「ESD protection」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having an ESD protection network capable of suppressing an increase in an area.例文帳に追加

面積の増加を抑制可能なＥＳＤ保護回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, an electrostatic discharge (ESD) protection ring and conductive painting are used for static charge removal.例文帳に追加

さらに、静電気除去のため、静電放電（ＥＳＤ）防御リング及び導電性塗装を使用する。 - 特許庁

ESD PROTECTION CIRCUIT USING SIMULTANEOUS, AND DISTRIBUTED SELF-BIAS METHOD FOR MULTI-FINGER TURN-ON例文帳に追加

マルチフィンガ・ターンオンのための同時及び分散自己バイアス法を用いた静電放電（ＥＳＤ）保護デバイス - 特許庁

To achieve suppression of an off-leak current in a protective transistor as well as ESD protection in a packaging process.例文帳に追加

実装工程中のＥＳＤ保護とともに、保護用トランジスタのオフリーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a new ESD protection technology for a circuit connected to an output stage.例文帳に追加

出力段に連結された回路に対する新たなＥＳＤ保護技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a small electrostatic discharge protecting device, having high protection ability against ESD discharges.例文帳に追加

小型でＥＳＤ放電に対する保護能力が高い静電気放電保護素子を提供する。 - 特許庁

To achieve a diode type semiconductor device for electrostatic protection having high ESD withstand voltage.例文帳に追加

高いＥＳＤ耐圧を有するダイオード型の静電気保護用半導体装置を実現すること - 特許庁

A relatively small ESD protection diode is formed on the same chip as a light emitting diode.例文帳に追加

比較的小型のＥＳＤ防護ダイオードが、発光ダイオードと同じチップ上に形成されている。 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT STRUCTURE FOR IMPROVING THE EFFECTIVENESS OF ESD PROTECTION ON SEMICONDUCTOR CIRCUIT STRUCTURE例文帳に追加

半導体回路構造のＥＳＤ保護の効果を改良するための方法および回路構造 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ESD protection element having sufficient discharge capability.例文帳に追加

十分な放電能力を有するＥＳＤ保護素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix device having an ESD protection function to prevent the damage of the device and circuit of the active matrix device by ESD.例文帳に追加

アクティブマトリクス装置の装置及び回路がＥＳＤにより損壊されることを防ぐＥＳＤ保護機能を有するアクティブマトリクス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which includes an ESD protection circuit having high ESD resistance performance as compared with a conventional one, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

従来に比して高いＥＳＤ耐量性能を有するＥＳＤ保護回路を備えた半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

For reverse polarity ESD protection, a diode (25) is formed in the same n-well (64; 164) by a p+ region (78; 178) connected to the second signal terminal (PIN2), serving as the anode.例文帳に追加

逆極性のESD保護に対して、ダイオード（25）が、アノードとして働く第２の信号端子（PIN2）に接続されたｐ+領域（78;178）によって同じｎウエル（64;164）に形成される。 - 特許庁

To provide a compact ESD protection device using a semiconductor substrate that sufficiently suppresses a momentary overcurrent like an ESD spike.例文帳に追加

半導体基板を用いた小型のデバイスでありながら、ＥＳＤスパイクのような瞬間的な過電流を十分に抑制できるＥＳＤ保護デバイスを構成する。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharge protection element that is excellent in both of ESD resistance protection performance and latch-up resistance performance, and small in layout area.例文帳に追加

耐ＥＳＤ保護性能及び耐ラッチアップ性能の双方が優れ、レイアウト面積が小さい静電気放電保護素子を提供する。 - 特許庁

To provide an ESD (electrostatic discharge) protection circuit in which the gap between an operating voltage range and a protection voltage is reduced and thereby a necessary area is small.例文帳に追加

作動電圧領域と保護電圧との間隔が低減されており、必要面積の小さいＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁

The light emitting diode (LED) package comprises a carrier, a package housing, an LED chip, and the electrostatic discharge protection (ESD protection part).例文帳に追加

キャリア、パッケージハウジング、ＬＥＤチップ、および静電気放電保護部（ＥＳＤ保護部）を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージが提供される。 - 特許庁

