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「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(270ページ目) - Weblio英語例文検索
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Diffusionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 18238



例文

An alignment mark structure associated includes a ground layer 5 having a line-shaped pattern located below an alignment mark 8, and a metal diffusion preventing/etching stopper layer 6 between the ground layer 5 and the alignment mark 8.例文帳に追加

本発明に係るアライメントマーク構造は、アライメントマーク8の下方に、ライン状のパターンを有する下地層5を備え、さらに、下地層5とアライメントマーク8との間に、金属拡散防止兼エッチングストッパ層6を備える。 - 特許庁

Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加

不純物拡散領域29の不純物濃度を、同一基板1上に集積される微細CMOSデバイスのN−LDD領域31と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁

To provide a particle analyzing device by means of an electron probe microanalyzer capable of correctly determining the compounds to be analyzed even if particles are small enough to fall under an electron diffusion domain of an electron beam irradiated to a specimen.例文帳に追加

試料照射電子線の電子拡散領域以下の小さい粒子の場合でも、正しく分析目的の化合物を判定することが可能な電子プローブマイクロアナライザによる粒子解析装置を提供する。 - 特許庁

A wide-width electrode part 28A and a narrow-width electrode part 28B separated in the axial direction and conducted mutually electrically are formed on the inside electrode 28 provided between the gas diffusion layer 26 and the solid electrolyte layer 27.例文帳に追加

そして、ガス拡散層26と固体電解質層27との間に設けた内側電極28には、軸方向に離間し互いに電気的に導通した幅広電極部28A,幅狭電極部28Bを形成する。 - 特許庁

例文

The diffusion optical element makes the laser beam diffuse, by refracting the laser beam on the exit surface, and the exit surface has a shape for controlling the progression direction of the laser beam so as to prevent the laser beam from re-incidence, after the emission.例文帳に追加

拡散光学素子は、射出面でレーザ光を屈折させることによって拡散させ、射出面は、射出後のレーザ光が再入射しないように、レーザ光の進行方向を制御する形状を有する。 - 特許庁


例文

At least one of the fuel electrode 6 and the air electrode 9 has a first catalyst layer 4A (7A) arranged on the electrolyte membrane 10 side and a second catalyst layer 4B (7B) arranged on the gas diffusion layer 5 (8) side.例文帳に追加

燃料極6と空気極9の少なくとも一方は、電解質膜10側に配置された第1の触媒層4A(7A)と、ガス拡散層5(8)側に配置された第2の触媒層4B(7B)とを有する。 - 特許庁

Since diffusion of electrons is not impeded, the heterojunction bipolar transistor capable of sustaining high speed operation even under a heavily doped state can be obtained and the performance of a circuit employing the transistor can be enhanced.例文帳に追加

このため、電子の拡散が阻害されないことから、高注入状態においても、高速動作性能を維持できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを実現でき、これを用いた回路の高性能化が可能となる。 - 特許庁

Methane gas similar in diffusion behavior to CO gas generated at a fire is spread from a spray can 11, and changes in methane gas concentration are measured with a methane concentration measuring instrument 9 installed on the ceiling of a staircase 3 of a house 1.例文帳に追加

火災時に発生するCOガスと拡散挙動が類似したメタンガスをスプレー缶11から放散し、住宅1の階段室3の天井に設置したメタン濃度計測器9でメタンガスの濃度変化を計測する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency, by preventing impurities from being accumulated in an active layer, when a window structure is formed by impurity diffusion near an end surface of a laser resonator.例文帳に追加

レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、CODレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

例文

Piezoresistance 3 and diffusion wiring 4 are formed at a preset position on one side of the diaphragm 1a, and an oxide film 5 and nitride film 6 are formed on the side of the semiconductor pressure sensor tip 1 where the piezoresistance 3 is formed.例文帳に追加

ダイヤフラム1aの一面側所定位置には、ピエゾ抵抗3及び拡散配線4が形成され、半導体圧力センサチップ1のピエゾ抵抗3形成面側には酸化膜5/窒化膜6が形成されている。 - 特許庁

