「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for easily producing a granular agrochemical keeping the effect by the dissolution of a proper amount of the active component for a long period after applying to a paddy field or soil and containing a sustained-release base agent disappearing from soil by biodegradation.例文帳に追加

水田又は土壌に施用後、農薬活性成分の適当量が長期間にわたり溶出することにより、薬効が持続する機能を有し、放出制御に使用する基剤は土壌に残留することなく生分解する農薬粒剤の容易な製造方法を提供する事。 - 特許庁

To provide a magnetic field sensor, capable of surely controlling, in a desirable direction, individual magnetization of an exchange bias layer of each of four bridge-connected macro-magnetoresistance effect elements, and a manufacturing method as well as a manufacturing device.例文帳に追加

本発明の目的は、４つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を提供することにある。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a gate SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, and a laminated gate electrode layer formed on the gate SiO_2 layer, in which a dope Si layer, Ge layer, and dope Si layer are laminated sequentially.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor switch circuit 101, can decrease the amount of capacity variation of parasitic capacitance of two or more steps of electric field-effect transistors 1-4, so as to decrease the generation of harmonics distortion, thus decreasing the generation of IMD.例文帳に追加

このように半導体スイッチ回路１０１を構成することによって、複数段の電界効果型トランジスタ１〜４の寄生容量の容量変化量を減少させることが可能となり、高調波歪みの発生を減少させ、ＩＭＤの発生を減少させることが可能となる。 - 特許庁

A magnetic domain control base layer is formed at the lower section of a magnetoresistance effect multilayer film for bringing a magnetic domain control film into contact with both side end faces of the free layer, thus appropriately controlling the magnetic domain while miniaturizing an unnecessary bias magnetic field from the magnetic domain control film.例文帳に追加

磁区制御下地層を磁気抵抗効果多層膜の下部に形成することにより、磁区制御膜を自由層の両側端面に接触させて、磁区制御膜からの余分なバイアス磁界を最小化した状態で適切な磁区制御を実現することができる。 - 特許庁

A mute means 18 comprises a plurality of n-channel type field effect transistors TR each connected in parallel between the output terminal 1602 of the switching circuit 16 and the input terminal of a low pass filter 20, and a controller 19 for independently controlling turning on/off each of the transistors TR.例文帳に追加

ミュート手段１８はスイッチング回路１６の出力端１６０２とローパスフィルタ２０の入力端２００２との間に並列接続された複数のＮチャンネル型電界効果型トランジスタＴＲと、各トランジスタＴＲのオン、オフを独立して制御するコントローラ１９とを含んで構成されている。 - 特許庁

To provide a device capable of evaluating nano-level thermoelectric material tissues and thermoelectric characteristics at the same time, a method of observing a thermoelectric material using the same, by generating a thermoelectric effect in an electron microscope, and visualizing an ensuing magnetic field.例文帳に追加

本発明は、電子顕微鏡内で熱電効果を発生させ、それに伴う発生磁場を可視化することにより、ナノレベルの熱電材料組織と熱電特性を同時に評価できる装置およびそれを用いた熱電材料を観察する方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To obtain an induction linear scale having a highly accurate induction current type position transducer for measuring a position with high resolution without requiring any special accuracy of manufacture or circuit in which useless offset component and the effect of external field are eliminated using an improved compact winding structure.例文帳に追加

改良されたコンパクトな巻線構成を用いて、無駄なオフセット成分がなく、外部磁界の影響も受けず、且つ格別の製造や回路精度を要せず高分解能の位置測定を可能とする高精度の誘導電流型位置トランスジューサを備えた誘導型リニアスケールを提供する。 - 特許庁

By appropriately adjusting Al composition and In composition of the n-side intermediate layer 12 and p-side intermediate layer 14, a band gap is provided, which is larger than the energy corresponding to the emission wavelength of the active layer 13, and the effect of polarization field is relaxed at the interface with an adjoining layer.例文帳に追加

ｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４のＡｌ組成とＩｎ組成とを適切に調整することにより、活性層１３の発光波長に相当するエネルギーより大きいバンドギャップとなると共に、隣接する層との界面における分極場の影響が緩和される。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor material with which a thin film high in the carrier mobility can be obtained with no need of special orienting techniques and with a simple method, and to provide a field effect transistor which can be fabricated easily and has a high carrier mobility, using the organic semiconductor material.例文帳に追加

