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「ESD protection」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索
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ESD protectionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 414



例文

Alternatively, the second pad PD 2 is arranged on an upper layer of the second electrostatic discharge protection element ESD-M so as to overlap one part or the entire of the second electrostatic discharge protection element ESD-M.例文帳に追加

或いは第2の静電気保護素子ESD−Mの一部又は全部と重なるようにその上層に第2のパッドPD2が配置される。 - 特許庁

To provide a protection circuit in which ESD strength is improved in a small area.例文帳に追加

小面積で、ESD強度を向上させた保護回路を提供する。 - 特許庁

LATERAL-DIRECTION SILICON CONTROL RECTIFYING ELEMENT, AND ESD PROTECTION ELEMENT EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

横方向シリコン制御整流素子及びこれを備えるESD保護素子 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes an N-type MOS transistor for ESD protection for preventing an occupied area from increasing, and includes sufficient ESD protection function.例文帳に追加

占有面積の増加がなく、十分なESD保護機能を持たせたESD保護用のN型のMOSトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

To obtain an ESD protection element having a shallow trench isolation structure with an efficient ESD protection function without greatly increasing an occupied area.例文帳に追加

占有面積の大きな増加なく、十分なESD保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するESD保護素子を得ることを目的とする。 - 特許庁


例文

To provide an ESD (electrostatic discharge)protection circuit capable of responding to both positive and negative surge voltages as an ESD protection circuit and having a small element area.例文帳に追加

正・負のどちらのサージ電圧に対してもESD保護回路として対応することができ、かつ素子面積の小さいESD保護回路を提供する。 - 特許庁

To provide an ESD protection device capable of suppressing degradation of a discharge part in the ESD protection device when a surge current is allowed to repeatedly flow within a short time.例文帳に追加

短時間に繰り返しサージ電流が流れたときのESD保護デバイスの放電部の劣化を抑制したESD保護デバイスを構成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an ESD (electro-static discharge) protection device, and an ESD protection device, capable of preventing a short-circuit between discharge electrodes due to an auxiliary electrode.例文帳に追加

補助電極による放電電極間でのショート発生を防ぐことができるESD保護デバイスの製造方法及びESD保護デバイスを提供する。 - 特許庁

DIFFERENTIAL INPUT/OUTPUT DEVICE EQUIPPED WITH ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION CIRCUIT例文帳に追加

静電気放電(ESD)保護回路を具えた差動入力/出力装置 - 特許庁

例文

An ESD protection circuit includes an ESD protection diode consisting of a plurality of diodes, a first gap, and a second gap.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、ESD保護回路は、複数のダイオードから構成されるESD保護ダイオード、第一の空隙部、及び第二の空隙部が設けられる。 - 特許庁

例文

An ESD protection circuit is formed on a surface layer of the semiconductor substrate 20, and the input/output electrodes 21A, 21B are connected to the ESD protection circuit.例文帳に追加

半導体基板20の表層にESD保護回路が形成されていて、入出力電極21A,21BはそのESD保護回路に接続されている。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharge protection element which improves durability to thermal destruction of an ESD protection element.例文帳に追加

ESD保護素子の熱破壊に対する耐性を改善した静電放電保護素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with an ESD protection diode with a large ESD resistance amount and a small invalid area.例文帳に追加

ESD耐量が大きく、かつ無効面積の少ないESD保護ダイオードを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ESD protection element and an integrated circuit comprising the ESD protection element in which a parasitic resistance between the ESD protection elements can be reduced and electrical power loss of the high frequency signal due to parasitic resistance can also be reduced.例文帳に追加

ESD保護素子間の寄生抵抗を小さくすることができ、寄生抵抗による高周波信号の電力損失を低減することができるESD保護素子及びESD保護素子内蔵集積回路を提供する。 - 特許庁

This invention relates to the method of designing an ESD protection circuit including a main ESD device 10 and trigger device 20 connected to a trigger node of the main ESD device so that an ESD current is passed therein by a reduced voltage.例文帳に追加

