「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

Stores A2, A4, A6 to be diagnosed are selected from a plurality of stores A1-A36 (step S1); and measures for saving energy based on a field survey are proposed to the stores A2, A4, A6 to be diagnosed and the effect of the measures for saving energy is calculated (step S2).例文帳に追加

複数の店舗Ａ１〜Ａ３６のなかから診断実施店舗Ａ２、Ａ４、Ａ６を選定し（ステップＳ１）、診断実施店舗Ａ２、Ａ４、Ａ６に対して現地調査に基づく省エネルギー対策を提案して、当該省エネルギー対策の効果を算出する（ステップＳ２）。 - 特許庁

The field-effect transistor includes: a channel layer 16 formed of an oxide thin film having a carrier concentration (n) (cm^-3) of >10^18 to <10^20 and a film thickness (t) (nm) of ≥1 to <30; and a gate insulating film formed of a dielectric material having a relative permittivity of 2 to 9.例文帳に追加

電子キャリア密度ｎ（ｃｍ^−３）が１０^１８＜ｎ＜１０^２０であり、かつ、膜厚ｔ（ｎｍ）が１≦ｔ＜３０の酸化物薄膜からなるチャンネル層と、 比誘電率が２〜９の誘電体材料からなるゲート絶縁膜と、を有する電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

To provide a technology of simultaneously achieving improvement of recovery characteristic of a reflux diode and sure maintenance of avalanche resistance of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in a semiconductor device with the MOSFET and SBD (Schottky Barrier Diode) in reverse parallel with the MOSFET formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴと逆並列となるＳＢＤとが同一半導体基板に形成された半導体装置において、還流ダイオードのリカバリ特性の改善と、ＭＯＳＦＥＴのアバランシェ耐量の確保との両立が可能な技術を提供する。 - 特許庁

A current type power converter is provided with a plurality of switching legs having normally-on field effect transistors T1-T6, Q1-Q6, each of which is controlled by gate control devices CT1, CT2 in a rectifier module 20 and/or its inverter module.例文帳に追加

整流器モジュール２０及び／又はそのインバータモジュールにおいて、各々がゲート制御装置ＣＴ１，ＣＴ２により制御されるノーマリー・オン電界効果トランジスタＴ１−Ｔ６，Ｑ１−Ｑ６を有する複数のスイッチングレッグを備える、電流型パワー・コンバータに関する。 - 特許庁

To provide a display device, a display system and a display method that can suppress an effect of an operation of a user on a viewing state of another user even when plural viewers simultaneously view plural programs according to a field sequential system or the like by using one display device, thereby enabling users view the programs comfortably.例文帳に追加

フィールドシーケンシャル方式などを利用して、ある一つの表示装置により複数番組を複数のユーザが同時に視聴する場合、あるユーザが行った操作が他のユーザの視聴状態にも影響を与えるおそれがあり、ユーザが快適に視聴できない。 - 特許庁

The standard cell has a pair of wiring elements (11, 12; 13, 14) extending over the full width of the cell at a predetermined position thereof, and supplying the source voltage and the substrate voltage of an insulated gate field effect transistor of a predetermined conductivity type, respectively.例文帳に追加

スタンダードセルは、当該セルにおける所定の位置において当該セルの幅一杯に延び、所定の電導型の絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース電圧及び基板電圧をそれぞれ供給するための一対の配線要素（１１，１２；１３，１４）を備えている。 - 特許庁

To materialize a drive unit and a power converter for a switching device, which hardly causes malfunction in the switching device even if a reverse recovery current flows to a parasitic diode between the body and the drain of a field effect transistor for level shift and voltage drop occurs in a level shift resistor.例文帳に追加

レベルシフト用電界効果トランジスタのボディ−ドレイン間寄生ダイオードに逆回復電流が流れてレベルシフト抵抗に電圧降下が生じても、スイッチングデバイスに誤動作を発生させにくい、スイッチングデバイスの駆動装置及び電力変換装置を実現する。 - 特許庁

Also, the inductances of armature coils U_coil, V_coil, W_coil of the three-phase motor 11 are set so that a saturation current I_sat of a phase current running through the three-phase motor 11 is a smaller current than a maximum current I_max of the field effect transistors.例文帳に追加

また、３相モータ１１に流れる相電流の飽和電流Ｉ_ｓａｔが電界効果トランジスタの最大電流Ｉ_ｍａｘよりも小さい電流となるように、３相モータ１１の電機子コイルＵ_ｃｏｉｌ，Ｖ_ｃｏｉｌ，Ｗ_ｃｏｉｌ，のインダクタンスが設定される。 - 特許庁