例文

A steel matrix layer and a nitrogen diffused layer excellent in the adhesion to this layer and having abrasion resistance, thermal shock resistance, fatigue resistance and impact resistance are formed on the surfaces of the parts related to a pressure head by a brilliant nitrogen diffusion method.例文帳に追加

光輝窒素拡散法を用いて加圧ヘッド関係部品の表面に鋼母層と密着性に優れ、耐摩耗性、耐熱衝撃性、耐熱疲労性、耐衝撃性を有する窒素拡散層を形成させる。 - 特許庁

A gas sensor element 1 includes an element body part 2 having: a solid electrolyte 31; a measured gas side electrode 32 and a reference gas side electrode 33; a diffusion resistance layer 36; and a heater layer 35 having a heater 351.例文帳に追加

ガスセンサ素子1は、固体電解質体31と、被測定ガス側電極32及び基準ガス側電極33と、拡散抵抗層36と、ヒータ351を設けたヒータ層35とを有する素子本体部2を備えている。 - 特許庁

To accurately detect the completion point of polishing of a semiconductor wafer having a film to prevent diffusion of a metal of a metallic film being a called barrier film between a metallic film of a topmost layer and an insulation layer of a lower layer.例文帳に追加

最上層の金属膜と下層の絶縁層との間のバリア膜といわれる金属膜の金属の拡散を防止するための膜を有する半導体ウェハ研磨の終了点を正確に検出する。 - 特許庁

To provide a cathode substrate having good electric charge injection efficiency by preventing diffusion of electron emitted from an emitter, of which, the electron injection efficiency is hardly scattered between respective cathode substrates, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

エミッタから放出される電子が拡散することを防止して電荷注入効率がよく、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき難いカソード基板及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method to enable strong bonding between a wiring layer and an underlying anti-diffusion layer (barrier layer), even when the wiring layer is formed by chemical vapor deposition(CVD).例文帳に追加

化学気相蒸着(CVD)によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地の拡散抑制(バリヤ)層と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and further can reduce manufacturing time.例文帳に追加

水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、かつ製造時間の短縮ができる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

A complex correlator 28 inversely diffuses the thinned signals I(j), Q(j) at timings (j) of the second sampling rate (n) one after another to obtain correlation values Ci(j), Cq(j), using corresponding diffusion code strings thereto.例文帳に追加

複素相関器28は、間引き済み信号I(j),Q(j)をそれに対応する拡散符号列を用いて第二のサンプリングレートnの各タイミングjで順次逆拡散して相関値Ci(j),Cq(j)を取得する。 - 特許庁

An alkali diffusion preventive film (film thickness 100 nm), an antireaction film 12 (film thickness 100 nm) and the dielectric layer 13 (film thickness 40 μm) are formed on the glass substrate 10 for PDP, successively from the substrate 10 side.例文帳に追加

PDP用ガラス基板10の上に、基板10側から順に、アルカリ拡散防止膜11(膜厚100nm)、反応防止膜12(膜厚100nm)、誘電体層13(膜厚40μm)が形成されている。 - 特許庁

With the structure, the resistor 1 is protected by the breakdown of the pn junction regions 22, 23 when negative ESD surge is impressed on a pad for an electrode to apply the voltage to a p-type diffusion layer 9.例文帳に追加

この構造により、P型の拡散層9に電圧を印加する電極用のパッドに負のESDサージが印加された際、PN接合領域22、23がブレークダウンし、抵抗1を保護することができる。 - 特許庁

Source and drain regions of the Fin structure field effect transistor are formed by solid phase diffusion positively using impurity injection after the formation of a contact hole 13 and the ooz-out of impurities from a polysilicon contact plug 14.例文帳に追加

Fin構造電界効果トランジスタのソース及びドレイン領域を、コンタクトホール13形成後の不純物注入とポリシリコンコンタクトプラグ14からの不純物染み出しを積極的に利用し、固相拡散により形成する。 - 特許庁

Finally, the surface layer of the silicon substrate 1' including the phosphor diffusion layer 2 is removed whereby the solar cell is manufactured employing a silicon wafer obtained by a process wherein the re-mixture of the metallic impurities is prevented.例文帳に追加

