppressing all aerobic and anaerobic Fusarium bacteria group (oxidizing bacteria group), inducing solid fermentation in a deposition tank and causing a circulation cycle of compound microogranism.例文帳に追加
本発明は、複合微生物体系の複合微生物動態系解析における複合発酵技術を用いて、処理槽内の酸化・変敗・腐敗を止め、すべての好気性および嫌気性フザリウム属菌群(酸化性細菌群)を抑制し、沈澱槽において固形発酵を起こさせることで、複合微生物の循環サイクルを起させ、難分解性の放射能・放射性物質に対する分解菌、分解酵素を現生、発現させ、分解消失する方法を提供するものである。 - 特許庁
Reportedly, 'seeing a magnificent carriage sent by Hongan-ji Temple, Inoue rushed to the temple, saying "how dare those who ask for the deposition of the debts allow themselves such luxuries," heard financial status from concerned people from nine in the morning to six in the evening, and, with dinner served, he suddenly exploded with anger, abusively saying "how can we eat the dinner if we consider that the dinner is made from offering of good men and good women saving every single grain."' 例文帳に追加
「京都の停車場に本願寺より出迎えられた馬車の立派なのを見て、『人に財政の整理を頼まんとする者が、何の余裕あってかかる贅沢を、敢えてするとや』とて、辻馬車に乗って同寺におしかけ、朝の9時より夕の6時まで当事者より財政の情況を聞き、やがて出された食膳をみるや、癇癪球がたちまち破裂し、『是れ皆善男善女が寄進したる粒粒辛苦の物ならずや、これを思えばかかる膳部が喉に通るか』と罵倒した」と伝えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The vapor deposition film is prepared by depositing an inorganic thin layer on the coating layer of the above film.例文帳に追加
高分子樹脂組成物からなる基材上に、メラミン系化合物、ポリビニルアルコール系重合体、およびカルボキシル基を有する化合物を必須成分とした被覆層を積層した被覆フィルムであって、該被覆フィルムの厚みが5〜50μmであり、かつ130℃で加熱したときに該被覆フィルムから発生するホルムアルデヒドの質量およびアルコールの質量が、それぞれ該被覆フィルム試料の質量の50ppm以下であることを特徴とする被覆フィルム、および当該フィルムの被覆層上に無機薄膜層を蒸着した蒸着フィルム。 - 特許庁
To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition.例文帳に追加
有機金属気相成長法(MOVPE法)により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。 - 特許庁
In the display element 1 wherein at least a transparent electrode layer 3, a first electrochromic coloring layer containing at least one electrochromic compound and a second electrochromic coloring layer containing an electrochromic compound exhibiting a color tone different from that of the first electrochromic coloring layer are layered on a substrate 2, at least one layer of the electrochromic coloring layers contains a metal which causes dissolving and deposition by electrochemical reaction.例文帳に追加
基板2上に、少なくとも、透明電極層3と、少なくとも1種のエレクトロクロミック化合物を含有する第1のエレクトロクロミック発色層と、該第1のエレクトロクロミック発色層とは異なる色調を呈するエレクトロクロミック化合物を含有する第2のエレクトロクロミック発色層とを積層して構成される表示素子1において、該エレクトロクロミック発色層の少なくとも1層が、電気化学的反応により溶解及び析出を起こす金属種を含有することを特徴とする表示素子。 - 特許庁
The plurality of vapor deposition sources are connected to a supply pipe line 92 via a heat insulating member 110.例文帳に追加
蒸着材料を収容する収容部101と、収容部101を加熱する加熱手段103と、収容部101にキャリアガスを導入するためのガス導入口101Aと、キャリアガスにより、気化又は昇華された蒸着材料を放出する放出口101Bと、放出口101Bに設置され、収容部101内の圧力を調整する圧力調整手段104と、収容部101を冷却する冷却部108とを備えた蒸着源を複数設け、複数の蒸着源を断熱部材110を介して供給用管路92に接続した。 - 特許庁
To prevent deposition even in the storage of a kit, to ensure good development stability even in the case of continuous use in an automatic processing machine and to reduce a deposit on a developing rack by incorporating a specified compound.例文帳に追加