To provide an ESD protection device which has a good discharge capability and few short failures, needs no special processing step in manufacturing it, and allows the achievement of an excellent productivity, and to provide a method of manufacturing the ESD protection device.例文帳に追加

放電能力に優れる一方でショート不良が少なく、かつ製造時に特別な工程を必要とせず、生産性に優れたＥＳＤ保護デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This timing controller chip is provided with: a first resistor; a second resistor; a first electrostatic discharge (ESD) protection circuit; a second electrostatic discharge (ESD) protection circuit; and operational amplifier.例文帳に追加

本発明のタイミングコントローラチップは、第１の抵抗器と、第２の抵抗器と、第１の静電気放電（ＥＳＤ）保護回路と、第２の静電気放電（ＥＳＤ）保護回路と、演算増幅器と、を備えている。 - 特許庁

To provide an ESD protection circuit that allows an ESD protection element to protect the ESD of an internal element while securing sufficient ESD breakdown strength and also reduces an area, in a power management semiconductor device having a fully depleted SOI device structure and in an analog semiconductor device.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩデバイス構造を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置において、ＥＳＤ保護素子がＥＳＤ破壊強度を充分に確保しつつ内部素子のＥＳＤ保護を可能とし、かつ面積縮小も可能にＥＳＤ保護回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the ESD protection semiconductor device, a protection thyristor 10 interposed between its I/O terminal and its GND terminal, and a protection thyristor 20 interposed between its power-supply terminal and its GND terminal, have a first NPN transistor 21 in common.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ１０と電源端子−ＧＮＤ端子間保護サイリスタ２０とにおいて、第１のＮＰＮトランジスタ２１を共有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH ESD PROTECTION ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子を備える半導体装置およびＥＳＤ保護素子を備える半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device for electrostatic protection of a transistor type which has a high ESD breakdown voltage.例文帳に追加

高いＥＳＤ耐圧を有するトランジスタ型の静電気保護用半導体装置を実現すること - 特許庁

To realize an ESD protection circuit that is formed monolithically on a surface of an integrated circuit to be protected.例文帳に追加

保護すべき集積回路の表面にモノリシックな形で形成されたＥＳＤ保護回路を実現する。 - 特許庁

The ESD protection which is arranged on the carrier and covered by the package housing is electrically connected to the carrier.例文帳に追加

キャリア上に配置し、パッケージハウジングで被覆したＥＳＤ保護部はキャリアに電気的に接続する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device having an input/output electrostatic discharge I/O ESD protection cell.例文帳に追加

入出力静電気放電Ｉ／Ｏ ＥＳＤ保護セルを具備する集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting device having electrostatic discharge (ESD) protection capability.例文帳に追加

本発明は発光装置に関し、特に、静電気放電（ＥＳＤ）保護の能力を有する発光装置に関する。 - 特許庁

To provide a small ceramic multilayer substrate and an electronic module having an ESD protection function at a low cost.例文帳に追加

ＥＳＤ保護機能を有し、低コストで小型のセラミック多層基板および電子モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide an ESD protection device that reduces overshoot appeared in IC, and to provide a method of designing the device.例文帳に追加

ＩＣに現れるオーバーシュートが低減可能なＥＳＤ保護デバイス、およびその設計方法の提供。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING ESD PROTECTION BY USING DIODE AND GROUNDING STRIP FOR HEAD GIMBAL ASSEMBLY例文帳に追加

ヘッドジンバルアセンブリにダイオード及び接地用ストリップを用いてＥＳＤ保護を提供する方法及びシステム - 特許庁

The physical analysis (S2) of an element used in an ESD protection circuit is made, a parameter relatively greatly affecting ESD protection characteristics in the parameters of the element is extracted as a key parameter (S4), the device-circuit mixture simulation of the ESD protection circuit is made by using the key parameter, and the key parameter is optimized (S5).例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路で用いられる素子の物理解析（Ｓ２）を行なって、素子のパラメータの中でＥＳＤ保護特性に比較的大きな影響を与えるものをキーパラメータとして抽出し（Ｓ４）、キーパラメータを用いてＥＳＤ保護回路のデバイス・回路混合シミュレーションを行なって、キーパラメータの最適化を行う（Ｓ５）。 - 特許庁

