Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
To provide a fuel battery cell which can further enhance the water-repellent performance while ensuring the deformation performance of a gas diffusion layer by a compression force during stacking, and can reduce the size of the fuel battery cell while improving the current collecting performance.例文帳に追加
スタッキング時の圧縮力によるガス拡散層の変形性能を確保しながら、撥水性能をより一層高めることができ、集電性能を向上させながら、燃料電池セルの体格低減を図ることもできる燃料電池セルを提供する。 - 特許庁
In the reverse-blocking insulated gate bipolar transistor of which the substrate thickness is ≤150 μm, a trench groove 23 for isolation region formation formed on a first principal surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加
基板の厚さが150μm以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝23を利用して分離拡散領域32が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting element of high luminance and high reliability by suppressing increase in a forward voltage and suppressing diffusion of additives from a current dispersion layer, even if GaP is used as the current dispersion layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加
電流分散層としてGaPを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加
シリサイド形成領域Aにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層114が形成されており、第1のサイドウォール108は、第2のサイドウォール109をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁
In a semiconductor integrated circuit device at least having a portion of capacitor electrodes 14, 16 or an information memory part above a gate electrode 5, a MISFET has at least one first plug 9 respectively connected to each of source/drain diffusion layers 7.例文帳に追加
ゲート電極5より上方に少なくともキャパシタ電極14,16または情報記憶部の一部を有する半導体集積回路装置において、MISFETは、ソース・ドレイン拡散層7に接続する少なくとも1つずつの第1のプラグ9を有する。 - 特許庁
To provide a silicon wafer etching method that effectively removes Cu together with a wafer surface layer by etching while preventing diffusion of metal impurities such as Cu or the like from the wafer surface layer to a bulk part when etching a silicon wafer.例文帳に追加
シリコンウェーハをエッチングする際に、ウェーハの表層からバルク部へのCu等の金属不純物の拡散を防止しながら、ウェーハ表層と共にCuを効果的にエッチング除去することができるシリコンウェーハのエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The anode-side electrode 20 consists of: a first electrode catalyst layer 20a abutting on one face 18a of the solid polymer electrolyte membrane 18 and exposing the outer periphery of the solid polymer electrolyte membrane 18 in a frame shape; and a first gas diffusion layer 20b.例文帳に追加
アノード側電極20は、固体高分子電解質膜18の一方の面18aに当接し、且つ前記固体高分子電解質膜18の外周を額縁状に露呈させる第1電極触媒層20a及び第1ガス拡散層20bを設ける。 - 特許庁
To provide a silicon wiring board with a via which has strong adhesiveness to copper used as wiring without impairing conductivity and can control the diffusion of the copper used for the wiring into the silicon wiring board.例文帳に追加
ビアを持ったシリコン配線基板に対して、配線として用いられる銅との密着力が強く、導電性を損なわず、配線として用いられる銅がシリコン基板中に拡散することを抑制することを可能にするシリコン配線基板を提供するものである。 - 特許庁
The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate of which an abrasive trace is formed on a surface; and a part of a dopant diffusion region that extends along the abrasive trace, forming an angle to the abrasive trace within a range of -5° to +5°.例文帳に追加
半導体基板の表面には砥粒痕が形成されており、ドーパント拡散領域が砥粒痕の伸長方向と為す角度が−5°〜+5°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有する半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
The parameter determining unit specifically determines parameters on mechanical stress applied to a transistor having a gate serving as a gate electrode according to the layout pattern of a plurality of gates when the gates are provided in the same diffusion region.例文帳に追加
パラメータ決定手段は、同一の拡散領域内に複数のゲートが設けられている場合において、ゲート電極として機能するゲートを有するトランジスタにかかる機械的応力に関するパラメータを、複数のゲートのレイアウト形状に応じて一意に決定する。 - 特許庁
