「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a field effect transistor of industrially practical specific top gate structure that has practical printability and, in addition, excellent semiconductor characteristics such as carrier mobility, hysteresis and threshold stability by using a specific organic heterocyclic compound as a semiconductor material.例文帳に追加

半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor material capable of forming a thin film having a high carrier mobility by a simple process without requiring special orientation techniques, and to provide a field-effect transistor which can be produced easily using the organic semiconductor material and has a high carrier mobility.例文帳に追加

特殊な配向技術を必要とせず、簡単な方法でキャリア移動度が高い薄膜を得ることができる有機半導体材料を提供することであり、該有機半導体材料を用いて製造容易かつキャリア移動度の高い電界効果トランジスタを提供することにある。 - 特許庁

The field-effect transistor formed on a substrate 1 has a first compound semiconductor layer which has a source region 4, a drain region 5 and a fin-form region 6 formed between the source and drain regions, and a gate electrode 7 so formed on the surface of the fin-form region 6 as to override this fin-form region 6.例文帳に追加

基板１上に形成され、ソース領域４、ドレイン領域５およびこれらの間に形成されるフィン状領域６を有する第１の化合物半導体層と、フィン状領域６の表面に、このフィン状領域６をまたぐように形成されたゲート電極７を備える。 - 特許庁

In an element substrate 10 of the reflective liquid crystal device 100, first contact holes 41a and 41b comprising a lower layer side light reflecting film and connecting a data line 5a and a relay electrode 5b and a field effect transistor 30 are formed at positions to overlap with an upper layer side light reflecting film 7a.例文帳に追加

反射型液晶装置１００の素子基板１０では、下層側光反射性膜からなるデータ線５ａおよび中継電極５ｂと電界効果型トランジスタ３０とを接続する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂは上層側光反射膜７ａと重なる位置に形成されている。 - 特許庁

This is obtained by melt-mixing and extruding a polymer blend of PVDF and PA11 in a specified ratio at a revolution speed as high as 500 rpm or higher to form a filmlike product and rolling the filmlike product to form a film, and applying an AC electric field to the film to effect its poling.例文帳に追加

このものは、所定割合のＰＶＤＦとＰＡ１１とのポリマーブレンドを５００ｒｐｍ以上の高速回転速度で溶融混練押出成形してフィルム状物とし、これを圧延加工してフィルムにし、さらに該フィルムに交流電場を印加してポーリング処理することにより得られる。 - 特許庁

As a structure applicable to a MOSFET (field effect transistor) provided with a gate electrode G (MOS gate) of a trench electrode structure, a p-type diffused layer SP having a higher concentration than a p-type base area BS is formed around the surface of a substrate in a p-type base area BS.例文帳に追加

トレンチ電極構造のゲート電極Ｇ（ＭＯＳゲート）を備えるＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に適用される構造として、ｐ型のベース領域ＢＳの基板表面付近に、該ベース領域ＢＳよりも濃度の高いｐ型の拡散層ＳＰを設けるようにする。 - 特許庁

To provide a driving apparatus for a self-arc-extinguishing type semiconductor device in which a power source utilization rate can be improved, a short-circuiting current in a field effect transistor in an output stage is prevented, and a switching speed of the self-arc-extinguishing type semiconductor device to be driven can be accelerated.例文帳に追加

電源利用率を向上させることができ、出力段の電界効果トランジスタにおける短絡電流を防止し、かつ駆動する自己消弧型半導体素子のスイッチング速度を向上させることができる自己消弧型半導体素子の駆動装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, as a substrate 11 for forming thereby a nitride semiconductor field effect transistor, an SiC (11-20) plane having its heat conductivity nearly larger by 40% than the one of an SiC (0001) plane is so used as to obtain thereby the low thermal resistance of a chip without increasing the size and the number of chips.例文帳に追加

窒化物半導体電界効果トランジスタを形成するための基板１１としてＳｉＣ（０００１）面に比べて熱伝導率が４０％程度大きなＳｉＣ（１１−２０）面を用いることにより、チップサイズとチップ数を増加させることなく低いチップ熱抵抗を得る。 - 特許庁

The alternating current (AC) switching circuit comprises a first field effect transistor (FET) (144, 244) having a first source, a first gate and a first drain, and a second FET (142, 242) having a second drain, a second source connected with the above first source and a second gate connected with the above first gate.例文帳に追加

交流(AC)スイッチング回路は、第１のソース、第１のゲート、及び第１のドレインを有する、第１の電界効果トランジスタ(FET)(144,244)と、第２のドレイン、前記第１のソースに結合された第２のソース、及び前記第１のゲートに結合された第２のゲートを有する、第２のFET(142,242)とを備える。 - 特許庁

