「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion.例文帳に追加

プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The materials or the material groups whose optical characteristics are reversibly changed by the effect of the electric field can be defined as a dispersing liquid 4 in which a plurality of colored electrophoretic particles are dispersed in a dispersion medium having a color different from those of the electrophoretic particles.例文帳に追加

前記電界の作用によって光学的特性が可逆的に変化する物質あるいは物質群は、着色した分散媒中に分散媒の色とは異なる色を有する複数の泳動粒子を分散させた分散液とすることができる。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for driving a junction type field effect transistor (JFET) for suppressing heat generation of the JFET by temporary overcurrent and detecting the overheat state of the JFET in a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成によって、一時的な過電流による接合型電界効果トランジスタの発熱を抑制するとともに、接合型電界効果トランジスタの過熱状態を検知することができる接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁

The composting unit, the deodorizing unit and the composting system which can be independently operated in a field and a mountain due to self-supply of the power source of the devices by utilizing solar heat and wind power of natural energy and have effect that can solve environmental problem caused from odor, can be obtained.例文帳に追加

装置の動力源に自然エネルギーの太陽熱と風力による電源の自給で山野における独立運転ができ、臭気による環境問題を解決できるという効果のある堆肥化ユニット、脱臭ユニットおよび堆肥化システムが得られる。 - 特許庁

To develop an agrochemical preparation to be thrown in a paddy field, having a hardly broken packaging bag hardly becoming the one slightly soluble in water during the preservation, hardly being solidified into indeterminate forms during the preservation and transportation, hardly causing unevenness of the effect of the active ingredients as the agrochemicals, and hardly causing phytotoxicity on rice.例文帳に追加

貯蔵中に包装袋が水に難溶性になりにくく、包装袋が破れにくく、貯蔵・輸送の間に不定形に固化しにくく、農薬有効成分の効果のムラやイネに対する薬害のない水田投込み用農薬製剤の開発。 - 特許庁

To reduce the number of times of the heat treatments in a magnetic field for magnetizing a fixed layer, and to reduce the dimension variations of the nonmagnetic conductor layer between the fixed layer and a free layer, and further to cut the manufacturing steps when manufacturing multichannel magnetoresistive effect magnetic heads.例文帳に追加

マルチチャンネル型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造において、固定層を一定方向に磁化させるための磁場中熱処理の回数を減らし、固定層及び自由層間の非磁性導電層の寸法バラツキを抑え、さらに製造工程数の削減を図る。 - 特許庁

To scarcely generate a walkout phenomenon, improve the breakdown voltage, and maintain the power applying efficiency to be high in a transistor wherein the length of the recess of a region between a gate electrode and a contact layer is at most 1 μm, in a field-effect transistor having high electron mobility.例文帳に追加

高電子移動度電界効果トランジスタに関し、ウォークアウト現象が発生しにくく、耐圧を向上するとともに、ゲート電極からコンタクト層の間の領域のリセス長が１μｍ以下のトランジスタであっても電力付加効率を高く維持する。 - 特許庁

To provide a pyroelectric infrared detector which is low in cost, small in size and in which components, such as compact, low-cost pyroelectric elements, FETs (field effect transisters) and resistors, operational ICs, resistors, and capacitors are accommodated in a single metal CAN case without any special defference from the conventional manufacturing technique and process.例文帳に追加

従来の製造技術工程から特異する事無く、低コストで小型の、焦電素子、ＦＥＴ及び抵抗、オペアンプＩＣ、抵抗、コンデンサ等の構成部品を金属ＣＡＮケースに単一収容とした焦電型赤外線検出器を提供する。 - 特許庁

(4) A field effect transistor uses a third electrode to control the current amount of a semiconductor layer as a current flow passage between a first electrode and a second electrode, wherein the semiconductor layer is made of the functional organic thin film according to (1) or (2).例文帳に追加

（４）第一の電極と第二の電極間の電流流路である半導体層の電流量を、第三の電極によって制御する電界効果型トランジスタにおいて、該半導体層が（１）又は（２）記載の機能性有機薄膜からなる電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

An N channel junction type FET (Field-Effect Transistor) 133 is disposed between a power supply input terminal 111 and a sensor output terminal 113, and a gate of the N channel junction type FET 133 is connected to the node between of a bias resistor R_5 and a second ground terminal 112.例文帳に追加

電源入力端子１１１とセンサ出力端子１１３との間にＮチャンネル接合形ＦＥＴ１３３が設けられ、バイアス抵抗Ｒ_５と第２接地端子１１２との接続点にＮチャンネル接合形ＦＥＴ１３３のゲートが接続される。 - 特許庁

