「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(309ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vapor growth device for improving copper wiring surface treatment before forming a copper diffusion prevention insulating film by a mixed gas soak of a silane and ammonia, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device having copper wiring where a surface state is excellent with less resistance.例文帳に追加

シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a cosmetic composition effective for preventing the stimulation of the skin with free radicals caused by the photocatalytic reaction of titanium oxide used in conventional cosmetic compositions and the accumulation of skin aging factors and suppressing the increase of melanin formation and the diffusion of melanin caused by free radicals.例文帳に追加

繁用化粧料組成物である酸化チタンの光触媒反応によるフリーラジカルの皮膚への用時刺激と皮膚老化因の蓄積を防ぎ、フリーラジカルに対するメラニン生成増とその拡散を抑えることができる化粧料組成物を提供することにある。 - 特許庁

A sealing material 31 having a projection at the location opposed to each other on both top and bottom surfaces of the periphery of the electrolyte membrane 1 is arranged to contact the both gas diffusion electrodes 2, 3 provided on both sides of the electrolyte membrane 1 and to be integrated with the electrolyte membrane 1.例文帳に追加

電解質膜１の周縁部の上下表面に対向する位置に突起が形成されたシール材３１を、前記電解質膜１の上下両側に配設された両ガス拡散電極２、３と接し、且つ電解質膜１と一体化して配設する。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

A gas diffusion electrode substrate for the solid polymer fuel cell has a carbon short fiber paper sheet including carbon short fibers and a carbon material for bonding the carbon short fibers to each other, where a degree of orientation of the carbon short fibers is 1.6 or more in a tow-dimensional plane.例文帳に追加

炭素短繊維と、炭素短繊維同士を結着させる炭素材とを含む炭素短繊維の抄紙体を有し、二次元平面内における該炭素短繊維の配向度が１．６以上である固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極基材。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has dual gate electrodes and prevents deterioration of the current capacity of a transistor, by suppressing the solid phase diffusion of an impurity in a gate insulating film and the decrease of the capacities of the gate electrodes, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

デュアルゲート電極を有する半導体装置について、不純物のゲート絶縁膜中への固体内拡散を抑制し、ゲート電極容量の減少を抑えてトランジスタの電流能力の低減を防いだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell enabled in miniaturization by omitting auxiliary instruments such as a pump and supplying air based on diffusion and convection at the time of laminating unit cells and maintaining performance and the high power generation efficiency of the unit cells, and a fuel cell system.例文帳に追加

ポンプ等の補器を省略して小型化が実現でき、単セルを積層した場合においても拡散や対流による空気の供給が可能で、単セルの性能及び発電効率を高く維持可能な燃料電池及び燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

The fuel supply part 40 is provided with a fuel storage part 42 wherein methanol solution is filled, a liquid fuel vaporization film 43 for vaporizing methanol in the methanol solution, and fuel electrode gas diffusion layers 46 and 48 for diffusing methanol and introducing methanol into the fuel electrode 23.例文帳に追加

燃料供給部４０は、メタノール水溶液が充填される燃料貯蔵部４２、メタノール水溶液中のメタノールを気化させる液体燃料気化膜４３、メタノールを拡散させ燃料極２３に導入する燃料極ガス拡散層４６、４８等を有する。 - 特許庁

A membrane electrode assembly 1 of a fuel cell is equipped with an electrolyte membrane 2; catalyst layers 3, 5 formed on each surface of the electrolyte membrane 2; and diffusion layers 6, 7 formed so as to cover each of the catalyst layers 3, 5 on both sides of the electrolyte membrane 2.例文帳に追加

燃料電池の膜電極接合体１は、電解質膜２と、電解質膜２の両面にそれぞれ形成された触媒層３，５と、電解質膜２の両面側にて各触媒層３，５をそれぞれ覆うように形成された拡散層６，７とを備える。 - 特許庁

The element part coverage calculation part 32 calculates coverage representing the ratio of an element region in each of a plurality of regions divided into lengths without exceeding diffusion length of a wafer material based on layout data of a wafer having the element region.例文帳に追加

