「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an organic semiconductor material (porphyrin based organic charge transporting material) thin film having a high carrier mobility by a simple process without requiring any special orientation technology, and to provide easy-to-fabricate field effect transistor and switching element using organic charge transporting material.例文帳に追加

特殊な配向技術を要せず、簡単な方法でキャリア移動度が高い有機半導体材料（ポルフィリン系有機電荷輸送性材料）薄膜を得ることにあり、該有機電荷輸送性材料を用いて製造の容易な電界効果トランジスタ、スイッチング素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a simply processed and inexpensive cold electron emission element and its manufacturing method in which the response of an electron emission from an emitter against a field-effect transistor(FET) is made in a high speed, and suppress dispersions of emitted amount of electrons from each of the emitter in the case emitters are plural.例文帳に追加

電界効果トランジスタ(FET)の動作に対するエミッタからの電子放出の応答を高速にし、また、エミッタが複数の場合に、各エミッタからの放出電子量のばらつきを抑制し、さらにプロセスが単純で、安価な冷電子放出素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The mutation effect of font is obtained by making a character font correspond to a function having values on a plane on which the character font is drawn, moving the values of the function with an advection equation by using a vector field on the optionally decidable plane, and drawing the font corresponding to the moved function.例文帳に追加

文字フォントと、文字フォントが描かれる平面上に値を持つ関数を対応させ、任意に決定できる平面上のベクトル場を用いて、その関数を移流方程式によって値を移動させ、移動後の関数に対応するフォントを描画することで、フォントの変形効果を得る。 - 特許庁

To provide a recoding and reproducing device for optical recording media which records data on the optical recording media with high density and reproduces the recorded data by acquiring correct tracking signals when data are recorded and reproduced on the optical recording media by using the near field optical effect.例文帳に追加

光の近接場効果を用いて光記録媒体に対してデータを記録再生する場合に正確なトラッキング信号を取得することにより、光記録媒体に高い密度でデータを記録し、記録されたデータを再生できる光記録媒体の記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide sidewall of an insulation film on a gate electrode, and form a structure not converted with an insulation film on the side face of the semiconductor region having unevenness, in a manufacturing method of a field effect transistor formed on the semiconductor area having the unevenness.例文帳に追加

凹凸のある半導体領域上に形成される電界効果型トランジスタの製造方法において、ゲート電極に絶縁膜の側壁を設けるとともに、凹凸のある半導体領域の側面は絶縁膜に覆われていない構造を形成することを可能とする。 - 特許庁

Consequently, no oscillation condition is satisfied and a stable combined power amplifier can be realized in a frequency domain of a low frequency band where oscillation occurs and the gain of the field effect transistors 3 and 4 is high and in each harmonic frequency that occurs as a distortion component.例文帳に追加

その結果、発振が生じる、電界効果トランジスタ３，４の利得が高い低周波帯域の周波数領域や、歪み成分として生じる各高調波の周波数において、発振条件を満足させることがなくなり、安定な電力合成型増幅器を実現できる。 - 特許庁

To provide a process for facilitating manufacture of field effect semiconductor devices, capable of employing a carbon nanotube having reduced defect in wall face structure and proper characteristics, having a current passage, such as a channel layer dispersed uniformly with the carbon nanotubes and exhibiting superior device characteristics such as high mobility.例文帳に追加

壁面構造の欠陥がより少なく特性の良いカーボンナノチューブを用いることができ、このカーボンナノチューブを均一に分散させたチャネル層等の電流通路を有し、高移動度を有する等のデバイス特性に優れた電界効果半導体装置を容易に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

By making nitride III-V compound semiconductor materials such as AlN, GaN, and AlGaN undergo crystal growth on a SiC substrate whose front face is a C surface, a heterojunction field effect transistor having superior crystallinity and frequency characteristics can be manufactured.例文帳に追加

このように、表面がＣ面であるＳｉＣ基板にＡｌＮ、ＧａＮおよびＡｌＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結晶成長させることによって、結晶性および周波数特性にすぐれたヘテロ接合電界効果型トランジスタの作製が可能である。 - 特許庁

This field-effect transistor is provided with a compound semiconductor multilayered thin film having a GaAs substrate 1 and a GaInP channel layer 3, and an AlInP buffer layer 2a or an AlGaInP buffer layer is provided between the GaAs substrate 1 and GaInP channel layer 3.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＩｎＰチャンネル層３とを有する化合物半導体多層薄膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、前記ＧａＡｓ基板１と、前記ＧａＩｎＰチャンネル層３との間に、ＡｌＩｎＰバッファー層２ａ、又はＡｌＧａＩｎＰバッファー層を設ける。 - 特許庁