Thus, a transistor with high electric field effect mobility can be manufactured.例文帳に追加

酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 - 特許庁

After the formation of first electrodes 2 and second electrodes 3 at the growth starting side end sections and the growth terminating side end sections of the carbon nanotubes 1, interlayer insulating films 9 are formed, and then the semiconductor device 100 is completed, with a logic circuit comprising an n-type FET (field effect transistor) 20n and a p-type FET 20p mounted thereon.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１の成長起点側及び終点側の端部に第１及び第２の電極２，３を形成した後、層間絶縁膜９を成膜し、ｎ型ＦＥＴ２０ｎ及びｐ型ＦＥＴ２０ｐからなる論理回路を実装した半導体装置１００を完成する。 - 特許庁

In the structure of a field effect transistor using a nitride semiconductor, the part of a barrier brought into contact with a channel formed near the hetero-junction of a gallium nitride layer and the barrier is formed as the multi-layer structure of an aluminum nitride layer whose thickness is 2 nm or less and a gallium nitride layer whose thickness is 2 nm or less.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタの構造は、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分を、厚さ２ｎｍ以下の窒化アルミニウム層と厚さ２ｎｍ以下の窒化ガリウム層の多層構造とする。 - 特許庁

Permanent magnet films 14 are arranged at both sides of the magneto-resistance effect head element 11 which is provided in the magnetic head, and also the magnetizing direction of the permanent magnet films 4 is settled to be almost parallel with the magnetizing direction of the head element 11 at the time when a bias magnetic field is impressed on the head element 11.例文帳に追加

磁気ヘッドが有する磁気抵抗効果型のヘッド素子１１の両側に永久磁石膜１４を配置するとともに、その永久磁石膜１４の着磁方向を、ヘッド素子１１にバイアス磁界を加えた際のそのヘッド素子１１の磁化方向と略平行にする。 - 特許庁

To increase the design flexibility when forward voltage Vf is adjusted while suppressing a leakage current in the reverse direction without changing the on resistance of a field effect transistor, so as to allow fine adjustment of the forward voltage Vf and the leakage current without increasing the chip area or drastically narrowing the current path.例文帳に追加

電界効果トランジスタのオン抵抗を変えずに、逆方向へのリーク電流を押さえつつ順方向電圧Ｖｆを調節するに際し、チップ面積増大や電流経路の大幅狭化を伴うことなく、両者を微妙に調整できるように設計自由度を高める。 - 特許庁

An induction coil L1 and a resonant capacitor C1 with the forward voltage of a body diode connected reverse to the direction of a voltage in a DC supply has a resonant circuit connected in parallel, and an n-channel first field effect transistor F1 to turn the connection to the DC supply E1 on and off.例文帳に追加

ボディダイオードの順方向が直流電源による電圧の向きの逆向きとなるように接続された誘導コイルＬ１と共振コンデンサＣ１とが並列に接続された共振回路と直流電源Ｅ１との接続をオンオフするｎチャネルの第１電界効果トランジスタＦ１を備える。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect sensor in which the generation of a Barkhausen noise can be suppressed by preventing a magnetic domain such as a closure domain from being formed in a free magnetization layer, by a galvano magnetic field to be guided to the intra-film surface direction by operation in a mode for electrifying a sense current vertically to a film surface.例文帳に追加

センス電流を膜面垂直方向に通電するモードで動作し、膜面内方向に誘導される電流磁界による磁化自由層での還流磁区などの磁区形成を防ぐことができ、バルクハウゼンノイズの発生を抑制できる磁気抵抗効果センサーを提供する。 - 特許庁

An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 which are separated from each other by the insulating layer 3; and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4; are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加

絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a T-shaped gate electrode, together with its manufacturing method which has a reduced source resistance, a reduced gate resistance, and a reduced gate capacitance while keeping a sufficient gate breakdown voltage, and which can be manufactured with high accuracy and a high yield.例文帳に追加

ソース抵抗およびゲート抵抗を低減し、十分なゲート耐圧を保ちつつ、ゲート容量を低減し、高精度にかつ歩留りよく形成することができるＴ型ゲート電極を備えた電界効果型半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 separated from each other by the insulating layer 3; and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4; are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加

絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

This junction gate field effect transistor(JFET) 30 has an n-type channel region 14 on a GaAs substrate 12, a p-type gate region 16 on the surface of the channel region, and a gate electrode 20 connected to the gate region through an insulating region 32 on the substrate.例文帳に追加