To provide a mixer circuit for simplifying the circuit configuration and reducing the power consumption without causing a phase noise to drains of FETs (field effect transistors) 15_1, 15_2 in the case of applying a local oscillation signal to first and second mixers 6_1, 6_2 comprising the FETs 15_1, 15_2.例文帳に追加

ＦＥＴ１５_１ 、１５_２ からなる第１及び第２ミキサ６_１ 、６_２ に局部発振信号を供給する際、ＦＥＴ１５_１ 、１５_２ のドレインにフェーズノイズを生じることなしに回路構成の簡素化及び消費電力の低減化を達成するミキサ回路を提供する。 - 特許庁

A field effect transistor includes an N^+ type SiC substrate 2 and an N^- type drain region 1 which are first conductive type semiconductor substrates, and on a first main surface side of the N^+ type SiC substrate 2, a P-type well region 3, an N^+ type source region 5, and a gate electrode 7.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第一導電型の半導体基体であるＮ^+型ＳｉＣ基板２及びＮ^-型ドレイン領域１と、Ｎ^+型ＳｉＣ基板２の第一主面側に、Ｐ型ウエル領域３とＮ^+型ソース領域５とゲート電極７とを有する。 - 特許庁

A circuit for frequency conversion is formed with a circuit with which the drain D of a first FET (field-effect transistor) 1 and the source S of a second FET 2 are connected and has a source grounded amplifier circuit for amplifying a local oscillation signal, that is constituted of a third FET 3.例文帳に追加

第１ＦＥＴ１のドレインＤと第２ＦＥＴ２のソースＳが接続される回路により、周波数変換用の回路が形成され、第３ＦＥＴ３により構成される局部発振信号増幅用のソース接地型増幅回路を有している。 - 特許庁

To reduce an effect onto a signal generated in a detection electrode affected by a noise resulting from a magnetic field, in a potential measuring instrument for modulating a coupling capacitance between a measuring object and the detection electrode by mechanical motion by a driving mechanism using magnetic force.例文帳に追加

磁力を用いる駆動機構による機械的運動で測定対象と検知電極間の結合容量を変調する電位測定装置において、磁場を原因とする雑音が、検知電極で発生する信号に与える影響を低減することである。 - 特許庁

To provide a flame-retardant epoxy resin composition developing excellent flame-retardant effect as halogen-free flame-retardant formulation substituting for flame retardant formulation using a halogen, excellent in physical properties such as heat resistance and water resistance of molded product and adhesiveness for use in laminates in the electric field.例文帳に追加

ハロゲンによる難燃処方に代わるハロゲンフリーの難燃処方として優れた難燃効果を発現させると共に、成形品の耐熱性、耐水性の物性に優れ、また電気積層板用途における密着性に優れる難燃性エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The delay circuit 200 is provided with: a field effect transistor(FET) 210 whose source region and source region are connected to a signal transmission path 206; and an applied voltage control section 220 that controls the voltage applied to the gate electrode of the FET 210.例文帳に追加

信号が伝送する経路２０６に、ソース領域及びドレイン領域が接続された電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）２１０と、ＦＥＴ２１０のゲート電極に対して印加する電圧を制御する印加電圧制御部２２０とを備えた遅延回路２００。 - 特許庁

The property for the dielectric breakdown voltage almost the same as the insulation gas comprising only SF6 can be obtained by using the insulation gas comprising SF6 and a gas causing a synergic effect e.g. CO2 under an unequal electric field, and the mixing ratio of SF6 in the insulation gas can be drastically reduced.例文帳に追加

また、ＳＦ_6と「シナジズム」を起こすガス（例えば、ＣＯ_2）とから成る絶縁ガスを不平等電界下で用いることにより、ＳＦ_6のみから成る絶縁ガスと同程度の絶縁破壊耐性が得られると共に、その絶縁ガスのＳＦ_6混合割合を大幅に低減できる。 - 特許庁

In other words, of the motor driving circuits, the FET circuit composed of electric field effect-type transistors, which are relatively weak under heat, is fixed on the cylinder unit 9B featuring excellence in heat discharge, which can be used as a heat sink because of its large volume, while other circuits are fixed on the board 18.例文帳に追加

つまり、モータ駆動回路のうち、比較的熱に弱い電界効果型トランジスタから構成されたＦＥＴ回路は、体積が大きいためヒートシンクとして利用できる放熱性の良い円筒部９Ｂ上に固定し、他の回路は基板１８上に固定する。 - 特許庁