そして最後に、リン拡散層2を含むシリコン基板1’表面層を除去することにより、金属不純物の再混入を防止するという工程によって得られるシリコンウエハを用いて太陽電池を製造する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that prevents not only the metal ion diffusion from a gate insulating layer to an organic semiconductor layer but also the deterioration of the characteristics, a high-reliability electronic circuit, a display device and electronic device.例文帳に追加

ゲート絶縁層から有機半導体層への金属イオンの拡散が防止され、特性の低下を抑制し得る薄膜トランジスタ、信頼性の高い電子回路、表示装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁

While the heat generated at the evaporation target 6 is radiated circumferentially from the ceramic member 5, the surface of tungsten is not made rough due to the diffusion of thorium, and deterioration of X-ray emission can be suppressed.例文帳に追加

また、蒸着ターゲット6で発生した熱はセラミック基材5から周辺に放散され、タングステン表面はトリウムの拡散によってあれることがなくX線放射効率の低下を低減することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming the impurity introduction region of a photodiode having a part formed at the lower part of a gate electrode without oblique rotation implantation or excessive thermal diffusion.例文帳に追加

ゲート電極の下方に形成された部分を有するフォトダイオードの不純物導入領域を、斜め回転注入や過剰な熱拡散によることなく形成し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

In this structure, a selectively oxidized film 13 and an oxide film 12 are formed on a silicon semiconductor substrate 11 and impurity diffusion layers 14 connected to circuit wiring (181) are formed on both sides of the film 13.例文帳に追加

シリコン半導体基板11上に選択酸化膜13、酸化膜12が形成され、選択酸化膜13を隔てた両側に各々が回路配線(181)に繋がる不純物拡散層14が形成される。 - 特許庁

The hydrogen gas, supplied from an entrance 12 to a supply side main passage 1, merges with an exhaust side main passage 2 through each stage of branch passages 3, where fuel diffusion electrodes 5 of a high passage resistance are arranged.例文帳に追加

入り口12から供給側主流路1へ供給された水素ガスは、高流路抵抗の燃料拡散電極5が配置された各段の支流路3を通じて排出側主流路2へ合流している。 - 特許庁

A semiconductor device of the present invention comprises first Cu wiring 102 and a first barrier insulating film 103 that is provided on the first Cu wiring 102 and prevents diffusion of Cu from the first Cu wiring 102.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、第1のCu配線102と、第1のCu配線102の上に設けられ、第1のCu配線102からCuの拡散を防ぐ第1のバリア絶縁膜103とを備える。 - 特許庁

A diffusion preventive structure (10) of the contaminant in the soil includes the well (16) constructed in the polluted soil (12) and an underground wall (18) having water permeability constructed around the well so as to surround the well.例文帳に追加

土壌中の汚染物質の拡散防止構造(10)は、汚染された土壌(12)中に構築された井戸(16)と、井戸の周囲にこれを取り囲むように構築された透水性を有する地中壁(18)とを含む。 - 特許庁

In this gas diffusion layer for a fuel cell having a carbon layer on a conductive porous base material layer, at least two kinds of conductive carbon materials different in steam absorption performance are included in the carbon layer.例文帳に追加

導電性多孔質基材層上にカーボン層を有する燃料電池用ガス拡散層において、前記カーボン層に、水蒸気吸着性能が異なる導電性カーボンを少なくとも二種類含有させる。 - 特許庁

A drain groove 4 opened on the separator 3 side and extending in parallel at fixed intervals and a drain groove 5 crossing at right angles to the drain groove 4 and extending in parallel at fixed intervals are installed in the diffusion layer 2.例文帳に追加

拡散層2には、セパレータ3側に開口し、一定の間隔で互いに平行で延在する排水溝4と、排水溝4と直交し、一定の間隔で互いに平行で延在する排水溝5とが設けられている。 - 特許庁

The biaxially stretched polyester film for a light diffusion sheet for a liquid crystal display comprises a polyester film having a total light transmittance of ≥91.0% and containing 0.01-1.0 part by weight of an optical whitening agent.例文帳に追加