This method for driving an LCD comprises a process for arranging the prescribed number of columns, the prescribed number of rows, and the prescribed number of pixels for the LCD, and a process for driving the LCD by inverting the columns, rows, and pixels plural times, and thereby an fringe electric field effect is decreased.例文帳に追加

ＬＣＤを駆動するための方法は、ＬＣＤに所定数の列、所定数の行、ならびに所定数の画素を与える工程と、列、行、または画素の複数回の反転によってＬＣＤを駆動する工程とを含み、これにより全フリンジ電界効果を低減する。 - 特許庁

The manufacturing method of a field effect transistor in which a functional film is formed over a substrate in a printing process including the following steps (1)-(3); the minimum width of a line or a space of the functional film is 1-50 μm and printing positional accuracy is 100 ppm or less.例文帳に追加

以下の工程（１）から（３）よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が１から５０μｍであり、印刷位置精度が１００ｐｐｍ以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。 - 特許庁

To provide a nubuck-toned sheet-like article having satisfactory appearance, touch feeling, handling and lighting effect as the nubuck-toned sheet-like article together with satisfactory abrasion resistance in a field where a high degree of endurance is required, and capable of being produced by a simple process, and a method for producing the same.例文帳に追加

ヌバック調シート状物として満足し得る外観、感触、風合い、およびライティング効果と、高度な耐久性が求められる分野において満足し得る耐摩耗性とを兼ね備え、しかも簡便な工程で製造することが可能なヌバック調シート状物、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The vibration-damping device is provided with an actuator (2) which comprises an armature (5) having magnetically permeability, and a coil (1) connected with a yoke (4) having magnetically permeability to slide along an axis (Z) for movement by the effect of a magnetic field generated by a current fed to the coil.例文帳に追加

振動を減衰するための振動減衰装置を、は磁気的に透過性を有するの電機子（５）とコイルに運ばれる電流により生成される磁界の影響下で移動軸（Z）に沿って滑動する磁気的に透過性を有するヨーク（４）に連結されたコイル（１）とを備えたアクチュエータ（２）を備えている。 - 特許庁

With this, an electric field of lengthwise and breadthwise symmetry is obtained in the heating chamber 1, and the waveguide 3 has only a 45° deflection at maximum in a direction of travel, endowed with high-pass characteristics, so that there is an effect of a high efficiency obtained if only an appropriate operating point is set.例文帳に追加

従って加熱室１内部は前後左右対称電界分布が得られ、導波管３は進行方向に対して最大でも４５度の曲げしかないので、高域通過特性を有し、適切な動作点を設定すれば高効率が得られるという効果がある。 - 特許庁

The field effect transistor 2 has a first and a second source/drain region 28 arranged on either side face of a gate electrode 4 with a channel region 26 formed in the interior of a semiconductor substrate 24 in a position interposed between the first and second source/drain regions 28 directly under the gate electrode 4.例文帳に追加

電界効果トランジスタ２は、ゲート電極４のいずれかの側面に配置された第１および第２ソース／ドレイン領域２８を備え、第１および第２ソース／ドレイン領域２８に挟まれた、ゲート電極４の直下に位置する半導体基板２４内に、チャネル領域２６が形成される。 - 特許庁

This method for cultivating rice, including a step in which an effective amount of clothianidin is applied to the rice seed kept in a wet condition after immersion treatment in water and a sowing step in which the seed after application of the chemical is sowed in a paddy field filled with water or with wetted soil, has an excellent effect.例文帳に追加

水中に浸漬処理された後、湿潤状態に保持されていたイネ種子に、クロチアニジンの有効量を施用する工程と、該施用工程後に湛水若しくは潤土状態にある水田に播種する播種工程とを有してなるイネの栽培方法は、優れた効果を奏する。 - 特許庁

To attain the access to a non-contact memory even during the recording/reproducing operation in a recording/reproducing device coping with a recording medium furnished with the non-contact memory, by evading the adverse effect to recording/reproducing data due to the magnetic field generated from an antenna at the time of accessing the non-contact memory.例文帳に追加

非接触型のメモリを備えた記録媒体に対応する記録再生装置において、非接触型のメモリに対するアクセス時に、アンテナから発生する磁界による記録／再生データへの悪影響を回避し、記録／再生中にも非接触型のメモリにアクセスできるようにする。 - 特許庁

To provide a glass composition which, in a field of substrate glass especially used for display, exhibits a small alkali elution amount and has a melting temperature, meltable by FL method, of 1,520°C or lower and especially low brick corrosion effect, thus being suitable for a substrate for electronic display, e.g., LCD, etc.例文帳に追加

