「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(200ページ目)

今後、これらの報告書をたたき台として、アジアの消費トレンドに関して有識者と意見交換を行い、アジア各国の（更にグローバルな）消費トレンドの波及メカニズムや、そうしたトレンドの波及のメカニズムの中での、日本発のファッションやアニメの活用策及びアジアにおける流通・広告戦略について検討していく。 - 経済産業省

例文

Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5.例文帳に追加

そして、ｎ^−形半導体層２表面から半導体基板１に達する第１導電形アイソレーション拡散領域４が形成され、そのアイソレーション拡散領域４の表面にオーミック接触するように、たとえばＡｌ金属膜７が設けられることにより、第１電極５と電気的に接続している。 - 特許庁

例文

To prevent the threshold voltage of an E-FET from becoming substandard while sharing a gate diffusion process determining the threshold voltage in a semiconductor device where a D-FET and an E-FET, each having a channel layer, are provided on one semiconductor substrate and each channel layer is provided with a gate diffusion layer.例文帳に追加

同一の半導体基板上に、それぞれチャネル層を有するＤ−ＦＥＴとＥ−ＦＥＴとが設けられ、前記各チャネル層にゲート拡散層が設けられた半導体装置において、閾値電圧を決定するゲート拡散工程を共有しながら、Ｅ−ＦＥＴの閾値電圧が規格外になってしまうことを防止すること。 - 特許庁

The gas diffusion layer is composed by forming a water repellent layer 120 on a gas diffusion substrate 110, containing carbon particles 121 coated with a water repellent material in the water repellent layer, and continuously passing carbon particles 122 subjected to hydrophilic treatment through in the thickness direction in at least one part of the water repellent layer.例文帳に追加

ガス拡散基材上１１０に撥水層１２０が形成された構成を有し、前記撥水層は撥水剤にコーティングされてなるカーボン粒子１２１を含み、さらに前記撥水層の少なくとも一部に親水処理されたカーボン粒子１２２が連続して厚さ方向に向かって貫通したガス拡散層となっている。 - 特許庁

The spray adaptor is provided with a plane spray passage 55 through which the contents introduced from the spray button is passed, a diffusion projecting part 23 provided in the spray passage and for diffusing the contents passing through the spray passage and the linear slender spray port 56 for spraying the contents diffused in the diffusion projecting part to the outside.例文帳に追加

噴出アダプタには、噴射ボタンから導き入れた内容物を通す面状の噴出通路５５と、その噴出通路に設けてそこを通過する内容物を拡散する拡散突部２３と、その拡散突部で拡散後の内容物を外部へと噴出する線状の細長な噴出口５６とを備える。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

例文

A rich dispersion liquid for the gas diffusion electrode and its manufacturing method are obtained by adding a 3% to 30% non-ion surface- active agent into the dispersion liquid for gas diffusion and by heating up to a temperature higher than a cloud point the dispersion liquid containing the surface-active agent to separate in phase.例文帳に追加

ガス拡散電極用分散液に３％〜３０％非イオン界面活性剤を含有させ、該非イオン性界面活性剤含有分散液をその曇点以上の温度に加温し相分離させ、分離した下部を分取して得たことを特徴とする濃厚なガス拡散電極用分散液、及びその製造方法。 - 特許庁

例文

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.例文帳に追加

活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: forming an etching inhibition layer 107; then forming an n-type extension region (diffusion layer) 112 and a p-type extension region (diffusion layer) 115 in a silicon substrate (semiconductor substrate) 104; and then cleaning the top surface of the silicon substrate 104 in a state where the etching inhibition layer 107 is formed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 - 特許庁

A body RH with light transmitters PH1 and PH2 and a mask with a diffusion part DF provided in a free way of relative displacement to the body RH for diffusing the incidence light to the body RH are mounted to an exposure device, so that the aberration of the lens of the projection optical system may be measured by rotating the diffusion part.例文帳に追加