To provide a permanent magnet motor that prevents an effect of an opposing magnetic field, which is affected by a magnet with large coercive forces, to the permanent magnet with small coercive forces, in terms of adjustment of flux content of the permanent magnet according to a drive load without enlarging a structure.例文帳に追加

駆動する負荷に応じた永久磁石の磁束量の調整を、構造を大型化せずに、保磁力の小さい永久磁石に対して保磁力の大きい磁石からかかる逆磁界の影響を抑制する永久磁石モータを提供する。 - 特許庁

To prevent occurrence of corrosion etc., to the inside of a driving circuit of a semiconductor device which includes a TFT having superior characteristics such as a small leakage current, a high field effect mobility, etc., and has the driving circuit built in to decrease the number of components.例文帳に追加

リーク電流が低く、電界効果移動度が高いなどの優れた特性を有するＴＦＴを備え、駆動回路を内蔵して部材点数を減らすことが可能な半導体装置において、駆動回路内部における腐食などの発生を防止する。 - 特許庁

A field-effect transistor has: a fin-like channel region 102 comprising a graphene formed on a substrate 101; a gate electrode 104; and a source electrode 105 and drain electrode 106 connected to the channel region 102 so as to be provided on both sides of the gate electrode 104.例文帳に追加

基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。 - 特許庁

A semiconductor layer 8 composed of GaN containing arsenic is formed on a substrate 7, and a semiconductor element which is an active element such as a field effect transistor and a bipolar transistor, or a passive element such as a capacitor and a resistor is formed on the semiconductor layer 8.例文帳に追加

基板７の上に砒素を含むＧａＮよりなる半導体層８が形成され、この半導体層８の上に電解効果トランジスタやバイポーラトランジスタの能動素子またはコンデンサや抵抗等の受動素子の半導体素子が形成されたものである。 - 特許庁

The field effect transistor has a hetero-junction structure of a channel layer and a barrier layer made of nitride semiconductor, wherein a p-type InGaN layer is stacked on the barrier layer in a gate area.例文帳に追加

窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、ｐ型ＩｎＧａＮ層が、ゲート領域のバリア層に積層された層構造を有することを特徴とするヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To change the intrinsic stress after forming a stress control film in a method for manufacturing a semiconudctor device for forming the stress control film that generates the stress in a channel forming region of a field effect transistor formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面に形成した電界効果トランジスタのチャネル形成領域に応力を発生させる応力制御膜を形成する半導体装置の製造方法であって、応力制御膜を形成した後にその真性応力を変更できるようにする。 - 特許庁

To constitute a field effect transistor by using an organic semiconductor film and sequentially forming a source, a drain and a gate electrode, etc., on a substrate in simple processes, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device such as a TFT element by using them.例文帳に追加

簡単な工程で有機半導体膜を用い、ソース、ドレイン、ゲート電極等、基板上に順次形成することによって、電界効果型トランジスタを構成することにあり、これらを用いてＴＦＴ素子等半導体装置を製造する方法を得ることにある。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor material having high carrier mobility in which aging is improved, and to provide a field effect organic thin film transistor having large current on/off-ratio characteristics in which aging is improved.例文帳に追加

高いキャリア移動度を有し、その経時劣化が改良された有機半導体材料を提供し、電流ＯＮ／ＯＦＦ比特性が大きく、経時劣化が改善された電界効果有機薄膜トランジスタを提供すると共に、スイッチング素子への利用の道を開くこと。 - 特許庁

Since it can be employed as a channel region of a semiconductor element or a TFT, a highly reliable semiconductor element and a TFT exhibiting a high field effect mobility can be fabricated while suppressing variation in characteristics resulting in a highly reliable semiconductor memory capable of high speed operation.例文帳に追加

その結果、信頼性の高い半導体素子、および電界効果移動度高く、かつ特性ばらつきの小さい半導体素子及びＴＦＴを作製することが可能となり、高信頼性、かつ高速動作可能な半導体記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

A field-effect transistor 10 includes a source 16s and a drain 16d formed in a surface region of a semiconductor active layer 11 comprising a group III nitride semiconductor, a gate electrode 13 formed on the semiconductor active layer 11 through a gate oxide film 12.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、III族窒化物半導体から成る半導体活性層１１の表面領域に形成されたソース１６ｓ及びドレイン１６ｄと、半導体活性層１１上にゲート酸化膜１２を介して形成されたゲート電極１３とを備える。 - 特許庁