Over an outer surface 141 introducing measurement gas in the porous diffusion-resistant layer 14, a surface protective layer 3 is formed to have hydrophilicity at room temperature and water repellancy at a high temperature where the solid electrolyte body 11 is activated.例文帳に追加
多孔質拡散抵抗層14における被測定ガスを導入する外表面141上には、常温において親水性を有し、固体電解質体11が活性となる高温時において撥水性を有する表面保護層3が形成されている。 - 特許庁
Like this, since the anode 31 side and the cathode 32 side become in a pressurized state, diffusion of oxygen from the outside of the fuel cell stack 3 into the anode 31 side and the cathode 32 side is suppressed and deterioration of electrodes of the fuel cell stack 3 can be controlled.例文帳に追加
このように、アノード31側およびカソード32側が加圧状態となるため、燃料電池スタック3の外部からアノード31およびカソード32内への酸素の拡散が抑制され、燃料電池スタック3の電極の劣化を抑制することができる。 - 特許庁
To restrain degradation of power generation performance by restraining an uneven condition of power generation generated on an electrode surface through restraint of differences generated in flow volumes of gas moving through a gas diffusion layer from a gas supply groove flow channel to a gas exhaust groove flow channel.例文帳に追加
ガス供給用溝流路からガス排出用溝流路へガス拡散層を介して移動するガス流量に発生する差異を抑制することにより、電極面内において発生する発電の不均一状態を抑制して、発電性能の低下を抑制する。 - 特許庁
The surfactant is not exposed to changes in the pH because the surfactant is added after cleaning, which results in the largest effect of addition of the surfactant and the metal oxide having a large pore volume and the average secondary particle size and having excellent gas diffusion property.例文帳に追加
洗浄後に界面活性剤を添加することによって、界面活性剤はpH変化に晒されないため界面活性剤の添加効果が最大に発現され、大きな細孔容積と平均二次粒子径をもちガス拡散性に優れた金属酸化物が得られる。 - 特許庁
To restrain the diffusion of nickel into molten solder alloy when the soldering is performed, to improve the joined strength of the soldering by preventing the concentration increase of phosphorus and to restrain the reduction-precipitation of silver and/or copper into a part except an circuit pattern.例文帳に追加
はんだ付け時のニッケルの溶融はんだ合金中への拡散を抑制し、リンの濃化を防止してはんだ付けの接合強度を向上させるとともに、回路パターン以外の部分への銀及び/又は銅の還元析出を抑制することを目的とする。 - 特許庁
A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated.例文帳に追加
ゲート配線7は、チャネル層3にPN接合するチャネル層3とは異種の半導体材料(ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料)によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。 - 特許庁
After that, the output level of a fixed energy generator is automatically controlled according to the corrected temperature value, whereby suitable energy is surely delivered to the human tissue through the light diffusion section of the optical fiber.例文帳に追加
その後、一定のエネルギー発生装置の出力レベルが上記の補正した温度の値に応じて自動的に調節されることにより、上記光ファイバーの光拡散用の部分を通して人間の組織に適当なエネルギーが配給されることが確実におこなわれる。 - 特許庁
To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加
シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁
To provide an excellent reference electrode capable of acquiring excellent diffusion of internal liquid in an external sample by stabilizing an outflow quantity of the internal liquid, suppressing an inter-liquid potential error caused by adhesion of the sample, and performing highly accurate measurement.例文帳に追加
内部液の流出量を安定させて外部のサンプルでの内部液の良好な拡散を得ることができ、しかもサンプルの付着などに起因する液間電位誤差を抑制して、精度の高い測定をすることができるといった、優れた参照電極を提供する。 - 特許庁
To provide an electrode for a fuel cell of low cost and high performance in which, diffusion of fuel in the electrode is improved, and generated proton and electron can smoothly move, and to provide a compound catalyst constituting the same, and a fuel cell equipped with them.例文帳に追加
電極における燃料の拡散を向上させ、生成するプロトンや電子が電極中をスムーズに移動できるようにし、低コストで高性能な、燃料電池用電極、及びこれを構成する複合触媒、及びこれらを具備した燃料電池を提供する。 - 特許庁
To provide a membrane electrode junction element for direct methanol type fuel cell (MEA for DMFC) capable of improving diffusion performance of fuel in the catalyst layer of the anode and discharge performance of CO_2 generated, and to provide a DMFC that uses the MEA.例文帳に追加
アノードの触媒層における燃料の拡散性および生成したCO_2の排出性を向上させることが可能な直接メタノール形燃料電池用膜/電極接合体(DMFC用MEA)およびそのMEAを用いたDMFCを提供する。 - 特許庁