全光線透過率が91.0%以上であり、蛍光増白剤を0.01〜1.0重量部含有するポリエステルフィルムからなることを特徴とする液晶ディスプレイ向け光拡散シート用二軸配向ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To apply a battery pack attached to portable electrical equipment and used to a high rate applying a large current by promoting diffusion of the heat generated by a battery cell to suppresses rise of the temperature of the battery cell itself.例文帳に追加

携帯電気機器に取り付けられて使用されるバッテリパックに関し、バッテリセルが発生する熱の拡散を促進して、バッテリセル自体の温度の上昇を抑えて、大電流を流すハイレート化に適用可能とする。 - 特許庁

Each sensor line, having a series of pixels C1, C2,..., Cn in line, is provided with output means which includes a transmitter register, 21, 22, or 23, and a floating diffusion amplifier, 31, 32, or 33.例文帳に追加

複数のセンサ列のそれぞれは一列に並ぶ複数の画素C1,C2,…Cnを含み、このセンサ列ごとに、転送レジスタ21,22または23と、フローティングディフュージョン増幅器31,32または33を含む出力手段とを有する。 - 特許庁

Secondary air is blown from each nozzle 42 of the air jet portion 4 to cause secondary combustion of the unburnt component and the off-gas is blown from each discharge port 52 of a discharge portion 5 to cause diffusion combustion with the secondary air.例文帳に追加

空気噴出部4の各噴出口42から二次空気を吹き出させて未燃成分を二次燃焼させると共に、吐出部5の各吐出口52からオフガスを吹き出させて二次空気により拡散燃焼させる。 - 特許庁

Appearance can be improved by preventing a Newton ring caused by swells, dispersion of assembly and the like of a prism sheet 13 and the luminance improvement film 14 while ensuring luminance by diffusion of the optical sheet 15 having a non-polarization characteristic.例文帳に追加

無偏光特性光学シート15での拡散により、輝度を確保しつつ、プリズムシート13および輝度向上フィルム14のうねり、および、組み立てのばらつきなどにより発生するニュートンリングを抑制して、見栄えを向上できる。 - 特許庁

Since the resistor may be a diffusion region between p^- regions of the two variable capacity diodes, or may be polysilicon arranged on a chip, the resistor can be incorporated in the variable capacity diode while keeping the chip size of the diode as it is.例文帳に追加

抵抗は可変容量ダイオードのp−領域間に拡散領域にて形成するか、ポリシリコンでチップ上に配置できるので、可変容量ダイオードのチップサイズを維持したまま抵抗を内蔵させることができる。 - 特許庁

To provide a photographic element for transmission type display providing the improved transmissivity of white light and forming the diffusion of more effective light so as to make an observer impossible to clearly recognize light source elements at the same time.例文帳に追加

白色光の改良された透過率を備え、同時に、光源の素子が見る者にはっきりとわからないように、より有効な光の拡散を提供する透過型ディスプレー材料に対する要求が存在する。 - 特許庁

The gas to be measured thus controlled in the concentration of hydrogen is introduced into a second measuring chamber 4 through a second diffusion rate limiting part 3 and second predetermined voltage is applied across third and fourth electrodes 9 and 10.例文帳に追加

このように水素濃度が制御された被測定ガスを第2拡散律速部3を介して第2測定室4内に導入し、第3電極9と第4電極10間に第2所定電圧を印加する。 - 特許庁

At least a catalyst layer 20, a gas diffusion layer 10, and a conductive gas separator 60 are arranged on both sides of a solid polymer electrolyte film 30, and fuel gas is guided to one side thereof, and oxidant gas is guided to the other side.例文帳に追加

固体高分子電解質膜30の両側に少なくとも触媒層20、ガス拡散層10、および、導電性ガスセパレータ10を備え、その一方の側に燃料ガスを、他方の側に酸化剤ガスを導入する。 - 特許庁

At an adder 13 following a γ correction section 12, a quantization section 14, a subtractor 15, and an error operation section 16, error diffusion processing is performed to image data input from the γ correction section 12 for quantizing to one of 5 values.例文帳に追加