To effectively prevent the breakage of a protection target circuit, which is caused by application of ESD surge voltage to the protection target circuit.例文帳に追加

ＥＳＤサージ電圧がそのまま保護対象回路に印加されることによって保護対象回路が破壊されることを有効に抑制する。 - 特許庁

To provide an ESD protection circuit which has an ESD protecting function for respective circuits from a low breakdown voltage circuit to a high breakdown voltage circuit, and is attained with small layout area.例文帳に追加

低耐圧回路から高耐圧回路までの各回路に対するＥＳＤ保護機能を有し、しかも小さいレイアウト面積で実現できるＥＳＤ保護回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for protecting against ESD, which has a sufficient function for protection against ESD with less increase in an occupation area.例文帳に追加

占有面積の増加を少なく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including an N-type MOS transistor for ESD protection having a sufficient ESD protecting function without an increase in processes and without an increase in occupation area.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ESD protective element that has a high breakdown voltage between drain and back gate and achieves ESD protection of a gate for DMOSFET.例文帳に追加

ドレイン、バックゲート間耐圧が高く、ＤＭＯＳＦＥＴ用ゲートのＥＳＤ保護を両立することが可能なＥＳＤ保護素子を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

The first electrostatic discharge protection element ESD-L is configured by a bipolar transistor or a thyristor, and the second electrostatic protective element ESD-M is configured by a diode.例文帳に追加

第１の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｌがバイポーラトランジスタ又はサイリスタにより構成され、第２の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｍがダイオードにより構成される。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharge (ESD) protection device for protecting an IC internal circuit without increasing the process steps and capable of applying to HV-CMOS device by the simplest method by dropping breakdown voltage of the contact surface of the ESD protection device.例文帳に追加

静電防護装置接触面の崩壊電圧を下げ、プロセスステップを増やさず、同時にＨＶ−ＣＭＯＳに利用することにより、最も簡易な方法でＩＣ内部回路を保護する静電防護装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection, which suppresses an off-state leakage current and has a satisfactory ESD protection function, without increasing the process steps and the footprint.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection that has a shallow trench separation structure with a sufficient ESD protection function without an increase in the number of steps and a substantial increase in footprint thereof.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の大きな増加なく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with a first semiconductor substrate 10, a second semiconductor substrate 50, an external output terminal 91, a first ESD protection circuit 22, a fourth pad 52 of I/O, and a second ESD protection circuit 42.例文帳に追加

半導体装置１は、第１半導体基板１０と、第２半導体基板５０と、外部出力端子９１と、第１ＥＳＤ保護回路２２と、Ｉ／Ｏ第４パッド５２と、第２ＥＳＤ保護回路４２とを備える。 - 特許庁

The ESD protection circuit for CDM is configured to insert a transistor element in series to OFF transistors 11, 13 of an ESD protection circuit for CDM so that a parasitic diode is in an opposite direction to the OFF transistors.例文帳に追加

ＣＤＭ用のＥＳＤ保護回路のＯＦＦトランジスタ１１、１３に直列に、寄生ダイオードが、前記ＯＦＦトランジスタと逆向きになるようにトランジスタ素子を挿入する回路構成とすることで、上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide an ESD protection device less prone to an undesired short circuit between first and second discharge electrodes, which ensures the protection against static electricity.例文帳に追加

第１，第２の放電電極間の所望でない短絡が生じ難く、静電気からの保護を確実に図り得るＥＳＤ保護デバイスを提供する。 - 特許庁

Each of the ESD protection elements 60, 61 comprises a TFT-A and a TFT-B which are diode-connected in series, and operates as an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子６０、６１は、各々、直列接続してダイオード接続としたＴＦＴ−Ａ、ＴＦＴ−Ｂからなり静電保護回路として動作する。 - 特許庁

To provide a device suitable for an ESD protection device of a MOS transistor base that can provide protection from voltage deviation generated in a certain range.例文帳に追加

特定の範囲で生じる電圧偏位からの保護を与えることができるＭＯＳトランジスタ・ベースのＥＳＤ保護デバイスに適したデバイスを提供すること。 - 特許庁