The complex oxide semiconductive ceramic of the ceramic electrode 15a working as an anode by this DC lighting is heated and reduced to cause segregation of a thermal electron emitting substance such as Ba and supplied to the surface of the ceramic electrode 15a through thermal diffusion.例文帳に追加
直流点灯により陽極として作動するセラミックス電極15aの複合酸化物半導体セラミックスが高温になって還元されてBaなどの熱電子放出物質が分離し、熱拡散によりセラミックス電極15aの表面に供給される。 - 特許庁
In the electrode electrolyte film bonding laminate 40 to which a electrode 10 equipped with a diffusion layer 12 and a catalyst layer 14 in both sides of a solid polyelectrolyte film 22 is bonded, 1st metalloxythan polymer 34a is introduced at least into one side of the catalyst layer 14.例文帳に追加
固体高分子電解質膜22の両面に拡散層12及び触媒層14を備えた電極10が接合された電極電解質膜接合体40において、触媒層14の少なくとも一方には、第1メタロキサンポリマ34aを導入する。 - 特許庁
In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side.例文帳に追加
SOI構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域2に対してボディコンタクト部6のイオン注入領域11を離間させて、注入イオンの活性領域2側への拡散を抑制する。 - 特許庁
To provide a nitride based semiconductor epitaxial substrate capable of ensuring the electric insulation between a device layer side and a GaN monocrystal substrate, and capable of restricting a diffusion of Mg for controlling the conductivity to the device layer side, its manufacturing method and a substrate for HEMT.例文帳に追加
デバイス層側とGaN単結晶基板との電気絶縁性を確保でき、且つ、伝導性制御用のMgがデバイス層側に拡散することを抑制できる窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びHEMT用基板を提供すること。 - 特許庁
In the planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer on the substrate and applying a silver complex salt diffusion transfer process, a compound containing two or more mercapto groups is contained.例文帳に追加
支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該平版印刷版がメルカプト基を2個以上有する化合物を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁
The composition region of the boundary where a zirconia phase can assume both of a tetragonal phase and a monoclinic phase makes the structure unstable and exerts a microscopical stress on the ceria and the zirconia, thereby probably activating the diffusion, absorption and release of the oxygen.例文帳に追加
ジルコニア相がテトラゴナル相とモノクリニック相の両方を取り得る境界の組成領域であるため、構造が不安定となり共存するセリア−ジルコニア相に微視的な応力を及ぼして、酸素の拡散や吸放出を活性化させていると考えられる。 - 特許庁
To provide an electrode which can improve the diffusion of an injected electrolyte into a power generating element, the degassing from this power generating element and the removal speed of a solvent by forming a groove on a face of the electrode, and to provide a battery using the electrode.例文帳に追加
電極の面に溝を形成することにより、注入した電解液の発電要素内への拡散やこの発電要素内からのガス抜け及び溶剤の除去速度を向上させることができる電極及びその電極を用いた電池を提供する。 - 特許庁
To manufacture a model which excludes causes such as the mobility, the diffusion and the speed of electrons reducing the reliability of a semiconductor element such as a MOSFET element when the semiconductor element with a more reduced gate size is modeled in order to simulate an electric movement.例文帳に追加
MOSFETのような半導体素子において電気的な動きをシミュレートするために、よりゲート寸法を縮小した素子においてモデル化する場合に信頼性を低下させる電子の移動度、拡散及び速度のような要因を排除したモデルを作製する。 - 特許庁
A diffusion plate 1 comprises a surface 10 having a surface roughness larger than a prescribed wavelength and a non-periodic roughness shape, wherein a plurality of fine rugged parts 11 regularly arranged with a period of a prescribed wavelength or less are formed on the surface 10.例文帳に追加
拡散板1は、所定の波長よりも大きな表面粗さで、且つ非周期的な粗さ形状の表面10を有し、その表面10には、所定の波長以下の周期で規則的に配列された複数の微小凹凸部11が形成されている。 - 特許庁
To provide an aqueous ink recording sheet provided with the required quality such as ink fixing properties and the like and also with superior ink absorbability and adequate ink diffusion properties and also provide an aqueous ink jet recording sheet suitable particularly for a full color image printer of high speed and high image quality.例文帳に追加