素子部被覆率計算部３２は、素子領域を有するウエハのレイアウトデータに基づき、ウエハ材料の拡散長を超えない長さに分割された複数の領域の各々毎に、当該領域に占める素子領域の割合を示す被覆率を算出する。 - 特許庁

When performing the spark assist diffusion combustion, a soot quantity of sticking and depositing on the spark plug 11 is predicted, and a mixing rate of the fuel of the low soot sticking depositing risk is enhanced more than the case of less predicted soot content when the predicted soot is much.例文帳に追加

スパークアシスト拡散燃焼を行ったときに点火栓１１に付着堆積する煤量を予測し、予測された煤量が多いときには予測された煤量が少ないときに比べて、煤付着堆積危険性が低い燃料の混合割合を高くする。 - 特許庁

To provide a method for forming a porous carbon layer allowing catalyst to be effectively used when used particularly for a gas diffusion layer of a fuel cell without hindering a diffusive property of a fuel, by efficiently depositing carbon particles on a substrate with a simple method.例文帳に追加

簡易な方法で効率よく基板上に炭素粒子を堆積させて、特に燃料電池のガス拡散層に用いた場合に触媒を有効利用でき、かつ燃料の拡散性を阻害しない多孔質炭素層を形成させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a catalyst electrode layer in which a size of fine pores in a catalyst electrode layer is controlled and a gas diffusion property and a drainage property of generated water are improved and provide a manufacturing method of a high performance fuel cell using the above layer.例文帳に追加

本発明は、触媒電極層中の細孔の大きさを制御して、ガス拡散性、生成水の排出性が向上した触媒電極層、およびそれを用いた高性能な燃料電池の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

The optical device includes: an optical propagation element having a waveguide for propagating a light and a first diffraction grating for optically coupling a light with the waveguide, and a diffusion means for widening a luminous flux of a light made incident on the first diffraction grating to diffuse the light.例文帳に追加

光を伝搬する導波路と、光を該導波路に光結合する第１の回折格子とを備えた光伝搬素子を有する光学装置において、前記第１の回折格子に入射する光の光束を広げ発散状態とする発散手段を有する。 - 特許庁

Side walls 5 are formed on the gate insulating film 3 and the side faces of the gate electrode 4, and the source electrode 6 and drain electrode 7 of a P^+ type diffusion layer, to which impurity ions are injected, are formed to the silicon substrate 1 on both sides of the gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３及びゲート電極４の側面にはサイドウォール５が形成され、ゲート電極４の両側のｎ型シリコン基板１には、不純物イオンが注入されｐ＋型拡散層のソース電極６とドレイン電極７とが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device formed by such method has n-type impurity diffusion region of an active sheet carrier density between 1014 cm-2 and 1016 cm-2, and its resistance between 5 Ω/cm2 and 100 Ω/cm2.例文帳に追加

このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-2 以下であり、その抵抗値が５Ω／ｃｍ^2から１００Ω／ｃｍ^2の範囲にあるｎ型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

To provide water-repellent paste for a gas diffusion layer capable of being manufactured in a simple component composition, securing coating performance without adding a thickener giving rise to calcination residues, and that, with due consideration not involving air at its filling in a coating head or the like.例文帳に追加

ガス拡散層用撥水ペーストにおいて、簡単な成分組成で製造することができ、焼成残渣を生ずる増粘剤を添加することなく塗工性能を確保することができるとともに、塗工ヘッド等に充填する際にエアーを巻き込むことがないこと。 - 特許庁

To provide a glass for a flat panel display substrate and a flat panel display substrate, where yellowing caused by the diffusion of metallic Ag colloids in the substrate glass is effectively suppressed when an electrode is formed by painting an Ag paste on the substrate glass and then heating.例文帳に追加

基板用ガラス上にＡｇペーストを塗布し、焼成して電極を形成した場合に、金属Ａｇのコロイドが基板用ガラス中に拡散して黄変することを効果的に抑制したフラットパネルディスプレイ基板用ガラス及びフラットパネルディスプレイ基板を提供する。 - 特許庁

A diffusion layer region 131 of a transistor 13, constituting a switch of a memory cell and a storage node 151 constituting one electrode of a capacitor 15 are formed of a thin layer 151a, containing oxygen and a layer 151b in which oxygen is not contained.例文帳に追加