特殊な配向技術を必要とせず、簡単な方法でキャリア移動度が高い薄膜を得ることができる有機半導体材料を提供することであり、該有機半導体材料を用いて製造容易かつキャリア移動度の高い電界効果トランジスタを提供することにある。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head(MR head) excellent in linear response and suppressed in Barkhausen noise by adopting a Pt-Mn alloy of an antiferromagnetic film excellent in corrosion resistance and capable of applying an exchange anisotropic magnetic field required and sufficient for an ultrathin film.例文帳に追加

耐食性に優れ且つ極薄膜において必要十分な交換異方性磁界を印加することができる反強磁性体膜であるＰｔＭｎ合金を採用することにより、線形応答性に優れバルクハウゼンノイズを抑制した磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を提供すること。 - 特許庁

The current limit means 22 controls the potential Vn1 of the first node N1 to reduce a current Idr flowing through the first insulated gate field effect transistor 13 when the potential difference ΔV between the voltage input terminal 11 and the voltage output terminal 12 is larger than a reference value.例文帳に追加

電流制限手段２２は、電圧入力端子１１と電圧出力端子１２間の電位差ΔＶが基準値より大きいときに、第１絶縁ゲート電界効果トランジスタ１３に流れる電流Ｉｄｒを低減するように第１ノードＮ１の電位Ｖｎ１を制御する。 - 特許庁

In the field effect transistor comprising gates each having a length of 10 nm or less and a conductive channel having a width maintained at 1/2 to 1/4 of the length of the gate so that the gates are disposed at least at two sides of the channel, a device having a complete depletion layer is formed without considering the off current.例文帳に追加

ゲート長さが１００ｎｍ以下で、導電チャネルの幅をゲート長さの１／２〜１／４に維持し、ゲートを導電チャネルの少なくとも２つの側部の上に配置した電界効果トランジスタにおいて、オフ電流を考慮することなく完全な空乏層を含むデバイスを形成する。 - 特許庁

The magnetic impedance effect element comprises a nonmagnetic substrate 2, a magnetic thin film 3 formed on the nonmagnetic substrate 2, and a hard magnetic body 4 for imparting a bias field to the magnetic thin film 3 wherein the hard magnetic body 4 is bonded to the nonmagnetic substrate 2 while being insulated electrically from the magnetic thin film 3.例文帳に追加

非磁性基板２と、この非磁性基板２上に形成された磁性薄膜３と、この磁性薄膜３にバイアス磁界を付与する硬磁性体４とを備え、硬磁性体４を磁性薄膜３と電気的に絶縁された状態で非磁性基板２に固着した。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

To provide a protective sheet put over a floor face constructed before the construction of a roof and walls, to prevent infiltration of rainwater and soiling in the house building construction field, having an anti-slipping effect, effectively preventing the infiltration of rainwater or the like from a joint, and moreover easily taken off.例文帳に追加

住宅建築工事現場で、屋根や壁の施工前に施工した床面に被せて雨水の侵入や汚れを防止する養生シートであって、滑り止め効果があり、かつ継目からの雨水等の侵入を効果的に防止でき、しかも引き剥しが容易な養生シートを提供すること。 - 特許庁

The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.例文帳に追加

たとえばｎ型のチャネル形成不純物領域２の一方と他方に接続したｎ型のソース不純物領域３とドレイン不純物領域４、チャネル形成不純物領域２内の表面側領域に形成されたｐ型のゲート不純物領域６およびゲート電極９を有する。 - 特許庁

The problem can be solved by the field effect transistor constituted of nitride semiconductor and having a multi-layered structure, wherein a silicon nitride film, a silicon oxide film or an aluminum oxide film and a high dielectric film are laminated from the side of semiconductor, on the surface of semiconductor between source and drain.例文帳に追加

窒化物半導体により構成される電界効果トランジスタであって、ソースとドレインの間の半導体表面上に半導体側から窒化珪素膜、酸化珪素膜又は酸化アルミニウム膜、及び高誘電体膜の多層構造を有する電界効果トランジスタによって解決される。 - 特許庁

As a result, the admixture has the higher effect of the carbonation resistance than the conventional polymer cement mortar composition and is suitable for a repair material in the field of construction and civil engineering.例文帳に追加

本発明のセメント混和材及びセメント組成物を使用することにより、本発明のセメント混和材及びセメント組成物を使用することにより、従来のポリマーセメントモルタル組成物に比較し、中性化抵抗性に優れる効果を奏するため、土木・建築分野における補修材料に適する。 - 特許庁

This power amplifier is provided with variable resistor sections 7, 10 in bias circuits 6, 9 that apply a gate voltage to amplifier field effect transistors 1, 2 mounted on a printed circuit board and with connection sections 14, 16 that apply a gate voltage from an external power supply on the printed circuit board.例文帳に追加