インク定着性等の要求品質に加え、より優れたインク吸収性と適度のインク拡散性を有する水性インク記録用シート、特に高速、高画質のフルカラー画像プリンター用に好適な水性インクジェット記録用シートを提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that suppresses the mutual diffusion of impurities in gate electrodes between an n-type gate electrode and a p-type gate electrode and reduces variation in the threshold voltage, having a dual gate electrode exhibiting desirable characteristics, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加
n型ゲート電極とp型ゲート電極との間で、ゲート電極中の不純物が相互拡散するのを抑え、しきい値電圧の変動が抑制され、所望の特性を示すデュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting device that does not need alloying heat treatment under electron radiation, high temperature annealing or oxygen atmosphere, and has proper translucency and low contact resistance, being superior in diffusion of electric current.例文帳に追加
電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用正極を提供すること。 - 特許庁
Thus, there is provided a MIS transistor wherein electrode oxidation is suppressed in the gate electrode interface, effectual work function deterioration in the gate electrode does not occur, and threshold voltage Vt is reduced, by absorbing diffusion oxygen in the oxygen concentration adjusting thin film 4.例文帳に追加
これにより、酸素濃度調整薄膜4に拡散酸素が吸収されることによって、ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数の劣化が起きず、閾値電圧Vtを低減したMISトランジスタを実現できる。 - 特許庁
To provide a carbon fiber electrode material capable of maintaining high battery performances without lowering a gas diffusion ability of the electrode even by long-term continuous use, a hydrophilic carbon fiber sheetlike material suitably used for the electrode material and a method for producing the same sheetlike material.例文帳に追加
長時間の連続使用によっても電極のガス拡散能が低下せず、高い電池性能を維持できる炭素繊維電極材料、および電極材料に好適に用いられる親水性炭素シート状物、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
Provided is a method for producing an electrolyte membrane-electrode structure 10 in which electrode catalyst layers 36a and 38a are installed at both sides of a solid polymer electrolyte membrane 34 while gas diffusion layers 36c and 38c are laminated on the electrode catalyst layers 36a and 38a.例文帳に追加
固体高分子電解質膜34の両側に電極触媒層36a、38aが設けられるとともに、前記電極触媒層36a、38aには、ガス拡散層36c、38cが積層される電解質膜・電極構造体10の製造方法である。 - 特許庁
A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.例文帳に追加
撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部120、フォトダイオード110、転送ゲート部130下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域140を転送ゲート部130の下層領域に形成する。 - 特許庁
To form a diffusion preventing layer properly on the surface part of semiconductor substrate each corresponding to at least the edge of the CB side of a gate electrode part in a DRAM having the CB of a SAC structure provided between two gate electrode parts.例文帳に追加
本発明は、2つのゲート電極部間に設けられるSAC構造のCBを有するDRAMにおいて、少なくともゲート電極部のCB側のエッヂにそれぞれ対応する半導体基板の表面部に拡散防止層を的確に形成できるようにする。 - 特許庁
For this semiconductor electron beam detector, an electron beam detection part formed of a P-type diffusion region is arranged on the surface of an N-type first semiconductor substrate, and a second semiconductor substrate is arranged at least on the electron beam detection part.例文帳に追加
本発明の半導体電子線検出器は、N型である第1の半導体基板の表面上に、P型拡散領域によって形成された電子線検出部が配置され、第2の半導体基板が少なくとも前記電子線検出部の上に配置される。 - 特許庁
To provide a fluid motion analyzing device capable of stably and easily analyzing the fluid motion even when an hardly analyzable item instable in analysis is included in a non-steady advection diffusion equation under a specific condition.例文帳に追加
特定条件下、非定常移流拡散方程式内に解析を困難とする解析不安定性を示す項がある場合であっても、流体運動の解析を安定かつ簡易に行うことができる流体運動解析装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To control diffusion of wiring metal on an electron emission element film (dielectric thin film) of wiring metal and electron emission part causing deterioration of electron emission characteristics in an electron source substrate used as a electron beam source of a large screen flat type image forming device.例文帳に追加