本発明の目的は(1)キット保存時にも析出物がなく、自動現像機で継続使用しても現像安定性が良好で現像ラックへの析出物の少ないハロゲン化銀写真感光材料用現像濃縮液及びハロゲン化銀写真感光材料の処理方法、(2)キット保存時にも析出物がなく、乾燥性が良好で、自動現像機で継続使用しても定着ラックへの析出物の少ないハロゲン化銀写真感光材料用定着濃縮液及びハロゲン化銀写真感光材料の処理方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a cover of a capacitive sensor and the capacitive sensor allowing rapid progress of an injection work process of injecting liquid regarding washing of ion exchange resin and a discharging work process of discharging the liquid and reducing the inspection costs by preventing deposition of impurities in the work of washing the resin, in the cover for the capacitive sensor and the capacitive sensor for use in the detection of liquid including resin.例文帳に追加
樹脂を含有する液体を検知するために用いられる静電容量式センサのカバー及び、静電容量式センサであって、樹脂を洗浄する作業において不純物の付着を防止することにより、イオン交換樹脂の洗浄にかかる液体を注入する注入作業工程及び、液体を排出する排出作業工程の迅速な進行を図ることができると共に、点検コストの低減を図ることができる静電容量式センサのカバー及び、静電容量式センサを提供すること。 - 特許庁
In the vapor phase deposition apparatus, the first channel is branched into two paths 1a and 1b, and the second channel is branched into two paths 2a and 2b so as to supply a gas individually to a peripheral portion and to a central portion on the wafer 102.例文帳に追加
本発明の気相成長装置は、チャンバ103内に、支持台101上に載置されたウェハ102が収容され、ウェハ102上に成膜するためのガスを供給する第一の流路121及びウェハ102上に成膜される膜の不純物濃度を制御するためのガスを供給する第二の流路131が前記チャンバに接続された気相成長装置において、上述した第一の流路が2経路1a、1b、第二の流路が2経路2a、2bに分割され、ウェハ102上の周辺部と中央部に、個々に供給されるように構成されていることを特徴とする。 - 特許庁
The apparatus for manufacturing compound semiconductor includes a disk-like susceptor 4 in which a plurality of substrates 8 are arranged along a circumferential direction; and a rotary shaft 6 for rotating the susceptor 4 around an axis center in a reactor 3, and allows a compound semiconductor to be subjected to vapor phase deposition from material gas supplied through a gas supply pipe 1 on a plurality of substrates 8 installed on the susceptor 4.例文帳に追加
複数の基板8が周方向に沿って配列される円盤状のサセプタ4と、サセプタ4を軸心廻りに回転させる回転シャフト6とをリアクター3内に備え、サセプタ4に設置された複数の基板8上に、ガス供給管1を通じて供給される材料ガスから化合物半導体を気相成長させる化合物半導体製造装置において、ガス供給管1は、サセプタ4の軸心に対向する位置に配設し、リアクター3の外周に向かう放射方向に材料ガスを流出させるガス供給部1aを一端に設ける。 - 特許庁
In a deposition chamber, the second evaporation source is heated at a temperature lower than the first temperature to evaporate the first material, then the second evaporation chamber is heated so as to form an organic compound layer between an anode and a cathode by evaporating the organic compound.例文帳に追加
本発明は、ある一定圧力下において、第1の温度と第1の温度よりも高い第2の温度の間で蒸発する有機化合物、第1の温度以下で蒸発する第1の材料、及び第2の温度以上で蒸発する第2の材料が装填された第1の蒸発源を、第2の温度よりも低い温度で加熱して、有機化合物と第1の材料を蒸発させて第2の蒸発源に吸着させ、成膜室において、第2の蒸発源を第1の温度よりも低い温度で加熱して、第1の材料を蒸発させ、成膜室において、第2の蒸発源を加熱して、有機化合物を蒸発させて有機化合物の層を陽極と陰極の間に形成するものである。 - 特許庁
The method for producing an aluminum nitride single crystal comprises heating a raw material gas generation source arranged in a raw material supply part to a raw material gas generation temperature T_1 so as to generate aluminum gas or aluminum oxide gas being a raw material gas, then supplying the raw material gas and nitrogen gas to the deposition part where a substrate for growing the aluminum nitride single crystal is arranged, and producing the aluminum nitride single crystal on the substrate.例文帳に追加