γ補正部12に続く加算器13、量子化部14、減算器15、誤差演算部16では、γ補正部12から入力された画像データに対して誤差拡散処理を行ない、5値のいずれかに量子化する。 - 特許庁

To previously form a ball cell substrate, to remove the diffusion layer of second conductivity tape silicon along a spherical outline without local heating, to expose first conductivity type silicon and to form a ball diode substrate.例文帳に追加

予め、ボール・セル基板を形成し、局所的な加熱を伴わずに球状輪郭に沿って第2導電型シリコンの拡散層を取り除き第1導電型シリコンを露出させて、ボール・ダイオード基板を形成することにある。 - 特許庁

Thus, the reflected light in the original 1 is given to a diffraction grating filter 17a of the diffraction grating unit 17, where the light is spectrally dispersed and projected onto a light diffusion film 17c, and the light receiving element 15 detects the projected image.例文帳に追加

従って、原稿1の反射光は、回折格子ユニット17の回折格子フィルタ17aでスペクトル分散され、光拡散膜17cに投影され、その投影像が受光素子15で検出される。 - 特許庁

Thereafter, a diaphragm 34 is formed by etching the portion of the silicon substrate 10 corresponding to the opened portions of the diffusion regions 17 by performing electrochemical etching by impressing the voltage through the aluminum wiring 26.例文帳に追加

アルミ配線26を介して電圧を印加して、電気化学エッチングにより、n型拡散領域17の所定領域に窓開けした部分に対応するシリコン基板10の部位をエッチングしてダイヤフラム34を形成する。 - 特許庁

The present invention relates to an anisotropic light diffusion film for an LED illumination having (A) a layer formed from a resin composition containing polymethylpentene resin in 60 to 90 wt.% and cyclic olefin resin in 10 to 40 wt.%.例文帳に追加

(A)ポリメチルペンテン樹脂60〜90重量%及び環状オレフィン系樹脂10〜40重量%を含む樹脂組成物から形成される層を有するLED照明用異方性光拡散フィルムである。 - 特許庁

To obtain a ceramics material having elsctrostatic diffusion and capa ble of imparting the electrostatic diffusivity without lowering excellent characteristics of oxide-based ceramics and controlling the volume resistivity thereof to an optional value.例文帳に追加

酸化物系セラミックスの優れた特性を低下させることなく静電気拡散性を付与し、かつ、その体積抵抗率を任意の値に制御することが可能な静電気拡散性を有するセラミックス材料を得ること。 - 特許庁

To provide a high luminance nitride-based semiconductor light-emitting diode adapted to optimize a current diffusion effect and minimize an electrostatic discharge impact to make it possible to stabilize from a high static electricity.例文帳に追加

電流拡散効果を最適化すると共に、静電気放電衝撃を最小化することにより、高い静電気から安定化させることができる高輝度の窒化物系半導体発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

In the control, during forcible regeneration of PM accumulated on the DPF 225, PM layer restore treatment for mainly shifting a combustion form to diffusion combustion is executed in order to enlarge a particle diameter of the PM.例文帳に追加

当該制御においては、DPF225に堆積したPMの強制再生時に、PMを大粒径化するための、主として燃焼形態を拡散燃焼に移行させるPM層修復処理が実行される。 - 特許庁

In the air cathode 10 having a multilayer structure and a manufacturing method thereof, an air cathode has a multilayer structure composed of at least one substrate 11, two diffusion layers 12, and three activation layers 13.例文帳に追加

多層構造を備えた空気負極10及びその製造方法は、少なくとも一片基礎台11、二片の拡散層12と三片の活化層13から構成された多層構造の空気負極である。 - 特許庁

With this constitution, a negative current can be made to flow in the respective cells and the detection of an enriched gas becomes possible, and the gas concentration in the porous diffusion layer 101 can be kept constant with respect to the enriched gas.例文帳に追加

これにより、各セルにおいて負電流を流すことが可能となり、リッチガスの検出が可能になると共に、リッチガスに対して多孔質拡散層101内のガス濃度を一定に保つことができる。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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