大画面の平面型の画像形成装置の電子ビーム源として用いられる電子源基板において、電子放出特性の劣化の原因となる配線金属の電子放出素子膜(導電性薄膜)上及び電子放出部上への拡散を抑制する。 - 特許庁
In the plate surface processing liquid to be used after the development processing of the lithographic printing plate using with the silver complex salt diffusion transfer process, this liquid includes an organic compound having at least two mercapto groups or thione groups and a silver halide solvent.例文帳に追加
銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の現像処理後に用いられる版面処理液において、2個以上のメルカプト基もしくはチオン基を有する有機化合物、及びハロゲン化銀溶剤を含有することを特徴とする版面処理液。 - 特許庁
To provide a fuel cell system capable of keeping the water content held in a cathode catalyst layer or a cathode gas diffusion layer composing a membrane electrode assembly in an optimum range, and keeping stable output for a long time.例文帳に追加
膜電極接合体を構成するカソード触媒層やカソードガス拡散層の中に保持される水量を適切な範囲に維持することができ、長期間に亘って安定した出力を維持することができる燃料電池システムを提供することを目的とする。 - 特許庁
The oxygen electrode 20 has a laminated structure of a diffusion layer 22 and a catalyst layer 23 on a current collector 21, and for example, palladium (Pd) and palladium alloy as a selective catalyst which is not reacted with a fuel and reacts with oxygen is included in the catalyst layer 23.例文帳に追加
酸素電極20を、集電体21上の拡散層22および触媒層23の積層構造とし、触媒層23には、燃料とは反応しないが酸素と反応する選択性触媒として、例えばパラジウム(Pd)、およびパラジウム系の合金を含ませる。 - 特許庁
To provide a practically durable thin film piezoelectric element inexpensively by forming a diffusion preventive layer between a substrate and an electrode material formed thereon thereby forming a piezoelectric thin film having high piezoelectric characteristics on an iron based general purpose substrate.例文帳に追加
基板と基板上に形成した電極材料との間に拡散防止層を形成することによって、鉄系の汎用基板上で高い圧電特性を有する圧電薄膜を形成することを実現し、実用に耐えうる薄膜圧電素子を安価に提供する。 - 特許庁
A conductive material having corrosiveness equal to or more than a material constituting an electronic circuit is arranged midways on a diffusion path ranging from a corrosive gas entry site to the electronic circuit for trapping the corrosive gas.例文帳に追加
電子回路を構成する材料と同等以上の腐食性を有する導電性材料を腐食性ガスの侵入場所から電子回路までの拡散経路の途中に配置することにより、腐食性ガスを前記導電性材料がトラップする構造を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein a copper oxide is sufficiently removed from copper wiring and an insulating film for preventing the diffusion of a water content and Cu can be made of a low-dielectric-constant insulating material, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
半導体装置及びその製造方法に関し、銅配線上の酸化銅を十分に除去しつつ、水分及びCu拡散防止用の絶縁膜を低誘電率絶縁材料により形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The invention offers the thermal transfer image receiving sheet 10 which has the base material 11, and a receiving layer 12 formed on the base materal and containing an acetal resin with the specific structure, coloring matter of thermal diffusion property and metal ion content compound which can be chelated.例文帳に追加
基材11と、該基材11上に形成され、特定の構造を有したアセタール系樹脂と、熱拡散性の色素とキレート化が可能な金属イオン含有化合物とを含む受容層12とを有する熱転写受像シート10を提供するものである。 - 特許庁
Diffusion of oxygen into the power generating fuel cell laminate and deterioration of the cells of fuel battery are prevented by arranging a sacrificial oxidation material storing or consuming the oxygen diffusing from atmospheric air when stopping the fuel cell laminate system.例文帳に追加
燃料電池積層体システムの発電停止時において、大気から拡散してくる酸素を吸着又は消費する犠牲酸化材料を設けることにより、発電する燃料電池積層体への酸素の拡散を防ぎ、発電する燃料電池セルの劣化を防止する。 - 特許庁
By using a fuse 6f, formed of Al or an alloy of Al exhibiting a smaller diffusion coefficient than Cu as fuse for a redundancy circuit, splashed fuse material is prevented from diffusing up to transistors formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加
リダンダンシー回路のフューズとして、Cuよりも層間絶縁膜中における拡散係数の小さいAlまたはAl合金からなるフューズ6fを用いることによって、飛散したフューズ材料がシリコン基板1に形成されたトランジスタにまで拡散することを防止する。 - 特許庁
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