Loops of magnetic flux transfer devices 101 comprising superconductors are joined to each other at a Josephson junction field effect transistor (JOFET) 102 which uses a carbon nanotube 110 as an antenna to turn on/off a supercurrent flowing to the magnetic flux transfer device 101.例文帳に追加

超伝導体から構成された磁束転送器１０１のループを、カーボンナノチューブ１１０をチャネルとしたジョセフソン接合電界効果トランジスタ（ＪＯＦＥＴ）１０２で接合し、磁束転送器１０１に流れる超伝導電流を、ＪＯＦＥＴ１０２でオンオフする。 - 特許庁

The body region 32 is so formed as to have a narrow width W in the shape of a cross section nearly orthogonal to a line whereby the source region 24 and the drain region 28 are connected, and the MOS field effect transistor 20 becomes the complete depletion-type one having no neutral region in the body region 32.例文帳に追加

ボディー領域３２は、ソース領域２４とドレイン領域２８とを結ぶ線にほぼ直交する横断面の形状において、狭い幅Ｗで形成され、ボディー領域３２に中性領域が存在しない完全空乏型となっている。 - 特許庁

A light-shielding conductive film 2 is formed on the lower layer side of the field-effect transistor 30 so as to overlap it, in a plan view via a ground dielectric film 70, and the light-shielding conductive film 2 functions also as a lower electrode for photoelectric conversion of the photoelectric conversion element 40.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ３０の下層側には、下地絶縁膜７０を介して平面視で重なる遮光性導電膜２が形成され、かかる遮光性導電膜２は、光電変換素子４０の光電変換用下電極としても機能する。 - 特許庁

To provide a gate circuit using a double insulated gate field effect transistor, an SRAM cell circuit, a multi-input CMOS gate circuit, a CMOS-SRAM cell circuit and an integrated circuit that simultaneously satisfy both of the high speed operation of a unit circuit and reduced power consumption.例文帳に追加

単位回路の、高速動作と消費電力の減少を両立させた二重絶縁ゲート型電界効果トランジスタを用いたゲート回路、ＳＲＡＭセル回路、多入力ＣＭＯＳゲート回路、ＣＭＯＳ−ＳＲＡＭセル回路、集積回路を提供することである。 - 特許庁

To provide an optical information recording medium in which optical information of high quality and large capacity can be highly efficiently and stably recorded by using an optical information processing apparatus using a near field effect of light, to provide its manufacturing method and to provide an optical information recording apparatus.例文帳に追加

本発明は、光の近接場効果を用いた光情報処理装置で高効率かつ安定に高品質の大容量の光情報を記録可能な光情報記録媒体及びその製造方法並びに光情報記録装置を提供する。 - 特許庁

When the movable contactor 4 is open circuited, the arc flowing between the first fixed contact 21 and the first movable contact 41 is extended by a magnetic field of electric current flowing in the parallel electric path portion 43, thereby, a high current limiting effect is obtained and the damages of the contacts can be suppressed.例文帳に追加

可動接触子４が開極する時に、第１の固定接点２１と第１の可動接点４１間のアークが、平行電路部４３を流れる電流の磁場によって伸張されるので、高い限流効果が得られ、接点の損傷を抑えることができる。 - 特許庁

This device has a configuration combining a polarization transfer section in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization detecting section consisting of a field effect transistor having ferroelectric thin films in a gate section, and continuously unifying the ferroelectric thin films.例文帳に追加

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。 - 特許庁

In a GaN-HFET (Heterostructure Field-Effect Transistor), an undoped or n-type AlGaN layer 2 is formed on an undoped GaN layer 1, and a source electrode 3 and a drain electrode 4, both connected to the AlGaN layer 2, are formed on the AlGaN layer 2, while a gate electrode 5 is formed between the source and drain electrodes.例文帳に追加

ＧａＮ−ＨＦＥＴにおいて、アンドープのＧａＮ層１上にアンドープ又はｎ型のＡｌＧａＮ層２を設け、その上に、それぞれＡｌＧａＮ層２に接続されたソース電極３及びドレイン電極４を設け、その間にゲート電極５を設ける。 - 特許庁