光透過部ＰＨ１、ＰＨ２を有する本体部ＲＨと、本体部ＲＨに相対移動自在に設けられ、本体部ＲＨへの入射光を拡散する拡散部ＤＦとを有するマスクを露光装置に搭載し、拡散部を回転しながら投影光学系のレンズの収差を測定する。 - 特許庁

A light diffusion sheet arranged between a principal light guide plate and a light guide plate for color mixture with an LED element is arranged only on a face opposed to the face on which the LED element of the light guide plate for color mixture is mounted and its vicinity, and furthermore, the light diffusion sheet is connected by a transparent pressure sensitive adhesive.例文帳に追加

主導光板とＬＥＤ素子を備えた混色用導光板の間に配置した光拡散シートを、混色用導光板のＬＥＤ素子が実装された面と対向する面及びその近傍のみに光拡散シートを配置し、更に光拡散シートを透明粘着剤により接続する。 - 特許庁

In addition, in such a case in which an S-shaped diffusion region 30 is formed with the use of an ultrasonic machining horn with a plurality of machining dots arranged in matrix shape, the bending dots 32 are not always positioned at an outer edge of the diffusion region 30, so that an effect of providing the groove part 34 is great.例文帳に追加

加えて、複数の加工ドットがマトリックス状に配置された超音波加工用ホーンを用いてＳ字形状の拡散領域３０を形成するような場合には、拡散領域３０の外縁に屈曲ドット３２が常に位置するとは限らないため、溝部３４を設けることによる効果が大きい。 - 特許庁

To provide an optical diffusion sheet excellently keeping low cost owing to high scratch preventability of its surface, and further having a satisfactory directive optical diffusion function, light beam transmissivity and thin film property, and a back light unit which has improved performance such as luminance, realizes the reduction of cost and is made thin and light in weight.例文帳に追加

表面の高いキズ付き防止性による良好な低コスト性を有し、加えて良好な方向性光拡散機能、光線透過性及び薄膜性を有する光拡散シート、並びに輝度等の性能や低価格化及び薄型軽量化が促進されるバックライトユニットの提供を目的とする。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 100 is equipped with an electrolyte membrane 110; catalyst layers 112, 114 coming in contact with the electrolyte membrane 110; diffusion layers 120, 122 installed on the opposite side to the electrolyte membrane 110 in the catalyst layers 112, 114; and a drain layer 116 installed between the catalyst layer 112 and the diffusion layer 120.例文帳に追加

膜電極接合体１００は、電解質膜１１０と、電解質膜１１０に接している触媒層１１２，１１４と、触媒層１１２，１１４に対して電解質膜１１０とは逆の側に設けられた拡散層１２０，１２２と、触媒層１１２と拡散層１２０との間に設けられた排水層１１６を備える。 - 特許庁

A first gas diffusion layer 52 forming an anode side electrode 20 and a second gas diffusion layer 56 forming a cathode side electrode 22 are provided with a first gas passage 58 and a second gas passage 60 facing a first passage 38 and a second passage 46 provided on a first separator 14 and a second separator 16 respectively.例文帳に追加

アノード側電極２０を構成する第１ガス拡散層５２およびカソード側電極２２を構成する第２ガス拡散層５６は、第１および第２セパレータ１４、１６に設けられている第１および第２流路３８、４６に対向して第１および第２ガス流路５８、６０を設けている。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a diffusion layer for forming a drain 9 and a source 11, a gate layer 3 formed on the diffusion layer between the drain 9 and the source 11, metallic layers 12 and 13 formed on the upper surface side of the gate layer 3, and first sidewalls 7 and 8 formed between the gate layer 3 and metallic layers 12 and 13.例文帳に追加

ドレイン９、ソース１１を形成するための拡散層と、ドレイン９とソース１１との間に位置し拡散層よりも上層のゲート層３と、ゲート層３の上面側に形成される金属層１２，１３と、ゲート層３と金属層１２，１３との間に形成される第１サイドウオール７，８とからなる。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