電力増幅器は、プリント基板上に実装された増幅用電界効果トランジスタ１、２のゲート電圧を供給するバイアス回路６、９内の可変抵抗部７、10と、プリント基板上に外部の電源からゲート電圧を供給するための接続部14、16とを備えている。 - 特許庁

To provide an electrooptical device capable of performing a display which is bright and whose contrast is high by controlling a direction along which a transverse electric field is generated between adjacent pixels or by restricting areas where its effect reaches and a projection type display device in which the same device is used.例文帳に追加

隣接する画素間で横電界が発生する向きを制御する、または影響が及ぶ領域を限定することにより、明るく、かつ、コントラストの高い表示を行なうことのできる電気光学装置、およびそれを用いた投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

The gate electrode of an insulation gate electric field effect transistor, constituting a peripheral circuit in a logical operation circuit area by patterning the first conductive layer in the logical operation circuit area, is formed while a dummy gate electrode is formed above the element separating area in the logical operation circuit area.例文帳に追加

ロジック回路領域内の第１導電層をパターニングしてロジック回路領域内に周辺回路を構成する絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成するとともに、ロジック回路領域内の素子分離領域の上方にダミーゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide a defect limit specimen tool for visual inspection of an eyeglass lens that easily and certainly inspects whether there is a defect that has adverse effect on the field of view in a predetermined region and reduces the influence of an inspecting person on the inspection results.例文帳に追加

所定の領域内に視野を害する欠陥があるか否かを容易かつ確実に検査することができ、また検査者の検査結果への影響を低減することができるようにした眼鏡レンズ外観検査用欠陥限度見本具およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The self-aligned field-effect transistor structure includes: an active region arranged on a substrate; an uneven gate insulating pattern arranged on the active region; and a gate electrode self aligned by the gate insulating pattern and arranged on the inner space of the gate insulating pattern.例文帳に追加

本発明の実施形態による自己整列電界効果トランジスタ構造体は、基板上に配置された活性領域と、活性領域上に配置された凹凸型のゲート絶縁パターンと、ゲート絶縁パターンによって自己整列されてゲート絶縁パターンの内部空間に配置されたゲート電極と、を含む。 - 特許庁

In the high-frequency module, a channel layer for running a channel has a hetero junction made of at least two types of hetero materials, and an MMIC having a field effect transistor where the height of the potential barrier of the interface of the hetero material is less than 0.22 eV is mounted.例文帳に追加

本願発明は、キャリアを走行させるチャネル層が２種類以上の異種材料のヘテロ接合を有して構成され、かつ、該異種材料の界面のポテンシャル障壁の高さが、０.２２ｅＶ未満である電界効果トランジスタを有するＭＭＩＣを搭載した高周波用モジュールである。 - 特許庁

In the method of manufacturing a top contact type field effect transistor 10 of this embodiment, after a protection layer 22 is formed on an active layer 18 formed in a semiconductor layer formation step, a photoresist film is formed on the protection layer 22 and it is exposed to a pattern shape in an exposure step.例文帳に追加

本実施の形態のトップコンタクト型の電界効果型トランジスタ１０の製造方法によれば、半導体層形成工程で形成した活性層１８上に、防護層２２を形成した後に、該防護層２２上にフォトレジスト膜を形成して露光工程においてパターン状に露光する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, having a metal insulator field effect transistor(MISFET) where a gate insulating film having high nitrogen atomic density can be surely peeled in a region, on which a gate insulating film having low nitrogen atomic density is to be formed, when gate insulating films having different nitrogen atomic densities are formed.例文帳に追加

異なる窒素原子密度を有するゲート絶縁膜の形成に際し、窒素原子密度の低いゲート絶縁膜を形成する領域で、窒素原子密度の高いゲート絶縁膜を確実に剥離することができる、MISFETを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The transmission part 1 of the data communications equipment consists of a serial data generation circuit 2, an output field-effect transistor 3 and output terminal TXD, and the output terminal TXD is connected to a serial data bus 5 connected to a high potential power supply VDD via resistance R.例文帳に追加

データ通信装置の送信部１は、シリアルデータ発生回路２と、出力電界効果トランジスタ３と、出力端子ＴＸＤとから構成され、出力端子ＴＸＤは、抵抗Ｒを介して高電位電源ＶＤＤに接続されたシリアルデータバス５に接続されている。 - 特許庁

A plurality of insulated gate field-effect transistors, which are formed surrounded by an element isolation insulating layer and provided with a neutral region 4c which is not depleted in a part of a semiconductor layer 4, are formed in the semiconductor layer 4 formed on a substrate 1 via an embedded insulating layer 3.例文帳に追加