メモリセルのスイッチを構成するトランジスタ１３の拡散層領域１３１と容量１５の一方の電極を構成するストレージノード１５１を酸素を含有する薄い酸素含有層１５１ａと酸素を含有していない酸素非含有層１５１ｂとから形成する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly excellent in joining property on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and high in durability when an electrolyte membrane in which a contraction percentage when dried from a swelling state to a dry state is 5% or more is used.例文帳に追加

膨潤状態から乾燥状態まで乾燥したときの収縮率が５％以上である電解質膜を用いたときに、触媒層と拡散層との界面接合性が良好で、優れた耐久性を有する膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

The resin composition for the optical diffusion has a spherical amorphous silica particle having a volume average particle diameter of 1 μm to 10 μm obtained by reacting a metal silicon powder and oxygen, and a thermoplastic transparent resin material for dispersing the spherical amorphous silica particle.例文帳に追加

金属ケイ素粉末と酸素とを反応させて得られる体積平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下の球状無定形シリカ粒子と、該球状無定形シリカ粒子を分散する熱可塑性透明樹脂材料とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Heated steam which is a gas body reaches a membrane electrode assembly precursor 4 after easily passing through a diffusion layer 3 having water-repellency and locally forms a high-temperature and high-concentration alkaline aqueous solution by being condensed in the membrane electrode assembly precursor 4.例文帳に追加

加熱水蒸気はガス体であり、撥水性を持つ拡散層３を容易に通過して膜電極接合体前駆体４に到達し、膜電極接合体前駆体４内で凝縮して局所的に高温高濃度のアルカリ水溶液を生成する。 - 特許庁

A hole 19 is formed at the cathode gas diffusion layer 12c, and though penetrating this hole 19, a rib 15 of the cathode separator 13c and the solid polyelectrolyte membrane 10 or the cathode catalyst layer 11c are connected, and a connecting member 17 having a capillary phenomenon is provided.例文帳に追加

カソードガス拡散層１２ｃに孔１９を設け、この孔１９を貫通して、カソードセパレータ１３ｃのリブ部１５と、固体高分子電解質膜１０またはカソード触媒層１１ｃとを接続するとともに毛細管現象を有する接続部材１７を設ける。 - 特許庁

After a transistor composed of a gate electrode 10, a heavily doped diffusion layer 12 and the like is formed on a silicon substrate 1, second wiring 22 electrically connected with the transistor is formed and then a plasma nitride film 23 is formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ゲート電極１０及び高濃度不純物拡散層１２等から構成されるトランジスタを形成した後、該トランジスタと電気的に接続する第２の配線２２を形成し、その後、シリコン基板１の上にプラズマ窒化膜２３を形成する。 - 特許庁

To enhance the pitching-resistant strength by performing carburizing, carbo-nitriding or nitriding after diffusion coating of alloy elements to improve the a temper-softening resistance and seizure resistance from a surface of a gear using an inexpensive base steel of high regular marketability.例文帳に追加

通常市販性が高く、かつ安価なベース鋼材を用いた歯車の表面から焼戻し軟化抵抗性や耐焼付き性を改善する合金元素を拡散浸透させた後に、浸炭、浸炭浸窒もしくは浸窒処理を施すことにより、耐ピッチング強度を高める。 - 特許庁

The display 100 comprises a circuit wiring board 10 consisting of a substrate 10a into which a light diffusion material is dispersed and circuit wiring 10c, a group III nitride based compound semiconductor light-emiting element 201, wire bonding 3n and 3p, and a shading material 4.例文帳に追加

表示装置１００は、光拡散材料が分散された基板部１０ａと回路配線１０ｃとから成る回路配線基板１０、III族窒化物系化合物半導体発光素子２０１、ワイヤボンディング３ｎ及び３ｐ、並びに遮光部材４から成る。 - 特許庁

To provide a excrement-treating material for animals exhibiting sufficient deodorizing effect even under high humidity environment, preventing diffusion of unpleasant odor caused by excrement of animals, capable of comfortably keeping environment which rears the animal, having antimicrobial property and being hygienic.例文帳に追加