特にディスプレイに使用されるガラス基板の分野において、アルカリ溶出量が小さく、かつＦＬ法で溶融可能な１５２０℃以下の溶融温度を持ち、レンガ浸食性が特に低いガラス組成物、すなわち例えばＬＣＤ等の電子ディスプレイ用基板に好適なガラス組成物を提供する。 - 特許庁

Even when multiple plotting is required, divided forms of the pattern is are made the same, and the divided patterns are outputted in a multiple state by utilizing the compressed expression of the lithography data except the case where the effect of superimposing different divided forms of patterns such as the occurrence, etc., of a plotting field boundary or minute graphic is expected.例文帳に追加

また、多重描画が必要な場合でも、描画フィールド境界や、微小図形の発生等のように異なる分割形状のパターンを重ねる効果がある場合以外は、パターンの分割形状を同一とし、その描画データの圧縮表現を利用して、多重に出力する。 - 特許庁

For a capacitor microphone, an opening 23i is formed so as to be seen clearly in an area facing a conductive pattern 23a and the peripheral area so that an intermediate layer 23f does not overlap with the conductive pattern 23a provided with the input terminal G of a field effect transistor in the thickness direction of a circuit board.例文帳に追加

コンデンサマイクロホンは中間層２３ｆが、回路基板の厚み方向において電界効果トランジスタの入力端子Ｇを有する導電パターン２３ａと重ならないように、導電パターン２３ａと相対する領域及びその周辺領域に孔２３ｉが透設されている。 - 特許庁

A plurality of field effect transistors 223 are formed on a P type shallow well region 212, and a shallow element isolation region 214 on the P type shallow well region 223 has the depth which is more shallow than that of the junction between an N type deep well region 227 and the P type shallow well region 212.例文帳に追加

複数の電界効果トランジスタ２２３がＰ型の浅いウェル領域２１２上に形成され、かつ、Ｐ型の浅いウェル領域２２３上の浅い素子分離領域２１４が、Ｎ型の深いウェル領域２２７とＰ型の浅いウェル領域２１２との接合の深さよりも浅い深さを有する。 - 特許庁

An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 which are separated from each other by the insulating layer 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are both formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4, are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加

絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide an acoustic characteristic correction apparatus for correcting the effect of reflection faces in a space wherein speakers are arranged and excellently correcting a sound field characteristic cost-effectively at less expense in a job load of a user and to provide an acoustic reproduction system using the acoustic characteristic correction apparatus.例文帳に追加

スピーカーが配置される空間における反射面の影響を補正する音響特性補正装置に関し、低コストで使用者の作業負担が少なく、良好に音場特性を補正する音響特性補正装置、および、これを用いた音響再生システムを提供する。 - 特許庁

A reference current generating circuit includes an operational amplifier P2 to which reference voltage Vref is input, resistance R0 to Rk for adjusting reference current Isd2, a switch S0, P-channel electric field effect transistors MB1 to MBM for adjusting reference current Iref2, and switches S1 to SM.例文帳に追加

参照電圧Ｖｒｅｆが入力されるオペアンプＰ２と、基準電流Ｉｓｄ２を調整する抵抗Ｒ０〜ＲｋおよびスイッチＳ０を設けるとともに、参照電流Ｉｒｅｆ２を調整するＰチャンネル電界効果トランジスタＭＢ１〜ＭＢＭおよびスイッチＳ１〜ＳＭを設ける。 - 特許庁

In the field effect transistor 100, by such a setting, a high breakdown voltage-quality effected based on a favorably suppressed leakage-current value and a high electric conductivity effected based on a favorably suppressed sheet resistance (on resistance) are consistent with each other reasonably in an unconventional extremely good even balance.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００では、この様な設定により、良好に抑制されたリーク電流値に基づく高い耐圧性と、良好に抑制されたシート抵抗（ｏｎ抵抗）に基づく高い電気伝導性とが、従来にない非常に良い兼ね合いで合理的に両立されている。 - 特許庁

The field effect transistor 1 is obtained by forming a source region 104 and a drain region 105 on a silicon substrate 101, and laminating in order an insulating film 102a, a PCMO film 102b, and a gate electrode 103 on a region put between the source region 104 and the drain region 105.例文帳に追加

シリコン基板１０１上にソース領域１０４とドレイン領域１０５を形成すると共にソース領域１０４とドレイン領域１０５とに挟まれた領域上に順次、絶縁膜１０２ａ、ＰＣＭＯ膜１０２ｂ、ゲート電極１０３を積層して、電界効果トランジスタ１とする。 - 特許庁