基板２上に埋込絶縁層３を介して形成された半導体層４内に、それぞれ素子分離絶縁層により周囲を囲まれ形成され、かつ、半導体層４の一部に空乏化されない中性領域４ｃを備える複数の絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する。 - 特許庁

A power source voltage is monitored based on a transistor Q14, an output voltage of the inverter circuit 15 is made constant by feedfoward control, and a gate voltage of an electric field-effect transistor Q2 keeps constant an output of the inverter circuit 15 coping with a wide range of the power source voltage to preheat the fluorescent lamps FL1, FL2.例文帳に追加

トランジスタQ14 のベースで電源電圧を監視し、フィードフォワード制御により、インバータ回路15の出力電圧を一定にし、広い範囲の電源電圧に対応して電界効果トランジスタQ2のゲート電圧がインバータ回路15の出力を一定に保って蛍光ランプFL1 ，FL2 を予熱する。 - 特許庁

To provide a diamond field effect transistor that can operate with large current, stably maintain the large current operation even in a high-temperature environment, have normally-on characteristics and normally-off characteristics, and operate with low power consumption.例文帳に追加

本発明の目的は、大電流動作が可能となり、さらに大電流動作を高温環境下でも安定に維持でき、また、ノーマリーオン特性とノーマリーオフ特性を作り分けることが可能となり、低消費電力で動作させることができるダイヤモンド電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical device capable of achieving high response speed even upon half-tone display using an electrooptical effect based on an appearance and disappearance phenomenon of a nematic phase according to the presence of an external electric field in an isotropic phase region of a liquid crystal formation material.例文帳に追加

液晶形成材料の等方相領域における外部電界の有無によるネマティック相の発現及び消失現象に基く電気光学効果を利用した、中間調表示時においても高応答速度を実現することができる電気光学装置を得ること。 - 特許庁

To obtain an electro-optical device utilizing an electro-optical effect based on a nematic phase induction/dissipation phenomenon according to the presence/no presence of an external electric field in an isotropic temperature range of a liquid crystal forming material, having a wide operable temperature range and capable of lowering an operation voltage.例文帳に追加

液晶形成材料の等方相温度領域における外部電界の有無によるネマティック相の誘起及び消失現象に基く電気光学効果を利用した、動作可能温度域が広く、動作電圧を低下させることができる電気光学装置を得ること。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element for the sensor which detects a change in magnetism given from outside includes the pinned layer 12 of which the direction of magnetization is fixed, a free layer 14 of which the direction of magnetization changes according to an external magnetic field, and an intermediate layer which is provided between the pinned layer 12 and the free layer 14.例文帳に追加

外部から加わる磁気の変化を検知するセンサ用の磁気抵抗効果素子が、磁化方向が固定されたピンド層１２と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層１４と、ピンド層１２とフリー層１４との間に設けられている中間層と、を含んでいる。 - 特許庁

The SiC field effect transistor 1 has a vertical MIS transistor structure wherein an N^+-type source area 15 and an N^--type drift area 14 are arranged apart with a P-type body area 13 in-between, in the vertical direction perpendicular to the surface 12 (main surface) of an epitaxial layer 11.例文帳に追加

ＳｉＣ電界効果トランジスタ１は、Ｎ^＋型ソース領域１５とＮ^−型ドリフト領域１４とがエピタキシャル層１１の表面１２（主面）に垂直な縦方向にＰ型ボディ領域１３を介して離間して配置された、縦型ＭＩＳトランジスタ構造を有する。 - 特許庁

To provide an insulating film for an electromagnetic element, which can be made thin without increasing a leakage current to make an element fine, and has less risk of unstableness of operation due to an interface state; and to provide a field effect element using such an insulating film for an electromagnetic element.例文帳に追加

リーク電流を増大させることなく薄膜化が可能であり、素子を微細化することができ、しかも、界面準位に起因する動作の不安定化を生じるおそれが少ない電磁気素子用絶縁膜、及び、このような電磁気素子用絶縁膜を用いた電界効果素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition that the function of a high-molecular, 2,2,6,6-tetramethyl piperidino oxiradical (TEMPO) is raised, simultaneously such an antioxidant among low-molecular antioxidants excepting TEMPO as is restricted in the applicable field is limited in the effect particularly because of its hardly water-soluble property, is increased in the function.例文帳に追加