主ESDデバイス10と、低減された電圧で、ESD電流を流すために、主ESDデバイスのトリガーノードに接続されたトリガーデバイス20とを含むESD保護回路の設計方法。 - 特許庁

The first ESD protection circuit 22 is connected to the external output terminal 91.例文帳に追加

第1ESD保護回路22は、外部出力端子91に接続されている。 - 特許庁

CIRCUIT WITH IMPROVED ESD PROTECTION FUNCTION UNDER REPEATED PULSE LOAD例文帳に追加

反復されるパルス負荷のもとでの改善されたESD保護機能を備えた回路 - 特許庁

To provide an SOI field effect transistor structure for providing ESD protection.例文帳に追加

ESD保護を提供するSOI電界効果トランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

To provide an area-efficient, high voltage, single polarity ESD protection device.例文帳に追加

面積効率の良い高電圧の単極性ESD保護デバイスを提供する。 - 特許庁

The second ESD protection circuit 42 is connected to the fourth pad 52 of I/O.例文帳に追加

第2ESD保護回路42は、I/O第4パッド52に接続されている。 - 特許庁

To improve the area efficiency of an ESD protection circuit which uses a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタを用いたESD保護回路の面積効率を向上する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE WITH ESD PROTECTION CAPABILITY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ESD保護能力を有する窒化ガリウム系発光素子及びその製造方法 - 特許庁

ESD PROTECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME例文帳に追加

ESD保護回路およびESD保護回路を有する半導体集積回路 - 特許庁

To provide an ESD protection circuit capable of realizing high ESD immunity without causing increase in the area and the cost.例文帳に追加

面積やコストの増大を生じることなく高いESD耐性を実現することのできるESD保護回路を提供する。 - 特許庁

To prevent the hindrance to high-speed operation, latchup, etc. caused by an ESD protection element, and to prevent the destruction of the element by ESD.例文帳に追加

ESD保護素子に起因する高速動作の妨げやラッチアップ等を防止し、且つESDによる素子の破壊を防止する。 - 特許庁

To perform excellent ESD protection even in maintenance voltage Vh less than or equal to power source voltage.例文帳に追加

電源電圧以下の維持電圧Vhでも良好なESD保護を行う。 - 特許庁

To provide an integrated circuit that achieves stable protection operation against ESD.例文帳に追加

ESDに対する安定した保護動作を実現する集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an N-type MOS transistor for protection against ESD that retains a sufficient function for protection against ESD without an increase in occupation area.例文帳に追加

占有面積の増加もなく、十分なESD保護機能を持たせたESD保護用のN型のMOSトランジスタを有する半導体装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide an ESD protection circuit capable of preventing a noise at a specific frequency and the like and adjusting a trigger voltage of an ESD protection element, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

特定周波数のノイズ等を防ぐことができ、かつESD保護素子のトリガー電圧を調整できるESD保護回路及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic protection device capable of improving an ESD breakdown voltage.例文帳に追加

ESD耐圧の向上を図ることが可能な静電保護装置を提供する。 - 特許庁

The second ESD protection circuit 42 is formed in the first semiconductor substrate 10.例文帳に追加

第2ESD保護回路42は、第1半導体基板10に形成されている。 - 特許庁

The first ESD protection circuit 22 is formed in the first semiconductor substrate 10.例文帳に追加

第1ESD保護回路22は、第1半導体基板10に形成されている。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharge protection device enhancing the utilization efficiency of a layout area and the switching speed of an ESD protection element and improving resistance to the electrostatic discharge of the entire display panel.例文帳に追加

レイアウト面積の利用効率およびESD保護素子のスイッチング速度を高め、ディスプレイパネル全体の静電放電耐性を向上させる静電放電保護装置の提供。 - 特許庁

The ESD protection element uses a bipolar transistor.例文帳に追加

本発明によるESD保護素子は、バイポーラトランジスタを用いたESD保護素子である。 - 特許庁

To provide: ESD protective material paste with which a peak voltage can be easily lowered; and an ESD protection device including an ESD protective material layer which can be formed using the ESD protective material paste.例文帳に追加