高湿度環境下であっても十分な脱臭効果を発揮して、動物の排泄物に起因する不快臭の拡散を防ぎ、動物を飼育している環境を快適に維持でき、抗菌性をも備え衛生的な動物用排泄物処理材を提供する。 - 特許庁

After a ferroelectric substance 11 connected to one diffusion layer of the MOS transistor 4b, the wiring, an electrode 17 and the like are formed, heat treatment is performed about 300-500°C for about 5-60 minutes in nitrogen as second heat treatment.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタ４ｂの一方の拡散層に接続する強誘電体容量１１、配線及び電極１７等を形成した後、第２の熱処理として窒素中で３００乃至５００℃程度の温度で５乃至６０分程度の熱処理をする。 - 特許庁

To provide a mounting method for an electronic component and a mounting device therefor which solves various problems of a conventional mounting methods by deformation of bump electrodes, a solid phase diffusion method by ultrasonic vibration, and a surface activation processing method by energy wave irradiation.例文帳に追加

従来の突起電極の変形による実装方法、超音波振動による固相拡散方法、エネルギ波照射による表面活性化処理方法が抱えていた種々の問題を解決できる電子部品の実装方法およびその実装装置を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusing film which has its surface processed to have superior optical characteristics of a viewing angle etc., obtained by internal diffusion and a superior contrast by less reflection of external light obtained by a finely uneven surface diffusing surface, and also has a hard coat, antifouling and antistatic effects.例文帳に追加

内部拡散で得られる視野角等の光学特性と微細凹凸表面拡散面で得られる外光の写り込みが少なくコントラストにも優れた表面処理を施され、かつハードコート、防汚、帯電防止効果を有する、拡散フィルムを提供すること。 - 特許庁

If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加

本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The optical fibers 1 are separated from each other by partition walls 6, which facilitates understanding of condition of disinfection/sterilization action in each separated zone, and prevents occurrence of turbulence by making flow of the air bubbles generated by the air diffusion have a constant rising speed to perform more smooth disinfection/sterilization action.例文帳に追加

仕切板６により、各光ファイバ１を区画すれば、各区画内の消毒・殺菌作用の状態も把握し易いうえに、散気による気泡の流れも上昇速度が一定となるなどの乱れが生じ難く、より円滑な消毒・殺菌作用が行われる。 - 特許庁

To provide a diffusion layer for a fuel cell, whereby a lowering of output resulting from contamination of water in the fuel cell is not easily caused, no wiring in a water system becomes complicated, and the fuel cell can be made inexpensive, and to provide its manufacturing method, and the fuel cell.例文帳に追加

燃料電池内の水の汚染による出力の低下が起こりにくく、水系統の配管も複雑とならず、燃料電池の低廉化が可能な燃料電池用拡散層、燃料電池用拡散層の製造方法及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a coating development type plate-making method which has small printing soiling and high printing resistance even when a coating amount is not larger than 60 ml/m^2 as a plate-making method for a lithographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の製版方法において、塗布量が６０ｍｌ／ｍ^2以下の場合であっても、印刷汚れが少なくかつ高い耐刷力を有する塗布現像方式の製版方法を提供することである。 - 特許庁

A delay determined by a time constant depending on an output resistance and a diffusion layer capacitance of a MOS transistor(TR) single body connected to each input terminal and being a component of the multi-input logic gate circuit is used for a minimum unit of the variable delay time.例文帳に追加

多入力論理ゲート回路を構成するＭＯＳトランジスタであって、各入力端子に接続されるＭＯＳトランジスタ単体の拡散層容量と出力抵抗で決まる時定数による遅延を、可変遅延時間の最小単位として用いる。 - 特許庁

A determination part 21 obtains from a temperature measuring part 14 a diffusion temperature of an air conditioner; and if the obtained temperature is at least the lower-limit temperature for the failure determination, the determination part 21 determines the failure of the air conditioner 30, and the trouble is notified to a network via network communications part 16.例文帳に追加