本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、 原料供給部に配置した原料ガス発生源を原料ガス発生温度T_1に加熱して、原料ガスであるアルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを生成し、 窒化アルミニウム単結晶成長用基板を配置した析出部に該原料ガスおよび窒素ガスを供給して、該基板上に窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、 該原料ガスおよび窒素ガスからの単結晶窒化アルミニウムの析出開始温度T_2と、前記原料ガス発生温度T_1と析出部温度T_Sとが、下記条件を満たす条件下で窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁
A person guilty of misbehavior in the presence of or so near the Director or Hearing Officer as to obstruct or interrupt the proceedings before him, including disrespect toward the Director or Hearing Officer, offensive personalities toward others, or refusal to be sworn to or answer as a witness, or to subscribe to an affidavit or deposition when lawfully required to do so, may be summarily adjudged in contempt by the Director or Hearing Officer and punished by fine not exceeding Two Thousand Pesos (P 2,000.00) or imprisonment not exceeding ten days, or both.例文帳に追加
局長又は聴聞官の面前で又は程近くにおいて,これらの下での手続を妨害若しくは中断させる等の違反行為を犯した者は,局長又は聴聞官により侮辱罪の裁定を即決で受け,2,000 ペソ以下の罰金若しくは10 日以下の拘留又はその双方に処する。このような違反行為には,局長又は聴聞官に対する無礼,他人に対する侮辱的な個人攻撃,又は証人として宣誓若しくは応答すること又は合法的に要求される場合に宣誓供述書若しくは証言録取書に署名することの拒否が含まれる。 - 特許庁
This mask is provided with at least two unit masks supported by a frame along the edge part and provided with a plurality of patterned opening parts, and a plurality of pixels constructed of a combination of red R, green G, and blue B are deposited on a transparent board from a deposition source via the opening parts.例文帳に追加
縁部に沿ってフレームにより支持されて、複数のパターン化した開口部を具備して上記開口部を通じて蒸着源から赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の組合わせよりなる複数の画素を有する有機発光膜を透明基板に蒸着させるものであって、上記開口部は上記透明基板側幅が上記蒸着源側幅より大きく形成されており、上記透明基板側開口部の幅をWs1、上記蒸着源側開口部の幅をWs2、上記有機発光膜の互いに隣接する画素間の距離をPp、上記蒸着される有機発光膜のうち一画素の発光膜幅をWelとする時、上記Ws1はWs1=Pp=Welの式を満足する少なくとも2つの単位マスクを具備する。 - 特許庁
(7) If the invention provides for the use of such biological material, which is not publicly available and which cannot be described in the application, so that it might be implemented by a person skilled in the art, a statement regarding the deposition of the biological material in an internationally recognised depository shall be filed together with the application in accordance with the Budapest Treaty of 28 April 1977 on the international recognition of the deposit of micro-organisms for the purposes of patent procedure. If the biological material, which has been deposited, is no longer available at the internationally recognised depository, it shall be permitted to deposit the material once again with the same conditions that have been included in the contract referred to in this Paragraph. The procedures according to which the biological material is available shall be determined by the Cabinet.例文帳に追加
(7) 発明が,公衆の利用に供されず,当該技術の熟練者が実施可能なように出願書類において説明することができない生物学的材料の利用を必要とする場合は,特許手続上の微生物の寄託の国際的承認に関する1977年4月28日のブダペスト条約に基づいて,国際的に認められた寄託機関への当該生物学的材料の寄託に関する陳述書を出願書類とともに提出しなければならない。寄託された生物学的材料が当該国際的に認められた寄託機関において利用することができなくなった場合は,当該材料を本項にいう条約に定めているのと同じ条件で再寄託することができる。内閣は,生物学的材料を利用するための手続を定める。 - 特許庁
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