If a voltage, by which a transistor is turned on, is applied to the gate electrode 143, therefore, channels are formed on both the upper and lower surfaces of the channel region 161, so that a driving current, which is larger in comparison with a current of a conventional single-gate field effect transistor, can be obtained.例文帳に追加

したがって、上記ゲート電極１４３にトランジスタをオン状態にすべき電圧を加えると、チャネル領域１６１の上下両面にチャネルが形成されるので、シングルゲート構造の電界効果トランジスタに比べて大きな駆動電流を得ることができる。 - 特許庁

By adding a 3rd capacitive element for impedance matching purpose to the semiconductor switch circuit in order to match the impedance at the operating frequency when viewing from 1st, 2nd and 3rd terminals with 50 ohms, the gate width of field effect transistors used for the semiconductor switch elements can be reduced.例文帳に追加

第１端子、第２端子、第３端子から見た使用周波数でのインピーダンスを５０Ωに合わせるためにインピーダンスマッチング用の第３キャパシタ素子を付加することで、半導体スイッチ素子に用いる電界効果トランジスタのゲート幅を小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a pH meter which has a structure capable of exactly measuring a pH value of a sample liquid with high purity whose pH buffering capacity is low and conductivity is also low even when measurement of the pH value is repeated in a pH meter which has an ion-sensitive field effect transistor.例文帳に追加

イオン感応性電界効果トランジスタを有するｐＨ計において、ｐＨ値の測定を繰り返しても、ｐＨ緩衝能が低く、導電率も低い純度が高いサンプル液のｐＨ値の測定を正確に行える構造を有するｐＨ計を提供すること。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

To provide a metal oxide film semiconductor field effect type(MOSFET) device, which has a gate insulator of high permittivity (permittivity higher than 7), low overlap capacity (at most 0.35 fF/μm) and a channel length shorter than the gate length as defined by lithography.例文帳に追加

高誘電率（７より高い誘電率）のゲート絶縁体と、低オーバーラップ容量（０．３５ｆＦ／μｍ以下）と、リソグラフィーにより定められたゲート長より短いチャネル長とを有する金属酸化膜半導体電界効果型（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスを提供する。 - 特許庁

The field effect transistor comprises a substrate 12, a GaN electron running layer 16 at the main surface 12a of the substrate, and an AlGaN electron supply layer 18 formed on the 0.2-0.9 μm thick electron running layer.例文帳に追加

基板１２と、基板の主面１２ａ側に形成されたＧａＮからなる電子走行層１６と、電子走行層上に形成されたＡｌＧａＮからなる電子供給層１８とを備え、電子走行層の厚みが、０．２〜０．９μｍであることを特徴とする。 - 特許庁

The wiring metal is laid out so that the wiring metal and the conductive material form a microstrip line, and is used as a passive element to form a high-frequency integrated circuit for submillimeter-wave bands, in combination with one or a plurality of field effect transistors.例文帳に追加

この配線金属と導電性材料がマイクロストリップ線路を形成するように配線金属がレイアウトされ、これを受動素子とし電界効果トランジスタの一つあるいは複数個と組み合わせて準ミリ波帯用高周波集積回路を形成する。 - 特許庁

A P type semiconductor region for forming an N type insulated gate field effect transistor employs high energy ion implantation in order to attain such a concentration profile as having peaks in the vicinity of source and drain thereof and the final heat treatment is carried out in hydrogen atmosphere of about 430°C.例文帳に追加

特にＮ型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタを形成するＰ型半導体領域はそのソース、ドレイン近傍にピークを持つ濃度プロファイルとなるよう高エネルギーイオン注入を用い、最終熱処理工程は４３０℃程度の水素雰囲気で行うものとする。 - 特許庁

To provide a display device for simultaneously suppressing OFF current characteristics of a field effect transistor used for a switching circuit for driving pixels and improving ON current characteristics and improving an image quality by improving performance of the switching circuit.例文帳に追加

画素駆動用のスイッチング回路に用いる電界効果トランジスタのＯＦＦ電流特性の抑制およびＯＮ電流特性の向上を同時に図ることができ、スイッチング回路の高性能化により画質の向上を図ることができる表示装置を提供する。 - 特許庁

In the field effect transistor having a semiconductor layer formed by a coating process, the semiconductor layer contains a compound having a porphyrin skeleton, and a source electrode and/or a drain electrode are disposed at a recess of a gate insulation film.例文帳に追加