判定部２１は温度計測部１４より空気調和機３０の吹出し温度を取得し、その温度が故障判定下限温度以上の場合に空気調和機３０の故障を判定し、ネットワーク通信部１６を介してネットワークに故障通知をする。 - 特許庁

The decorative material 10 capable of performing the surface emission is formed by providing a panel main body 11 molded by adding particles consisting of optical diffusion materials to resin whose all light transmittance is 80% or more by a predetermined amount and guiding light from the outside in a board plane.例文帳に追加

全光線透過率８０％以上の樹脂に光拡散物質からなる粒子を所定量添加して成形したパネル本体１１を備え、外部からの光を板面内に導光することで面発光が可能な化粧材１０が形成されている。 - 特許庁

In the fluorescent lamp type illumination lamp, a cylindrical body 10 is constructed of a cylindrical light guide tube 11 with a thickness of around 3 mm-5 mm or more made of polycarbonate resin with a light reflection layer 12 formed on the inner circumference face and a light diffusion layer 13 formed on the outer circumference face.例文帳に追加

筒状の本体１０は、内周面に光反射層１２を形成し、外周面に光拡散層１３を形成したポリカーボネート樹脂製の肉厚３ｍｍ〜５ｍｍ前後あるいはそれ以上の円筒形の導光筒１１によって構成される。 - 特許庁

Transistors in the memory cell forming region 25 are insulated and isolated by a shallow first STI 28, a guard ring diffusion region 32 is formed in a peripheral boundary region 26 and a peripheral circuit region 27, and it is insulated and isolated by a deep second STI 29.例文帳に追加

メモリセル形成領域２５の各トランジスタは、浅い第１ＳＴＩ２８で絶縁分離され、周辺の境界領域２６および周辺回路領域２７にはガードリング拡散領域３２が形成され、深い第２ＳＴＩ２９で絶縁分離されている。 - 特許庁

The filter assembly 350 may optionally include a diffusion channel for additional filtering and/or one or more porous polymer films arranged on an inlet opening 370 or an outlet opening 375 in the housing 360 to reduce or prevent particular contamination.例文帳に追加

フィルタ組立体は、任意に、更に濾過を助けるための拡散流路及び／又は粒子による汚染を減少させる又は阻止するためにハウジングの入口開口部又は出口開口部に配設される１つ又は複数の多孔性ポリマーフィルムを含んでいても良い。 - 特許庁

Thus, the error-diffusion method capable of obtaining a high quality image is applied to the dots giving the largest influence to the image quality and the systematic dithering method, capable of fast processing is applied to the dots giving not large influence to the image for executing picture processing.例文帳に追加

こうすれば、もっとも画質に影響を与えるドットについては、高画質が得られる誤差拡散法を適用し、画質に大きな影響は与えないドットについては高速処理の可能な組織的ディザ法を適用して画像処理を行うことができる。 - 特許庁

Two stages carried out heretofore; a stage for printing the diffusion sheet 2 with a black frame and a stage for sticking double sided tapes may be omitted and since only the stage for sticking the light blocking tape is merely necessitated, the cost reductions by the simplification of the manufacturing stages is made possible.例文帳に追加

また、従来行われていた拡散シート２への黒枠印刷の工程及び両面テープ貼り付け工程の２工程を省略することができ、遮光テープ貼り付け工程のみを行えばよいため、製造工程の簡略化による低コスト化が図られる。 - 特許庁

This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.例文帳に追加

該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を１２００℃〜１５００℃に加熱し、廃熱と熱交換して１５００℃〜１８００℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

Fixed resistors (3, 4, 5) and a variable resistor (14) are formed on a semiconductor substrate (2) and ions are injected into diffusion layers (22, 23) constituting the variable resistor (14) such that the combined resistance (R) of the fixed resistors (3, 4, 5) and the variable resistor (14) will be equal to a predetermined resistance (Ro).例文帳に追加

本発明では、半導体基板(2)に固定抵抗(3,4,5)と可変抵抗(14)とを形成し、同可変抵抗(14)を構成する拡散層(22,23)に固定抵抗(3,4,5)と可変抵抗(14)との合成抵抗値(R)が所定の抵抗値(Ro)となるようにイオンを注入することにした。 - 特許庁