To provide a method for suppressing the diffusion of aldehydes from a woody building material capable of sufficiently realizing both the suppression of the direct diffusion of aldehydes from the woody building material and the suppression of the production of aldehydes by the contact of ethanol with the woody building material and largely contributing to the reduction of the concentration of indoor aldehydes.例文帳に追加

木質建材からのアルデヒド類の直接放散の抑止、およびエタノールと木質建材との接触によるアルデヒド類の生成の抑止、の双方を十分に実現することができ、室内アセトアルデヒド濃度低減に大きく寄与する、木質建材からのアルデヒド類の放散を抑止する方法を提供することにある。 - 特許庁

In the method for forming the light diffusion layer, the light diffusion layer having a fine uneven structure is formed on a surface of a base material by jetting ink drops containing a light diffusivity imparting composition forming the fine uneven structure by an ink jet system while the capacity of the ink drops is controlled.例文帳に追加

透明基材上に、インクジェット方式により微細な凹凸構造を形成する光拡散性付与組成物を含有するインク液滴を、該インク液滴の容積を制御しながら出射させて、該基材表面に微細凹凸構造を有する光拡散層を形成することを特徴とする光拡散層の形成方法。 - 特許庁

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22.例文帳に追加

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。 - 特許庁

Each of the specified critical values is investigated by arbitrarily fluctuating the voltage of an output signal outputted from a signal amplification circuit that an input/output part 1 has, the time interval of an output pulse signal that a pulse signal generation circuit generates and the diffusion rate of a frequency diffusion circuit from an operation part 4.例文帳に追加

入出力部１の有する信号増幅回路の出力する出力信号の電圧、パルス信号生成回路の生成する出力パルス信号の時間間隔、及び周波数拡散回路の拡散率を操作部４から任意に変動させることにより、それぞれの規格の臨界値を調査する。 - 特許庁

To provide a layered body manufacturing method which manufactures a plurality of layers at one time wherein by collectively diffusion bonding metal plates of a plurality of metal plate sets without generating diffusion bonding between two metal plates belonging to different metal plate sets, and also to provide a manufacturing method of an inkjet head thereof.例文帳に追加

異なる金属板組に属する２枚の金属板の間で拡散接合を生じさせることなく複数の金属板組の金属板を一括して拡散接合して、複数の積層体を一度に製造することが可能な積層体の製造方法、及び、インクジェットヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A program for calculating an area thermal diffusion time of the heating surface and the back is composed, and by calling it recursively, calculation of the area thermal diffusion time of the heating surface and the back of the multilayered material having an optional number of layers becomes possible, to thereby improve a development efficiency of a multilayered material thermophysical analysis program.例文帳に追加

加熱表面裏面の面積熱拡散時間を計算するプログラムを作成し、それを再帰的に呼び出すことで任意の層の数の多層材料の加熱表面裏面の面積熱拡散時間の計算が可能となり、多層材料熱物性解析プログラムの開発効率を向上させる。 - 特許庁

With Cu organic metal compound as the diffusion liquid of the Cu organic metal compound, the diffusion liquid easily and smoothly enters recessed parts such as wiring grooves with a large aspect ratio ranging from 1 to 30 on a semiconductor substrate, a via hole, and a contact hole, and completely file the recessed parts for forming a flat liquid film on the surface of the substrate.例文帳に追加

凹部を有する半導体基板上にＣｕ有機金属化合物分散液を塗布し、該分散液中の有機物質を分解するがＣｕを酸化しない雰囲気中で焼成してＣｕの金属薄膜を得、次いで該凹部以外の基板上にあるＣｕを除去して平坦化し、該凹部にＣｕ薄膜を形成する。 - 特許庁

In a negative limiting current oxygen sensor, a heater is arranged, while being alienated from a place on the heater surface of a diffusion layer for gas diffusion speed control at the boundary section between a portion where the lead takeout section of an electrode layer comes into contact with a solid electrolyte layer and a portion exposed to an atmosphere of the lead takeout section of a cathode layer.例文帳に追加