ＪＦＥＴ３０は、ＧａＡｓ基板１２に設けられたｎ型チャネル領域１４と、チャネル領域の表層部に設けられたｐ型ゲート領域１６と、基板上に設けられた絶縁膜３２を貫通してゲート領域と接続するゲート電極２０とを備える。 - 特許庁

To obtain a thin film of an organic conductive material (a charge transporting material), which has high carrier mobility, by a simple method and without requiring a special orientating technology, and to provide a field effect transistor and a switching element easily manufactured using the organic conductive material, and a display panel using them.例文帳に追加

特殊な配向技術を要せず、簡単な方法でキャリア移動度が高い有機伝導性材料（電荷輸送性材料）薄膜を得ることにあり、該伝導性材料を用いて製造の容易な電界効果トランジスタ、スイッチング素子又これを用いたディスプレイパネルを提供することにある。 - 特許庁

To provide a sound field correction method where factors causing a peak and a dip in a frequency characteristic are analyzed and the arrangement of speakers is changed so as to decrease the effect of a sound mode with a high contribution rate thereby enhancing the frequency characteristic and to provide an acoustic device.例文帳に追加

周波数特性のピークおよびディップが発生している要因を解析し、寄与率の高い音響モードの影響を下げるようにスピーカ配置を換えることで周波数特性を改善する音場補正方法および音響装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The initializing circuit has a field effect transistor(FET) connecting a 1st terminal to the output terminal of the internal power supply circuit, connecting a 2nd terminal to a boosting reference voltage terminal and allowed to be turned on by a control signal for turning off the internal power supply circuit.例文帳に追加

前記初期化回路は、第１の端子に前記内部電源回路の出力端子が接続され、第２の端子に昇圧基準電圧端子が接続される電界効果型トランジスタで、内部電源回路をオフとする制御信号によりオンとされる電界効果型トランジスタを有する。 - 特許庁

In a field effect transistor which has at least a channel layer for traveling of carrier, a carrier supply layer for supplying carrier to the channel layer and a buffer layer for flattening the channel layer, an insertion layer whose band gap is larger then that of the buffer layer is provided between the buffer layer and the channel layer.例文帳に追加

キャリアが走行するチャネル層と、該チャネル層にキャリアを供給するキャリア供給層と、該チャネル層を平坦化するためのバッファ層とを少なくとも有する電界効果トランジスタにおいて、該バッファ層と該チャネル層との間に該バッファ層よりもバンドギャップが大きい挿入層を設ける。 - 特許庁

A bidirectional switch includes a field-effect transistor 10 having a first ohmic electrode 16, a second ohmic electrode 17 and a gate electrode 18, and a control circuit 20 for controlling between a conduction state and a cut-off state by applying a bias voltage to the gate electrode 18.例文帳に追加

双方向スイッチは、第１のオーミック電極１６、第２のオーミック電極１７及びゲート電極１８を有する電界効果トランジスタ１０と、ゲート電極１８にバイアス電圧を印加することにより導通状態と遮断状態とを制御する制御回路２０とを備えている。 - 特許庁

In a field effect transistor including a control circuit board equipped with a gate electrode having a trapezoidal structure, a T type structure, and a Y type structure, the application type resin film is interposed between the control circuit board and the sealing resin.例文帳に追加

台形型構造、Ｔ型構造またはＹ型構造をもつゲート電極を有する制御回路基板と封止樹脂とを備えてなる電界効果型トランジスタにおいて、 前記制御回路基板と前記封止樹脂との間に塗布型樹脂膜を介在させることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

The optical variable attenuating device is equipped with an optical varying means 10 constituted by arranging electrodes 4-1, 4-2, and 4-3 on a base body (comprising members 3-1 and 3-2) made of a material having electrooptic effect so that an electric field is locally converged in the base body.例文帳に追加

電気光学効果を有する材料からなる基体（部材３−１と部材３−２とから構成）に、この基体の内部に局部的に電界が集中するように複数の電極４−１，４−２，４−３を配設して成る光可変手段１０を備えている光可変減衰装置とする。 - 特許庁

To provide a structure for preventing an electromagnetic wave noise from entering a field-installed physical data measuring device etc. and carrying out necessary and sufficient stable measurement for the long term with the necessary and sufficient electromagnetic noise shielding effect, even in an environment exposed to bad weather or sunlight, and surely maintaining long term measurement data.例文帳に追加