高分子化した２，２，６，６−テトラメチルピペリジノオキシラジカル（ＴＥＭＰＯ）の機能をが高められると同時に、ＴＥＭＰＯ以外の低分子抗酸化剤のうち、特に、水難溶解性であるが故に、利用分野が限定され、また、効果が制限される抗酸化剤の機能が高められた組成物の提供。 - 特許庁

To provide a coil communication device having the following performance: firstly reducing a point where sensitivity is zero, a zone where communication sensitivity is reduced and communication is not available on the other communication sensitivity, secondly achieving the above easily, and thirdly resolving fault in electromagnetic wave by being hardly imposed by the effect of power supply magnetic field.例文帳に追加

第１に、感度ゼロ点，その他の通信感度特性上の通信感度低下域，通信不能域が減少すると共に、第２に、これが簡単容易に実現され、第３に、電力供給磁場の影響を受けにくく電磁波障害も解消される、コイル通信装置を提案する。 - 特許庁

A source electrode 8, a drain electrode 9, a source pad 8', and a drain pad 9' in a nitride semiconductor heterojunction type field effect transistor are formed by sequentially laminating Ti, Al, Mo and Au and parts of the source pad 8' and the drain pad 9' are opened by etching to form an Al exposed part.例文帳に追加

窒化物半導体ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるソース電極８,ドレイン電極９,ソースパッド８'およびドレインパッド９'をＴi,Ａl,ＭoおよびＡuを順次積層して形成し、ソースパッド８'およびドレインパッド９'の一部をエッチングによって開口して、Ａl露出部を形成している。 - 特許庁

To provide a specimen treatment system that forms the reading window of an RF tag into the optimum shape in order for reducing the effect on a magnetic field by a metal body in the reading of the RF tag, thereby enhancing a reading ratio and also preventing the misreading of the adjacent RF tag.例文帳に追加

本発明の目的は、ＲＦタグの読み取りにおいて金属体が磁界に与える影響を低減するためＲＦタグの読み取り窓を最適な形状にして読み取り率の向上と隣接するＲＦタグの誤読防止をなくす検体処理システムを提供することにある。 - 特許庁

The thin film field-effect transistor includes at least a gate electrode, an insulating film, an active layer, etching stopper layer, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate, wherein the etching stopper layer is formed on the active layer, and the source electrode and the drain electrode are formed on the etching stopper layer.例文帳に追加

薄膜電界効果型トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、エッチングストッパ層、ソース電極、およびドレイン電極が形成されており、活性層上にエッチングストッパ層が形成され、エッチングストッパ層上にソース電極およびドレイン電極が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor magnetic sensor includes: a first semiconductor magnetic resistance element 11 and a second semiconductor magnetic resistance element 12, which are connected with each other in series; and a field effect transistor 10 having a gate electrode connected to a connection node of the first semiconductor magnetic resistance element 11 and the second semiconductor magnetic resistance element 12.例文帳に追加

直列接続された第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２と、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の接続ノードにゲート電極が接続された電界効果トランジスタ１０とを備えている。 - 特許庁

A p-type gate region 3 is provided on the surface of an n-type semiconductor layer 2, n-type drain region 4 and source region 5 are respectively provided on the surface of the n-type semiconductor layer holding the gate region 3 there between, and thus the junction field effect transistor is formed.例文帳に追加

ｎ形半導体層２の表面にｐ形のゲート領域３が設けられ、そのゲート領域３を挟んでｎ形半導体層２の表面にｎ形のドレイン領域４およびソース領域５がそれぞれ設けられることにより接合型電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁

To provide a diamond field effect transistor and diamond multilayer film, solving problems such that the value of the drain current in conventional devices is practically speaking too low, and when temperature of a specimen is raised, the drain current dramatically decreases, at a certain temperature and higher and does not return to the original current which causes deterioration of the device.例文帳に追加

本発明の目的は、従来技術のデバイスのドレイン電流値が実用的には少なすぎ、試料を昇温すると、ある温度以上でドレイン電流が劇的に減少し、元に戻らず、デバイスが劣化するという問題を解決するダイヤモンド電界効果トランジスターおよびダイヤモンド多層膜。 - 特許庁

On a surface of the bulk silicon wafer substrate 1', an insulator layer 2 is formed by etching back the dielectric insulating layer 2' in its thickness direction for forming each active area 10 being exposed so as to project a body region of the field effect transistor in a shape of fin portions 3 and 5.例文帳に追加

バルクシリコンウエハ基板１’の表面上において、各活性エリア１０を電界効果トランジスタの本体領域をフィン部３、５の形状で突出するように露出させて形成するために、誘電性絶縁部層２’を厚さ方向にエッチバックして絶縁体層２を形成する。 - 特許庁