The field effect transistor 100 comprises a channel region 130 formed within a silicon substrate 110, a gate electrode 150 formed on the channel region 130 via a gate insulating film 140, a high-concentration impurity region 170, and a pocket region 180.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００は、シリコン基板１１０内に形成されたチャネル領域１３０と、チャネル領域１３０上にゲート絶縁膜１４０を介して形成されたゲート電極１５０と、高濃度不純物領域１７０と、ポケット領域１８０とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of preventing a junction leakage without requiring precise film thickness control, and of forming a metal silicide layer having a thickness required for making a more effective MIS type field effect transistor low resistance.例文帳に追加

緻密な膜厚制御を必要とすることなくジャンクション・リークを防ぐことができ、より実効的なＭＩＳ型電界効果トランジスタの低抵抗化に必要な厚さの金属シリサイド層が形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The field effect transistor includes an extension gate electrode G11 which extends along the Y direction, a dummy gate electrode DM1 which extends along the Y direction, an extension source electrode S11 which extends along the Y direction, and an extension drain electrode D11 which extends along the Y direction.例文帳に追加

Ｙ方向に沿って延在する延在ゲート電極Ｇ１１と、Ｙ方向に沿って延在するダミーゲート電極ＤＭ１と、Ｙ方向に沿って延在する延在ソース電極Ｓ１１と、Ｙ方向に沿って延在する延在ドレイン電極Ｄ１１とを含む。 - 特許庁

There is disclosed a substrate for the heterojunction field-effect transistor which includes growth inhibiting layers 15, with each being provided on a surface of a portion of the substrate.例文帳に追加

基板の一部の表面上に成長抑制層１５を備えたヘテロ接合電界効果型トランジスタ用基板、そのヘテロ接合電界効果型トランジスタ用基板上にＩＩＩ族窒化物半導体層１４を、厚みＴ１がリセスエッチング深さと同じになるように設定する。 - 特許庁

The storage device is structured in that pads 80, 90 capable of being electrically contacted from outside are connected to a drain and a gate of a field effect transistor PQ1, respectively, in which a power supply voltage Vcc1 in a sense amplifier circuit SA is supplied to a source in a test mode.例文帳に追加

テストモード時、外部から電気的にコンタクト可能なパッド８０およびパッド９０が、センスアンプ回路ＳＡ内の電源電圧Ｖｃｃ１がソースに供給される電界効果型トランジスタＰＱ１のドレインおよびゲートにそれぞれ接続される構成を有する。 - 特許庁

A center value between a maximum value and a minimum value of the output voltage of the magnetic sensor in the case where the external magnetic field is rotated with respect to the two magnetoresistance effect elements at the same temperature Trt as a case of the offset voltage Os1 is calculated and acquired as an output amplitude center value.例文帳に追加

オフセット電圧Ｏs1の場合と同一温度Ｔrtにおいて、外部磁界を２つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して出力振幅中心値として取得する。 - 特許庁

When a test-enable signal TE is disabled, the Nch insulated gate type field effect transistor NT1 is turned off; the output of the buffer BUFF1 reaches high impedance; and the scan output signal shut-off means 3 statically shuts off a scan output signal SO.例文帳に追加

テストイネーブル信号ＴＥがディセーブル状態のとき、Ｎｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮＴ１がオフしてバッファＢＵＦＦ１の出力がハイインピーダンス状態となり、スキャン出力信号遮断手段３がスキャン出力信号ＳＯをスタティックに遮断する。 - 特許庁

A field effect transistor comprises: a complex oxide single crystal substrate having a perovskite structure constituting a channel layer; and a gate insulating film including a laminated structure in which a polymer film of paraxylene and tantalum oxide are laminated in this order on the complex oxide single crystal substrate.例文帳に追加

チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a structure which restrains characteristic dispersion after mounting by reducing electrical characteristic variation by reducing stress newly applied when a semiconductor element is mounted on a package in a semiconductor field effect transistor for supplying electron by piezo polarization.例文帳に追加

ピエゾ分極により電子を供給する半導体電界効果トランジスタにおいて、パッケージへの半導体素子の搭載により新たに加わる応力を低減することによって、電気的特性変化を低減し、搭載後の特性ばらつきを抑制する構造を提供する。 - 特許庁

To provide a power amplifier whose linearity and tertiary intermodulation distortion are improved in general by suppressing characteristic variations caused by temperature variations, without adding a temperature compensation circuit or the like to the bias circuit of a field effect transistor constituting the power amplifier.例文帳に追加