塗布プロセスにより形成される半導体層を持つ電界効果トランジスタにおいて、半導体層がポルフィリン骨格を有する化合物を含有し、ソース電極及び／又はドレイン電極が、ゲート絶縁膜の凹部に配置されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a method for reducing the warping of a substrate and forming the stripewidth of semiconductor laser, for example, or the gate length of a field-effect transistor in a large area substrate uniformly with excellent reproducibility, in a GaN-system semiconductor device formed on a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板上に形成したＧａＮ系半導体デバイスにおいて、基板の反りを低減させ、例えば半導体レーザのストライプ幅や電界効果トランジスタのゲート長を大面積基板において均一に再現性良く形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device having a proper threshold voltage even when a metal having a work function higher than a predetermined value is employed as a gate electrode for a P-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).例文帳に追加

本発明は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲート電極に所定値以上の仕事関数を有するメタルを用いた場合であっても、適正なしきい値電圧を有する半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The field-effect transistor can have a semiconductor substrate surface prevented from being made amorphous in a region where a heavily-doped impurity is ion-implanted even in such a case by providing a buffer film 41 over parts constituting the source region and drain region.例文帳に追加

本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に緩衝膜を設けることで、高濃度不純物のイオン注入を行っても、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することを防ぐことができる。 - 特許庁

The group III-V nitride compound semiconductor MOS field effect transistor 1A includes the epitaxial layer 3 formed of the group III-V nitride compound semiconductor such as GaN, a couple of ohmic contact layers 8, 9 and a resurf layer 10 formed by a regrowth technology.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物化合物半導体ＭＯＳ型電界効果トランジスタ１Ａは、GaNなどのIII-Ｖ族窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層３と、再成長技術を用いてそれぞれ形成された２つのオーミックコンタクト層８，９およびリサーフ層１０とを備える。 - 特許庁

An electron emission apparatus is disclosed which is an electric field effect type electron emission apparatus using a nano-wire electron emitter and has the nano-wire electron emitter grown within a pore of an insulating layer and/or has at least one part of the nano-wire electron emitter exposed from the pore.例文帳に追加

ナノワイヤ電子エミッタを用いた電界効果型の電子放出装置であって、ナノワイヤ電子エミッタを絶縁層の細孔内で成長させ、及び／またはナノワイヤ電子エミッタの少なくとも一部を細孔から露出させた電子放出装置が開示される。 - 特許庁

The drain saturation current IDSS of the junction field effect transistor and the lowest resonant frequency F0 of the vibrating film are then actually measured and polarizing processing is applied to the back electrode plate with the target charge voltage Vc corresponding to these two measured values.例文帳に追加

そして、接合型電界効果トランジスタのドレイン飽和電流ＩＤＳＳおよび振動膜の最低共振周波数Ｆ０を実測して、これら２つの実測値に対応する目標チャージ電圧Ｖｃで背面電極板に対する分極処理を行う。 - 特許庁

To provide a method and a device for creating pattern image capable of creating a pattern image to which an endless processing is applied by expressing a depth of field effect by using orthogonal projection and creating the pattern image with distinctive design.例文帳に追加

正射影を用いて被写界深度効果を表現することによりエンドレス処理の施された模様画像を作成することが可能であるとともに、個性的なデザインの模様画像を作成することが可能な模様画像作成方法および装置を提供する。 - 特許庁

SRAM ARRAY, SRAM CELL, MICROPROCESSOR, METHOD, AND SRAM MEMORY (SRAM MEMORY AND MICROPROCESSOR COMPRISING LOGIC PORTION REALIZED ON HIGH-PERFORMANCE SILICON SUBSTRATE AND SRAM ARRAY PORTION, INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING LINKED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM)例文帳に追加

ＳＲＡＭアレイ、ＳＲＡＭセル、マイクロプロセッサ、方法、ＳＲＡＭメモリ（高性能シリコン基板に実現された論理部分と、連結されたボディを有する電界効果トランジスタを含むＳＲＡＭアレイ部分とを備えるＳＲＡＭメモリおよびマイクロプロセッサ、およびそれらの製造方法） - 特許庁

To obtain a field effect semiconductor device which contains a HENT and is excellent in high-frequency characteristics and high-speed operating characteristics by reducing the device in damage by ion implantation for controlling Vth and keeping it high in channel mobility.例文帳に追加

電界効果半導体装置に関し、Ｖ_th制御の為のイオン注入に依る損傷を低減し、高いチャネル移動度を維持できるようにして、高周波特性及び高速動作性が良好なＨＥＭＴを含む電界効果半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