現場設置型物理量計測装置などの電磁界ノイズの侵入を防止して、風雨や日照にさらされる環境下にあって、電磁ノイズ遮蔽の効果が必要かつ十分な長期的に安定な計量を行なうとともに長期間計量データを確実に維持する構造に関する。 - 特許庁

The electrons, which have been emitted from the emitter 24 due to the effect of an electric field generated by the cathode 14, a lead-out electrode 18, and a target 16, are accelerated at the lead-out electrode 18 and focused at a window 20 of the Wehnelt-cylinder 12, then collide with the surface of the target 16 to generate an X-ray.例文帳に追加

陰極１４と引き出し電極１８およびターゲット１６とで作られる電界の作用でエミッタ２４から放出された電子は、引き出し電極１８で加速されて、さらに、ウェネルト１２の窓２０で絞られて、ターゲット１６の表面に衝突し、Ｘ線を発生させる。 - 特許庁

The sensor is a sensor containing the back gate type field-effect transistor and characterized in that the gate electrode, which surrounds a reaction region, is fixed on the insulating film of a semiconductor substrate and the thickness of the insulating film of the reaction region is less than the thickness of the insulating film in the periphery of the reaction region.例文帳に追加

本発明のセンサは、バックゲート型の電界効果トランジスタを含むセンサであって、反応領域を囲むゲート電極が半導体基板の絶縁膜上に固定されていること、および反応領域の絶縁膜の厚さがその周囲の絶縁膜の厚さよりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a heating container eliminating gas adsorbed to a getter from being exhausted by activating the getter by a heat of a magnetic field when heating, retaining a heat insulating effect for a long period of time by preventing the lowering of the vacuum in a vacuum heat insulating layer and elongating the service life of the getter.例文帳に追加

ゲッターが加熱時の磁界や熱により活性化されて、ゲッターに吸着したガスを排出するようなことがなく、真空断熱層における真空度の低下を防止して断熱効果を長期間にわたって維持できるようにすると共に、ゲッターの延命化を図る加熱容器を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a microelectronic circuit which is made by incorporating both a fin-type field-effect transistor (FinFET) 1801 and a thick-body device 1802 into a single chip can attain an efficiency higher than that of the conventional methods by utilizing common masks and processes.例文帳に追加

本発明は共通のマスクとステップを用いることにより従来の方法よりも大きな効率性を達成しうる、同一チップにフィン型電界効果トランジスタ（フィンＦＥＴ）１８０１と厚ボディ・デバイス１８０２を備えた微小電子回路を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁

This sensor is a magnetism-impedance sensor wherein a high-frequency carrier current having the frequency of several MHz or higher is made to flow in a magnetic membrane 10 having a high magnetic permeability, and the fact is used that the impedance is changed corresponding to the intensity of an external magnetic field applied to the magnetic membrane in the condition for expressing a skin effect remarkably.例文帳に追加

数ＭＨｚ以上の高周波キャリア電流を高透磁率の磁性薄膜１０に流し、表皮効果が顕著に表れる条件のもと、前記磁性薄膜にかかる外部磁場の強さに応じてインピーダンスが変化することを利用する磁気−インピーダンスセンサである。 - 特許庁

Voltage is induced in an inductor L2 based on a ballast choke L3 when an electric field-effect transistors Q1, Q2 of an inverter circuit 12 are turned on or off alternately, and the transistor Q2 is turned on or off to be driven based on a resonance frequency set by an inductor L1, the inductor L2 and a variable capacitor C2 of a resonance circuit 15.例文帳に追加

インバータ回路12の電界効果トランジスタQ1，Q2を交互にオン、オフするに際しては、バラストチョークL3に基づきインダクタL2に電圧を誘起し、共振回路15のインダクタL1，L2および可変容量コンデンサC2で設定する共振周波数で、電界効果トランジスタQ2をオン、オフ駆動する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic sensor, such as a magnetic resistance sensor and a huge magnetic resistance effect sensor, and a method for manufacturing a magnetizing direction control film to be used for the magnetic sensor for controlling a magnetizing direction in a non magnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗センサ、巨大磁気抵抗効果センサ等の磁気センサの製造方法並びにこれら磁気センサに使用する磁化方向制御膜の製造方法に関し、無地場中での磁化方向制御が可能な磁化方向制御膜の製造方法及び磁気センサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a water-feeding apparatus hardly suffering from harmful effect of refuses and foreign matters, securely feeding and stopping the water in feeding the water from a water source such as an irrigation canal or the like to a water-fed position such as a paddy field or the like and stopping the water, and achieving those with a simple structure in an advantageous cost.例文帳に追加