電力増幅器を構成する電界効果トランジスタのバイアス回路に温度補償回路などを付け加えることなく、温度変化による特性変動を抑えて総じて線形性及び３次相互変調歪みを改善した電力増幅器を提供する。 - 特許庁

To constitute plural field effect transistors driven by a voltage supplied from a common voltage supply source by the transistors of respectively different gate threshold voltages and to drive the respective transistors at independent timings.例文帳に追加

共通の電圧供給源から供給された電圧によって駆動される複数の電界効果トランジスタを、それぞれ異なるゲートしきい値電圧のトランジスタで構成することを可能にする共に、それぞれのトランジスタを独立のタイミングで駆動することを可能にする。 - 特許庁

A gate recess region of a field effect compound semiconductor device is constituted of an oxide layer 1 of a compound semiconductor layer which is oxidized in liquid phase, and a gate electrode 2 penetrating the oxide layer 1 of the compound semiconductor layer.例文帳に追加

電界効果型化合物半導体装置のゲートリセス領域を化合物半導体層を液相中で酸化した化合物半導体層の酸化物層１で構成するとともに、化合物半導体層の酸化物層１を貫通するゲート電極２を形成する。 - 特許庁

A diode made in a polycrystal silicon and a diode made in a semiconductor substrate are used to form a two-way diode, which is connected between the gate electrode of the depletion type field effect MOS transistor and the semiconductor substrate by metallic wiring.例文帳に追加

多結晶シリコン中に作製したダイオード及び半導体基板中に作製したダイオードで双方向ダイオードを形成し、この双方向ダイオードを金属配線でデプレッション型電界効果型ＭＯＳトランジスタのゲート電極と半導体基板間に接続する。 - 特許庁

The field effect transistor has a channel layer 11 of an amorphous oxide film containing In or Zn and the amorphous oxide film contains at least 10^16 /cm^3 to at most 10^20 /cm^3 hydrogen or deuteron atoms.例文帳に追加

Ｉｎ又はＺｎを含むアモルファス酸化物膜のチャネル層１１を有する電界効果型トランジスタであって、アモルファス酸化物膜が１０^１６／ｃｍ^３以上１０^２０／ｃｍ^３以下の水素原子又は重水素原子を含有していることを特徴とする。 - 特許庁

The electric field with the mist focusing effect is generated by the modes of forming an electrode face by a recess (25) such as inverse tapered shape outside of the delivery port (12) and of applying different voltage to each electrode by patterning the electrode in the outside of the delivery port (12).例文帳に追加

吐出口（１２）の外側に逆テーパ形状などの凹部（２５）による電極面を形成する態様や、吐出口（１２）の外側に電極をパターニングし、各電極に異なる電圧を印加する態様によってミスト集束効果のある電界を発生させる。 - 特許庁

The total thickness of the epitaxially grown layers is controlled to 0.3-1.0 μm by providing the low-temperature-deposited InGaN layer 5 on a sapphire substrate 6 and GaN-based field effect transistor structures 1-3 on the layer 5 through a GaN buffer layer 4.例文帳に追加

サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設け、成長層の総膜厚を０．３μｍ以上１μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide an electrooptical device capable of performing a display which is bright and whose contrast is high by directing liquid crystal to a proper direction while suppressing the effect of a lateral electric field which is generated between adjacent pixels and a projection type display device in which the same device is used.例文帳に追加

隣接する画素間での横電界の影響を抑えて液晶を適正な方向に向かせることにより、明るくてコントラストの高い表示を行なうことのできる電気光学装置、およびそれを用いた投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

The ballast choke 14 is saturated and the resonance frequency of a main circuit 35 becomes high, but when it reaches the voltage of starting secondary voltage or higher, a Zener diode ZD3 is turned on, and a field-effect transistor Q3 is turned on, and thereby, a Zener diode ZD2 is short-circuited, and an inverter circuit 33 stops oscillation.例文帳に追加

バラストチョークL4が飽和して主回路35の共振周波数は高くなるが、始動二次電圧以上の電圧になるとツェナダイオードZD3 がオンして電界効果トランジスタQ3をオンさせるため、ツェナダイオードZD2 は短絡され、インバータ回路33は発振を停止する。 - 特許庁

In the voltage monitoring part, the overcurrent detection level is lowered as compared with a case where there is no insertion resistance since voltage detection takes place at the field effect transistor and at both ends of the insertion resistance, thereby being capable of decreasing variations in a current range where the overcurrent is detected.例文帳に追加