To provide an optical information recording medium in which cross talk between adjacent fine structures is reduced and highly efficient and stable recording and reproduction of information of large capacity are performed when recording or reproduction is performed using a near field effect of light, and to provide an optical information processor.例文帳に追加

光の近接場効果を用いて記録または再生を行う際に、隣接微細構造間のクロストークを低減することができ、高効率でかつ安定に大容量の情報を記録、再生することができる光情報記録媒体及び光学情報処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor which is not easily affected by deep impurity levels or the like by forming a hetero-junction FET structure using a two-dimensional electron gas, and preventing an oxygen from being mixed for forming an impurity levels while using a semiconductor having a large Schottky barrier.例文帳に追加

２次元電子ガスを用いるヘテロ接合ＦＥＴ構造とし、ショットキ障壁の大きい半導体を用いながら、不純物準位を作る酸素の混入を防止し、深い不純物準位などの影響を受けにくいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor of high output wherein a structure for preventing a hetero interface between arsenic compound and phosphorus compound from affecting characteristics of a device is adopted, and a high frequency module whereon an MMIC prepared by using the transistor is mounted and high output is obtained.例文帳に追加

砒素化合物と燐化合物のヘテロ界面がデバイスの特性に影響を及ぼさないようにする構造を採用した高出力の電界効果トランジスタと、それを用いて作製したＭＭＩＣを搭載した高出力が得られる高周波モジュールを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for easily and reliably manufacturing a fin-type field-effect transistor without constriction at the base end of a fin using the SOI wafer while including a step for eliminating damage caused by plasma etching by the wet-etching of a sacrificial oxide film.例文帳に追加

ＳＯＩウエハを用いて、プラズマエッチングにより生じたダメージを犠牲酸化膜のウエットエッチングにより除去する工程を含むものでありながら、フィンの基端部分にくびれのないフィン型電界効果トランジスタを簡単かつ確実に製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

In a magnetic storage 1, a wiring 5 for generating a magnetic field for writing is adjoined to a magnetoresistive effect element 4, and a ferromagnetic body 20 is arranged to cover at least a part of the wiring 5, orienting magnetized state X of the ferromagnetic body 20 in one direction.例文帳に追加

磁気記憶装置１において、書込用の磁界を生じさせる配線５に磁気抵抗効果素子４に隣接配置させ、更にこの配線５の少なくとも一部を覆うように、強磁性体２０を配設し、この強磁性体２０の磁化状態Ｘを一方向に配向させるようにした。 - 特許庁

In the method for manufacturing the field effect device, the substrate having the insulating film and the plurality of electrodes, and the organic semiconductor single-crystal material are prepared separately, and then the organic semiconductor single-crystal material is adhered to the insulating film softly by electrostatic attraction or mechanical strength.例文帳に追加

本発明に係る電界効果デバイスの製造方法は、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、有機半導体単結晶とを別々に作製した後、該有機半導体単結晶とゲート絶縁膜とを静電引力または機械的な力でソフトに接着することを特徴とする。 - 特許庁

To set a plurality of threshold voltages without depending upon a gate insulating film, a channel or the like in a semiconductor device utilizing a metal insulating-film semiconductor field-effect transistor using a metallic semiconductor compound containing a metal and silicon and/or germanium as essential components as a gate electrode.例文帳に追加

金属とシリコンおよび／またはゲルマニウムを必須として含む金属半導体化合物をゲート電極とする金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタを利用した半導体装置において、ゲート絶縁膜やチャネル等によらずに複数の閾値電圧を設定する。 - 特許庁

Although electrons cannot smoothly pass as a grain boundary and crystal defect exists in the channel region of the poly-crystal silicon film 3, by providing the single crystal region 102, the electrons mainly pass the single crystal region 102 and raise a field effect mobility.例文帳に追加

多結晶シリコン膜３のチャネル領域には結晶粒界や結晶欠陥があるため電子はスムーズに通過できないが、単結晶領域１０２を設けることで、電子は主に単結晶領域１０２を通過するようになるため、電界効果移動度を高くすることができる。 - 特許庁

This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１と、不純物層１２０と、アンドープＧａＡｓバッファ層２と、アンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３と、アンドープＧａＡｓバッファ層４と、ｎ型ＧａＡｓチャネル層５と、ゲート電極１５と、ソース電極１９と、ドレイン電極１８とを備えている。 - 特許庁

The MIS field effect transistor is characteristically provided with a silicon substrate 101, the gate insulating film 103 consisting of metallic oxide containing fluorine at least in a portion of it formed on the substrate 101, and a gate electrode 104 formed on the film 103.例文帳に追加

シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に形成された少なくとも一部にフッ素を含有する金属酸化物からなるゲート絶縁膜１０３と、ゲート絶縁膜１０３上に形成されたゲート電極１０４とを具備することを特徴とするＭＩＳ型電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor solving the problem that carriers in an electron transit layer concentrate on the vicinity of a heterointerface of small mobility to make it difficult to increase electron mobility and also solving the problem that the mobility cannot be made high because of impurity scattering.例文帳に追加

本発明の目的は、電子走行層内のキャリアが、移動度の小さいヘテロ界面近傍に集中し、電子移動度を高くすることができないという問題を解決し、さらに、不純物散乱により移動度が高められないという問題を解決する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

In a step-up DC/DC converter, a bootstrap circuit generates a boot voltage increased by on-threshold voltage between an application terminal for an input voltage VCC and an application terminal for a boot voltage BOOT, using not a diode but a P channel type field effect transistor 105.例文帳に追加

昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、ブートストラップ回路は、入力電圧ＶＣＣの印加端とブート電圧ＢＯＯＴの印加端との間に、ダイオードではなく、Ｐチャネル型電界効果トランジスタ１０５を用いてオンスレッショルド電圧分だけ高めたブート電圧を生成する。 - 特許庁

To provide novel compounds for use in various layers of a multilayer LED, such as hole transport layers and interlayers of a multilayer LED, as well as in other electronic devices such as field effect transistors (FET's), photovoltaic cells, and even for integrated circuits or printed circuit boards.例文帳に追加

多層ＬＥＤの種々の層、例えば多層ＬＥＤの正孔輸送層及び中間層に使用するための、並びに電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、光電池などのその他の電子素子に使用するための、さらには集積回路又はプリント回路基板に使用するための新規化合物を開発する。 - 特許庁

To manufacture a transistor having a desired high field-effect mobility by forming an oxide semiconductor layer having improved characteristics as well as enabling an increase in size of the substrate and also to put a large display device, a high-performance semiconductor device, or the like into practical use.例文帳に追加

基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。 - 特許庁

To provide a latent image printed matter in which an observable image changes into a different image according to change in an observation angle in the field of security printing for printed matter such as bank notes, passports, securities, identification cards, credit cards, and traffic tickets requiring anticounterfeit effect.例文帳に追加

本発明は、偽造防止効果を必要とする銀行券、パスポート、有価証券、身分証明書、カード及び通行券等のセキュリティ印刷物の分野において、観察することができる画像が観察角度の変化に応じて、異なる画像に変化する潜像印刷物に関するものである。 - 特許庁

To provide an envelope producing the maximum effect within a range of the same weight and the same postage for giving a joy for opening the direct mail to a receiver and also expanding a field of advertisement inside the envelope so as to cause many receivers to open the direct mail.例文帳に追加

ダイレクトメールを多くの受取人に開かせるために、受け取り人にダイレクトメールを開封する楽しみを提供し、併せてＰＲの場を封筒の内側にも拡張することによって同じ重量、同じ郵送料の範囲内で最大の効果を上げる封筒を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 is composed of a field effect transistor provided with the gate electrode 15 through the gate insulated film 14 on a semiconductor substrate 11, and at least the side of the insulated film 14 of the gate electrode 15 is composed of the film containing hafnium and silicon.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムとシリコンとを含む膜からなるものである。 - 特許庁

To provide a fungicide composition for agriculture and horticulture having a stable antagonistic effect against to benzimidazole resistant bacteria, capable of inhibiting development of bacteria resistant to SBI agent excellent in efficacy and capable of expanding servicing cases in a farm field.例文帳に追加

本発明は、ベンズイミダゾール系剤耐性菌に対して安定した防除効力を有し、かつSBI剤に対する対する耐性菌の発達を防止できる、効果の優れた、圃場での使用場面を拡大することのできる農園芸用殺菌剤組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

A second insulating film 8, having a high dielectric constant and obtained by containing deuterium in a thin film containing hafnium such as HfSiON or HfAlO_x at a ratio larger than the ratio of deuterium existing in nature to hydrogen, is used as the gate insulating film of the field effect transistor.例文帳に追加

ＨｆＳｉＯＮまたはＨｆＡｌＯ_ｘなどのハフニウムを含む薄膜に対して、自然界に存在する重水素と水素との比率よりも大きな比率で重水素を含有させた高誘電率の第２絶縁膜８を電界効果トランジスタのゲート絶縁膜として使用する。 - 特許庁