陰極層のリード取り出し部と固体電解質層とが接触している部分と陰極層のリード取り出し部の雰囲気中に露出している部分との境界部のガス拡散律速用拡散層のヒータ側面における箇所から離間してヒータが配されている限界電流式酸素センサ。 - 特許庁

An inductor is composed of inductor conductors 15 and 26 and magnetic films 13 and 17 covering them, where diffusion preventing films 14 and 16 are provided between the inductor conductors 15 and 26 and the magnetic films 13 and 17 respectively, and it is preferable that the diffusion stopping films 14 and 16 be formed of at least one element selected from among TiN, W and Pt.例文帳に追加

インダクタ導体１５、２６を磁性体膜１３、１７で被覆してなるインダクタであって、インダクタ導体１５、２６と磁性体膜１３、１７との間に拡散防止膜１４、１６を形成してなるもので、拡散防止膜１４、１６は、ＴｉＮ、ＷおよびＰｔのうち少なくとも一種からなることが望ましい。 - 特許庁

The catalyst-ink coated electrolyte film and the two catalyst-ink coated gas diffusion layers are laminated so that coated faces of catalyst ink face each other, and a laminated body laminating a PBI/phosphoric acid complex film and a water-absorbent sheet is produced outside at least one of the laminated catalyst-ink coated gas diffusion layers.例文帳に追加

触媒インク塗布済み電解質膜と２つの触媒インク塗布済みガス拡散層とを、それぞれの触媒インクの塗布面が向かいあうように積層し、さらに、積層した触媒インク塗布済みガス拡散層の少なくとも一方の外側に、ＰＢＩ／リン酸複合膜および吸水性シートを積層した積層体を作製する。 - 特許庁

The PCM10 is configured to switch between a premix combustion mode to cause the engine 1 to perform premix combustion in an EGR operation range in which the load of the engine 1 is on a predetermined low load side and EGR is executed in a steady state, and a diffusion combustion mode to cause the engine to perform diffusion combustion.例文帳に追加

ＰＣＭ１０は、エンジン１の負荷が所定の低負荷側であって且つ定常状態でＥＧＲが実行されるＥＧＲ運転領域において、エンジン１に予混合燃焼を行わせる予混合燃焼モードとエンジン１に拡散燃焼を行わせる拡散燃焼モードとで切り替えるように構成されている。 - 特許庁

To provide a polycarbonate resin composition which can secure compatibility for maintaining or improving brightness while keeping a light diffusion property and reducing a dimensional change caused by moisture absorption in a light diffusion plate of a liquid crystal display, and used for the diffusion plate in the liquid crystal display which can prevent the deterioration of the device caused by an ultraviolet ray from a lighting unit, and having both high permeability and light diffusing capability and excellent flame retardancy.例文帳に追加

液晶表示装置用光拡散板において、光拡散性を保持したまま輝度を保持又は向上することと、吸湿による寸法変化を抑制することとを両立し、同時にライティングユニットから生じる紫外線による装置の劣化を防ぐことが可能な液晶表示装置用光拡散板に使用される、高い透過性と光拡散性との両者を併せ持ち、難燃性に優れた光拡散板用ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The light diffusion sheet contains a transparent base material and the light diffusion layer laminated on at least one surface of the transparent base material, wherein the light diffusion layer contains a transparent binder resin and resin particles, the resin particles are cross-linked resin particles obtained by copolymerizing a monomer composition containing a methacrylic ester having a cyclic saturated hydrocarbon group in the molecule and a cross-linkable monomer.例文帳に追加

透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面に積層された光拡散層とを含む光拡散シートであって、前記光拡散層が、透明バインダー樹脂と樹脂粒子とを含み、前記樹脂粒子が、環状飽和炭化水素基を分子中に有する（メタ）アクリル酸エステルと架橋性単量体とを含む単量体組成物を共重合することによって得られた架橋樹脂粒子であることを特徴とする光拡散シートにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加

縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁

The formation of immobile regions of the granular carriers near the communication ports 11 is blocked by the air flow from the air diffusion pipe 32a in back washing treatment.例文帳に追加