電圧監視部は、電界効果型トランジスタおよび挿入抵抗の両端の電圧を検出するので、挿入抵抗がない場合と比較して、過電流検出レベルを低下させ、過電流が検出される電流範囲のバラツキを小さくすることができる。 - 特許庁

In the device, voltage is boosted by a boosting transformer T1 and a diode bridge circuit by operating field-effect transistors FET_1, FET_2 by receiving a charging start command from a CPU 1, and electric charges which are boosted and subjected to full-wave rectification are stored on the main capacitor C_1.例文帳に追加

このメインコンデンサＣ_1 には、ＣＰＵ１からの充電開始命令を受けて電界効果トランジスタＦＥＴ_1 、ＦＥＴ_2 が動作されることにより、昇圧トランスＴ_1 及びダイオードブリッジ回路Ｄ_1 により昇圧されて全波整流された電荷が蓄積される。 - 特許庁

I this method of manufacturing a field-effect transistor, (1) the temperature of a board is set to 100°C or under and a gate insulating film is made after formation of a semiconductor layer to serve as an active layer, and further (2) the gate insulating film is heat-treated in atmosphere containing water.例文帳に追加

本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、能動層となる半導体層を形成した後に、（１）基板温度を１００℃以下に設定してゲート絶縁膜を形成し、さらに（２）水を含んだ雰囲気中にてゲート絶縁膜を熱処理するものである。 - 特許庁

To solve the problem that wavelength tolerance of phase matching is very severe, conversion efficiency is fluctuated by a change of the refractive index of a crystal affected by a change of environmental temperature, generation of an electric field due to a pyroelectric effect, optical damage and the like and an output is made instable in a conventional light wavelength conversion element.例文帳に追加

位相整合の波長許容度が非常に厳しく、環境温度の変化、焦電効果による電界の発生、光損傷等の影響による結晶の屈折率変化により変換効率が大きく変動し、出力が不安定になる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field-effect transistor-type gas sensor for suppressing threshold variation without impairing a gate insulation film when forming an electrode of a sensitive material corresponding to a detecting object gas after previously forming a transistor structure.例文帳に追加

電界効果トランジスタ型のガスセンサにおいて、あらかじめトランジスタ構造を形成した後、検知対象のガスに対応した感応材料の電極を形成する際に、ゲート絶縁膜を損なうことなく、かつ、閾値ばらつきを抑制する製造方法を供給する。 - 特許庁

The field-effect transistor includes: a nitride semiconductor laminate 102 formed on a substrate 101; a source electrode 105; a drain electrode 106; a gate electrode 107; an insulator film 110 formed on the nitride semiconductor laminate 102; and a field plate 115 formed over the insulator film 110 in contact therewith and having an end located between the drain and gate electrodes 106 and 107.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、基板１０１の上に形成された窒化物半導体積層体１０２と、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６及びゲート電極１０７と、窒化物半導体積層体１０２の上に形成された絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０の上に接して形成され、端部がゲート電極１０７とドレイン電極１０６との間に位置するフィールドプレート１１５とを備えている。 - 特許庁

Each of the field-effect transitor cells 20 has a structure of a MOSFET and a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of the P-type silicon substrate 1 with spacing and a gate electrode 16 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5.例文帳に追加

各電界効果型トランジスタセル２０は、ＭＯＳＦＥＴの構造を有し、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してゲート電極１６が形成されている。 - 特許庁

The magnetoresistive element is provided with a ferromagnetic body MR for detection having an anisotropic magnetic resistance effect and a magnetization direction varied by an external magnetic field and a ferromagnetic body B for bias opposite to the ferromagnetic body MR for detection via a non-magnetic body C.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子には、異方性磁気抵抗効果を有し磁化方向が外部磁界によって変化する検出用強磁性体ＭＲが設けられ、この検出用強磁性体ＭＲに対して非磁性体Ｃを介してバイアス用強磁性体Ｂが設けられる。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head(MR head) excellent in linear response and suppressed in Barkhausen noise by adopting a Pt-Mn alloy of an antiferromagnetic material film excellent in corrosion resistance and capable of applying an exchange anisotropic magnetic field required and sufficient for an ultrathin film.例文帳に追加

耐食性に優れ且つ極薄膜において必要十分な交換異方性磁界を印加することができる反強磁性体膜であるＰｔＭｎ合金を採用することにより、線形応答性に優れバルクハウゼンノイズを抑制した磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を提供すること。 - 特許庁