ピーク電圧を容易に低下させることができるESD保護材料ペースト及び該ESD保護材料ペーストを用いてESD保護材料層を形成することができるESD保護デバイスを提供する。 - 特許庁

The active matrix device 200' includes an active region and an ESD protection circuit 220'.例文帳に追加

アクティブマトリクス装置200’は、活性領域及びESD保護回路220’を備える。 - 特許庁

To provide a low-pass filter having an ESD protection function improved in packaging density.例文帳に追加

実装密度を向上させたESD保護機能を有するローパスフィルタを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for designing an integrated electronic circuit having electrostatic discharge protection (ESD).例文帳に追加

電子静電放電保護を有する集積電子回路を設計する方法を提供する。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR STRUCTURE WITH PEDESTAL FOR ESD PROTECTION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ESD保護のためのペデスタルを有するMOSトランジスタ構造及びその製造方法 - 特許庁

To provide an ESD protection device which has a high hold voltage and is usable even for a product having a high operation voltage.例文帳に追加

ホールド電圧が高く動作電圧条件が高い、ESD保護素子の提供。 - 特許庁

ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION SILICON CONTROLLED RECTIFIER (ESD-SCR) FOR SILICON GERMANIUM TECHNOLOGIES例文帳に追加

シリコン・ゲルマニウム技術のための静電放電保護シリコン制御整流器(ESD−SCR) - 特許庁

To provide a semiconductor device having an electrostatic protection element with high ESD resistance.例文帳に追加

ESD耐量の高い静電保護素子を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an ESD protection circuit capable of protecting an internal circuit from a steep surge current.例文帳に追加

急峻なサージ電流から内部回路を保護できるESD保護回路を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device having tolerance to ESD and preventing a forward-direction voltage drop due to ESD protection, without additionally incorporating an ESD device in the package.例文帳に追加

パッケージ内にESD素子を別に組み込まずともESDに対する耐性を持たせ、且つESD防止による順方向電圧降下を防止する発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an ESD (Electro Static Discharge) protection element verification method for easily verifying whether or not an ESD protection element having a variety of pressure resistance is an appropriate ESS protection element in a semiconductor integrated circuit where multiple power supplies are input.例文帳に追加

多電源が入力される半導体集積回路内で種々の耐圧を有したESD保護素子が適切なESD保護素子であるか否かを容易に検証するESD保護素子検証方法を得ること。 - 特許庁

An ESD protection element 4 comprising an n channel MOS transistor is formed in the p well 2, and an ESD protection element 14 comprising a p channel MOS transistor is formed in the n well 3.例文帳に追加

また、Pウエル2にNチャネルMOSトランジスタからなるESD保護素子4を形成し、Nウエル3にPチャネルMOSトランジスタからなるESD保護素子14を形成する。 - 特許庁

To solve a problem that initial characteristics of an electronic module are deviated to have an ESD protection effect faded, as an ESD protection component is mounted on a substrate of the electronic module.例文帳に追加

電子モジュールの基板上にESD保護部品を実装することにより、電子モジュールの当初の特性がずれ、ESD保護効果が薄れてしまうという問題を解消する。 - 特許庁

Branch points A204 and B212 are provided to a connection wiring of an electrode pad 202, an internal circuit 208, and an ESD protection circuit 206 as well as a connection wiring of an electrode pad 213, the internal circuit 208, and the ESD protection circuit 206, respectively.例文帳に追加

電極パッド202,213と、内部回路208およびESD保護回路206との間の接続配線に、分岐点A204,分岐点B212が設けられている。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage ESD protection diode which can be formed using the same manufacturing process as for the high breakdown voltage transistor to be protected with the high avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量が高く、保護する高耐圧トランジスタと同製造工程を用いて形成できる高耐圧ESD保護ダイオードを提供する。 - 特許庁

例文

To easily enhance an ESD discharging performance in a MOSFET type ESD protection element having an LDD structure.例文帳に追加

本発明は、LDD構造を有するMOSFET型のESD保護素子において、ESD放電能力を容易に向上できるようにする。 - 特許庁




  
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