用水路等の水源から水田等の被給水部へ給水及びこれを停止する場合において、ゴミや異物の悪影響を受け難く確実に給水及び停止することができ、かつこれを簡単な構造で低コストにより実現できる給水装置を得る。 - 特許庁

The effective sound corresponding to the progress of the game executed by game machines 10 is output not only from the game machines 10 but also from sub speakers 60L, 60R arranged in a seat 54 for a player to sit, thereby a surround-sound effect is generated, and a vigorous sound field can be formed.例文帳に追加

遊技機１０で実行される遊技の進行に応じた効果音を、遊技機１０のみならず遊技者着座用シート５４に設けたサブスピーカ６０Ｌ、６０Ｒからも出力するようにしたため、サラウンド効果をもたらし、迫力のある音場を形成することができる。 - 特許庁

To provide an AGC circuit capable of enlarging the change quantity of a gain in respect to the variable quantity of an AGC voltage by preventing a source potential from being lowered even when the drain current of a dual gate type field effect transistor(FET) provided in the AGC circuit is changed.例文帳に追加

ＡＧＣ回路の有するデュアルゲート型電界効果トランジスタにおけるドレイン電流が変化しても、これに伴ってソース電位の低下が生じないようにすることによって、ＡＧＣ電圧の可変量に対する利得の変化量を大きくできるようにＡＧＣ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer to be suitably used to manufacture a semiconductor chip comprising a plurality of field effect transistors (FET) by forming a GaN buffer layer which has high insulation and does not contain excessive impurities as a buffer layer right below a channel layer.例文帳に追加

チャネル層直下のバッファ層において、高い絶縁性を有しかつ過剰な不純物を含有しないGaNバッファ層を形成することによって、複数の電界効果トランジスタ（FET）で構成される半導体チップの製造に際して好適に用いられる半導体エピタキシャルウエハを供給する。 - 特許庁

The silicon layer is doped with ions at an angle based on the height of a second field effect transistor adjacent to the first one so that ions of a predetermined type, which have concentration that is the same as that of a portion adjacent to the channel region of the silicon layer and is not equal to zero, are implanted into one portion of the channel region.例文帳に追加

シリコン層は、シリコン層のチャネル領域に隣接する部分と同じゼロでない濃度の特定のタイプのイオンがチャネル領域の一部に注入されるように、第１電界効果型トランジスタに隣接する第２電界効果型トランジスタの高さに基づいた角度でイオンをドープされている。 - 特許庁

To solve the following problem that the formation of a film that discontinuously generates stress on the surface of a substrate causes the exfoliation of the film from a part in a semiconductor device with the film for generating stress in the channel forming region of a field effect transistor formed on the surface of the semiconductor substrate provided.例文帳に追加

半導体基板上の表面に形成された電界効果トランジスタのチャネル形成領域に応力を発生させる膜を備えた半導体装置において、応力を発生させる膜が不連続的に基板表面に形成されると、その部分から膜剥がれが発生する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor material which does not need a special orientation technique and can use a simple method to provide a thin membrane with a high carrier mobility, and to provide a field effect transistor with a high carrier mobility which can be easily manufactured by using the organic semiconductor.例文帳に追加

特殊な配向技術を必要とせず、簡単な方法でキャリア移動度が高い薄膜を得ることができる有機半導体材料を提供することであり、該有機半導体材料を用いて製造容易かつキャリア移動度の高い電界効果トランジスタを提供することにある。 - 特許庁

To crosslink a large number of carbon nanotubes effectively between catalytic function metallic regions at the top of a set of protrusion patterns in order to attain high speed operation by increasing the amount of current per unit gate width of a field effect transistor employing a carbon nanotube as a channel portion.例文帳に追加

カーボンナノチューブをチャネル部とする電界効果型トランジスタの単位ゲート幅あたりの電流量を増加し高速動作を可能とするため、一組の突起パターンの頂部にある、触媒機能金属領域の間で、効果的の多数のカーボンナノチューブを架橋形成する。 - 特許庁

A magnetic detector, having a coil for applying two orthogonal magnetic fields to the metal body and the magnetic impedance effect type sensor for detecting the normal component of the magnetic leakage flux at the defect part of the metal body scans the surface of the metal body, while applying magnetic field in two or more directions by the coil.例文帳に追加

金属体に直交の２磁界を加えるコイルと金属体の欠陥箇所での漏洩磁束の法線成分を検出する磁気インピーダンス効果型センサを有する磁気検出器で金属体の表面を前記コイルにより２以上の方向に磁界を加えつつスキャニングする。 - 特許庁